1. 臺積電2nm小規(guī)模試產
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臺積電將于2025年量產其2nm工藝,日本SMC社長高田芳樹近日表示,臺積電已經在其2nm芯片試產線上采用SMC的水冷式冷卻器進行小規(guī)模生產。
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SMC宣布,該公司已向臺積電出貨用于2nm芯片試產的冷水機組。SMC正推出專門針對先進半導體工藝的冷水機組產品,旨在使冷水機業(yè)務營收翻倍。高田芳樹透露,三星電子對SMC的冷水機組也非常感興趣。據了解,SMC作為冷水機組的領先制造商,在芯片制造市場占據主導地位,市場份額高達40%左右。
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2. 全球首條搭載無FMM技術的第8.6代AMOLED生產線開工
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9月25日,合肥國顯科技有限公司舉行第8.6代AMOLED生產線開工活動。合肥國顯將打造全球首條搭載無FMM技術(ViP)的第8.6代AMOLED生產線,這是全球最先進的高世代AMOLED產線,其建設將進一步挖掘AMOLED的增長潛力,加速駛入中尺寸新藍海,重塑全球AMOLED面板供應格局。
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該產線落地合肥新站高新區(qū),總投資550億元,設計產能每月3.2萬片玻璃基板(尺寸為2290mm×2620mm)。合肥國顯負責該產線的投資、建設和運營,該公司將由維信諾、合肥市投資平臺出資。維信諾和合肥國顯在創(chuàng)新技術轉化方面將大力協(xié)同,為創(chuàng)新高地再添彩,為新型顯示產業(yè)發(fā)展再助力。
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3. 英特爾正式推出Gaudi3 AI芯片:比英偉達H100慢,成本更低
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英特爾近日正式推出用于AI工作負載的Gaudi3加速器。新芯片的速度比英偉達廣受歡迎的H100和H200 GPU(用于AI和HPC)要慢,因此英特爾將其Gaudi3的成功押注于其較低的價格和較低的總擁有成本(TCO)。
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英特爾的Gaudi3處理器使用兩個芯片,包含64個張量處理器核心(TPC,帶有FP32累加器的256x256 MAC結構)、8個矩陣乘法引擎(MME,256位寬矢量處理器)和96MB片上SRAM緩存,帶寬為19.2TB/s。此外,Gaudi3集成24個200GbE網絡接口和14個媒體引擎,后者能夠處理H.265、H.264、JPEG和VP9,以支持視覺處理。該處理器配備128GB HBM2E內存,分為八個內存堆棧,可提供3.67TB/s的巨量帶寬。
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4. 英偉達RTX 4090 GPU在歐洲漲價,庫存基本售罄
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英偉達Ada Lovelace系列在全球大部分地區(qū)供應充足,尤其是中端和中高端產品。另一方面,旗艦GPU RTX 4090似乎并不像其他GPU那樣供應充足,至少在世界某些地區(qū)是這樣。根據最新報告,大多數供應商似乎都想脫手這款GPU,歐洲區(qū)庫存基本售罄。
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據報道,德國許多零售店以高于制造商建議零售價的價格出售這款GPU。RTX 4090的供應量看起來與往常一樣平均。近一年對GPU價格的監(jiān)測數據顯示,RTX 4090的當前價格已上漲25%。
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5. SK海力士全球率先量產12層堆疊HBM3E
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SK海力士26日宣布,公司全球率先開始量產12層HBM3E新品,實現(xiàn)了現(xiàn)有HBM*產品中最大**的36GB(千兆字節(jié))容量。公司將在年內向客戶提供產品,繼今年3月全球率先向客戶供應8層HBM3E后,僅時隔6個月再次展現(xiàn)出其壓倒性的技術實力。
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SK海力士強調:“自2013年全球首次推出第一代HBM(HBM1)至第五代HBM(HBM3E),? 公司是唯一一家開發(fā)并向市場供應全系列HBM產品的企業(yè)。公司業(yè)界率先成功量產12層堆疊產品,不僅滿足了人工智能企業(yè)日益發(fā)展的需求,同時也進一步鞏固了SK海力士在面向AI的存儲器市場的領導者地位。”
