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TSMC持續(xù)開發(fā)先進(jìn)工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn) 中國(guó)IC設(shè)計(jì)發(fā)展可期

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2022中國(guó)開源發(fā)展藍(lán)皮書(簡(jiǎn)體中文版本)

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半導(dǎo)體工藝技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)是什么?

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什么是CPU的生產(chǎn)工藝技術(shù)/向下兼容?

什么是CPU的生產(chǎn)工藝技術(shù)/向下兼容? CPU的生產(chǎn)工藝技術(shù) 我們??梢栽贑PU性能列表上看到“工藝技術(shù)”一項(xiàng),其中有“
2010-02-04 10:41:53742

采用SiGe:C BiCMOS工藝技術(shù)的射頻/微波產(chǎn)品

采用SiGe:C BiCMOS工藝技術(shù)的射頻/微波產(chǎn)品 恩智浦將在2010年底前推出超過(guò)50種采用SiGe:C技術(shù)的產(chǎn)品,其QUBiC4 SiGe:C工藝技術(shù)可提供高功率增益和優(yōu)
2010-05-24 11:06:351367

采用英特爾22nm工藝技術(shù)的FPGA開發(fā)

  Achronix半導(dǎo)體公司宣布:該公司已經(jīng)戰(zhàn)略性地獲得了英特爾公司22納米工藝技術(shù)的使用權(quán),并計(jì)劃開發(fā)先進(jìn)的現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)
2010-11-15 09:06:29553

中國(guó)全線打通AMOLED制造工藝技術(shù)

  日前,記者從有關(guān)方面獲悉,昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心(簡(jiǎn)稱昆山平板顯示中心)和維信諾公司在中國(guó)本土率先全線打通了LTPS-TFT背板和OLED顯示屏制造工藝技術(shù),并于201
2010-12-29 09:29:35534

中國(guó)IC設(shè)計(jì)公司聚焦世界領(lǐng)先的28納米技術(shù)

中國(guó)頂尖IC設(shè)計(jì)公司已經(jīng)采用了28納米尖端技術(shù)開發(fā)芯片,而9.2% 本地?zé)o晶圓廠半導(dǎo)體公司亦采用先進(jìn)的45納米或以下的工藝技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)及大規(guī)模量產(chǎn)。
2011-09-07 11:23:501556

中國(guó)采用28納米技術(shù)開發(fā)芯片

中國(guó)頂尖設(shè)計(jì)公司已經(jīng)采用28納米尖端技術(shù)開發(fā)芯片,而本地9.2%無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體公司亦采用先進(jìn)的45納米或以下的工藝技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)及大規(guī)模量產(chǎn)
2011-09-13 09:00:403212

3D封裝與硅通孔(TSV)工藝技術(shù)

對(duì)3D封裝技術(shù)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、主流多層基板技術(shù)分類及其常見鍵合技術(shù)發(fā)展作了論述,對(duì)過(guò)去幾年國(guó)際上硅通孔( TSV)技術(shù)發(fā)展動(dòng)態(tài)給與了重點(diǎn)的關(guān)注。尤其就硅通孔關(guān)鍵工藝技術(shù)如硅片減薄
2011-12-07 11:00:52149

MEMS加工工藝技術(shù)詳解

本文重點(diǎn)描述運(yùn)用MEMS微機(jī)械加工工藝技術(shù)設(shè)計(jì)、加工、生產(chǎn)胎壓傳感器IC芯片,希望對(duì)大家學(xué)習(xí)MEMS有所幫助
2012-12-11 14:17:267238

聯(lián)華電子與SuVolta宣布聯(lián)合開發(fā)28納米低功耗工藝技術(shù)

日前,聯(lián)華電子與SuVolta公司宣布聯(lián)合開發(fā)28納米工藝技術(shù),該工藝將SuVolta的SuVolta的Deeply Depleted Channel晶體管技術(shù)集成到聯(lián)華電子的28納米High-K/Metal Gate高效能移動(dòng)工藝。
2013-07-25 10:10:521049

