深入解析TC3xx芯片中的SMU模塊應(yīng)用

SMU_CORE 和 SMU_Stdby 的設(shè)計(jì)方式和時(shí)間安排各不相同。SMU 的兩個(gè)部分之間存在物理隔離。它們位于不同的時(shí)鐘和電源域中。這允許 SMU...

2024-02-27 標(biāo)簽：微控制器寄存器路由器 3737 0

如何用半導(dǎo)體參數(shù)分析儀進(jìn)行斜坡法準(zhǔn)靜態(tài)C-V測(cè)量？

電容電壓（C-V）測(cè)量通常采用交流測(cè)量技術(shù)。而一些電容測(cè)量需要直流測(cè)量技術(shù)，被稱為準(zhǔn)靜態(tài)C-V（或QSCV）測(cè)量，因?yàn)樗鼈兪窃诜浅５偷臏y(cè)試頻率下進(jìn)行的，...

2024-02-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體前置放大器SMU 1141 0

英飛凌TC3xx系列安全管理單元的使用

本篇文檔主要用來(lái)介紹英飛凌基于AURIX-2G TriCore 1.6.2架構(gòu)的 TC3xx系列安全管理單元的使用。

2023-12-07 標(biāo)簽：英飛凌mcu安全管理 2103 0

數(shù)字源表如何選型？不如來(lái)下文“挖一挖”

數(shù)字源表也稱為源測(cè)量單元(SMU),集數(shù)字萬(wàn)用表、電壓源、電流源、電子負(fù)載以及脈沖發(fā)生器、波形發(fā)生器等功能于一體，同時(shí)可精確限流保護(hù)器件不受損壞。在功率...

2023-06-08 標(biāo)簽：脈沖發(fā)生器SMU數(shù)字源表 776 0

【技術(shù)大咖測(cè)試筆記系列】之九：新型SMU克服低電流容性設(shè)置的棘手測(cè)試挑戰(zhàn)

與其他靈敏的SMU相比，新推出的Keithley 4201-SMU中等功率SMU和4211-SMU高功率SMU （選配4200-PA前置放大器）大幅度提...

2021-11-23 標(biāo)簽：前置放大器OLED平板顯示器 2058 0

【當(dāng)代材料電學(xué)測(cè)試】系列之四：寬禁帶材料測(cè)試

隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來(lái)越多，SiC、GaN等被廣泛應(yīng)用于射頻與超高壓等領(lǐng)域。

2021-03-26 標(biāo)簽：萬(wàn)用表SiCGaN 1043 0

【當(dāng)代材料電學(xué)測(cè)試課堂】系列之一： 納米測(cè)試（上）

納米材料的表征包括成分分析，顆粒分析，結(jié)構(gòu)分析，性能分析，分析方法以電鏡分析為主，特別是掃描隧道電鏡（SMT），在導(dǎo)體和半導(dǎo)體納米材料分析上具有優(yōu)勢(shì)。

2021-02-25 標(biāo)簽：納米石墨烯SMU 2250 0

一文解析源測(cè)量單元（SMU）儀器

源測(cè)量單元（SMU）儀器在單個(gè)儀器中集成了精密電源（PPS）和高性能數(shù)字萬(wàn)用表（DMM）的功能。

2021-05-07 標(biāo)簽：脈沖發(fā)生器SMU波形發(fā)生器 9340 0

使用源度量單位儀器的工作原理

盡管電源和DMM適合某些測(cè)量，但在同一臺(tái)儀器中進(jìn)行采購(gòu)和測(cè)量有許多優(yōu)點(diǎn)。但是我遇到的許多工程師都不熟悉這種方法。對(duì)于此博客文章，我已經(jīng)請(qǐng)我的同事*瑪麗·...

2021-05-11 標(biāo)簽：充電電池脈沖發(fā)生器SMU 3783 0

再獲殊榮！普賽斯儀表榮獲2024年國(guó)產(chǎn)測(cè)試測(cè)量行業(yè)卓越獎(jiǎng)

12月7日，第十五屆亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇在深圳盛大召開(kāi)，此次論壇匯聚了來(lái)自電源領(lǐng)域的國(guó)內(nèi)外頂尖技術(shù)專(zhuān)家和產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)，共同探討行業(yè)動(dòng)態(tài)及新技術(shù)趨勢(shì)。...

