Altera公司與臺(tái)積公司今日共同宣布在55納米嵌入式閃存 （EmbFlash） 工藝技術(shù)上展開合作，Altera公司將采用臺(tái)積公司的55納米前沿嵌入式閃存工藝技術(shù)生產(chǎn)可程序器件，廣泛支持汽車及工業(yè)等各類市場(chǎng)的多種低功耗、大批量應(yīng)用。
2013-04-16 09:05:09
925 COMS工藝制程技術(shù)主要包括了：1.典型工藝技術(shù)：①雙極型工藝技術(shù)② PMOS工藝技術(shù)③NMOS工藝技術(shù)④ CMOS工藝技術(shù)2.特殊工藝技術(shù)。BiCOMS工藝技術(shù)，BCD工藝技術(shù)，HV-CMOSI藝
2019-03-15 18:09:22
EMC設(shè)計(jì)、工藝技術(shù)基本要點(diǎn)和問(wèn)題處理流程推薦給大家參考。。
2015-08-25 12:05:04
非易失性MRAM芯片組件通常在半導(dǎo)體晶圓廠的后端工藝生產(chǎn)，下面英尚微電子介紹關(guān)于MRAM關(guān)鍵工藝步驟包括哪幾個(gè)方面.
2021-01-01 07:13:12
性和可裝配性等因素。所以DFM又是并行工程中最重要的支持工具。它的關(guān)鍵是設(shè)計(jì)信息的工藝性分析、制造合理性評(píng)價(jià)和改進(jìn)設(shè)計(jì)的建議。本文我們就將對(duì)PCB工藝中的DFM通用技術(shù)要求做簡(jiǎn)單介紹。
2021-01-26 07:17:12
誰(shuí)能闡述一下PCB四層板的制作工藝流程？
2020-02-24 16:48:14
PCB抄板中光板測(cè)試工藝技術(shù)指導(dǎo) 在PCB抄板過(guò)程中，PCB文件的導(dǎo)出只是完成了簡(jiǎn)單的PCB抄板操作，完整的PCB抄板還包括后期PCB制板及焊接等工藝流程。根據(jù)PCB文件制出的PCB光板可以說(shuō)是
2009-12-01 14:22:08
、等離子體法、激光法和噴沙法(屬機(jī)械方法，包含未介紹的數(shù)控鉆孔法等)等方法來(lái)制得的。多層PCB線路板這些微導(dǎo)通孔要通過(guò)孔金屬化和電鍍銅來(lái)實(shí)現(xiàn)PCB層間電氣互連。本節(jié)主要是介紹PCB板中微導(dǎo)通孔在孔化
2017-12-15 17:34:04
隨著RFID電子標(biāo)簽的普及與應(yīng)用，其工藝技術(shù)也逐漸完善與成熟。下文就為大家介紹RFID電子標(biāo)簽天線的制作方法和模切工藝。
2019-09-03 07:03:17
;>隨著表面貼裝技術(shù)的發(fā)展，再流焊越來(lái)越受到人們的重視。本文介紹了再流焊接的一般技術(shù)要求，并給出了典型溫度曲線以及溫度曲線上主要控制點(diǎn)的工藝參數(shù)。同時(shí)還介紹了再流焊中常見的質(zhì)量缺陷，并粗淺
2009-03-25 14:46:03
<br/>? 九. 檢驗(yàn)工藝<br/>? 十. SMT生產(chǎn)中的靜電防護(hù)技術(shù)<br/><
2008-09-12 12:43:03
。 SMT有關(guān)的技術(shù)組成 1、電子元件、集成電路的設(shè)計(jì)制造技術(shù) 2、電子產(chǎn)品的電路設(shè)計(jì)技術(shù) 3、電路板的制造技術(shù) 4、自動(dòng)貼裝設(shè)備的設(shè)計(jì)制造技術(shù) 5、電路裝配制造工藝技術(shù) 6、裝配制造中使用的輔助材料的開發(fā)生產(chǎn)技術(shù)
2010-03-09 16:20:06
環(huán)保更廣泛的普及，達(dá)到既盈利又環(huán)保的雙贏目標(biāo)。無(wú)鉛工藝的現(xiàn)狀當(dāng)前國(guó)內(nèi)許多大公司也沒(méi)有完全采用無(wú)鉛工藝而是采取有鉛工藝技術(shù)來(lái)提高可靠性，在機(jī)車行業(yè)中西門子和龐巴迪等國(guó)際知名公司也沒(méi)有完全采用無(wú)鉛工藝進(jìn)行