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6.華為 Mate 70 系列被曝整機已量產,定于 11 月上市
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報道稱,華為 Mate 70 系列整機已經量產,此前定于 11 月上市。供應鏈人士稱,“零部件已經在供貨,快的話 10 月底也有可能,目前手機整機已經生產很多了?!?br />
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博主 @剎那數碼、@數碼閑聊站 等人都認為華為 Mate 70 系列會在第四季度晚些時候,也就是 11 月左右發(fā)布,搭載全新麒麟 5G SoC,首發(fā)鴻蒙 HarmonyOS NEXT 正式版?,F(xiàn)有爆料顯示,華為 Mate 70 系列采用了 1.5K LTPO 屏幕、 5000 萬像素的 OV50K 主攝 + 超大可變光圈,配備 5000~6000mAh 的新型硅負極電池(榮耀第三代青海湖電池硅含量已突破 10%,擁有行業(yè)最高 24.7% 的電池整機體積比)。此外,華為 Mate 70 非凡大師版手機采用全陶瓷后蓋,已拋棄雙拼結構。
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今日看點丨華為 Mate 70 系列被曝整機已量;SK海力士全球率先量產12層堆疊HBM3E
- 臺積電(165726)
- 華為(249581)
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與此同時,SK海力士技術團隊在該產品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術,其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性(Backward compatibility)**,因此客戶在基于HBM3組成的系統(tǒng)中,無需修改其設計或結構也可以直接采用新產品。
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2024-03-08 10:53:441101
SK海力士HBM3E內存正式量產,AI性能提升30倍,成本能耗降低96%
同日,SK海力士宣布啟動 HBM3E 內存的量產工作,并在本月下旬開始供貨。自去年宣布研發(fā)僅過了七個月。據稱,該公司成為全球首家量產出貨HBM3E 的廠商,每秒鐘能處理高達 1.18TB 的數據。此項數據處理能力足以支持在一小時內處理多達約 33,800 部全高清電影。
2024-03-19 09:57:44766
SK海力士HBM3E正式量產,鞏固AI存儲領域的領先地位
SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家,預計這款最新產品的大批量投產及其作為業(yè)內首家供應HBM3制造商所累積的經驗,將進一步強化公司在AI存儲器市場的領導者地位。
2024-03-19 15:18:21821
什么是HBM3E內存?Rambus HBM3E/3內存控制器內核
Rambus HBM3E/3 內存控制器內核針對高帶寬和低延遲進行了優(yōu)化,以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓練提供了最大的性能和靈活性。
2024-03-20 14:12:371964
SK海力士成功量產超高性能AI存儲器HBM3E
HBM3E的推出,標志著SK海力士在高性能存儲器領域取得了重大突破,將現(xiàn)有DRAM技術推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53899
英偉達尋求從三星采購HBM芯片
英偉達正在尋求與三星建立合作伙伴關系,計劃從后者采購高帶寬存儲(HBM)芯片。HBM作為人工智能(AI)芯片的核心組件,其重要性不言而喻。與此同時,三星正努力追趕業(yè)內領頭羊SK海力士,后者已率先實現(xiàn)下一代HBM3E芯片的大規(guī)模量產。
2024-03-25 11:42:04605
NVIDIA預定購三星獨家供應的大量12層HBM3E內存
據悉,HBM3E 12H內存具備高達1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲容量,較8層堆疊的HBM3 8H,分別提升了50%以上的帶寬及容量。
2024-03-25 15:36:11343
三星獨家供貨英偉達12層HBM3E內存
據最新消息透露,英偉達即將從今年9月開始大規(guī)模采購12層HBM3E內存,而這次供貨的重任將完全由三星電子承擔。這一消息無疑為業(yè)內帶來了不小的震動。
2024-03-26 10:59:06526
剛剛!SK海力士出局!
