美國(guó)科銳公司（Cree）開發(fā)出了直徑為150mm（6英寸）、晶型結(jié)構(gòu)為4H的n型SiC外延晶圓，適用于制造功率半導(dǎo)體、通信部件及照明部件等。
2012-09-05 10:39:28
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探索SiC外延層的摻雜濃度控制與缺陷控制，揭示其在高性能半導(dǎo)體器件中的關(guān)鍵作用。
2024-01-08 09:35:41630 
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
晶體生長(zhǎng)和器件加工技術(shù)的額外動(dòng)力。在20世紀(jì)80年代后期，世界各地正在進(jìn)行大量努力，以提高SiC襯底和六方SiC外延的質(zhì)量 - 垂直SiC功率器件所需 - 從日本的京都大學(xué)和AIST等機(jī)構(gòu)到俄羅斯
2023-02-27 13:48:12
可以通過在SiC功率器件上運(yùn)行HTGB（高溫柵極偏壓）和HTRB（高溫反向偏壓）應(yīng)力測(cè)試來評(píng)估性能。Littelfuse在溫度為175°C的1200V，80mΩSiCMOSFET上進(jìn)行了壓力測(cè)試，具有
2019-07-30 15:15:17
SiC SBD 晶圓級(jí)測(cè)試 求助：需要測(cè)試的參數(shù)和測(cè)試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
Si-MOSFET高。與Si-MOSFET進(jìn)行替換時(shí)，還需要探討柵極驅(qū)動(dòng)器電路。與Si-MOSFET的區(qū)別：內(nèi)部柵極電阻SiC-MOSFET元件本身（芯片）的內(nèi)部柵極電阻Rg依賴于柵電極材料的薄層電阻和芯片尺寸
2018-11-30 11:34:24
比Si器件低，不需要進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制就能夠以MOSFET實(shí)現(xiàn)高耐壓和低阻抗?！ 《襇OSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時(shí)，能夠明顯地減少開關(guān)損耗，并且實(shí)現(xiàn)散熱部件
2023-02-07 16:40:49
，不需要進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制就能夠以MOSFET實(shí)現(xiàn)高耐壓和低阻抗。而且MOSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時(shí)，能夠明顯地減少開關(guān)損耗，并且實(shí)現(xiàn)散熱部件的小型化。另外
2019-04-09 04:58:00
柵極偏壓）試驗(yàn)（+22V、150℃）中，在裝置中未發(fā)生故障和特性波動(dòng)，順利通過1000小時(shí)測(cè)試。閾值穩(wěn)定性（柵極正偏壓）SiC上形成的柵極氧化膜界面并非完全沒有陷阱，因此當(dāng)柵極被長(zhǎng)時(shí)間施加直流的正偏壓
2018-11-30 11:30:41
。SiC-MOSFET應(yīng)用實(shí)例2：脈沖電源脈沖電源是在短時(shí)間內(nèi)瞬時(shí)供電的系統(tǒng)，應(yīng)用例有氣體激光器、加速器、X射線、等離子電源等。作為現(xiàn)有的解決方案有晶閘管等真空管和Si開關(guān)，但市場(chǎng)需要更高耐壓更高
2018-11-27 16:38:39
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么？SiC46x有哪些優(yōu)異的設(shè)計(jì)？SiC46x的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？
2021-07-09 07:11:50
，不需要進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制就能夠以MOSFET實(shí)現(xiàn)高耐壓和低阻抗。而且MOSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時(shí)，能夠明顯地減少開關(guān)損耗，并且實(shí)現(xiàn)散熱部件的小型化。另外
2019-05-07 06:21:55
電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開關(guān)損耗，通過改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開關(guān)損耗的降低，可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡(jiǎn)化（例：散熱片的小型化，水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化
2019-05-06 09:15:52
和Ag-In瞬態(tài)液相鍵合技術(shù)進(jìn)行了研究。 實(shí)驗(yàn) 本研究選擇Sn96.5-Ag3.5焊膏，采用直接覆銅 (DBC)襯底作為SiC功率器件的封裝襯底。DBC襯底使用了一個(gè)夾在兩片0.2032mm銅板之間
