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電子發(fā)燒友網>制造/封裝>今日看點丨華為 Mate 70 系列被曝整機已量;SK海力士全球率先量產12層堆疊HBM3E

今日看點丨華為 Mate 70 系列被曝整機已量;SK海力士全球率先量產12層堆疊HBM3E

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SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E

sk海力士表示:“以唯一批生產hbm3的經驗為基礎,成功開發(fā)出了世界最高性能的擴展版hbm3e?!皩⒁詷I(yè)界最大規(guī)模的hbm供應經驗和量產成熟度為基礎,從明年上半年開始批量生產hbm3e,鞏固在針對ai的存儲器市場上的獨一無二的地位?!?/div>
2023-08-21 09:21:49877

SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E,向英偉達提供樣品

該公司表示,HBM3EHBM3的擴展版本)的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應商的經驗。憑借作為業(yè)界最大HBM產品供應商的經驗和量產準備水平,SK海力士計劃在明年上半年量產HBM3E,鞏固其在AI內存市場無與倫比的領導地位。
2023-08-22 16:24:41906

SK海力士全球最高性能HBM3E內存

HBM3E內存(也可以說是顯存)主要面向AI應用,是HBM3規(guī)范的擴展,它有著當前最好的性能,而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對AI優(yōu)化。
2023-08-22 16:28:07865

SK海力士成功開發(fā)出面向AI的超高性能DRAM新產品HBM3E

與此同時,SK海力士技術團隊在該產品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術,其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性(Backward compatibility)**,因此客戶在基于HBM3組成的系統(tǒng)中,無需修改其設計或結構也可以直接采用新產品。
2023-08-23 15:13:13719

香農芯創(chuàng):與華為沒有業(yè)務往來,與SK海力士合作關系正常

sk海力士最近就華為mate 60 pro可能使用sk海力士存儲芯片的半導體解體疑惑表示,美國政府對華為采取限制措施后,沒有與華為進行交易,目前正在展開調查。
2023-09-14 09:28:011263

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1.1TB HBM3e內存!NVIDIA奉上全球第一GPU:可惜無緣中國

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SK海力士資本支出大增,HBM是重點

SK海力士明年計劃的設施投資為10萬億韓元(76.2億美元),超出了市場預期。證券界最初預測“SK海力士明年的投資額將與今年類似,約為6萬億至7萬億韓元”。鑒于經濟挑戰(zhàn),觀察人士預計嚴格的管理措施將延續(xù)到明年。由于存儲半導體價格大幅下跌,SK海力士預計今年赤字將超過8萬億韓元。
2023-11-22 17:28:05780

英偉達大量訂購HBM3E內存,搶占市場先機

英偉達(NVIDIA)近日宣布,已向SK海力士、美光等公司訂購大量HBM3E內存,為其AI領域的下一代產品做準備。也預示著內存市場將新一輪競爭。
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SK海力士在CES 2024展示未來AI基礎設施關鍵技術

尤其值得關注的是,HBM3E系目前最具頂級性能的存儲器,由SK海力士于去年8月成功研發(fā)。公司預計自今明兩年起實現(xiàn)此類產品的大量生產,并向廣泛的AI科技企業(yè)供應。
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傳三星/SK海力士開始訂購DRAM機群工藝和HBM相關設備

數據顯示,首爾半導體操作 DRAM晶圓及HBM相關設備的定單數量有所上升。其中三星電子開始擴大其HBM生產能力,并啟動大規(guī)模HBM設備采購;此外,三星和SK海力士計劃加強DRAM技術轉移,進一步加大對DRAM的投資力度。
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傳英偉達與SK海力士協(xié)調2025年HBM供應

據可靠消息來源透露,英偉達與SK海力士開始就2025年第一季度的高帶寬存儲器(HBM)供應進行協(xié)調。這一合作的背后,是雙方對未來技術趨勢的共同預見和市場需求的高度敏感性。
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SK海力士HBM3E內存提前兩個月大規(guī)模生產,專用于英偉達AI芯片