Mentor Graphics獲得TSMC 10nm FinFET工藝技術(shù)認(rèn)證

? Analog FastSPICE? 電路驗(yàn)證平臺(tái)已完成了電路級(jí)和器件級(jí)認(rèn)證,Olympus-SoC? 數(shù)字設(shè)計(jì)平臺(tái)正在進(jìn)行提升,以幫助設(shè)計(jì)工程師利用 TSMC 10nm FinFET 技術(shù)更有效地驗(yàn)證和優(yōu)化其設(shè)計(jì)。10nm V1.0 工藝的認(rèn)證預(yù)計(jì)在 2015 年第 4 季度完成。
2015-09-21 15:37:101300

TSMC認(rèn)證Synopsys IC Compiler II適合10-nm FinFET生產(chǎn)

TSMC已經(jīng)按照Synopsys的IC Compiler? II布局及 布線解決方案,完成了在其最先進(jìn)的10-納米(nm)級(jí)FinFET v1.0技術(shù)節(jié)點(diǎn)上運(yùn)行Synopsys數(shù)字、驗(yàn)收及自定義實(shí)施工具的認(rèn)證。
2016-03-23 09:12:011731

半導(dǎo)體工藝技術(shù)

半導(dǎo)體的制造流程以及各工位的詳細(xì)工藝技術(shù)。
2016-05-26 11:46:340

PCB測(cè)試工藝技術(shù)

PCB測(cè)試工藝技術(shù),很詳細(xì)的
2016-12-16 21:54:480

撓性電路板化學(xué)鎳鈀金工藝技術(shù)研究

撓性電路板化學(xué)鎳鈀金工藝技術(shù)研究
2017-01-22 20:56:130

震撼!Xilinx宣布與TSMC開展7nm工藝合作

確保連續(xù)四代全可編程技術(shù)及多節(jié)點(diǎn)擴(kuò)展的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)四代先進(jìn)工藝技術(shù)和3D IC以及第四代FinFET技術(shù)合作 2015年5月28日, 中國(guó)北京 - All Programmable 技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先
2017-02-09 03:48:04198

Cadence發(fā)布7納米工藝Virtuoso先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)擴(kuò)展平臺(tái)

2017年4月18日,中國(guó)上海 – 楷登電子(美國(guó)Cadence公司,NASDAQ: CDNS)今日正式發(fā)布針對(duì)7nm工藝的全新Virtuoso? 先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)平臺(tái)。通過(guò)與采用7nm FinFET
2017-04-18 11:09:491165

下一代工藝技術(shù)促成了iot大發(fā)展

已經(jīng)浮出水面。人們都認(rèn)為市場(chǎng)上最新的半導(dǎo)體技術(shù)也是您下一設(shè)計(jì)最好的工藝技術(shù),這種想法促進(jìn)了 IoT 的雪崩式發(fā)展。 最近在硅谷舉行的 TSMC 輔助支持系統(tǒng)論壇上清楚的闡述了這種發(fā)展。隨著 20、16 和 10 nm 工藝發(fā)展,最大的代工線負(fù)責(zé)人宣稱,在老工藝
2017-09-14 19:52:445

淺析TSMC和FinFET工藝技術(shù)的Mentor解決方案

Technology (12FFC) 和最新版本 7nm FinFET Plus 工藝的認(rèn)證。Nitro-SoCTM 布局和布線系統(tǒng)也通過(guò)了認(rèn)證,可以支持 TSMC 的 12FFC 工藝技術(shù)
2017-10-11 11:13:422372

蜂窩趨勢(shì)引領(lǐng)半導(dǎo)體工藝技術(shù)發(fā)展方向

業(yè)界對(duì)哪種 半導(dǎo)體 工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用,但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像 CMOS 、B iC MOS、砷化鎵(GaAs)、磷化
2017-11-25 02:35:02456

工藝技術(shù)發(fā)展推動(dòng)蜂窩網(wǎng)絡(luò)技術(shù)

業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用,但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP
2019-03-15 11:06:13447

