10月15日，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，目前全球頂尖的光刻機(jī)生產(chǎn)商ASML正在研發(fā)第三款EUV光刻機(jī)，并計(jì)劃于明年年中出貨。 從其所公布的信息來(lái)看，新款光刻機(jī)型號(hào)命名為T(mén)WINSCAN NXE:3600D
2020-10-17 05:02:00
3456 對(duì)于如今的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，EUV光刻機(jī)是打造下一代邏輯和DRAM工藝技術(shù)的關(guān)鍵所在，為了在未來(lái)的工藝軍備競(jìng)賽中保持優(yōu)勢(shì)，臺(tái)積電、三星和英特爾等廠商紛紛花重金購(gòu)置EUV光刻機(jī)。 ? 然而，當(dāng)這些來(lái)自
2022-07-22 07:49:002403 極紫外 (EUV) 光刻系統(tǒng)是當(dāng)今使用的最先進(jìn)的光刻系統(tǒng)。本文將介紹這項(xiàng)重要但復(fù)雜的技術(shù)。
2023-06-06 11:23:54688 
根據(jù)最新數(shù)據(jù)顯示，ASML在12月中完成了第100臺(tái)EUV光刻機(jī)的出貨。更加利好的消息是，業(yè)內(nèi)預(yù)估ASML今年（2021年）的EUV光刻機(jī)產(chǎn)能將達(dá)到45~50臺(tái)的規(guī)模。
2021-01-03 00:28:004735 ，我國(guó)因?yàn)橘Q(mào)易條約被遲遲卡住不放行的也是一臺(tái)EUV光刻機(jī)。 ? 但EUV光刻機(jī)的面世靠的不僅僅是ASML一家的努力，還有蔡司和TRUMPF（通快）兩家歐洲光學(xué)巨頭的合作才得以成功。他們的技術(shù)分別為EUV光刻機(jī)的鏡頭和光源做出了不小的貢獻(xiàn)，也讓歐洲成了唯一
2021-12-01 10:07:4110988 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）到了3nm這個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)之后，單靠現(xiàn)有的0.33NA EUV光刻機(jī)就很難維系下去了。為了實(shí)現(xiàn)2nm乃至未來(lái)的埃米級(jí)工藝，將晶體管密度推向1000MTr/mm2，全面
2022-12-07 01:48:002200 ofweek電子工程網(wǎng)訊 國(guó)際半導(dǎo)體制造龍頭三星、臺(tái)積電先后宣布將于2018年量產(chǎn)7納米晶圓制造工藝。這一消息使得業(yè)界對(duì)半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵設(shè)備之一極紫外光刻機(jī)（EUV）的關(guān)注度大幅提升。此后又有媒體
2017-11-14 16:24:44
有人知道 為什么光刻完事 剝離那么容易脫落呢 怎么避免呢
2012-06-26 12:40:30
300~500nmKrF：波長(zhǎng)248.8nmArF：波長(zhǎng)193nm衍射效應(yīng)對(duì)光刻圖案的影響左圖是理想的光強(qiáng)分布，由于光的衍射效應(yīng)，實(shí)際的光強(qiáng)分布如右圖所示。當(dāng)光的波長(zhǎng)與mask的特征尺寸可比時(shí)，會(huì)產(chǎn)生明顯的衍射效應(yīng)。如上圖所示，透過(guò)mask的光相互疊加，使得不該受到光照的區(qū)域被曝光。
2014-09-26 10:35:02
一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類型：正性光刻和負(fù)性光刻，區(qū)別如下
2021-01-12 10:17:47
,對(duì)準(zhǔn)精度的提高也受到較多的限制。一般認(rèn)為，接觸式曝光只適于分立元件和中、小規(guī)模集成電路的生產(chǎn)?！ 》墙佑|式曝光主要指投影曝光。在投影曝光系統(tǒng)中，掩膜圖形經(jīng)光學(xué)系統(tǒng)成像在感光層上，掩模與晶片上的感光膠
2012-01-12 10:51:59
關(guān)于光刻工藝的原理，大家可以想象一下膠片照片的沖洗，掩膜版就相當(dāng)于膠片，而光刻機(jī)就是沖洗臺(tái)，它把掩膜版上的芯片電路一個(gè)個(gè)的復(fù)制到光刻膠薄膜上，然后通過(guò)刻蝕技術(shù)把電路“畫(huà)”在晶圓上?！ ‘?dāng)然
2020-07-07 14:22:55
芯片制造流程其實(shí)是多道工序?qū)⒏鞣N特性的材料打磨成形，經(jīng)循環(huán)往復(fù)百次后，在晶圓上“刻”出各種電子特性的區(qū)域，最后形成數(shù)十億個(gè)晶體管并被組合成電子元件。那光刻，整個(gè)流程中的一個(gè)重要步驟，其實(shí)并沒(méi)有