在基礎晶圓上通過硅通孔(TSV)連接多層DRAM,首批HBM3E產品均采用8層堆疊,容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達發(fā)送了樣品。此前有消息稱,英偉達已經向SK海力士支付了約合5.4億至7.7億美元的預付款,供應下一代HBM3E。 SK海力士和三星都在推進12層
2024-03-27 09:12:08461
三星電子HBM存儲技術進展:12層HBM3E芯片,2TB/s帶寬HBM4即將上市
據業(yè)內透露,三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領先其他公司,有能力在2024年9月實現(xiàn)對英偉達的替代,這意味著它將成為英偉達12層HBM3E的壟斷供應商。然而,三星方面不愿透露具體客戶信息。
2024-03-27 09:30:09677
三星重磅發(fā)布全新12層36GB HBM3e DRAM
12層HBM3e將每個堆??捎玫目値捥岣叩襟@人的1,280GB/s,這比單個堆棧上RTX 4090可用的全部帶寬還要高。
2024-03-29 10:47:09346
SK海力士與臺積電共同研發(fā)HBM4,預計2026年投產
自 HBM3E(第五代 HBM 產品)起,SK海力士的 HBM 產品基礎裸片均采用自家工藝生產;然而,從 HMB4(第六代 HBM 產品)開始,該公司將轉用臺積電的先進邏輯工藝。
2024-04-19 10:32:07493
SK海力士將采用臺積電7nm制程生產HBM4內存基片
HBM內存基礎裸片即DRAM堆疊基座,兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內存合作協(xié)議,首要任務便是提升HBM基礎邏輯芯片性能。
2024-04-23 16:41:19668
SK海力士:12Hi HBM3E于Q3完成,下半年內存或供應不足
韓國 SK海力士于 4 月 25 日透露在季度財報電話會議上,他們承諾第三季度能夠成功研發(fā)出 12 層堆疊的 HBM3E 系列芯片,然而由于供應壓力,可能在下半年出現(xiàn)短缺現(xiàn)象。
2024-04-25 14:45:07370
SK海力士提前完成HBM4內存量產計劃至2025年
SK海力士宣布,計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產品,而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據該公司上月與臺積電簽署的HBM基礎裸片合作協(xié)議,原本預計HBM4內存要等到2026年才會問世。
2024-05-06 15:10:21336
SK海力士明年HBM產能基本售罄
SK海力士近日宣布,其高帶寬內存(HBM)芯片在2025年的產能已經基本售罄。這一成績主要歸功于人工智能(AI)技術的蓬勃發(fā)展,極大地推動了市場對HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39381
SK海力士加速HBM4E內存研發(fā),預計2026年面市
HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市場需求,SK海力士將提速研發(fā)進程,預計最快在 2026 年推出 HBM4E 內存在內存帶寬上比 HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09330
SK海力士提前一年量產HBM4E第七代高帶寬存儲器
據業(yè)內人士預計,HBM4E的堆疊層數將增加到16~20層,而SK海力士原本計劃在2026年量產16層的HBM4產品。此外,該公司還暗示,有可能從HBM4開始采用“混合鍵合”技術以實現(xiàn)更高的堆疊層數。
2024-05-15 09:45:35328
SK海力士HBM4E存儲器提前一年量產
SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上,由先進HBM技術團隊負責人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士計劃從2026年開始,提前一年量產其第七代高帶寬存儲器HBM4E。這一消息表明,SK海力士在HBM技術領域的研發(fā)速度正在加快。