2024-12-10 標(biāo)簽：測(cè)量SMU數(shù)字源表 299 0

喜報(bào)！武漢普賽斯獲批2024年湖北省工程研究中心

近日，湖北省發(fā)展和改革委員會(huì)印發(fā)了《關(guān)于公布2024年湖北省工程研究中心認(rèn)定名單的通知》（鄂發(fā)改高技〔2024〕357號(hào)），武漢普賽斯電子股份有限公司（...

2024-12-10 標(biāo)簽：SMU數(shù)字源表測(cè)試設(shè)備 233 0

山東理工大學(xué)物電學(xué)院攜手普賽斯儀表共建半導(dǎo)體物理實(shí)驗(yàn)室！

在創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略下，為進(jìn)一步加強(qiáng)高等教育與產(chǎn)業(yè)的深度融合，促進(jìn)科技成果轉(zhuǎn)化與人才培養(yǎng)質(zhì)量的雙重提升，山東理工大學(xué)物理與光電工程學(xué)院與武漢普賽斯儀表有限...

2024-08-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SMU數(shù)字源表 576 0

普賽斯儀表攜功率半導(dǎo)體電性能表征一站式解決方案亮相慕尼黑上海電子展!

7月8日，2024慕尼黑上海電子展在上海新國(guó)際博覽中心開(kāi)幕，本屆展會(huì)以新能源汽車(chē)、儲(chǔ)能、智能駕駛、衛(wèi)星通信、機(jī)器人、可穿戴、智能建筑、邊緣智能、智慧電源...

2024-08-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SMU數(shù)字源表 360 0

SMU數(shù)字源表測(cè)試IC芯片電性能方案

芯片測(cè)試作為芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、封裝、測(cè)試流程中的重要步驟，是使用特定儀器，通過(guò)對(duì)待測(cè)器件DUT(DeviceUnderTest)的檢測(cè)，區(qū)別缺陷、驗(yàn)證器件...

2024-05-13 標(biāo)簽：SMU數(shù)字源表IC芯片 555 0

如何用SMU數(shù)字源表簡(jiǎn)化晶體管的iv性能

晶體管特性參數(shù)測(cè)試是對(duì)待測(cè)器件（DUT）施加電壓或電流，然后測(cè)試其對(duì)激勵(lì)做出的響應(yīng)；通常晶體管特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成，如數(shù)字表、電壓源、電流源等。...

2024-03-13 標(biāo)簽：晶體管SMU數(shù)字源表 473 0

SMU數(shù)字源表IV掃描測(cè)試納米材料電性能方案

納米材料及器件作為戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)和高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)，是促進(jìn)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)和高質(zhì)量發(fā)展的重要支柱之一。普賽斯數(shù)字源表具有測(cè)試精度高、微弱信號(hào)檢測(cè)能力強(qiáng)的特點(diǎn)，可...

2024-03-05 標(biāo)簽：測(cè)試SMU數(shù)字源表 779 0

薄膜材料電阻率與霍爾遷移率測(cè)試詳解

薄膜作為一種重要的材料形態(tài)，在各個(gè)領(lǐng)域中都有著廣泛的應(yīng)用。

2024-01-04 標(biāo)簽：集成電路SMU薄膜電阻 1148 0

國(guó)產(chǎn)源表的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用前景分析：聯(lián)訊儀器參數(shù)對(duì)比

在電子測(cè)試和測(cè)量領(lǐng)域，源表是重要的工具，無(wú)法或缺。國(guó)產(chǎn)源表如聯(lián)訊儀器S3022F和S3012H在性能和功能方面已經(jīng)能夠與進(jìn)口源表相媲美。 首先，進(jìn)口源...

2023-07-19 標(biāo)簽：測(cè)量SMU源表 2348 2