2020-09-02 17:38:07
的厚膜圖形；它還具有良好的力學(xué)性能、抗化學(xué)腐蝕性和熱穩(wěn)定性；在受到紫外輻射后發(fā)生交聯(lián)，是一種化學(xué)擴(kuò)大負(fù)性膠，可以形成臺(tái)階等結(jié)構(gòu)復(fù)雜的圖形；在電鍍時(shí)可以直接作為絕緣體使用。 SU-8光刻膠的優(yōu)點(diǎn)：1
2018-07-12 11:57:08
大。在膜厚大于5μm后，可忽略駐波效應(yīng)的影響。 其實(shí)，在理想情況下，基體與光刻膠的折射率可以認(rèn)為是匹配的，即在曝光過(guò)程中基體和光刻膠相鄰的表面沒(méi)有反射光，此時(shí)曝光劑量分布均勻一致，而實(shí)際曝光劑量的分布
2018-08-23 11:56:31
光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會(huì)發(fā)生改變。光刻膠主要用來(lái)將光刻掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負(fù)膠之分。正膠經(jīng)過(guò)曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經(jīng)過(guò)顯影后被
2019-11-07 09:00:18
100μm并具有極高的分辨率。 NR5 系列 NR5-系列負(fù)性光刻膠，用于深度離子蝕刻（RIE）中的厚膜掩膜工藝。 PR1 系列 正性光刻膠，用于光刻，蝕刻和高溫制程。 IC1/DC5 系列 作為
2010-04-21 10:57:46
光刻膠在近紫外光(365nm- 400nm)范圍內(nèi)光吸收度很低，且整個(gè)光刻膠層所獲得的曝光量均勻一致，可得到具有垂直側(cè)壁和高深寬比的厚膜圖形；它還具有良好的力學(xué)性能、抗化學(xué)腐蝕性和熱穩(wěn)定性。SU-
2018-07-04 14:42:34
三種常見(jiàn)的光刻技術(shù)方法根據(jù)暴光方法的不同,可以劃分為接觸式光刻,接近式光刻和投影式光刻三種光刻技術(shù)?！ 敉队笆奖┕馐抢猛哥R或反射鏡將掩膜版上的圖形投影到襯底上的暴光方法.在這種暴光方法中,由于掩膜
2012-01-12 10:56:23
，從gate size放大而來(lái)。完整的光掩膜圖形中，除了對(duì)應(yīng)電路的圖形外，還包括一些輔助圖形或測(cè)試圖形，常見(jiàn)的有：游標(biāo)，光刻對(duì)準(zhǔn)圖形，曝光量控制圖形，測(cè)試鍵圖形，光學(xué)對(duì)準(zhǔn)目標(biāo)圖形，劃片槽圖形，和其他
2012-01-12 10:36:16
TEL:***回收拋光片、光刻片、晶圓片碎片、小方片、牙簽料、藍(lán)膜片回收晶圓片硅片回收/廢硅片回收/單晶硅片回收/多晶硅片回收/回收太陽(yáng)能電池片/半導(dǎo)休硅片回收
2011-04-15 18:24:29
快照】：極紫外(EUV)光刻技術(shù)一直被認(rèn)為是光學(xué)光刻技術(shù)之后最有前途的光刻技術(shù)之一,國(guó)際上對(duì)EUV光刻技術(shù)已開(kāi)展了廣泛的研究[1-4]。在EUV光刻技術(shù)中,EUV光源是其面臨的首要技術(shù)難題。實(shí)現(xiàn)EUV
2010-04-22 11:41:29
`一、照明用LED光源照亮未來(lái) 隨著市場(chǎng)的持續(xù)增長(zhǎng)，LED制造業(yè)對(duì)于產(chǎn)能和成品率的要求變得越來(lái)越高。激光加工技術(shù)迅速成為L(zhǎng)ED制造業(yè)普遍的工具，甚者成為了高亮度LED晶圓加工的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。 激光刻
2011-12-01 11:48:46
長(zhǎng)期收購(gòu)藍(lán)膜片.藍(lán)膜晶圓.光刻片.silicon pattern wafer. 藍(lán)膜片.白膜片.晶圓.ink die.downgrade wafer.Flash內(nèi)存.晶片.good die.廢膜硅片
2016-01-10 17:50:39
據(jù)羊城晚報(bào)報(bào)道，近日中芯國(guó)際從荷蘭進(jìn)口的一臺(tái)大型光刻機(jī)，順利通過(guò)深圳出口加工區(qū)場(chǎng)站兩道閘口進(jìn)入廠區(qū)，中芯國(guó)際發(fā)表公告稱該光刻機(jī)并非此前盛傳的EUV光刻機(jī)，主要用于企業(yè)復(fù)工復(fù)產(chǎn)后的生產(chǎn)線擴(kuò)容。我們知道
2021-07-29 09:36:46