2024-05-15 11:32:13697
三星HBM3E芯片驗證仍在進行,英偉達訂單分配備受關注
業(yè)內評論指出,三星HBM之所以出現(xiàn)問題,主要原因在于負責英偉達GPU制造的臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準。由于SK海力士8層HBM3E的生產方式與三星有所差異,導致三星產品未能順利通過驗證。
2024-05-16 17:56:201088
三星電子HBM3E芯片驗證仍在進行,與英偉達展開聯(lián)合測試并取得階段性成果
據行業(yè)觀察者透露,三星HBM3E面臨的問題源于臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準,而這與三星自身的生產方式有所出入,從而影響了產品的認證進程。
2024-05-17 09:30:53287
SK海力士與臺積電攜手量產下一代HBM
近日,SK海力士與臺積電宣布達成合作,計劃量產下一代HBM(高帶寬內存)。在這項合作中,臺積電將主導基礎芯片的前端工藝(FEOL)和后續(xù)布線工藝(BEOL),確?;A芯片的質量與性能。而SK海力士則負責晶圓測試和HBM的堆疊工作,確保產品的最終品質與可靠性。
2024-05-20 09:18:46412
SK海力士HBM3E內存良率已達80%
早在今年3月份,韓國媒體DealSite報道中指出,全球HBM存儲器的平均良率約為65%。據此來看,SK海力士在近期對HBM3E存儲器的生產工藝進行了顯著提升。
2024-05-23 10:22:30342
中國AI芯片和HBM市場的未來
然而,全球HBM產能幾乎被SK海力士、三星和美光壟斷,其中SK海力士占據AI GPU市場80%份額,是Nvidia HBM3內存獨家供應商,且已于今年3月啟動HBM3E量產。
2024-05-28 09:40:31630
美光HBM3E解決方案,高帶寬內存助力AI未來發(fā)展
美光近期發(fā)布的內存和存儲產品組合創(chuàng)新備受矚目,這些成就加速了 AI 的發(fā)展。美光 8 層堆疊和 12 層堆疊 HBM3E 解決方案提供業(yè)界前沿性能,功耗比競品1低 30%。
2024-05-28 14:08:13474
SK海力士HBM技術再創(chuàng)新高,將集成更多功能
SK海力士正全力開發(fā)HBM4E存儲設備,意欲打造集計算、緩存和網絡存儲于一身的新型HBM產品,進而提升性能與數據傳輸速率。
2024-05-29 16:41:27470
SK海力士HBM4芯片前景看好
瑞銀集團最新報告指出,SK海力士的HBM4芯片預計從2026年起,每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內存(HBM)市場的領軍企業(yè),SK海力士已在今年2月宣布其HBM產能已全部售罄,顯示其產品的強勁需求。
2024-05-30 10:27:22580
SK海力士擴大1b nm DRAM產能以應對HBM3E需求
據韓國媒體報道,為了應對市場對高性能HBM3E(高帶寬內存第三代增強版)內存的激增需求,全球知名半導體制造商SK海力士已決定大幅增加其1b nm制程DRAM內存產能。這一戰(zhàn)略決策旨在確保公司能夠穩(wěn)定供應高質量內存產品,同時進一步鞏固其在全球半導體市場的領先地位。
2024-06-18 16:25:57375
英偉達巨資預訂HBM3E,力拼上半年算力市場
在全球AI芯片領域的激烈競爭中,英偉達以其卓越的技術實力和市場影響力,始終保持著領先地位。最近,這家AI芯片大廠再次展現(xiàn)出了其獨特的戰(zhàn)略眼光和強大的資金實力,以確保其新品GH200和H200能夠順利出貨,不惜以高達13億美元的預算,向美光和SK海力士預訂了部分高帶寬存儲HBM3e的產能。
2024-06-22 16:46:58893
SK海力士五層堆疊的3D DRAM生產良率達到56.1%
)提交了一份關于3D DRAM(三維動態(tài)隨機存取存儲器)的詳細研究論文。該論文不僅揭示了SK海力士在3D DRAM領域取得的顯著進展,更向世界展示了其在這一未來存儲技術上的堅定決心與卓越實力。