2016-05-25 10:08:40
Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究針對(duì)ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對(duì)較高的問(wèn)題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術(shù)并進(jìn)行了器件研制。通過(guò)優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
;nbsp; &nbsp;<br/>薛競(jìng)成----無(wú)鉛工藝技術(shù)應(yīng)用和可靠性&nbsp;<br/>主辦單位&
2009-07-27 09:02:35
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:54 編輯
請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有PCB板三防工藝，三防時(shí)如何解決元器件腳尖端不留漆、絕緣不達(dá)標(biāo)的問(wèn)題。
2009-04-24 11:54:19
哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一指定應(yīng)用？對(duì)此，業(yè)界存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-02 08:23:59
和日趨完善?！ ∪詣?dòng)貼裝工藝是表面貼裝技術(shù)中對(duì)設(shè)備依賴性最強(qiáng)的一個(gè)工序，整個(gè)SNIT生產(chǎn)線的產(chǎn)能、效率和產(chǎn)品適應(yīng)性，主要取決于貼裝工序，在全自動(dòng)貼裝中貼片機(jī)設(shè)備起決定性作用。但是這絕不意味著設(shè)備決定一切
2018-11-22 11:08:10
PCB的制造技術(shù)受到廣泛關(guān)注。剛?cè)峤Y(jié)合PCB的制造工藝：Rigid-Flex PCB，即RFC，是將剛性PCB與柔性PCB結(jié)合在一起的印刷電路板，它可以通過(guò)PTH形成層間傳導(dǎo)。剛?cè)嵝訮CB的簡(jiǎn)單制造
2019-08-20 16:25:23
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
圖形反轉(zhuǎn)工藝用于金屬層剝離的研究研究了ＡＺ?５２１４ 膠的正、負(fù)轉(zhuǎn)型和形成適用于剝離技術(shù)的倒臺(tái)面圖形的工藝技術(shù)。用掃描電鏡和臺(tái)階儀測(cè)試制作出的光刻膠斷面呈倒臺(tái)面，傾角約為６０°，膠厚１?４μｍ。得到
2009-10-06 10:05:30
了外形尺寸，提高了速度，同時(shí)減少了泄漏。過(guò)去，最先在先進(jìn)的工藝技術(shù)中部署的絕大多數(shù)產(chǎn)品都采用以數(shù)字為中心的數(shù)據(jù)處理方式，而模擬處理方式則保留給更保守的工藝技術(shù)使用。設(shè)計(jì)人員選擇利用保守工藝中對(duì)模擬方式更加友好的特征，并且錯(cuò)誤地認(rèn)為模擬塊區(qū)域在先進(jìn)的工藝技術(shù)中無(wú)法擴(kuò)展，或者價(jià)格昂貴。
2019-07-17 06:21:02
本文所介紹的各種方法與技巧有利于提高PCB的EMC特性，當(dāng)然這些只是EMC設(shè)計(jì)中的一部分，通常還要考慮反射噪聲，輻射發(fā)射噪聲，以及其他工藝技術(shù)問(wèn)題引起的干擾。
2021-04-27 06:20:32