GK-1000光刻掩膜版測(cè)溫儀，光刻機(jī)曝光光學(xué)系統(tǒng)測(cè)溫儀光刻機(jī)是一種用于微納米加工的設(shè)備，主要用于制造集成電路、光電子器件、MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）等微細(xì)結(jié)構(gòu)。光刻機(jī)是一種光學(xué)投影技術(shù)，通過(guò)將光線通過(guò)
2023-07-07 11:46:07
提要：本文討論了光學(xué)光刻中的離軸照明技術(shù)。主要從改善光刻分辨率、增大焦深、提高空間像對(duì)比度等方面對(duì)離軸照明與傳統(tǒng)照明作了比較，并用 仿真軟件進(jìn)行了模擬分析。研
2010-11-11 15:45:02
0 進(jìn)入10nm工藝節(jié)點(diǎn)之后，EUV光刻機(jī)越來(lái)越重要，全球能產(chǎn)EUV光刻機(jī)的就是荷蘭ASML公司了，他們總共賣(mài)出18臺(tái)EUV光刻機(jī)，總價(jià)值超過(guò)20億歐元，折合每套系統(tǒng)售價(jià)超過(guò)1億歐元，可謂價(jià)值連城。
2017-01-19 18:22:593470 EUV光刻機(jī)的唯一供應(yīng)商ASML在2017年度Semicon West半導(dǎo)體設(shè)備展上也表示，250瓦的EUV光源也萬(wàn)事俱備。公司2017年財(cái)報(bào)中也強(qiáng)調(diào)，其EUV光刻機(jī)滿足了125WPH（每小時(shí)生產(chǎn)
2018-01-23 14:51:008018 
隨機(jī)變化需要新方法、新工具，以及不同公司之間的合作。 極紫外（EUV）光刻技術(shù)正在接近生產(chǎn)，但是隨機(jī)性變化又稱為隨機(jī)效應(yīng)正在重新浮出水面，并為這項(xiàng)期待已久的技術(shù)帶來(lái)了更多的挑戰(zhàn)
2018-03-31 11:52:005861 光學(xué)光刻是通過(guò)廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結(jié)構(gòu)圖形畫(huà)在涂有光刻膠的硅片上，通過(guò)光的照射，光刻膠的成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而生成電路圖。限制成品所能獲得的最小尺寸與光刻系統(tǒng)能獲得
2018-06-27 15:43:5011777 隨著三星宣布7nm EUV工藝的量產(chǎn)，2018年EUV光刻工藝終于商業(yè)化了，這是EUV工藝研發(fā)三十年來(lái)的一個(gè)里程碑。不過(guò)EUV工藝要想大規(guī)模量產(chǎn)還有很多技術(shù)挑戰(zhàn)，目前的光源功率以及晶圓產(chǎn)能輸出還沒(méi)有
2018-10-30 16:28:403376 的光學(xué)系統(tǒng)了?！ ∪缃馎SML與IMEC合作的就是高NA的EUV工藝了，雙方將成立一個(gè)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，在EXE：5000型光刻機(jī)上使用NA=0.55的光學(xué)系統(tǒng)，更高的NA有助于將EVU光源投射到更廣
2018-11-02 10:14:19834 ASML副總裁Anthony Yen表示，ASML已開(kāi)始開(kāi)發(fā)極紫外（EUV）光刻機(jī)，其公司認(rèn)為，一旦當(dāng)今的系統(tǒng)達(dá)到它們的極限，就將需要使用極紫外光刻機(jī)來(lái)繼續(xù)縮小硅芯片的特征尺寸。
2018-12-09 10:35:077142 的新型光學(xué)及掩模襯底材料是該波段技術(shù)的主要困難。光科技束是很多學(xué)科的綜合，任何一門(mén)學(xué)科的突破就能對(duì)光刻技術(shù)的發(fā)展做出巨大貢獻(xiàn)。
2019-01-02 16:32:2323712 由于三星去年就小規(guī)模投產(chǎn)了7nm EUV，同時(shí)ASML（荷蘭阿斯麥）將EUV光刻機(jī)的年出貨量從18臺(tái)提升到今年的預(yù)計(jì)30臺(tái)，顯然促使臺(tái)積電不得不加快腳步。
2019-04-30 17:30:037913 2016年，ASML公司宣布斥資20億美元收購(gòu)德國(guó)蔡司公司25%的股份，并投資數(shù)億美元合作研發(fā)新一代透鏡，而ASML這么大手筆投資光學(xué)鏡頭公司就是為了研發(fā)新一代EUV光刻機(jī)。
2019-07-13 09:40:165058 掌握全球唯一EUV光刻機(jī)研發(fā)、生產(chǎn)的荷蘭ASML（阿斯麥）公司今天發(fā)布了2019年Q2季度財(cái)報(bào)，當(dāng)季營(yíng)收25.68億歐元，其中凈設(shè)備銷售額18.51億歐元，總計(jì)出貨了41臺(tái)光刻機(jī)，其中EUV光刻機(jī)7臺(tái)。