2024-06-24 15:35:29612
SK海力士5層堆疊3D DRAM制造良率已達56.1%
在全球半導體技術的激烈競爭中,SK海力士再次展示了其卓越的研發(fā)實力與創(chuàng)新能力。近日,在美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上,SK海力士宣布了其在3D DRAM技術領域的最新研究成果,其中5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%,這一突破性的進展引起了業(yè)界的廣泛關注。
2024-06-27 10:50:22478
SK海力士加速布局HBM市場,產能擴增應對爆發(fā)式增長
的一次公開場合中明確指出,隨著ChatGPT等AI應用的興起,HBM市場需求呈現(xiàn)出爆炸性增長態(tài)勢,預計其復合年增長率(CAGR)將高達70%。這一預測不僅彰顯了SK海力士對HBM市場前景的堅定信心,也預示著半導體行業(yè)即將迎來一場深刻的變革。
2024-07-08 11:54:49417
SK海力士將在HBM生產中采用混合鍵合技術
在半導體技術日新月異的今天,SK海力士再次站在了行業(yè)創(chuàng)新的前沿。據最新消息,該公司計劃于2026年在其高性能內存(High Bandwidth Memory, HBM)的生產過程中引入混合鍵合技術,這一舉措不僅標志著SK海力士在封裝技術上的重大突破,也預示著全球半導體行業(yè)將迎來新一輪的技術革新。
2024-07-17 09:58:19664
SK海力士與Amkor攜手推進硅中介層合作,強化HBM市場競爭力
在半導體行業(yè)日益激烈的競爭中,SK海力士再次展現(xiàn)其前瞻布局與技術創(chuàng)新的決心。近日,有消息稱SK海力士正與全球知名的封裝測試外包服務(OSAT)大廠Amkor就硅中介層(Si Interposer
2024-07-18 09:42:51494
今日看點丨蘋果 iPhone 16 Pro / Max 被曝支持 Wi-Fi 7;三星:HBM3e先進芯片今年量產
1. 三星:HBM3e 先進芯片今年量產,營收貢獻將增長至60% ? 三星電子公司計劃今年開始量產其第五代高帶寬存儲器(HBM)芯片HBM3e,并迅速提高其對營收的貢獻。三星電子表示,該公司預計其
2024-08-01 11:08:11554
SK海力士將在2025年底量產400+層堆疊NAND
近日,韓國權威媒體ETNews爆出猛料,SK海力士正在積極籌備加速下一代NAND閃存的研發(fā)進程,并且已經設定了明確的發(fā)展時間表——計劃在2025年底之前,全面完成高達400多層堆疊NAND的半成品制備工作,緊隨其后,將于2026年第二季度正式啟動并大規(guī)模投入生產。
2024-08-01 15:26:42325
三星HBM3e芯片量產在即,營收貢獻將飆升
三星電子公司近日宣布了一項重要計劃,即今年將全面啟動其第五代高帶寬存儲器(HBM)芯片HBM3e的量產工作,并預期這一先進產品將顯著提升公司的營收貢獻。據三星電子透露,隨著HBM3e芯片的逐步放量
2024-08-02 16:32:37377
SK海力士加速NAND研發(fā),400+層閃存量產在即
韓國半導體巨頭SK海力士正加速推進NAND閃存技術的革新,據韓媒最新報道,該公司計劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND閃存的量產準備工作,并預計于次年第二季度正式開啟大規(guī)模生產。這一舉措標志著SK海力士在NAND閃存領域再次邁出堅實步伐,引領行業(yè)技術前沿。
2024-08-02 16:56:11933
標普上調SK海力士評級至BBB,看好其HBM領域主導地位
近日,國際知名評級機構標準普爾全球評級(S&P Global Ratings)宣布了一項重要決策,將SK海力士的長期發(fā)行人信用及發(fā)行評級從BBB-提升至BBB,并維持穩(wěn)定的評級展望。此次上調評級,主要基于SK海力士在高性能內存(HBM)領域的顯著“主導地位”以及全球內存市場的積極復蘇趨勢。