值得一提的是,半導體產品的研發(fā)周期通常共九個階段,而 SK 海力士已經成功走過了各個環(huán)節(jié),正在進行最后的產量提升階段。這代表著現(xiàn)有的HBM3E產能均可滿足從此刻起NVIDIA的需求。
2024-02-20 15:53:45481

SK海力士推出全球首款HBM3E高帶寬存儲器,領先三星

在嚴格的9個開發(fā)階段后,當前流程全部完成,步入最終的產能提升階段。此次項目完結正是達產升能的標志,這預示著自今往后產出的所有HBM3E即刻具備向英偉達交付的條件。SK海力士計劃3月獲取英偉達對終品質量的認可,同步啟動大規(guī)模生產及交貨。
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【機器視覺】歡創(chuàng)播報 | 華為Mate70系列籌備工作開展

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三星電子成功發(fā)布其首款12堆疊HBM3E DRAM—HBM3E 12H

2024年2月27日 - 三星電子今日宣布,公司成功發(fā)布其首款12堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H,這是三星目前為止容量最大的HBM產品。
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三星發(fā)布首款12堆疊HBM3E DRAM

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近日,全球領先的半導體存儲器及影像產品制造商美光公司宣布,開始大規(guī)模生產用于人工智能的新型高帶寬芯片——HBM3E。這一里程碑式的進展不僅標志著美光在半導體技術領域的又一次突破,也預示著人工智能領域將迎來更為強勁的計算能力支持。
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SK海力士擴大對芯片投資

SK海力士正積極應對AI開發(fā)中關鍵組件HBM(高帶寬存儲器)日益增長的需求,為此公司正加大在先進芯片封裝方面的投入。SK海力士負責封裝開發(fā)的李康旭副社長明確指出,公司正在韓國投入超過10億美元,以擴大和改進其芯片封裝技術。
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SK海力士HBM3E內存正式量產,AI性能提升30倍,成本能耗降低96%

同日,SK海力士宣布啟動 HBM3E 內存的量產工作,并在本月下旬開始供貨。自去年宣布研發(fā)僅過了七個月。據稱,該公司成為全球首家量產出貨HBM3E 的廠商,每秒鐘能處理高達 1.18TB 的數據。此項數據處理能力足以支持在一小時內處理多達約 33,800 部全高清電影。
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SK海力士HBM3E正式量產,鞏固AI存儲領域的領先地位

SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家,預計這款最新產品的大批量投產及其作為業(yè)內首家供應HBM3制造商所累積的經驗,將進一步強化公司在AI存儲器市場的領導者地位。
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什么是HBM3E內存?Rambus HBM3E/3內存控制器內核

Rambus HBM3E/3 內存控制器內核針對高帶寬和低延遲進行了優(yōu)化,以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓練提供了最大的性能和靈活性。
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SK海力士成功量產超高性能AI存儲器HBM3E

HBM3E的推出,標志著SK海力士在高性能存儲器領域取得了重大突破,將現(xiàn)有DRAM技術推向了新的高度。
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英偉達正在尋求與三星建立合作伙伴關系,計劃從后者采購高帶寬存儲(HBM)芯片。HBM作為人工智能(AI)芯片的核心組件,其重要性不言而喻。與此同時,三星正努力追趕業(yè)內領頭羊SK海力士,后者率先實現(xiàn)下一代HBM3E芯片的大規(guī)模量產。
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NVIDIA預定購三星獨家供應的大量12HBM3E內存

據悉,HBM3E 12H內存具備高達1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲容量,較8堆疊HBM3 8H,分別提升了50%以上的帶寬及容量。
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三星獨家供貨英偉達12HBM3E內存

據最新消息透露,英偉達即將從今年9月開始大規(guī)模采購12HBM3E內存,而這次供貨的重任將完全由三星電子承擔。這一消息無疑為業(yè)內帶來了不小的震動。
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剛剛!SK海力士出局!