2019-07-18 16:02:003147 
掌握全球唯一EUV光刻機(jī)研發(fā)、生產(chǎn)的荷蘭ASML（阿斯麥）公司今天發(fā)布了2019年Q2季度財(cái)報(bào)，當(dāng)季營(yíng)收25.68億歐元，其中凈設(shè)備銷售額18.51億歐元，總計(jì)出貨了41臺(tái)光刻機(jī)，其中EUV光刻機(jī)7臺(tái)。
2019-07-23 10:47:213102 
格芯首席技術(shù)官Gary Patton表示，如果在5nm的時(shí)候沒(méi)有使用EUV光刻機(jī)，那么光刻的步驟將會(huì)超過(guò)100步，這會(huì)讓人瘋狂。所以所EUV光刻機(jī)無(wú)疑是未來(lái)5nm和3nm芯片的最重要生產(chǎn)工具，未來(lái)圍繞EUV光刻機(jī)的爭(zhēng)奪戰(zhàn)將會(huì)變得異常激烈。因?yàn)檫@是決定這些廠商未來(lái)在先進(jìn)工藝市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵。
2019-09-03 17:18:1812845 
據(jù)韓媒報(bào)道稱，ASML正積極投資研發(fā)下一代EUV光刻機(jī)，與現(xiàn)有光刻機(jī)相比，二代EUV光刻機(jī)最大的變化就是High NA透鏡，通過(guò)提升透鏡規(guī)格使得新一代光刻機(jī)的微縮分辨率、套準(zhǔn)精度兩大光刻機(jī)核心指標(biāo)提升70%，達(dá)到業(yè)界對(duì)幾何式芯片微縮的要求。
2019-08-07 11:24:395849 近些年來(lái)EUV光刻這個(gè)詞大家應(yīng)該聽(tīng)得越來(lái)越多，三星在去年發(fā)布的Exynos 9825 SoC就是首款采用7nm EUV工藝打造的芯片，臺(tái)積電的7nm+也是他們首次使用EUV光刻的工藝，蘋(píng)果的A13
2020-02-29 10:58:473149 2月28日，美國(guó)泛林公司宣布與ASML阿斯麥、IMEC比利時(shí)微電子中心合作開(kāi)發(fā)了新的EUV光刻技術(shù)，不僅提高了EUV光刻的良率、分辨率及產(chǎn)能，還將光刻膠的用量最多降至原來(lái)的1/10，大幅降低了成本。
2020-02-29 11:20:583228 近些年來(lái)EUV光刻這個(gè)詞大家應(yīng)該聽(tīng)得越來(lái)越多，三星在去年發(fā)布的Exynos 9825 SoC就是首款采用7nm EUV工藝打造的芯片，臺(tái)積電的7nm+也是他們首次使用EUV光刻的工藝，蘋(píng)果的A13
2020-02-29 11:42:4529308 據(jù)中國(guó)證券報(bào)報(bào)道，3月6日下午從中芯國(guó)際獲悉，日前中芯國(guó)際深圳工廠從荷蘭進(jìn)口了一臺(tái)大型光刻機(jī)，但這是設(shè)備正常導(dǎo)入，用于產(chǎn)能擴(kuò)充，并非外界所稱的EUV光刻機(jī)。
2020-03-07 10:55:144167 在EUV光刻機(jī)方面，荷蘭ASML（阿斯麥）公司壟斷了目前的EUV光刻機(jī)，去年出貨26臺(tái)，創(chuàng)造了新紀(jì)錄。據(jù)報(bào)道，ASML公司正在研發(fā)新一代EUV光刻機(jī)，預(yù)計(jì)在2022年開(kāi)始出貨。
2020-03-17 09:13:482863 在EUV光刻機(jī)方面，荷蘭ASML（阿斯麥）公司壟斷了目前的EUV光刻機(jī)，去年出貨26臺(tái)，創(chuàng)造了新紀(jì)錄。據(jù)報(bào)道，ASML公司正在研發(fā)新一代EUV光刻機(jī)，預(yù)計(jì)在2022年開(kāi)始出貨。
2020-03-17 09:21:194670 頂級(jí)光刻機(jī)有多難搞？ASML的光刻機(jī)，光一個(gè)零件他就調(diào)整了10年！拿荷蘭最新極紫外光EUV光刻機(jī)舉例，其內(nèi)部精密零件多達(dá)10萬(wàn)個(gè)，比汽車零件精細(xì)數(shù)十倍！
2020-07-02 09:38:3911513 與此同時(shí)， 他指出，EUV繼續(xù)為ASML的客戶提高產(chǎn)量，迄今為止，他們的客戶已經(jīng)使用EUV光刻機(jī)曝光了超過(guò)1100萬(wàn)個(gè)EUV晶圓，并交付了57個(gè)3400x EUV系統(tǒng)（3400平臺(tái)是EUV生產(chǎn)平臺(tái)）。
2020-08-14 11:20:552048 