2018-09-11 16:12:04
從本文開始將探討如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能。此次作為柵極驅(qū)動(dòng)的“其1”介紹柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng)，在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng)：柵極誤導(dǎo)通首先需要了解的是：接下來要介紹
2018-11-30 11:31:17
電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開關(guān)損耗，通過改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開關(guān)損耗的降低，可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡(jiǎn)化（例：散熱片的小型化，水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化
2019-03-25 06:20:09
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢(shì)？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點(diǎn)有哪些？
2021-07-12 08:07:35
車型都會(huì)配置高壓快充功能。各車廠將在高壓快充全新賽道上一比高下，與之相匹配的SiC(碳化硅)產(chǎn)業(yè)鏈有望駛?cè)氘a(chǎn)業(yè)化快車道。然而，碳化硅還有價(jià)格和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)二個(gè)攔路虎，我們看看與會(huì)專家的意見分析。今年9月
2022-12-27 15:05:47
和GaN的特性比較 氧化鎵（GaO）是另一種帶隙較寬的半導(dǎo)體材料，GaO的導(dǎo)熱性較差，但其帶隙（約4.8 eV）超過SiC，GaN和Si，但是，GaO在成為主要?jiǎng)恿χ皩?b class="flag-6" style="color: red">需要更多的研發(fā)工作。系統(tǒng)參與者
2022-08-12 09:42:07
二極管中觀察到的電容恢復(fù)特性為獨(dú)立于溫度，正向電流水平以及關(guān)斷dI/dt。在Si技術(shù)中，不切實(shí)際外延規(guī)范將肖特基二極管降級(jí)為< 600 V的應(yīng)用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二極管是專門設(shè)計(jì)的，以盡量減少電容電荷，從而實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)瞬變。
2023-06-16 11:42:39
之間通常還有襯底減薄和芯片分離的工藝過程，而在這個(gè)過程中，外延片有可能碎裂、局部殘缺碎裂或局部殘缺，使得實(shí)際的芯片分布與儲(chǔ)存在分選機(jī)里的數(shù)據(jù)不符，造成分選困難。從根本上解決芯片測(cè)試分選瓶頸問題的關(guān)鍵是
2018-08-24 09:47:12
LED芯片外延分析，進(jìn)行耐壓測(cè)試、抗靜電能力測(cè)試、芯片外觀形貌觀察（是否存在外延層孔洞）等，綜合判斷芯片外延層質(zhì)量。 LED失效分析 :LED燈具失效分析,LED光源失效分析,LED芯片失效分析
2020-10-22 09:40:09
LED芯片外延分析，進(jìn)行耐壓測(cè)試、抗靜電能力測(cè)試、芯片外觀形貌觀察（是否存在外延層孔洞）等，綜合判斷芯片外延層質(zhì)量。 LED失效分析 :LED燈具失效分析,LED光源失效分析,LED芯片失效分析
2020-10-22 15:06:06
網(wǎng)絡(luò)測(cè)試 NetWork 分析儀
2024-03-14 22:30:52
網(wǎng)絡(luò)測(cè)試 NetWork 分析儀
2024-03-14 22:30:52
Verilog設(shè)計(jì)內(nèi)外延時(shí)
2012-08-15 16:31:14
` 首先萬分感謝羅姆及電子發(fā)燒友論壇給予此次羅姆SiC Mosfet試用機(jī)會(huì)。 第一次試用體驗(yàn)，先利用晚上時(shí)間做單管SiC Mos的測(cè)試，由于沒有大功率電源，暫且只考察了Mos管的延時(shí)時(shí)間、上升時(shí)間
2020-05-21 15:24:22
項(xiàng)目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗(yàn)，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
羅姆這回提供的電路非常豐富，按由主及次的評(píng)測(cè)思路，我們需要對(duì)電路結(jié)構(gòu)有所了解才能合理設(shè)計(jì)電路實(shí)驗(yàn)，特整理了電路分析的內(nèi)容。整個(gè)評(píng)估板提供的主要電路如下，圖中電路主要意思是這樣，評(píng)估板提供了由兩個(gè)