就是層壓，層壓品質(zhì)的控制在多層板制造中顯得愈來(lái)愈重要。因此要保證多層板層壓品質(zhì)，需要對(duì)多層板層壓工藝有一個(gè)比較好的了解．為此就多年的層壓實(shí)踐，對(duì)如何提高多層板層壓品質(zhì)在工藝技術(shù)上作如下總結(jié)： 一
2018-11-22 16:05:32
如何提高多層板層壓品質(zhì)在工藝技術(shù)
2021-04-25 09:08:11
的工藝技術(shù)可用于晶圓凸起，每種技術(shù)有各自的優(yōu)缺點(diǎn)。其中金線柱焊接凸點(diǎn)和電解或化學(xué)鍍金焊接凸點(diǎn)主要用于引腳數(shù)較少的封裝應(yīng)用領(lǐng)域包括玻璃覆晶封裝、軟膜覆晶封裝和RF模塊。由于這類技術(shù)材料成本高、工序
2011-12-01 14:33:02
）水溶液中以較快的腐蝕速率被去除干凈。而多晶硅在HF水溶液中的腐蝕速度非常慢，在經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間腐蝕PSG或PBSG后，多晶硅結(jié)構(gòu)層不會(huì)發(fā)生明顯腐蝕。表面硅MEMS加工技術(shù)常見的工藝流程首先在襯底上淀積犧牲層
2018-11-05 15:42:42
請(qǐng)?jiān)敿?xì)敘述腐蝕工藝工段的工藝流程以及整個(gè)前道的工藝技術(shù)
2011-04-13 18:34:13
。IBM采用0.18um光刻工藝制成的120GHz Ft SiGe晶體管是一個(gè)很好的例子。 處理這一例子，鍺化硅工藝技術(shù)還在哪些高速通信領(lǐng)域應(yīng)用呢？
2019-07-30 07:56:50
再流焊工藝技術(shù)研究(SMT工藝):隨著表面貼裝技術(shù)的發(fā)展，再流焊越來(lái)越受到人們的重視。本文介紹了再流焊接的一般技術(shù)要求，并給出了典型溫度曲線以及溫度曲線上主要控制點(diǎn)
2009-03-25 14:44:33
30 用Sonnet & Agilent HFSS設(shè)計(jì)微帶天線摘要：以一同軸線底饋微帶貼片為題材，分別用Sonnet 軟件及 Agilent Hfss 軟件進(jìn)行Simulate，分析其特性。并根據(jù)結(jié)果對(duì)這兩個(gè)軟件作一比較。&nbs
2009-06-19 00:19:5837 和艦科技自主創(chuàng)新研發(fā)的0.16 微米硅片制造工藝技術(shù)在原有比較成熟的0.18 微米工藝技術(shù)基礎(chǔ)上，將半導(dǎo)體器件及相關(guān)繞線尺寸進(jìn)行10%微縮（實(shí)際尺寸為0.162 微米），大大降低了芯
2009-12-14 11:23:3625 高壓0.18um 先進(jìn)工藝技術(shù)上海華虹 NEC 電子有限公司工程一部1、簡(jiǎn)介項(xiàng)目名稱：高壓0.18μm 先進(jìn)工藝技術(shù)，該項(xiàng)目產(chǎn)品屬于30V 高工作電壓的關(guān)鍵尺寸為0.18μm 的邏輯器件。
2009-12-14 11:37:329 選擇性焊接工藝技術(shù)的研究烽火通信科技股份有限公司 鮮飛摘要: 本文介紹了選擇性焊接的概念、特點(diǎn)、分類和使用工藝要點(diǎn)。選擇性焊接是現(xiàn)代組裝技術(shù)的新概念，它的出現(xiàn)
2009-12-19 08:19:4114 La、Co 代換永磁鐵氧體的高性能化與工藝技術(shù)何水校關(guān)鍵詞：永磁鐵氧體，離子代換，高性能，工藝技術(shù)摘 要：介紹了日本TDK、日立公司等開發(fā)高性能永磁鐵氧體的一些基
2010-02-05 22:26:1934 摘要：介紹了幾種高開關(guān)速度、低電源電壓等極、低功耗的BiCMOS邏輯門電路，并分析了它們的工作原理及其工藝技術(shù)情況。結(jié)果表明，這些電路的電源電壓可達(dá)到20V以下，而且信號(hào)
2010-05-13 09:59:2919 常用PCB工藝技術(shù)參數(shù).