ASML的EUV光刻機(jī)是目前全球唯一可以滿足22nm以下制程芯片生產(chǎn)的設(shè)備，其中10nm及以下的芯片制造，EUV光刻機(jī)必不可缺。一臺(tái)EUV光刻機(jī)的售價(jià)為1.48億歐元，折合人民幣高達(dá)11.74億元
2020-10-19 12:02:499648 
臺(tái)積電是第一家將EUV（極紫外）光刻工藝商用到晶圓代工的企業(yè)，目前投產(chǎn)的工藝包括N7+、N6和N5三代。
2020-10-22 14:48:561425 11月5日，世界光刻機(jī)巨頭荷蘭阿斯麥ASML亮相第三屆進(jìn)博會(huì)。作為全球唯一能生產(chǎn)EUV（極紫外光）光刻機(jī)的企業(yè)，由于ASML目前仍不能向中國(guó)出口EUV光刻機(jī)，所以此次展示的是其DUV（深紫外光）光刻機(jī)。據(jù)悉，該產(chǎn)品可生產(chǎn)7nm及以上制程芯片。
2020-11-06 11:27:465517 中國(guó)需要光刻機(jī)，尤其是支持先進(jìn)制程的高端光刻機(jī)。具體來(lái)說(shuō)，就是 EUV （極紫外光源）光刻機(jī)。
2020-11-11 10:13:304278 
自從芯片工藝進(jìn)入到7nm工藝時(shí)代以后，需要用到一臺(tái)頂尖的EUV光刻機(jī)設(shè)備，才可以制造7nm EUV、5nm等先進(jìn)制程工藝的芯片產(chǎn)品，但就在近日，又有外媒豪言：這種頂尖的EUV極紫外光刻機(jī)，目前全球
2020-12-03 13:46:226379 繼SK海力士日前宣布在M14和建設(shè)中的M16工廠均引入EUV光刻機(jī)后，三星也坐不住了。 按照三星的說(shuō)法，自2014年以來(lái)，EUV光刻參與的晶圓超過(guò)了400萬(wàn)片，公司積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)，也比其它廠商掌握
2020-12-04 18:26:542201 荷蘭阿斯麥公司作為掌握光刻機(jī)系統(tǒng)集成和整體架構(gòu)的核心企業(yè)，自然成了歐美自家的小棉襖，順利趕上了歐美EUV技術(shù)研究發(fā)展的風(fēng)口，投資德國(guó)卡爾蔡司，收購(gòu)美國(guó)Cymer光源。集成世界各國(guó)頂尖科技的EUV
2020-12-28 09:25:5518165 之前有消息稱，臺(tái)積電正在籌集更多的資金，為的是向ASML購(gòu)買(mǎi)更多更先進(jìn)制程的EUV光刻機(jī)，而這些都是為了新制程做準(zhǔn)備。
2020-12-29 09:22:482192 EUV光刻（即極紫外光刻）利用波長(zhǎng)非常短的光，在硅片上形成數(shù)十億個(gè)微小結(jié)構(gòu)，構(gòu)成一個(gè)芯片。與老式光刻機(jī)相比，EUV設(shè)備可以生產(chǎn)更小、更快、更強(qiáng)大的芯片。
2020-12-29 16:20:301425 Luc Van den hove表示，IMEC的目標(biāo)是將下一代高分辨率EUV光刻技術(shù)高NA EUV光刻技術(shù)商業(yè)化。由于此前得光刻機(jī)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手早已經(jīng)陸續(xù)退出市場(chǎng)，目前ASML把握著全球主要的先進(jìn)光刻機(jī)產(chǎn)能，近年來(lái)，IMEC一直在與ASML研究新的EUV光刻機(jī)，目前目標(biāo)是將工藝規(guī)?？s小到1nm及以下。
2020-12-30 09:23:481673 EUV（極紫外光）光刻機(jī)，是目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已投入規(guī)模生產(chǎn)使用的最先進(jìn)光刻機(jī)類型。近來(lái)，有不少消息都指出，EUV光刻機(jī)耗電量非常大，甚至它還成為困擾臺(tái)積電的一大難題。 為何EUV光刻機(jī)會(huì)這么耗電
2021-02-14 14:05:003915 目前，還有ASML有能力生產(chǎn)最先進(jìn)的EUV光刻機(jī)，三星、臺(tái)積電都是ASML的客戶。但受《瓦森納協(xié)定》的制約，中國(guó)大陸沒(méi)有從ASML買(mǎi)來(lái)一臺(tái)EUV光刻機(jī)。
2021-01-21 08:56:184078 %，凈利潤(rùn)達(dá)到36億歐元。全球光刻機(jī)主要玩家有ASML、尼康和佳能三家，他們占到了全球市場(chǎng)90%。 ASML由于技術(shù)領(lǐng)先，一家壟斷了第五代光刻機(jī)EUV光刻機(jī)，這類光刻機(jī)用于制造7nm以下先進(jìn)制程的芯片。 2020年ASML對(duì)外銷售了31臺(tái)EUV光刻機(jī)，帶來(lái)了45億歐元（折合352.52億
2021-01-22 10:38:164677 