2020-06-07 15:46:23
本帖最后由 熊宇豪 于 2022-2-16 16:45 編輯
`在學(xué)習(xí)評(píng)估板的user guide之后，了解其基本功能和組成電路組成，首先對(duì)SiC管做雙脈沖測(cè)試考察其開關(guān)特性。對(duì)于雙脈沖測(cè)試
2020-06-18 17:57:15
管的要高很多。現(xiàn)在的測(cè)試中輸入電壓只是48V，最大尖峰也才120多V，對(duì)于1200V耐壓的SIC來說是絕對(duì)的安全，但是當(dāng)輸入電壓是400V或者800V時(shí)，可能就比較危險(xiǎn)了。所以在設(shè)計(jì)時(shí)需要注意尖峰的抑制
2020-06-10 11:04:53
控制器進(jìn)行編程，使用數(shù)字方案控制PWM以驅(qū)動(dòng)SIC MOS實(shí)現(xiàn)雙向DC-DC變換器功能。4、使用設(shè)備儀器測(cè)試樣機(jī)的關(guān)鍵信號(hào)點(diǎn)，并分析數(shù)據(jù)。預(yù)計(jì)成果1、雙向DC-DC變換器樣機(jī)一臺(tái)。2、關(guān)鍵信號(hào)的波形圖、圖片或視頻。3、相關(guān)使用報(bào)告3篇以上。我將會(huì)分享本項(xiàng)目的開展，實(shí)施，結(jié)果過程，展示項(xiàng)目結(jié)果。
2020-04-24 18:08:05
`收到了羅姆的sic-mosfet評(píng)估板，感謝羅姆，感謝電子發(fā)燒友。先上幾張開箱圖，sic-mos有兩種封裝形式的，SCT3040KR，主要參數(shù)如下：SCT3040KL，主要參數(shù)如下：后續(xù)準(zhǔn)備搭建一個(gè)DC-DC BUCK電路，然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
對(duì)比仿真結(jié)果，測(cè)試SiC功率管的實(shí)際工作狀態(tài)。本次報(bào)告主要是開箱拍的一些圖和介紹對(duì)于板子的學(xué)習(xí)情況。 包裝堅(jiān)固嚴(yán)實(shí)的紙箱在海綿中保護(hù)的測(cè)試板和隨板附帶的安全注意事項(xiàng) 測(cè)試板的正面圖背面圖，高壓區(qū)域劃分
2020-05-19 16:03:51
封裝的SIC MOSFET各兩片，分別是TO-247-4L的SCT3040KR，TO-247-3L的SCT3040KL，這兩款都是羅姆推出的SIC MOSFET。兩款SIC 的VDS都是1200V
2020-05-09 11:59:07
項(xiàng)目名稱：微電網(wǎng)結(jié)構(gòu)與控制研究試用計(jì)劃：本人從事電力電子開發(fā)與研究已有10年，目前在進(jìn)行微電網(wǎng)結(jié)構(gòu)與其控制相關(guān)項(xiàng)目，我們擁有兩電平和多電平并網(wǎng)逆變器，需要將逆變器功率器件全部更換為SiC MOS，以
2020-04-29 18:26:12
項(xiàng)目名稱：SiC mosfet 測(cè)試試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由：公司開發(fā)雙脈沖測(cè)試儀對(duì)接觸到Sic相關(guān)的資料。想通過此次試用進(jìn)一步了解相關(guān)性能。試用計(jì)劃：1、測(cè)試電源輸入輸出性能。2、使用公司設(shè)備測(cè)試Sic器件相關(guān)參數(shù)。3、編寫測(cè)試報(bào)告。
2020-04-21 15:54:54
光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。在生長(zhǎng)成外延片后，下一步就開始對(duì)LED外延片做電極（P極，N極），接著就開始用激光機(jī)或鉆石刀切割LED外延片
2015-03-11 17:08:06
的電感和電容之外的雜散電感和電容。需要認(rèn)識(shí)到，SiC MOSFET 的輸出開關(guān)電流變化率 (di/dt) 遠(yuǎn)高于 Si MOSFET。這可能增加直流總線的瞬時(shí)振蕩、電磁干擾以及輸出級(jí)損耗。高開關(guān)速度還可能導(dǎo)致電壓過沖。滿足高電壓應(yīng)用的可靠性和故障處理性能要求。
2017-12-18 13:58:36
引言：前段時(shí)間，Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內(nèi)確實(shí)很火，現(xiàn)在我們結(jié)合最新的市場(chǎng)進(jìn)展，針對(duì)其中使用的碳化硅SiC器件，來了解一下SiC器件的未來需求。我們從前一段時(shí)間的報(bào)道了解到：目前
2021-09-15 07:42:00
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
各類應(yīng)用的PFC和升壓轉(zhuǎn)換器時(shí)，往往面對(duì)在更小尺寸實(shí)現(xiàn)更高能效的挑戰(zhàn)。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑戰(zhàn)。自從16多年前第一款SiC二極管問市以來，這一技術(shù)已經(jīng)日益成熟，質(zhì)量/可靠性測(cè)試和現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試