2010-07-15 16:03:1766 摘 要：熱風(fēng)整平技術(shù)是目前應(yīng)用較為成熟的技術(shù)，但因?yàn)槠?b class="flag-6" style="color: red">工藝 處于一個(gè)
2006-04-16 21:33:461902 無(wú)鉛波峰焊接工藝技術(shù)與設(shè)備1．無(wú)鉛焊接技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)
2006-04-16 21:37:53669 IC工藝技術(shù)問(wèn)題 集成電路芯片偏置和驅(qū)動(dòng)的電源電壓Vcc是選擇IC時(shí)要注意的重要問(wèn)題。從IC電源管腳吸納的電流主要取決于該電壓值以及該IC芯片輸出級(jí)
2009-08-27 23:13:38780 提高多層板層壓品質(zhì)工藝技術(shù)技巧 由于電子技術(shù)的飛速發(fā)展，促使了印制電路技術(shù)的不斷發(fā)展。PCB板經(jīng)由單面-雙面一多層發(fā)展，并
2009-11-18 14:13:12967 IGBT核心技術(shù)及人才缺失 工藝技術(shù)缺乏
新型電力半導(dǎo)體器件的代表，IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國(guó)還屬空白。無(wú)論技術(shù)、設(shè)備還是人才，我國(guó)都處于全方位的落后狀態(tài)。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)
2009-12-18 10:39:01805 ADI完成制造工藝技術(shù)的升級(jí)，有效提高晶圓制造效率
Analog Devices, Inc.，最近成功完成了對(duì)專有模擬、混合信號(hào)和 MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）制造工藝技術(shù)的升級(jí)和改進(jìn)，目的是
2009-12-24 08:44:23659 什么是CPU的生產(chǎn)工藝技術(shù)/向下兼容？
CPU的生產(chǎn)工藝技術(shù) 我們常可以在CPU性能列表上看到“工藝技術(shù)”一項(xiàng)，其中有“
2010-02-04 10:41:53742 創(chuàng)建靈敏的MEMS結(jié)構(gòu)的工藝技術(shù)介紹
表面微加工技術(shù)可用于創(chuàng)建微機(jī)電傳感器及激勵(lì)器系統(tǒng)，它能夠通過(guò)高適應(yīng)度的彈性，形成錨
2010-03-11 14:20:49651 超細(xì)線蝕刻工藝技術(shù)介紹
目前，集成度呈越來(lái)越高的趨勢(shì)，許多公司紛紛開始SOC技術(shù)，但SOC并不能解決所有系統(tǒng)集成的問(wèn)題，因
2010-03-30 16:43:081181 采用SiGe：C BiCMOS工藝技術(shù)的射頻/微波產(chǎn)品
恩智浦將在2010年底前推出超過(guò)50種采用SiGe：C技術(shù)的產(chǎn)品，其QUBiC4 SiGe：C工藝技術(shù)可提供高功率增益和優(yōu)
2010-05-24 11:06:351367 日前，記者從有關(guān)方面獲悉，昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心(簡(jiǎn)稱昆山平板顯示中心)和維信諾公司在中國(guó)本土率先全線打通了LTPS-TFT背板和OLED顯示屏制造工藝技術(shù)，并于201
2010-12-29 09:29:35534 光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來(lái)以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來(lái)完成的,也就是說(shuō),首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:210 對(duì)3D封裝技術(shù)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、主流多層基板技術(shù)分類及其常見鍵合技術(shù)的發(fā)展作了論述,對(duì)過(guò)去幾年國(guó)際上硅通孔( TSV)技術(shù)發(fā)展動(dòng)態(tài)給與了重點(diǎn)的關(guān)注。尤其就硅通孔關(guān)鍵工藝技術(shù)如硅片減薄
