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SiGe外延工藝及其在外延生長(zhǎng)、應(yīng)變硅應(yīng)用及GAA結(jié)構(gòu)中的作用
本文介紹SiGe外延工藝及其在外延生長(zhǎng)、應(yīng)變硅應(yīng)用以及GAA結(jié)構(gòu)中的作用。 ? 在現(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù)中,隨著器件尺寸的不斷縮小,傳統(tǒng)的硅基材料逐漸難以滿足高...
源漏嵌入SiGe應(yīng)變技術(shù)簡(jiǎn)介
與通過源漏嵌入 SiC 應(yīng)變材料來提高NMOS 的速度類似,通過源漏嵌入 SiGe 應(yīng)變材料可以提高PMOS的速度。源漏嵌入 SiGe 應(yīng)變技術(shù)被廣泛用...
硅雙通道光纖低溫等離子體蝕刻控制與SiGe表面成分調(diào)制
在過去的幾年中,MOSFET結(jié)構(gòu)從平面結(jié)構(gòu)改變?yōu)轹捫徒Y(jié)構(gòu)(FinFETs ),這改善了短溝道效應(yīng),并導(dǎo)致更高的驅(qū)動(dòng)電流泄漏。然而,隨著柵極長(zhǎng)度減小到小于...
利用氧化和“轉(zhuǎn)化-蝕刻”機(jī)制對(duì)富鍺SiGe的熱原子層蝕刻 引言
器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來,原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)...
以CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)的微型化毫米波傳感器
大多數(shù)商用雷達(dá)系統(tǒng),特別是高級(jí)駕駛員輔助系統(tǒng) (ADAS) 中的雷達(dá)系統(tǒng),均基于鍺硅(SiGe)技術(shù)。目前的高端車輛都有一個(gè)多芯片SiGe雷達(dá)系統(tǒng)。雖然...
2023-04-07 標(biāo)簽:SiGeadas雷達(dá)系統(tǒng) 1598 0
相對(duì)于基于傳統(tǒng)鍺硅(SiGe)的傳感器技術(shù),TI基于RFCMOS的雷達(dá)傳感器引入了更高的數(shù)字和模擬集成度,以實(shí)現(xiàn)高輸出功率、低功耗(比市面上現(xiàn)有解決方案...
本應(yīng)用筆記介紹了硅鍺如何增強(qiáng)RF應(yīng)用中的IC性能。賈科萊托模型用于分析噪聲效應(yīng)。SiGe技術(shù)的更寬增益帶寬表明可提供更低的噪聲性能。探討了SiGe對(duì)線性...
MAX2322為高性能SiGe接收器前端IC,優(yōu)化用于PCS (1900MHz)頻段CDMA(碼分多址)應(yīng)用。它包括一個(gè)LNA、一個(gè)混頻器和一個(gè)可選頻率...
SiGe整流器集肖特基整流器的效率與快速恢復(fù)二極管的熱穩(wěn)定性于一身,讓工程師能夠優(yōu)化100-200V功率電路的設(shè)計(jì),從而達(dá)到更高的效率。該器件面向汽車、...
ADI公司拓展用于微波頻率生成和轉(zhuǎn)換的高集成度SiGe解決方案系列,為航空飛行、汽車?yán)走_(dá)和5G等各種客戶應(yīng)用提供寬帶性能。
使用SiGe和28nm CMOS的24GHz至44GHz無線電的完整解決方案
完整的寬帶解決方案,涵蓋26 GHz至44 GHz范圍內(nèi)的所有無線電設(shè)計(jì)。這款完整的信號(hào)鏈采用高度集成的寬帶高性能部件,可減少元件數(shù)量,簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)架構(gòu),加...
當(dāng)CMOS技術(shù)遇上微波傳感器,更先進(jìn)的雷達(dá)系統(tǒng)誕生了
隨著武器測(cè)試技術(shù)的進(jìn)步、傳統(tǒng)的測(cè)速技術(shù),如靶圈測(cè)試、天幕靶測(cè)試等方法因測(cè)試過程 繁瑣,精度較差,已不能滿足實(shí)時(shí)戰(zhàn)地測(cè)試的需要。而毫米波測(cè)速雷達(dá)將毫米波技...
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