ASML公司前兩天發(fā)布了財(cái)報(bào)，全年凈銷售額140億歐元，EUV光刻機(jī)出貨31臺(tái)，帶來(lái)了45億歐元的營(yíng)收，單價(jià)差不多11.4億歐元了。 雖然業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)很亮眼，但是ASML也有隱憂，實(shí)際上EUV光刻
2021-01-22 17:55:242639 2019 年底在舊金山舉辦的年度國(guó)際電子元件會(huì)議（IEDM）上，臺(tái)積電公布的兩個(gè)報(bào)告標(biāo)志著集成電路制造邁入了EUV 光刻時(shí)代。第一個(gè)報(bào)告宣布了應(yīng)用EUV 光刻技術(shù)的7 納米世代的改良版芯片已經(jīng)
2021-02-19 09:18:203017 
隨著半導(dǎo)體工藝進(jìn)入10nm節(jié)點(diǎn)以下，EUV光刻機(jī)成為制高點(diǎn)，之前臺(tái)積電搶購(gòu)了全球多數(shù)的EUV光刻機(jī)，率先量產(chǎn)7nm、5nm工藝，現(xiàn)在內(nèi)存廠商也要入場(chǎng)了，SK海力士豪擲4.8萬(wàn)億韓元搶購(gòu)EUV光刻機(jī)。
2021-02-25 09:28:551644 隨著半導(dǎo)體工藝進(jìn)入10nm節(jié)點(diǎn)以下，EUV光刻機(jī)成為制高點(diǎn)，之前臺(tái)積電搶購(gòu)了全球多數(shù)的EUV光刻機(jī)，率先量產(chǎn)7nm、5nm工藝，現(xiàn)在內(nèi)存廠商也要入場(chǎng)了，SK海力士豪擲4.8萬(wàn)億韓元搶購(gòu)EUV光刻機(jī)。
2021-02-25 11:39:091844 三星一方面在積極向唯一的EUV光刻機(jī)廠商ASML爭(zhēng)取訂單，另外一方面也在增資為EUV產(chǎn)業(yè)鏈輸血。
2021-03-04 09:52:411757 以下內(nèi)容由對(duì)話音頻整理 本期話題 ● EUV光刻機(jī)產(chǎn)能如何？ ● 晶圓為什么是圓的？ ● 不同制程的芯片之間有何區(qū)別？ ● 什么是邏輯芯片，邏輯芯片又包括哪些？ ● 專用芯片與通用芯片 ● 中科院
2021-03-14 09:46:3023476 日前，ASML產(chǎn)品營(yíng)銷總監(jiān)Mike Lercel向媒體分享了EUV（極紫外）光刻機(jī)的最新進(jìn)展。
2021-03-19 09:39:404630 7nm之下不可或缺的制造設(shè)備，我國(guó)因?yàn)橘Q(mào)易條約被遲遲卡住不放行的也是一臺(tái)EUV光刻機(jī)。 但EUV光刻機(jī)的面世靠的不僅僅是ASML一家的努力，還有蔡司和TRUMPF（通快）兩家歐洲光學(xué)巨頭的合作才得以成功。他們的技術(shù)分別為EUV光刻機(jī)的鏡頭和光源做出了不
2021-12-07 14:01:1010742 EUV光刻技術(shù)為半導(dǎo)體制造商提供一個(gè)前所未有的速度開(kāi)發(fā)最強(qiáng)大芯片的機(jī)會(huì)。
2022-04-07 14:49:33488 臺(tái)積電和三星從7nm工藝節(jié)點(diǎn)就開(kāi)始應(yīng)用EUV光刻層了，并且在隨后的工藝迭代中，逐步增加半導(dǎo)體制造過(guò)程中的EUV光刻層數(shù)。
2022-05-13 14:43:202077 
HVM中的EUV光刻
?背景和歷史
?使用NXE的EUV光刻：3400B
?EUV生成原理
?EUV來(lái)源：架構(gòu)
?現(xiàn)場(chǎng)EUV源
?電源展望
?總結(jié)
2022-06-13 14:45:450 在芯片研發(fā)的過(guò)程中，光刻機(jī)是必不可少的部分，而隨著芯片制程工藝的不斷發(fā)展，普通的光刻機(jī)已經(jīng)不能滿足先進(jìn)制程了，必須要用最先進(jìn)的EUV光刻機(jī)才能完成7nm及其以下的先進(jìn)制程，而目前臺(tái)積電和三星都在攻克
2022-06-28 15:07:126676 中國(guó)芯的進(jìn)步那是有目共睹，我國(guó)在光刻機(jī)，特別是在EUV光刻機(jī)方面，更是不斷尋求填補(bǔ)空白的途徑。
2022-07-05 10:38:3516742 三星電子和ASML就引進(jìn)今年生產(chǎn)的EUV光刻機(jī)和明年推出高數(shù)值孔徑極紫外光High-NA EUV光刻機(jī)達(dá)成采購(gòu)協(xié)議。
2022-07-05 15:26:155634 光刻機(jī)是芯片制造的核心設(shè)備之一。目前世界上最先進(jìn)的光刻機(jī)是荷蘭ASML的EUV光刻機(jī)。
2022-07-06 11:03:077000 如今世界最先進(jìn)的EUV光刻機(jī)，只有asml一家公司可以制造出來(lái)。