2018-10-29 08:51:19
關(guān)于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成
2018-11-29 14:33:47
從本文開始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
我想了解關(guān)于LED關(guān)于外延片生長(zhǎng)的結(jié)構(gòu)，謝謝
2013-12-11 12:50:27
。但現(xiàn)實(shí)中，大型ASIC和SoC設(shè)計(jì)常常需要使用很多片SRAM，簡(jiǎn)單采用這種MBIST方法會(huì)生成很多塊MBIST控制邏輯，從而增大芯片面積，增加芯片功耗，甚至加長(zhǎng)芯片測(cè)試時(shí)間。
2019-10-25 06:28:55
` 有誰用過SEMILAB的SRP-2000外延片厚度測(cè)試儀，關(guān)于測(cè)試儀的機(jī)構(gòu)和控制部分，尤其是精度部分希望交流，資料可發(fā)g-optics@163.com，多謝！`
2018-11-20 20:25:37
電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開關(guān)損耗，通過改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開關(guān)損耗的降低，可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡(jiǎn)化（例：散熱片的小型化，水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化
2019-03-12 03:43:18
的局部功耗分布，最終會(huì)導(dǎo)致局部溫度增高。金鑒顯微紅外熱點(diǎn)定位測(cè)試系統(tǒng)利用熱點(diǎn)鎖定技術(shù)，可準(zhǔn)確而高效地確定這些關(guān)注區(qū)域的位置。在SiC Mos等功率器件分析中，可用來確定線路短路、ESD擊穿、氧化傷害等。該測(cè)試技術(shù)是在自然周圍環(huán)境下執(zhí)行的，無需液氮制冷和遮光箱。金鑒顯微紅外熱點(diǎn)定位測(cè)試系統(tǒng)
2018-11-02 16:25:31
兩種原子存在，需要非常特殊的柵介質(zhì)生長(zhǎng)方法。其溝槽星結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢(shì)如下（圖片來源網(wǎng)絡(luò)）：平面vs溝槽SiC-MOSFET采用溝槽結(jié)構(gòu)可最大限度地發(fā)揮SiC的特性。相比GAN, 它的應(yīng)用溫度可以更高。
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
深愛全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25
低功率因素方案SIC953XD系列：TYPESPFMOSFETPackage **范圍SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
了。 固有優(yōu)勢(shì)加上最新進(jìn)展 碳化硅的固有優(yōu)勢(shì)有很多，如高臨界擊穿電壓、高溫操作、具有優(yōu)良的導(dǎo)通電阻/片芯面積和開關(guān)損耗、快速開關(guān)等。最近，UnitedSiC采用常關(guān)型共源共柵的第三代SiC-FET器件已經(jīng)
2023-02-27 14:28:47
專案執(zhí)行分為三個(gè)主要階段：規(guī)范和用例定義，技術(shù)開發(fā)，原型展示研發(fā)。WINSIC4AP項(xiàng)目中的SIC技術(shù)制造SiC元件需要使用專用生產(chǎn)線，系因半導(dǎo)體的物理特性（摻雜劑的極低擴(kuò)散性和晶格的復(fù)雜性），以及
2019-06-27 04:20:26
各位大神，目前國(guó)內(nèi)賣銦鎵砷紅外探測(cè)器的有不少，知道銦鎵砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生產(chǎn)的嗎，坐等答案
2013-06-04 17:22:07
請(qǐng)問：驅(qū)動(dòng)功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
NPN 硅外延三極管型號(hào)
2009-11-12 14:28:41
21 LED 外延片--襯底材料襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的外延生長(zhǎng)技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技
2010-12-21 16:39:290 硅單晶外延層的質(zhì)量檢測(cè)與分析
表征外延層片質(zhì)量的主要參數(shù)是外延層電阻率、厚度、層錯(cuò)及位錯(cuò)密度、少數(shù)載流子壽命
