IGBT模塊注意事項(xiàng)：

　　IGBT模塊應(yīng)用中應(yīng)注意的事項(xiàng)有：

　　①各路控制電源要相互隔離，并能達(dá)到一定的絕緣等級(jí)要求。

　?、谠诖蠊β实?a href="http://hljzzgx.com/tags/逆變器/" target="_blank">逆變器中，下橋臂的開關(guān)管也要各自用一個(gè)隔離電源，以避免產(chǎn)生回路噪音，只是這幾路電源的隔離電壓不需太高。

　?、劭刂?a target="_blank">信號(hào)線和驅(qū)動(dòng)電源線要離遠(yuǎn)些，盡量互相垂直，不要平行放置。

　　④ 光電耦合器輸出與IPM輸入之間在PCB上的走線應(yīng)盡量短，最好不要超過3crn。

　?、?驅(qū)動(dòng)信號(hào)隔離要采用高共模抑制比（CMR）的高速光電耦合器，要求 tp＜0.8μs，CMR＞lOkV/μs，如6N137、TCP250 等。

　　⑥IGBT模塊驅(qū)動(dòng)端子上的黑色套管是防靜電導(dǎo)電管，用戶使用接插件引線時(shí)，取下套管后應(yīng)立即插上引線；或采用焊接引線時(shí)先焊接，再剪斷套管；在無防靜電措施時(shí)，不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子。

　　⑦焊接器件時(shí)，設(shè)備或電烙鐵一定要接地。

　　IGBT散熱器

　　IGBT模塊的散熱器應(yīng)根據(jù)使用條件、環(huán)境及IGBT模塊參數(shù)進(jìn)行匹配選擇，以保證滿足IGBT模塊工作時(shí)對散熱器的要求。散熱器表面的光潔度應(yīng)小于10μm，每個(gè)螺絲之間的平面扭曲小于10μm。為了減小接觸熱阻，推薦在散熱器與IGBT模塊之間涂上一層很薄的導(dǎo)熱硅脂。對于IGBT模塊底板為銅板的模塊，在散熱器與IGBT模塊均勻受力后，以從IGBT模塊邊緣可看出有少許導(dǎo)熱硅脂擠出為最佳。對于IGBT模塊底板為DBC墓板的模塊，散熱器表面必須平整、光潔，采用絲網(wǎng)印刷或圓輥滾動(dòng)的方法涂敷一薄層導(dǎo)熱硅脂后，使兩者均勻壓接。

　　在為IGBT模塊安裝散熱器時(shí)，每個(gè)螺釘需按說明書中給出的力矩?cái)Q緊。力矩不足會(huì)導(dǎo)致熱阻增加或運(yùn)動(dòng)中出現(xiàn)螺釘松動(dòng)現(xiàn)象。僅安裝一個(gè)IGBT模塊時(shí)，應(yīng)將其裝在散熱器中心位置，使熱阻最小。安裝幾個(gè)IGBT模塊時(shí)，應(yīng)根據(jù)每個(gè)模塊的發(fā)熱情況留出相應(yīng)的空間，發(fā)熱大的模塊應(yīng)留出較多的空間。兩點(diǎn)安裝緊固螺絲時(shí)，緊固第一個(gè)和第二個(gè)螺絲時(shí)力矩為額定力矩的1/3，然后反復(fù)多次緊固，使其達(dá)到額定力矩。四點(diǎn)安裝和兩點(diǎn)安裝類似。緊固螺絲時(shí)，以1/3額定力矩依次對角緊固，然后反復(fù)多次，使其達(dá)到額定力矩。

　　使用帶紋路的散熱器時(shí)，應(yīng)使IGBT長的，方向順著散熱器的紋路，以減小散熱器的變形。兩只模塊在一個(gè)散熱器上安裝時(shí)，使其按短的方向并排擺放，中間留出足夠的距離，主要目的是風(fēng)機(jī)散熱時(shí)減少熱量疊加，容易散熱，最大限度發(fā)揮散熱器的效率。二是模塊端子的連接應(yīng)有利于減小雜散電感，尤其是高頻使用時(shí)更為重要。在連接器件時(shí)，主端子電極間不能有張力和壓力作用，連接線（條）必須滿足應(yīng)用要求，以免因電極端子發(fā)熱在模塊上產(chǎn)生過熱。

　　IGBT控制模塊電路：

　　IGBT單管和IGBT模塊控制電路

　　IGBT單管和IGBT模塊的控制電路是一樣的，它們的作用和工作原理基本一樣，IGBT模塊可以看成是多個(gè)IGBT單管集成的模塊。IGBT模塊封裝技術(shù)拓展了IGBT的運(yùn)用領(lǐng)域和功能。IGBT是集功率晶體管GTR和功率場管MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一身，具有易驅(qū)動(dòng)、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高的特點(diǎn)，近年來被廣泛運(yùn)用于高電壓、大功率的場合，以下是一種采用一個(gè)同意的24V電源供電，通過改變調(diào)節(jié)電阻的值來調(diào)整門級(jí)-集電極電容的值，以達(dá)到控制開關(guān)典雅上升率和下降率的目的。的IGBT dv/dt控制電路，適用于IGBT單管和IGBT模塊。

　　運(yùn)用中IGBT單管和IGBT模塊相互替換的問題

　　1、IGBT單管的散熱條件沒有IGBT模塊的散熱條件好；

　　2、就制作來說，IGBT模塊的一致性比IGBT單管的一致性好，

　　IGBT模塊中，IGBT芯片的并聯(lián)排線肯定比單管的好，會(huì)降低很多雜散參數(shù)，IGBT模塊并聯(lián)的芯片都是同一片wafer上取出相鄰的IGBT芯片，IGBT芯片參數(shù)非常相似，如果換成單管，那就不一定了。用單管代替也不是不行，余量留大一些。我也看到很多用單管替代的，具體情況需要你自己驗(yàn)證了。

　　IGBT雙用比單用好在哪里：

　　雙單元IGBT是由兩只IGBT組成，如圖1所示，圖中左邊圖為單管IGBT、中間圖為雙單元IGBT、右邊圖為雙單元 IGBT實(shí)際外形。雙單元 IGBT檢測的方法如下：

　　首先將萬用表調(diào)到電阻R × 10k 檔，紅表筆接E（5端或7端）極，黑表筆接G（4端或6端）極，給G、E極間充電。然后將萬用表調(diào)到 R × lΩ 檔，測量C、E（1、2端或3、1端）兩端，正常正反向阻值均為10Ω左右。如果黑表筆接G極，紅表筆接E極，，則RCE為無窮大。如果阻值均為無窮大或者正反向阻值差別為零，說明IGBT已損壞。