2011-12-07 11:00:52149 BCD是一種單片集成工藝技術(shù)。這種技術(shù)能夠在同一芯片上制作雙極管bipolar，CMOS和DMOS 器件，稱為BCD工藝。
2012-03-26 12:00:5684562 
科銳公司（CREE）宣布推出兩項(xiàng)新型GaN工藝：0.25微米、漏極電壓最高為40V的G40V4和0.4微米、漏極電壓最高為50VG50V3。新的工藝技術(shù)增加了工作電壓和無(wú)線射頻功率密度，與傳統(tǒng)的技術(shù)相比
2012-07-18 14:30:561306 隨著芯片微縮，開發(fā)先進(jìn)工藝技術(shù)的成本也越來(lái)越高。TSMC對(duì)外發(fā)言人孫又文表示，臺(tái)積電會(huì)繼續(xù)先進(jìn)工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)的投入和開發(fā)，今年年底臺(tái)積電將推出20nm工藝
2012-08-30 14:34:301782 本文重點(diǎn)描述運(yùn)用MEMS微機(jī)械加工工藝技術(shù)設(shè)計(jì)、加工、生產(chǎn)胎壓傳感器IC芯片，希望對(duì)大家學(xué)習(xí)MEMS有所幫助
2012-12-11 14:17:267238 日前，聯(lián)華電子與SuVolta公司宣布聯(lián)合開發(fā)28納米工藝技術(shù)，該工藝將SuVolta的SuVolta的Deeply Depleted Channel晶體管技術(shù)集成到聯(lián)華電子的28納米High-K/Metal Gate高效能移動(dòng)工藝。
2013-07-25 10:10:521049 2015年4月27日 – 移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo， Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）日前宣布推出一項(xiàng)全新的砷化鎵（GaAs）贗晶型高電子遷移率晶體管（pHEMT）工藝技術(shù)，與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的半導(dǎo)體工藝相比，該技術(shù)能夠提供更高的增益/帶寬和更低的功耗。
2015-04-28 11:37:09973 半導(dǎo)體的制造流程以及各工位的詳細(xì)工藝技術(shù)。
2016-05-26 11:46:340 PCB測(cè)試工藝技術(shù)，很詳細(xì)的
2016-12-16 21:54:480 發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子銅排成型工藝技術(shù)指標(biāo)的優(yōu)化_胡陽(yáng)
2017-01-01 15:31:541 撓性電路板化學(xué)鎳鈀金工藝技術(shù)研究
2017-01-22 20:56:130 三星10納米工藝技術(shù)公告：全球領(lǐng)先的三星電子先進(jìn)的半導(dǎo)體元器件技術(shù)正式宣布，其第二代10納米(nm)FinFET工藝技術(shù)，10LPP(Low Power Plus)已經(jīng)合格并準(zhǔn)備就緒用于批量生產(chǎn)。
2017-05-03 01:00:11580 2017年6月2日，上?！请娮樱绹?guó) Cadence 公司，NASDAQ： CDNS） 今日宣布其數(shù)字、簽核與定制／模擬工具成功在三星電子公司7LPP和8LPP工藝技術(shù)上實(shí)現(xiàn)。較前代高階工藝
2017-06-02 16:04:341237 、廣電傳媒等領(lǐng)域應(yīng)用。在這幾年來(lái)，微間距LED顯示屏的高清顯示、高刷新頻率、無(wú)縫拼接、良好的散熱系統(tǒng)、拆裝方便靈活、節(jié)能環(huán)保等特點(diǎn)已經(jīng)被廣大的行業(yè)用戶熟知，但是，再進(jìn)一步，說(shuō)到微間距LED屏具體的工藝技術(shù)，普通大眾則很少知曉，只知其一不