2024-08-08 09:48:32251
三星否認HBM3E芯片通過英偉達測試
近日,有關三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達測試的報道引起了廣泛關注。然而,三星電子迅速對此傳聞進行了回應,明確表示該報道并不屬實。
2024-08-08 10:06:02493
SK海力士率先展示UFS 4.1通用閃存
在最近的FMS 2024峰會上,SK 海力士憑借其創(chuàng)新實力,率先向業(yè)界展示了尚未正式發(fā)布規(guī)范的UFS 4.1通用閃存新品,再次引領存儲技術的前沿。此次展示不僅彰顯了SK 海力士在存儲技術領域的領先地位,也為未來的移動設備性能提升奠定了堅實基礎。
2024-08-10 16:52:081268
三星HBM3E內存挑戰(zhàn)英偉達訂單,SK海力士霸主地位受撼動
進入八月,市場傳言四起,韓國存儲芯片巨頭三星電子(簡稱“三星”)的8層HBM3E內存(新一代高帶寬內存產品)已順利通過英偉達嚴格測試。然而,三星迅速澄清,表示這一報道與事實相去甚遠,強調目前質量測試
2024-08-23 15:02:56536
SK海力士9月底將量產12層HBM3E高性能內存
自豪地宣布,SK 海力士當前市場上的旗艦產品——8層HBM3E,已穩(wěn)坐行業(yè)領導地位,而更進一步的是,公司即將在本月底邁入一個新的里程碑,正式啟動12層HBM3E的量產。這一舉措不僅鞏固了SK 海力士在
2024-09-05 16:31:36499
美光12層堆疊HBM3E 36GB內存啟動交付
美光科技近期宣布,其“生產可用”的12層堆疊HBM3E 36GB內存已成功啟動交付,標志著AI計算領域的一大飛躍。這款先進內存正陸續(xù)送達主要行業(yè)合作伙伴手中,以全面融入并驗證其在整個AI生態(tài)系統(tǒng)中的效能。
2024-09-09 17:42:37586
SK海力士開始先進人工智能芯片生產
SK海力士宣布,公司已正式踏入人工智能芯片生產的新階段,批量生產業(yè)界領先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士在內存技術上的重大突破,更以36GB的超大容量刷新了現(xiàn)有HBM產品的記錄,為全球人工智能領域的發(fā)展注入了強勁動力。
2024-09-26 14:24:4145
SK海力士引領未來:全球首發(fā)12層HBM3E芯片,重塑AI存儲技術格局
今日,半導體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業(yè)界矚目的技術里程碑,該公司已成功在全球范圍內率先實現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)?;a,此舉不僅將HBM存儲器的最大容量推升至史無前例的36GB新高度,更進一步鞏固了SK海力士在AI應用存儲器市場的領軍地位。
2024-09-26 16:30:31117
英偉達、微軟、亞馬遜等排隊求購SK海力士HBM芯片,這些國產設備廠迎機遇
電子發(fā)燒友網報道(文/李彎彎)據報道,繼英偉達之后,全球多個科技巨頭都在競購SK海力士的第五代高帶寬內存HBM3E。半導體行業(yè)知情人士稱,各大科技巨頭都已經在向SK海力士請求獲取HBM3E樣本,包括
2023-07-06 09:06:312593
HBM格局生變!傳三星HBM3量產供貨英偉達,國內廠商積極布局
電子發(fā)燒友網報道(文/吳子鵬)根據韓媒sedaily 的最新報道,三星華城17號產線已開始量產并向英偉達供應HBM3內存。同時,美光已經為英偉達供應HBM3E。至此,高端HBM內存的供應由SK海力士
2024-07-23 00:04:003421
HBM3E量產后,第六代HBM4要來了!
電子發(fā)燒友網報道(文/黃晶晶)眼下各家存儲芯片廠商的HBM3E陸續(xù)量產,HBM4正在緊鑼密鼓地研發(fā),從規(guī)格標準到工藝制程、封裝技術等都有所進展,原本SK海力士計劃2026年量產HBM4,不過最近
2024-07-28 00:58:134550
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