2022-07-06 11:19:3850686 EUV光刻機(jī)是在2018年開(kāi)始出現(xiàn)，并在2019年開(kāi)始大量交付，而臺(tái)積電也是在2019年推出了7nm EUV工藝。
2022-07-07 09:48:444523 ASML的極紫外光刻機(jī)（EUV），這個(gè)是當(dāng)前世界頂級(jí)的光刻機(jī)設(shè)備。 在芯片加工的時(shí)候，光刻機(jī)是用一系列光源能量和形狀控制手段，通過(guò)帶有電路圖的掩模傳輸光束。 光刻設(shè)備涉及系統(tǒng)集成、精密光學(xué)、精密運(yùn)動(dòng)、精密材料傳輸、高精度微環(huán)境控制等多項(xiàng)先
2022-07-10 11:17:4242766 機(jī)是哪個(gè)國(guó)家的呢？ euv光刻機(jī)許多國(guó)家都有，理論上來(lái)說(shuō)，芯片強(qiáng)國(guó)的光刻機(jī)也應(yīng)該很強(qiáng)，但是最強(qiáng)的光刻機(jī)制造強(qiáng)國(guó)，不是美國(guó)、韓國(guó)等芯片強(qiáng)國(guó)，而是荷蘭。 EUV光刻機(jī)有光源系統(tǒng)、光學(xué)鏡頭、雙工作臺(tái)系統(tǒng)三大核心技術(shù)。 目前，在全世
2022-07-10 11:42:276977 機(jī)可以生產(chǎn)出納米尺寸更小、功能更強(qiáng)大的芯片。 小于5 nm的芯片晶片只能由EUV光刻機(jī)生產(chǎn)。 EUV光刻機(jī)有光源系統(tǒng)、光學(xué)鏡頭、雙工作臺(tái)系統(tǒng)三大核心技術(shù)。 目前，最先進(jìn)的光刻機(jī)是荷蘭ASML公司的EUV光刻機(jī)。預(yù)計(jì)在光路系統(tǒng)的幫助下，能
2022-07-10 14:35:066173 目前，光刻機(jī)主要分為EUV光刻機(jī)和DUV光刻機(jī)。DUV是深紫外線，EUV是非常深的紫外線。DUV使用的是極紫外光刻技術(shù)，EUV使用的是深紫外光刻技術(shù)。EUV為先進(jìn)工藝芯片光刻的發(fā)展方向。那么duv
2022-07-10 14:53:1078127 光刻機(jī)的原理是接近或接觸光刻，通過(guò)無(wú)限接近，將圖案復(fù)制到掩模上。直寫(xiě)光刻是將光束聚焦到一個(gè)點(diǎn)上，通過(guò)移動(dòng)工作臺(tái)或透鏡掃描實(shí)現(xiàn)任意圖形處理。投影光刻是集成電路的主流光刻技術(shù)，具有效率高、無(wú)損傷等優(yōu)點(diǎn)。 EUV光刻機(jī)有光源系統(tǒng)、光學(xué)鏡頭、雙工
2022-07-10 15:28:1015099 光刻機(jī)是當(dāng)前半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的核心設(shè)備，其技術(shù)含量和價(jià)值含量都很高。那么euv光刻機(jī)用途是什么呢？下面我們就一起來(lái)看看吧。 光刻設(shè)備涉及系統(tǒng)集成、精密光學(xué)、精密運(yùn)動(dòng)、精密材料傳輸、高精度微環(huán)境控制
2022-07-10 16:34:403116 與此同時(shí)，在ASML看來(lái)，下一代高NA EUV光刻機(jī)為光刻膠再度帶來(lái)了挑戰(zhàn)，更少的隨機(jī)效應(yīng)、更高的分辨率和更薄的厚度。首先傳統(tǒng)的正膠和負(fù)膠肯定是沒(méi)法用了，DUV光刻機(jī)上常用的化學(xué)放大光刻膠（CAR）也開(kāi)始在5nm之后的分辨率和敏感度上出現(xiàn)瓶頸
2022-07-22 10:40:082010 EUV 光刻是以波長(zhǎng)為 10-14nm 的極紫外光作為光源的芯片光刻技術(shù)，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是以極紫外光作“刀”，對(duì)芯片上的晶圓進(jìn)行雕刻，讓芯片上的電路變成人們想要的圖案。
2022-10-10 11:15:024367 光刻是半導(dǎo)體工藝中最關(guān)鍵的步驟之一。EUV是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)最熱門(mén)的關(guān)鍵詞，也是光刻技術(shù)。為了更好地理解 EUV 是什么，讓我們仔細(xì)看看光刻技術(shù)。
2022-10-18 12:54:053181 Technology，RET)的延伸，其關(guān)鍵技術(shù)主要包括光學(xué)成像物理仿真、光學(xué)鄰近效應(yīng)校正 (Optical Proximity Correction,OPC)、光源-掩模協(xié)同優(yōu)化 (Source-Mask Optimization， SMO） 等。三種計(jì)算光刻技術(shù)的對(duì)比見(jiàn)表。
