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IGBT模塊損壞修復(fù)方案與IGBT焊機(jī)報錯修復(fù)方案分析

2017年05月23日 15:17 網(wǎng)絡(luò)整理 作者: 用戶評論(0

  IGBT損壞的解決對策與故障處理

  1.過電流損壞

  為了避免IGBT發(fā)生鎖定效應(yīng)而損壞,在電路設(shè)計中應(yīng)保證IGBT的最大工作電流應(yīng)不超過IGBT的IDM值,同時注意可適當(dāng)加大驅(qū)動電阻RG的辦法延長關(guān)斷時間,減小IGBT的di/dt。驅(qū)動電壓的大小也會影響IGBT的鎖定效應(yīng),驅(qū)動電壓低,承受過電流時間長,IGBT必須加負(fù)偏壓,IGBT生產(chǎn)廠商一般推薦加-5V左右的反偏電壓。在有負(fù)偏壓情況下,驅(qū)動正電壓在10~15V 之間,IGBT發(fā)射極的電流可在5~10μs內(nèi)超過額定電流的4~10倍,所以IGBT必須設(shè)有驅(qū)動負(fù)偏壓。

  由于負(fù)載沖擊特性各不相同,且供電的設(shè)備可能發(fā)生電源短路故障,所以在設(shè)計中采取限流措施對IGBT的電流限制也是必須的,可考慮采用IGBT廠家提供的驅(qū)動厚膜電路。如FUJI 公司的EXB841、EXB840,三菱公司的M57959AL,57962CL,它們可對IGBT的集電極電壓進(jìn)行檢測,如果IGBT發(fā)生過電流,內(nèi)部電路關(guān)閉驅(qū)動信號。這種辦法有時還是不能保護(hù)IGBT,根據(jù) IR 公司的資料,IR 公司推薦的短路保護(hù)方法是:首先檢測通態(tài)壓降VCE,如果VCE超過設(shè)定值,保護(hù)電路馬上將驅(qū)動電壓降為8V,于是IGBT 由飽和狀態(tài)轉(zhuǎn)入放大區(qū),通態(tài)電阻增大,短路電流下降,經(jīng)過4μs連續(xù)檢測通態(tài)壓降VCE,如果正常,將驅(qū)動電壓恢復(fù)正常,如果未恢復(fù),將驅(qū)動信號關(guān)閉,使集電極電流減為零,這樣可實現(xiàn)短路電流軟關(guān)斷,可以避色快速關(guān)斷造成過大的di/dt損壞

  IGBT,另外根據(jù)最新三菱公司IGBT 資料,三菱推出的F系列IGBT的均內(nèi)含過流限流電路(RTC 電路),如圖1所示,當(dāng)發(fā)生過電流,10μs內(nèi)將IGBT的驅(qū)動電壓減為9V,配合M57160AL厚膜驅(qū)動電路可以快速軟關(guān)斷保護(hù)IGBT。在逆變橋的同臂支路兩個驅(qū)動信號必須是互鎖的,而且應(yīng)該設(shè)置死區(qū)時間(即共同不導(dǎo)通時間)。

可通過降額使用,加大散熱器,涂敷導(dǎo)熱膠,強(qiáng)制風(fēng)扇冷卻,設(shè)置過溫度保護(hù)等方法來解決過熱損壞問題。在安裝或更換IGBT時,應(yīng)十分重視IGBT與散熱片的接觸面狀態(tài)和旋緊程度。為了減少接觸熱阻,最好在散熱器與IGBT間涂抹導(dǎo)熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇,當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞或散熱片散熱不良時將導(dǎo)致IGBT發(fā)熱,而發(fā)生故障。因此對散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查,一般在散熱片上靠近IGBT的地方安裝有溫度感應(yīng)器,當(dāng)溫度過高時將報警或停止IGBT工作。

  圖1 三菱F系列IGBT的RCT 電路

  2.過電壓損壞

  防止過電壓損壞方法有優(yōu)化主電路的工藝結(jié)構(gòu),通過縮小大電流回路的路徑來減小線路寄生電感;適當(dāng)增加IGBT 驅(qū)動電阻RG使開關(guān)速度減慢(但開關(guān)損耗也增加了);設(shè)計緩沖電路,對尖峰電壓進(jìn)行抑制。用于緩沖電路中的二極管必須是快恢復(fù)二極管,電容必須是高頻、損耗小、頻率特性好的薄膜電容。這樣才能取得好的吸收效果。