在基礎晶圓上通過硅通孔(TSV)連接多層DRAM,首批HBM3E產品均采用8堆疊,容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達發(fā)送了樣品。此前有消息稱,英偉達已經向SK海力士支付了約合5.4億至7.7億美元的預付款,供應下一代HBM3E。 SK海力士和三星都在推進12
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三星電子HBM存儲技術進展:12HBM3E芯片,2TB/s帶寬HBM4即將上市

據業(yè)內透露,三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領先其他公司,有能力在2024年9月實現(xiàn)對英偉達的替代,這意味著它將成為英偉達12HBM3E的壟斷供應商。然而,三星方面不愿透露具體客戶信息。
2024-03-27 09:30:09677

三星重磅發(fā)布全新1236GB HBM3e DRAM

12HBM3e將每個堆??捎玫目値捥岣叩襟@人的1,280GB/s,這比單個堆棧上RTX 4090可用的全部帶寬還要高。
2024-03-29 10:47:09346

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HBM3E(第五代 HBM 產品)起,SK海力士HBM 產品基礎裸片均采用自家工藝生產;然而,從 HMB4(第六代 HBM 產品)開始,該公司將轉用臺積電的先進邏輯工藝。
2024-04-19 10:32:07493

SK海力士將采用臺積電7nm制程生產HBM4內存基片

HBM內存基礎裸片即DRAM堆疊基座,兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內存合作協(xié)議,首要任務便是提升HBM基礎邏輯芯片性能。
2024-04-23 16:41:19668

SK海力士12Hi HBM3E于Q3完成,下半年內存或供應不足

韓國 SK海力士于 4 月 25 日透露在季度財報電話會議上,他們承諾第三季度能夠成功研發(fā)出 12 堆疊HBM3E 系列芯片,然而由于供應壓力,可能在下半年出現(xiàn)短缺現(xiàn)象。
2024-04-25 14:45:07370

SK海力士提前完成HBM4內存量產計劃至2025年

SK海力士宣布,計劃于2025年下半年推出首款采用12DRAM堆疊HBM4產品,而16堆疊版本的推出將會稍后。根據該公司上月與臺積電簽署的HBM基礎裸片合作協(xié)議,原本預計HBM4內存要等到2026年才會問世。
2024-05-06 15:10:21336

SK海力士明年HBM產能基本售罄

SK海力士近日宣布,其高帶寬內存(HBM)芯片在2025年的產能已經基本售罄。這一成績主要歸功于人工智能(AI)技術的蓬勃發(fā)展,極大地推動了市場對HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39381

SK海力士加速HBM4E內存研發(fā),預計2026年面市

HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市場需求,SK海力士將提速研發(fā)進程,預計最快在 2026 年推出 HBM4E 內存在內存帶寬上比 HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09330

SK海力士提前一年量產HBM4E第七代高帶寬存儲器

據業(yè)內人士預計,HBM4E堆疊層數將增加到16~20,而SK海力士原本計劃在2026年量產16HBM4產品。此外,該公司還暗示,有可能從HBM4開始采用“混合鍵合”技術以實現(xiàn)更高的堆疊層數。
2024-05-15 09:45:35328

SK海力士HBM4E存儲器提前一年量產

SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上,由先進HBM技術團隊負責人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士計劃從2026年開始,提前一年量產其第七代高帶寬存儲器HBM4E。這一消息表明,SK海力士HBM技術領域的研發(fā)速度正在加快。
2024-05-15 11:32:13697

三星HBM3E芯片驗證仍在進行,英偉達訂單分配備受關注

業(yè)內評論指出,三星HBM之所以出現(xiàn)問題,主要原因在于負責英偉達GPU制造的臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準。由于SK海力士8HBM3E的生產方式與三星有所差異,導致三星產品未能順利通過驗證。
2024-05-16 17:56:201088

三星電子HBM3E芯片驗證仍在進行,與英偉達展開聯(lián)合測試并取得階段性成果

據行業(yè)觀察者透露,三星HBM3E面臨的問題源于臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準,而這與三星自身的生產方式有所出入,從而影響了產品的認證進程。
2024-05-17 09:30:53287

