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      標簽　>　SiGe

      SiGe

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      sige技術(shù)

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      本文介紹SiGe外延工藝及其在外延生長、應變硅應用以及GAA結(jié)構(gòu)中的作用。 ? 在現(xiàn)代半導體技術(shù)中，隨著器件尺寸的不斷縮小，傳統(tǒng)的硅基材料逐漸難以滿足高...

      2024-12-20 標簽：半導體工藝SiGe 102 0

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      2024-01-15 標簽：等離子體光纖SiGe 361 0

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      2023-02-24 標簽：SiGeRF無線電 1357 0

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      2023-02-09 標簽：二極管整流器SiGe 691 0

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      2023-02-09 標簽：整流器SiGeCFP 747 0

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      sige資訊

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      文章來源：半導體與物理 原文作者：jjfly686 本文簡單介紹了兩種新型的選擇性刻蝕技術(shù)——高氧化性氣體的無等離子體刻蝕和原子層刻蝕。 全環(huán)繞柵極晶體...

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      引言 近年來，硅/硅鍺異質(zhì)結(jié)構(gòu)已成為新型電子和光電器件的熱門課題。因此，人們對硅/硅鍺體系的結(jié)構(gòu)制造和輸運研究有相當大的興趣。在定義Si/SiGe中的不...

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      最近合作伙伴發(fā)布了基于SiGe HBT工藝的240GHz芯片，在這里給大家介紹一下參數(shù)和指標，針對應用會在文末給大家一些方向性參考。 雷達前端TRA?2...

      2023-11-16 標簽：芯片功率放大器振蕩器 1297 0

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      來源：內(nèi)容來自「馭勢資本」，謝謝。 半導體封裝基礎(chǔ) 半導體制造工藝流程 半導體制造的工藝過程由晶圓制造（Wafer Fabr ication）、晶圓測試...

      2021-10-19 標簽：芯片半導體SiGe 9239 0

      得捷新品Nexperia小型化高效SiGe整流器和PUI微型移動揚聲器介紹

      本期Digi-Key Daily向大家推介兩款產(chǎn)品——Nexperia的CFP封裝SiGe整流器和PUI 12mm x 6mm移動系列揚聲器。 1 產(chǎn)品...

      2021-10-11 標簽：整流器SiGe揚聲器 3350 0

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      2019-09-06 標簽：SiGe分辨率晶體管 1.8萬 0

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      格芯（GLOBALFOUNDRIES）公布了針對一系列技術(shù)平臺而制訂的愿景和路線圖，這些技術(shù)平臺旨在幫助客戶過渡到下一代5G無線網(wǎng)絡(luò)。格芯為多種5G應用...

      2018-05-03 標簽：cmossige5g 1130 0

      美高森美推出世界首款單晶片硅鍺RF前端器件LX5586

      美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC）日前推出世界首款單晶片硅鍺（SiGe）RF前端（FE）器件L...

      2018-04-27 標簽：sigewifife 1398 0

      下一代高性能晶體管——納米線能否繼任FinFET

      據(jù)IEEE報道，來自IMEC的Hans Mertens研究小組，使用8納米寬的密集型納米線堆棧在傳統(tǒng)硅表面上成功制作了環(huán)柵式晶體管，未來經(jīng)過技術(shù)改進有可...

      2016-11-23 標簽：SiGe晶體管FinFET 4133 0

      格羅方德推出性能增強型130nm硅鍺射頻技術(shù)，以促進下一代無線網(wǎng)絡(luò)通信發(fā)展

      格羅方德半導體（GlobalFoundries）于今日宣布針對硅鍺（SiGe）高性能技術(shù)組合，推出新一代射頻芯片解決方案。該項技術(shù)專為需要更優(yōu)性能解決方...

      2016-06-08 標簽：SiGe射頻芯片格羅方德 1653 0

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      sige數(shù)據(jù)手冊

      型號 描述 數(shù)據(jù)手冊 參考價格
      SE7351L-T SE7351L-T - 3.3-3.8 GHz Front-End Transceiver - SiGe Semiconductor, Inc.
      SE7351L-AK3 SE7351L-AK3 - 3.3-3.8 GHz Front-End Transceiver - SiGe Semiconductor, Inc.
      SE7265L-R SE7265L-R - 2.3-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier Preliminary - SiGe Semiconductor, Inc.
      SE7265L-EK1 SE7265L-EK1 - 2.3-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier Preliminary - SiGe Semiconductor, Inc.
      SE7262L-EK1 SE7262L-EK1 - 2.5-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier - SiGe Semiconductor, Inc.

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        工業(yè)4.0是由德國政府《德國2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項目之一。該項目由德國聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預計達2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應性、資源效率及基因工程學的智慧工廠，在商業(yè)流程及價值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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