2017-09-25 10:55:033 1.1 看來(lái)有趣實(shí)則無(wú)用的新技術(shù) 首先要說(shuō)明工藝與技術(shù)的區(qū)別，這兩個(gè)詞在英文中都可以用technology代替，但工藝指的是可以進(jìn)行商業(yè)化生產(chǎn)的技術(shù)，而技術(shù)則不一定。實(shí)際上，用technology
2017-09-26 16:28:103 Technology （12FFC） 和最新版本 7nm FinFET Plus 工藝的認(rèn)證。Nitro-SoCTM 布局和布線系統(tǒng)也通過(guò)了認(rèn)證，可以支持 TSMC 的 12FFC 工藝技術(shù)。
2017-10-11 11:13:422372 業(yè)界對(duì)哪種 半導(dǎo)體 工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像 CMOS 、B iC MOS、砷化鎵（GaAs）、磷化
2017-11-25 02:35:02456 業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-03-15 11:06:13447 印刷電路板工藝：伴隨微間距LED顯示屏發(fā)展趨勢(shì)，4層、6層板被采用，印制電路板將采用微細(xì)過(guò)孔和埋孔設(shè)計(jì)，印制電路圖形導(dǎo)線細(xì)、微孔化窄間距化，加工中所采用的機(jī)械方式鉆孔工藝技術(shù)已不能滿足要求，迅速發(fā)展起來(lái)的激光鉆孔技術(shù)將滿足微細(xì)孔加工。
2018-07-06 14:11:063768 基于7nm工藝技術(shù)的控制器和PHY IP具有豐富的產(chǎn)品組合，包括LPDDR4X、MIPI CSI-2、D-PHY、PCI Express 4.0以及安全I(xiàn)P。
IP解決方案支持TSMC 7nm工藝技術(shù)所需的先進(jìn)汽車設(shè)計(jì)規(guī)則，滿足可靠性和15年汽車運(yùn)行要求。
2018-10-18 14:57:216541 新思科技（Synopsys）推出支持TSMC 7nm FinFET工藝技術(shù)的汽車級(jí)DesignWare Controller和PHY IP。DesignWare LPDDR4x、MIPI CSI-2
2018-11-13 16:20:231517 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是CMOS工藝制程技術(shù)的詳細(xì)資料說(shuō)明。主要包括了：1.典型工藝技術(shù)：①雙極型工藝技術(shù)② PMOS工藝技術(shù)③NMOS工藝技術(shù)④ CMOS工藝技術(shù)2.特殊工藝技術(shù)。BiCOMS工藝技術(shù)，BCD工藝技術(shù)，HV-CMOSI藝技術(shù)。
2019-01-08 08:00:0075 多層印製板的層壓工藝技術(shù)按所采用的定位系統(tǒng)的不同，可分爲(wèi)前定位系統(tǒng)層壓技術(shù)（PIN-LAN)和后定位系統(tǒng)層壓技術(shù)(MASS-LAM)。前者定位精度高,但效率低、成本高,只適用于高層數(shù)、高精度的多層
2019-07-24 14:54:262987 
PCB板上的線路圖形就是PCB線路板廠家采用曝光成像與顯影蝕刻工藝技術(shù)來(lái)完成的，無(wú)論是PCB多層線路板還是柔性線路板在制作線路圖形時(shí)都要用到曝光成像與顯影工藝技術(shù)。下面來(lái)詳細(xì)介紹這兩種工藝的加工特點(diǎn)及加工原理。
2019-04-28 15:10:5231336 東京日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC)，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。
2019-06-12 17:13:58660 MCM電子工藝技術(shù)簡(jiǎn)介 表面安裝元器件也稱作貼片式元器件或片狀元器件它有兩個(gè)顯著的特點(diǎn)： 1、在SMT元器件的電極上有些焊端完全沒(méi)有引線，有些只有非常短小的引線；相鄰電極=之間的距離比傳統(tǒng)的雙列
2020-03-10 11:18:461246 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是CMOS工藝技術(shù)的學(xué)習(xí)課件免費(fèi)下載。