SK海力士與臺積電攜手量產下一代HBM

近日,SK海力士與臺積電宣布達成合作,計劃量產下一代HBM(高帶寬內存)。在這項合作中,臺積電將主導基礎芯片的前端工藝(FEOL)和后續(xù)布線工藝(BEOL),確?;A芯片的質量與性能。而SK海力士則負責晶圓測試和HBM堆疊工作,確保產品的最終品質與可靠性。
2024-05-20 09:18:46412

SK海力士HBM3E內存良率已達80%

早在今年3月份,韓國媒體DealSite報道中指出,全球HBM存儲器的平均良率約為65%。據此來看,SK海力士在近期對HBM3E存儲器的生產工藝進行了顯著提升。
2024-05-23 10:22:30342

SK海力士HBM3E量產時間縮短50%,達到大約80%范圍的目標良率

據報道,SK海力士宣布第五代高帶寬存儲(HBM)—HBM3E的良率已接近80%。
2024-05-27 14:38:17679

中國AI芯片和HBM市場的未來

 然而,全球HBM產能幾乎SK海力士、三星和美光壟斷,其中SK海力士占據AI GPU市場80%份額,是Nvidia HBM3內存獨家供應商,且已于今年3月啟動HBM3E量產。
2024-05-28 09:40:31630

美光HBM3E解決方案,高帶寬內存助力AI未來發(fā)展

美光近期發(fā)布的內存和存儲產品組合創(chuàng)新備受矚目,這些成就加速了 AI 的發(fā)展。美光 8 堆疊12 堆疊 HBM3E 解決方案提供業(yè)界前沿性能,功耗比競品1低 30%。
2024-05-28 14:08:13474

SK海力士HBM技術再創(chuàng)新高,將集成更多功能

SK海力士正全力開發(fā)HBM4E存儲設備,意欲打造集計算、緩存和網絡存儲于一身的新型HBM產品,進而提升性能與數據傳輸速率。
2024-05-29 16:41:27470

SK海力士HBM4芯片前景看好

瑞銀集團最新報告指出,SK海力士HBM4芯片預計從2026年起,每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內存(HBM)市場的領軍企業(yè),SK海力士已在今年2月宣布其HBM產能全部售罄,顯示其產品的強勁需求。
2024-05-30 10:27:22580

SK海力士擴大1b nm DRAM產能以應對HBM3E需求

據韓國媒體報道,為了應對市場對高性能HBM3E(高帶寬內存第三代增強版)內存的激增需求,全球知名半導體制造商SK海力士已決定大幅增加其1b nm制程DRAM內存產能。這一戰(zhàn)略決策旨在確保公司能夠穩(wěn)定供應高質量內存產品,同時進一步鞏固其在全球半導體市場的領先地位。
2024-06-18 16:25:57375

英偉達巨資預訂HBM3E,力拼上半年算力市場

全球AI芯片領域的激烈競爭中,英偉達以其卓越的技術實力和市場影響力,始終保持著領先地位。最近,這家AI芯片大廠再次展現(xiàn)出了其獨特的戰(zhàn)略眼光和強大的資金實力,以確保其新品GH200和H200能夠順利出貨,不惜以高達13億美元的預算,向美光和SK海力士預訂了部分高帶寬存儲HBM3e的產能。
2024-06-22 16:46:58893

SK海力士堆疊3D DRAM生產良率達到56.1%

)提交了一份關于3D DRAM(三維動態(tài)隨機存取存儲器)的詳細研究論文。該論文不僅揭示了SK海力士3D DRAM領域取得的顯著進展,更向世界展示了其在這一未來存儲技術上的堅定決心與卓越實力。
2024-06-24 15:35:29612

SK海力士5堆疊3D DRAM制造良率已達56.1%

全球半導體技術的激烈競爭中,SK海力士再次展示了其卓越的研發(fā)實力與創(chuàng)新能力。近日,在美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上,SK海力士宣布了其在3D DRAM技術領域的最新研究成果,其中5堆疊3D DRAM良品率高達56.1%,這一突破性的進展引起了業(yè)界的廣泛關注。
2024-06-27 10:50:22478