2009-03-09 13:55:402682 
外延型二極管 用外延面長(zhǎng)的過程制造PN結(jié)而形成的二極管。制造時(shí)需要非常高超的技術(shù)。因能隨意地控制雜質(zhì)的不同濃度的分布，故適宜于制造高靈敏度
2009-11-07 08:43:34686 LED外延片代工廠走勢(shì)分析
延續(xù)2009年第2季半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣自谷底彈升，包括臺(tái)積電、聯(lián)電、特許半導(dǎo)體(Chartered)及中芯等前4大外延片代工廠，2009年第3季合計(jì)營(yíng)收達(dá)43。3
2009-11-27 11:02:14720 SiC,SiC是什么意思
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料，具有多種同素異構(gòu)類型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類：一類是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型，稱為3C
2010-03-04 13:25:266539 外延片的生產(chǎn)制作過程是非常復(fù)雜，展完外延片，接下來就在每張 外延片 隨意抽取九點(diǎn)做測(cè)試，符合要求的就是良品，其它為不良品(電壓偏差很大，波長(zhǎng)偏短或偏長(zhǎng)等)。 半導(dǎo)體制造
2011-09-22 16:38:321188 本內(nèi)容介紹了LED外延片基礎(chǔ)知識(shí)，LED外延片--襯底材料，評(píng)價(jià)襯底材料必須綜合考慮的因素
2012-01-06 15:29:542743 為精確估算高頻工作狀態(tài)下SiC MOSFET的開關(guān)損耗及分析寄生參數(shù)對(duì)其開關(guān)特性的影響，提出了一種基于SiC MOSFET的精準(zhǔn)分析模型。該模型考慮了寄生電感、SiC MOSFET非線性結(jié)電容
2018-03-13 15:58:3813 雖然在商用化學(xué)氣相沉積設(shè)備中可以在一次運(yùn)行中實(shí)現(xiàn)多片4H－SiC襯底的同質(zhì)外延生長(zhǎng)，但是必須將晶片裝載到可旋轉(zhuǎn)的大型基座上，這導(dǎo)致基座的直徑隨著數(shù)量或者外延晶片總面積的增加而增加。
2020-12-26 03:52:29492 控制外延層的摻雜類型和濃度對(duì) SiC 功率器件的性能至關(guān)重要，它直接決定了后續(xù)器件的比導(dǎo)通電阻，阻斷電壓等重要的電學(xué)參數(shù)。
2022-04-11 13:44:444805 在提高 SiC 功率器件性能方面發(fā)揮重要作用的最重要步驟之一是器件制造工藝流程。SiC功率器件在用作n溝道而不是p溝道時(shí)往往表現(xiàn)出更好的性能;為了獲得更高的性能，該器件需要在低電阻率的 p 型襯底上外延生長(zhǎng)。
2022-10-27 09:35:004070 固相外延，是指固體源在襯底上生長(zhǎng)一層單晶層，如離子注入后的熱退火實(shí)際上就是一種固相外延過程。離于注入加工時(shí)，硅片的硅原子受到高能注入離子的轟擊
2022-11-09 09:33:5210250 國(guó)產(chǎn)之光?？瓢雽?dǎo)體： 引領(lǐng)SiC外延片量產(chǎn)新時(shí)代 希科半導(dǎo)體科技(蘇州)有限公司 碳化硅外延片新聞發(fā)布 暨投產(chǎn)啟動(dòng)儀式圓滿成功 中國(guó)蘇州，2022年11月23日——希科半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司
2022-11-29 18:06:051769 氮化鎵外延片生長(zhǎng)工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長(zhǎng)法，需經(jīng)過高溫烘烤、緩沖層生長(zhǎng)、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長(zhǎng)法通過控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應(yīng)力而產(chǎn)生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:004345 氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長(zhǎng)一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來，在國(guó)家政策支持下，我國(guó)氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。
2023-02-06 17:14:353012 碳化硅(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料,近20 年來隨著外延設(shè)備和工藝技術(shù)水平不斷 提升,外延膜生長(zhǎng)速率和品質(zhì)逐步提高,碳化硅在新能源汽車、光伏產(chǎn)業(yè)、高壓輸配線和智能電站