2020-12-09 08:00:000 這幾年來(lái)，微間距LED顯示屏的高清顯示、高刷新頻率、無(wú)縫拼接、良好的散熱系統(tǒng)、拆裝方便靈活、節(jié)能環(huán)保等特點(diǎn)已經(jīng)被廣大的行業(yè)用戶熟知，但是，再進(jìn)一步，說(shuō)到微間距LED屏具體的工藝技術(shù)，普通大眾則很少知曉，“只知其一不知其二”，專業(yè)知識(shí)的匱乏，直接導(dǎo)致了選購(gòu)盲點(diǎn)的出現(xiàn)。
2020-12-24 10:14:521903 近日，美光發(fā)布了用于DRAM的新型1α制造工藝。并計(jì)劃首先將其用來(lái)制造DDR4和LPDDR4存儲(chǔ)器，并在之后將其用于生產(chǎn)他們所有類型的DRAM。如今，擴(kuò)展DRAM已經(jīng)變得異常困難。但據(jù)介紹，該制造技術(shù)有望顯著降低DRAM成本。這個(gè)神秘的“1α”會(huì)有多神奇？我們一起來(lái)看看。
2021-01-31 10:19:503896 
IBM日前推出一項(xiàng)微芯片工藝技術(shù)中的新改進(jìn)。該公司表示，這項(xiàng)改進(jìn)將讓為手機(jī)和其它通信設(shè)備制造更高速的硅設(shè)備
2021-03-26 11:08:541282 多絞屏蔽線處理及焊接工藝技術(shù)綜述
2021-07-12 09:45:593 Cadence 和 TSMC 聯(lián)手進(jìn)行 N3 和 N4 工藝技術(shù)合作， 加速賦能移動(dòng)、人工智能和超大規(guī)模計(jì)算創(chuàng)新 雙方共同客戶現(xiàn)可廣泛使用已經(jīng)認(rèn)證的 N3 和 N4 流程 PDK 進(jìn)行設(shè)計(jì) 完整
2021-10-26 15:10:581928 電子工藝技術(shù)論文-反射層對(duì)倒裝LED芯片性能的影響
2021-12-08 09:55:046 詳細(xì)描述了PCB的加工工藝技術(shù)
2022-02-11 16:29:300 全面解讀電子封裝工藝技術(shù)
2022-10-10 11:00:51876 Ansys憑借實(shí)現(xiàn)靈活的功耗/性能權(quán)衡，通過(guò)臺(tái)積電N3E工藝技術(shù)創(chuàng)新型FINFLEX架構(gòu)認(rèn)證?? 主要亮點(diǎn) Ansys Redhawk-SC與Ansys Totem電源完整性平臺(tái)榮獲臺(tái)積電N3E
2022-11-17 15:31:57696 氮化鎵工藝技術(shù)是什么意思？ 氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度
2023-02-05 10:24:521177 InP 材料在力學(xué)方面具有軟脆的特性，導(dǎo)致100 mm（4 英寸）InP 晶圓在化合物半導(dǎo)體工藝中有顯著的形變和碎裂的風(fēng)險(xiǎn)；同時(shí)，InP 基化合物半導(dǎo)體光電子器件芯片大部分采用雙面工藝，在晶圓的雙面進(jìn)行半導(dǎo)體工藝。
2023-06-27 11:29:327427 
2006電子元器件搪錫工藝技術(shù)要求
2023-08-23 16:48:033 電子產(chǎn)品裝聯(lián)工藝技術(shù)詳解
2023-10-27 15:28:22373 
多層印制板層壓工藝技術(shù)及品質(zhì)控制（一）
2022-12-30 09:21:223 多層印制板層壓工藝技術(shù)及品質(zhì)控制（三）
2022-12-30 09:21:223 多層印制板層壓工藝技術(shù)及品質(zhì)控制（二）
2022-12-30 09:21:235 DOH新工藝技術(shù)助力提升功率器件性能及使用壽命
2024-01-11 10:00:33120 
密性等。本文介紹了五種用于MEMS封裝的封帽工藝技術(shù),即平行縫焊、釬焊、激光焊接、超聲焊接和膠粘封帽?？偨Y(jié)了不同封帽工藝的特點(diǎn)以及不同MEMS器件對(duì)封帽工藝的選擇。本文還介紹了幾種常用的吸附劑類型,針對(duì)吸附劑易于飽和問(wèn)題,給出了封帽工藝解決方案,探
2024-02-25 08:39:28171 
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