SK海力士加速布局HBM市場,產能擴增應對爆發(fā)式增長

的一次公開場合中明確指出,隨著ChatGPT等AI應用的興起,HBM市場需求呈現(xiàn)出爆炸性增長態(tài)勢,預計其復合年增長率(CAGR)將高達70%。這一預測不僅彰顯了SK海力士HBM市場前景的堅定信心,也預示著半導體行業(yè)即將迎來一場深刻的變革。
2024-07-08 11:54:49417

SK海力士將在HBM生產中采用混合鍵合技術

在半導體技術日新月異的今天,SK海力士再次站在了行業(yè)創(chuàng)新的前沿。據最新消息,該公司計劃于2026年在其高性能內存(High Bandwidth Memory, HBM)的生產過程中引入混合鍵合技術,這一舉措不僅標志著SK海力士在封裝技術上的重大突破,也預示著全球半導體行業(yè)將迎來新一輪的技術革新。
2024-07-17 09:58:19664

SK海力士與Amkor攜手推進硅中介合作,強化HBM市場競爭力

在半導體行業(yè)日益激烈的競爭中,SK海力士再次展現(xiàn)其前瞻布局與技術創(chuàng)新的決心。近日,有消息稱SK海力士正與全球知名的封裝測試外包服務(OSAT)大廠Amkor就硅中介(Si Interposer
2024-07-18 09:42:51494

今日看點蘋果 iPhone 16 Pro / Max 支持 Wi-Fi 7;三星:HBM3e先進芯片今年量產

1. 三星:HBM3e 先進芯片今年量產,營收貢獻將增長至60% ? 三星電子公司計劃今年開始量產其第五代高帶寬存儲器(HBM)芯片HBM3e,并迅速提高其對營收的貢獻。三星電子表示,該公司預計其
2024-08-01 11:08:11554

SK海力士將在2025年底量產400+堆疊NAND

近日,韓國權威媒體ETNews爆出猛料,SK海力士正在積極籌備加速下一代NAND閃存的研發(fā)進程,并且已經設定了明確的發(fā)展時間表——計劃在2025年底之前,全面完成高達400多層堆疊NAND的半成品制備工作,緊隨其后,將于2026年第二季度正式啟動并大規(guī)模投入生產。
2024-08-01 15:26:42325

三星HBM3e芯片量產在即,營收貢獻將飆升

三星電子公司近日宣布了一項重要計劃,即今年將全面啟動其第五代高帶寬存儲器(HBM)芯片HBM3e量產工作,并預期這一先進產品將顯著提升公司的營收貢獻。據三星電子透露,隨著HBM3e芯片的逐步放量
2024-08-02 16:32:37377

SK海力士加速NAND研發(fā),400+閃存量產在即

韓國半導體巨頭SK海力士正加速推進NAND閃存技術的革新,據韓媒最新報道,該公司計劃于2025年末全面完成400+堆疊NAND閃存的量產準備工作,并預計于次年第二季度正式開啟大規(guī)模生產。這一舉措標志著SK海力士在NAND閃存領域再次邁出堅實步伐,引領行業(yè)技術前沿。
2024-08-02 16:56:11933

標普上調SK海力士評級至BBB,看好其HBM領域主導地位

近日,國際知名評級機構標準普爾全球評級(S&P Global Ratings)宣布了一項重要決策,將SK海力士的長期發(fā)行人信用及發(fā)行評級從BBB-提升至BBB,并維持穩(wěn)定的評級展望。此次上調評級,主要基于SK海力士在高性能內存(HBM)領域的顯著“主導地位”以及全球內存市場的積極復蘇趨勢。
2024-08-08 09:48:32251