  IGBT的VGE的保證值為±20V,加到 IGBT上的VGE若超出保證值,將會導(dǎo)致IGBT損壞,因而在柵極—發(fā)射極之間的電壓不能超出保證值,此外,在柵極—發(fā)射極問開路時,若在集電極—發(fā)射極間加上電壓,隨著集電極電位的變化,由于有漏電流流過,柵極電位升高,集電極則有電流流過。如果此時在集電極—發(fā)射集間處于高電壓狀態(tài)時,可能使芯片發(fā)熱而損壞。在應(yīng)用中如果IGBT柵極回路處于開路狀態(tài),若在主回路上加上電壓,也將導(dǎo)致IGBT損壞,為防止這類損壞情況發(fā)生,應(yīng)在IGBT的柵極、發(fā)射極之間接一只lOkΩ左右的阻。

  由于IGBT的輸入端為MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般在20 - 30V 之間。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿也是IGBT失效的常見原因之一。為防止因靜電因素造成IGBT損壞,在IGBT應(yīng)用中應(yīng)注意以下幾點(diǎn):

 ?。?)在測試或安裝拆卸IGBT時,手持IGBT組件時,勿觸摸 IGBT 驅(qū)動端子部分。當(dāng)必須要觸摸IGBT端子時,要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后,再觸摸。

  (2)在用導(dǎo)電材料連接驅(qū)動端子時,在配線未布好之前不要接上IGBT端子。

 ?。?)盡量在底板良好接地的情況下操作。

 ?。?)在焊接作業(yè)時,焊機(jī)與焊槽之間的漏泄容易產(chǎn)生靜電壓,為了防止靜電的產(chǎn)生,應(yīng)將焊機(jī)處于良好的接地狀態(tài)下。

  在應(yīng)用中有時雖然保證了柵極驅(qū)動電壓沒有超過柵極最大額定電壓,但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極問的電容耦合,也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此,通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動信號,以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。

  3.過熱損壞

  可通過降額使用,加大散熱器,涂敷導(dǎo)熱膠,強(qiáng)制風(fēng)扇冷卻,設(shè)置過溫度保護(hù)等方法來解決過熱損壞問題。在安裝或更換IGBT時,應(yīng)十分重視IGBT與散熱片的接觸面狀態(tài)和旋緊程度。為了減少接觸熱阻,最好在散熱器與IGBT間涂抹導(dǎo)熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇,當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞或散熱片散熱不良時將導(dǎo)致IGBT發(fā)熱,而發(fā)生故障。因此對散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查,一般在散熱片上靠近IGBT的地方安裝有溫度感應(yīng)器,當(dāng)溫度過高時將報警或停止IGBT工作。

  IGBT焊機(jī)維修中的注意事項

  1、如果IGBT模塊損壞,必須測量驅(qū)動板驅(qū)動線路是否損壞,同時測量電流互感器、三相整流橋、空氣開關(guān)等器件是否有問題。

  2、IGBT對靜電敏感,攜帶過程中GE間應(yīng)短路,焊接時烙鐵應(yīng)可靠接地。

  3、更換IGBT模塊時,要保持柵極短路小銅環(huán)不脫落,直到安裝完好,最后插控制線時,一手觸摸接地的金屬件,一手拔下銅環(huán)插好控制線,最后將觸摸接地金屬件的手拿開;要將散熱器上原有的導(dǎo)熱硅脂清除干凈,重新涂上新的導(dǎo)熱硅脂;安裝螺絲一定要均勻緊固好,讓器件與散熱器有良好接觸。

  4、控制板與驅(qū)動板在更換過程中,要注意各插頭原有位置,一一插回。

  5、更換IGBT模塊、快恢復(fù)二極管模塊(20040模塊、150S60U硬開關(guān)焊機(jī)用電壓型快恢復(fù)二極管模塊)、三相整流橋模塊等半導(dǎo)體模塊時,拆下舊模塊后,先用干凈的抹布將散熱器上原有的導(dǎo)熱硅脂擦干凈,然后在模塊的底板上涂上適量的新的導(dǎo)熱硅脂,將模塊安裝在相應(yīng)的位置,模塊上緊后底板周圍應(yīng)該都能看到少量的導(dǎo)熱硅脂溢出。

  6、安裝各類半導(dǎo)體模塊時,各個固定螺絲應(yīng)該均勻上緊,切不可一個一個的上緊(容易造成半導(dǎo)體模塊一邊緊固,一邊被強(qiáng)行支空從而出現(xiàn)接觸不良)。

  7、遇到風(fēng)機(jī)不轉(zhuǎn)時,首先要檢查三相電中風(fēng)機(jī)接的兩相,檢查接線是否有問題,檢查啟動電容,都沒問題后再檢查更換風(fēng)機(jī)。

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