2023-02-16 10:50:096936 上周收到了羅姆的評(píng)估板，初步分析看了下需要做的技術(shù)準(zhǔn)備工作較多，同時(shí)也需要自己設(shè)計(jì)方案，需要的時(shí)間較多。所以先寫一個(gè)測(cè)試計(jì)劃。
2023-02-27 10:27:01505 
驅(qū)動(dòng)芯片，需要考慮如下幾個(gè)方面： 驅(qū)動(dòng)電平與驅(qū)動(dòng)電流的要求首先，由于SiC MOSFET器件需要工作在高頻開關(guān)場(chǎng)合，其面對(duì)的由于寄生參數(shù)所帶來的影響更加顯著。由于SiC MOSFET本身柵極開啟電壓較
2023-02-27 14:42:0479 ?？瓢雽?dǎo)體的外延片產(chǎn)品主要用于制造MOSFET、JBS、SBD等碳化硅（SiC）電力電子器件。公司創(chuàng)始核心團(tuán)隊(duì)擁有15年以上的規(guī)模量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，憑借業(yè)內(nèi)最先進(jìn)的高品質(zhì)量產(chǎn)工藝和最先進(jìn)的測(cè)試設(shè)備，為客戶提供低缺陷率和高均勻性要求的6寸導(dǎo)電型碳化硅外延晶片。
2023-05-17 09:47:00638 
外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進(jìn)一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:092827 
SiC薄膜生長(zhǎng)方法有多種，其中化學(xué)氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD）法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較少、生長(zhǎng)速度適中、過程可自動(dòng)控制等優(yōu)點(diǎn)，是生長(zhǎng)用于制造器件的SiC 外延膜的最常用的方法。
2023-06-19 09:35:52644 
電路基礎(chǔ)知識(shí)。芯片測(cè)試涉及到電子電路的測(cè)量和分析，因此需要具備扎實(shí)的電路基礎(chǔ)知識(shí)，包括電子元器件、電路分析方法等。
2023-07-23 10:02:34506 碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
2023-08-03 11:21:03286 
碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
2023-08-15 14:43:341002 
SiC 襯底是由 SiC 單晶材料制造 而成的晶圓片。襯底可以直接進(jìn)入 晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也 可以經(jīng)過外延加工，即在襯底上生 長(zhǎng)一層新的單晶，形成外延片。
2023-10-18 15:35:394 SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21439 
碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工，需要在其上經(jīng)過外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn)，高質(zhì)量的碳化硅同質(zhì)外延材料是碳化硅器件研制的基礎(chǔ)，外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實(shí)現(xiàn)。
2023-12-15 09:45:53607 
4H-SiC概述（生長(zhǎng)、特性、應(yīng)用）、Bulk及外延層缺陷、光致發(fā)光/拉曼光譜法/DLTS/μ-PCD/KOH熔融/光學(xué)顯微鏡，TEM，SEM/散射光等表征方法。
2023-12-28 10:38:03486 
近日，華大半導(dǎo)體旗下中電化合物有限公司榮獲“中國(guó)第三代半導(dǎo)體外延十強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào)，其生產(chǎn)的8英寸SiC外延片更是一舉斬獲“2023年度SiC襯底/外延最具影響力產(chǎn)品獎(jiǎng)”。這一榮譽(yù)充分體現(xiàn)了中電化合物在第三代半導(dǎo)體外延領(lǐng)域的卓越實(shí)力和領(lǐng)先地位。
2024-01-04 15:02:23523 。以下是設(shè)計(jì)SiC逆變器的一般流程： 需求分析：首先需要明確SiC逆變器的應(yīng)用需求，包括輸入電壓范圍、輸出電壓頻率、功率等級(jí)、工作溫度范圍等。這些需求將決定SiC逆變器的基本參數(shù)和性能指標(biāo)。 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)：根據(jù)需求分析，選擇合適的
2024-01-10 14:42:56190
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