三星否認HBM3E芯片通過英偉達測試

近日,有關三星的8HBM3E芯片通過英偉達測試的報道引起了廣泛關注。然而,三星電子迅速對此傳聞進行了回應,明確表示該報道并不屬實。
2024-08-08 10:06:02493

SK海力士率先展示UFS 4.1通用閃存

在最近的FMS 2024峰會上,SK 海力士憑借其創(chuàng)新實力,率先向業(yè)界展示了尚未正式發(fā)布規(guī)范的UFS 4.1通用閃存新品,再次引領存儲技術的前沿。此次展示不僅彰顯了SK 海力士在存儲技術領域的領先地位,也為未來的移動設備性能提升奠定了堅實基礎。
2024-08-10 16:52:081268

三星HBM3E內存挑戰(zhàn)英偉達訂單,SK海力士霸主地位受撼動

進入八月,市場傳言四起,韓國存儲芯片巨頭三星電子(簡稱“三星”)的8HBM3E內存(新一代高帶寬內存產品)順利通過英偉達嚴格測試。然而,三星迅速澄清,表示這一報道與事實相去甚遠,強調目前質量測試
2024-08-23 15:02:56536

SK海力士9月底將量產12HBM3E高性能內存

自豪地宣布,SK 海力士當前市場上的旗艦產品——8HBM3E,穩(wěn)坐行業(yè)領導地位,而更進一步的是,公司即將在本月底邁入一個新的里程碑,正式啟動12HBM3E量產。這一舉措不僅鞏固了SK 海力士
2024-09-05 16:31:36499

美光12堆疊HBM3E 36GB內存啟動交付

美光科技近期宣布,其“生產可用”的12堆疊HBM3E 36GB內存已成功啟動交付,標志著AI計算領域的一大飛躍。這款先進內存正陸續(xù)送達主要行業(yè)合作伙伴手中,以全面融入并驗證其在整個AI生態(tài)系統(tǒng)中的效能。
2024-09-09 17:42:37586

SK海力士開始先進人工智能芯片生產

SK海力士宣布,公司正式踏入人工智能芯片生產的新階段,批量生產業(yè)界領先的12HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士在內存技術上的重大突破,更以36GB的超大容量刷新了現(xiàn)有HBM產品的記錄,為全球人工智能領域的發(fā)展注入了強勁動力。
2024-09-26 14:24:4145

SK海力士引領未來:全球首發(fā)12HBM3E芯片,重塑AI存儲技術格局

今日,半導體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業(yè)界矚目的技術里程碑,該公司已成功在全球范圍內率先實現(xiàn)12HBM3E芯片的規(guī)?;a,此舉不僅將HBM存儲器的最大容量推升至史無前例的36GB新高度,更進一步鞏固了SK海力士在AI應用存儲器市場的領軍地位。
2024-09-26 16:30:31117

英偉達、微軟、亞馬遜等排隊求購SK海力士HBM芯片,這些國產設備廠迎機遇

電子發(fā)燒友網報道(文/李彎彎)據報道,繼英偉達之后,全球多個科技巨頭都在競購SK海力士的第五代高帶寬內存HBM3E。半導體行業(yè)知情人士稱,各大科技巨頭都已經在向SK海力士請求獲取HBM3E樣本,包括
2023-07-06 09:06:312593

HBM格局生變!傳三星HBM3量產供貨英偉達,國內廠商積極布局

電子發(fā)燒友網報道(文/吳子鵬)根據韓媒sedaily 的最新報道,三星華城17號產線開始量產并向英偉達供應HBM3內存。同時,美光已經為英偉達供應HBM3E。至此,高端HBM內存的供應由SK海力士
2024-07-23 00:04:003421

HBM3E量產后,第六代HBM4要來了!

電子發(fā)燒友網報道(文/黃晶晶)眼下各家存儲芯片廠商的HBM3E陸續(xù)量產,HBM4正在緊鑼密鼓地研發(fā),從規(guī)格標準到工藝制程、封裝技術等都有所進展,原本SK海力士計劃2026年量產HBM4,不過最近
2024-07-28 00:58:134550

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