2022-10-26 15:46:222274 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/ 周凱揚(yáng) ）到了3nm這個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)之后，單靠現(xiàn)有的0.33NA EUV光刻機(jī)就很難維系下去了。 為了實(shí)現(xiàn)2nm乃至未來(lái)的埃米級(jí)工藝，將晶體管密度推向1000MTr/mm2，全面
2022-12-07 07:25:02952 過(guò)去二十年見(jiàn)證了193 nm以下波長(zhǎng)光刻技術(shù)的發(fā)展。在使用 F2 準(zhǔn)分子激光器開(kāi)發(fā)基于 157 納米的光刻技術(shù)方面付出了一些努力，但主要關(guān)注點(diǎn)是使用 13.5 納米軟 X 射線作為光源的極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)。
2023-02-02 11:49:592234 新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開(kāi)發(fā)，必須通過(guò)精心設(shè)計(jì)的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進(jìn)行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn)，imec 最近開(kāi)發(fā)了一個(gè)新的工具箱來(lái)匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:121165 晶圓廠通常使用光刻膠來(lái)圖案化抗蝕刻硬掩模，然后依靠硬掩模來(lái)保護(hù)晶圓。但是，如果光刻膠太薄，它可能會(huì)在第一個(gè)轉(zhuǎn)移步驟完成之前被侵蝕掉。隨著光刻膠厚度的減小，底層厚度也應(yīng)該減小。
2023-04-27 16:25:00689 
EUV光刻技術(shù)仍被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新的關(guān)鍵途徑。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和成熟，預(yù)計(jì)EUV光刻將在未來(lái)繼續(xù)推動(dòng)芯片制程的進(jìn)步。
2023-05-18 15:49:041793 
夠高同樣以3400B來(lái)說(shuō)，該EUV光刻機(jī)的生產(chǎn)效率是每小時(shí)125片晶圓，還不到DUV光刻機(jī)生產(chǎn)效率的一半。
隨機(jī)效應(yīng)嚴(yán)重DUV時(shí)代就存在，但對(duì)芯片制造影響不大，因此被芯片代工廠忽略。但在EUV時(shí)代，該問(wèn)題開(kāi)始嚴(yán)重影響芯片的良率，隨芯片工藝尺寸越來(lái)越小，隨機(jī)效應(yīng)越發(fā)明顯
2023-06-08 15:56:42283 
EUV掩膜，也稱為EUV掩?；?b class="flag-6" style="color: red">EUV光刻掩膜，對(duì)于極紫外光刻（EUVL）這種先進(jìn)光刻技術(shù)至關(guān)重要。EUV光刻是一種先進(jìn)技術(shù)，用于制造具有更小特征尺寸和增強(qiáng)性能的下一代半導(dǎo)體器件。
2023-08-07 15:55:02399 光學(xué)光刻是通過(guò)廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結(jié)構(gòu)圖形畫(huà)在涂有光刻膠的硅片上，通過(guò)光的照射，光刻膠的成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而生成電路圖。限制成品所能獲得的最小尺寸與光刻系統(tǒng)能獲得的分辨率直接相關(guān)，而減小照射光源的波長(zhǎng)是提高分辨率的最有效途徑。
2023-10-24 11:43:15271 
EUV 光是指用于微芯片光刻的極紫外光，涉及在微芯片晶圓上涂上感光材料并小心地將其曝光。這會(huì)將圖案打印到晶圓上，用于微芯片設(shè)計(jì)過(guò)程中的后續(xù)步驟。
2023-10-30 12:22:55615 三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:02579 
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