5G射頻技術(shù)創(chuàng)新,半導(dǎo)體工藝技術(shù)發(fā)展扮演重要角色

在未來(lái)數(shù)年內(nèi),仍有數(shù)不清的機(jī)遇推動(dòng)5G射頻技術(shù)創(chuàng)新,而半導(dǎo)體工藝技術(shù)發(fā)展無(wú)疑將扮演重要角色。從整個(gè)行業(yè)來(lái)看,從工藝和材料開發(fā)到設(shè)計(jì)技巧和建模,再到高頻測(cè)試和制造,仍有很多工作需要完成。在實(shí)現(xiàn)5G目標(biāo)的道路上所有學(xué)科都將參與其中,而半導(dǎo)體工程材料技術(shù)是重中之重。
2018-05-28 14:43:00899

Platform 中的多項(xiàng)工具已通過(guò)TSMC最新版5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工藝的認(rèn)證

。Mentor 的工具和 TSMC 的新工藝將協(xié)助雙方共同客戶更快地為高增長(zhǎng)市場(chǎng)提供芯片創(chuàng)新。 TSMC 設(shè)計(jì)基礎(chǔ)架構(gòu)營(yíng)銷部資深總監(jiān) Suk Lee 表示:“Mentor 通過(guò)提供更多功能和解決方案來(lái)支持我們最先進(jìn)工藝持續(xù)TSMC 生態(tài)系統(tǒng)帶來(lái)了了更高的價(jià)值。
2018-05-17 15:19:003391

Synopsys設(shè)計(jì)平臺(tái)獲得TSMC工藝認(rèn)證_7-nm FinFET Plus工藝技術(shù)

Synopsys設(shè)計(jì)平臺(tái)用于高性能、高密度芯片設(shè)計(jì) 重點(diǎn): Synopsys設(shè)計(jì)平臺(tái)獲得TSMC工藝認(rèn)證,支持高性能7-nm FinFET Plus工藝技術(shù),已成功用于客戶的多個(gè)設(shè)計(jì)項(xiàng)目。 針對(duì)
2018-05-17 06:59:004461

Synopsys 設(shè)計(jì)平臺(tái)獲得TSMC最新版且最先進(jìn)的5nm工藝

Synopsys Synopsys近日宣布, Synopsys 設(shè)計(jì)平臺(tái)獲得TSMC最新版且最先進(jìn)的5nm工藝技術(shù)認(rèn)證,可用于客戶先期設(shè)計(jì)。通過(guò)與TSMC的早期密切協(xié)作,IC CompilerII
2018-06-01 09:35:003784

新思科技推出基于TSMC 7nm FinFET工藝技術(shù)的汽車級(jí)IP

基于7nm工藝技術(shù)的控制器和PHY IP具有豐富的產(chǎn)品組合,包括LPDDR4X、MIPI CSI-2、D-PHY、PCI Express 4.0以及安全I(xiàn)P。 IP解決方案支持TSMC 7nm工藝技術(shù)所需的先進(jìn)汽車設(shè)計(jì)規(guī)則,滿足可靠性和15年汽車運(yùn)行要求。
2018-10-18 14:57:216541

Synopsys推出支持TSMC 7nm工藝技術(shù)

、D-PHY、PCI Express 4.0以及安全I(xiàn)P在TSMC 7nm工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn)了先進(jìn)的汽車設(shè)計(jì)規(guī)則,以滿足ADAS和自動(dòng)駕駛芯片的可靠性及運(yùn)行要求。推出此項(xiàng)支持TSMC 7nm工藝技術(shù)的汽車
2018-11-13 16:20:231517

新思科技數(shù)字與定制設(shè)計(jì)平臺(tái)通過(guò)TSMC 5nm EUV工藝技術(shù)認(rèn)證

關(guān)鍵詞:5nm , Compiler , PrimeTime 新思科技(Synopsys)宣布其數(shù)字和定制設(shè)計(jì)平臺(tái)通過(guò)了TSMC先進(jìn)的5nm EUV工藝技術(shù)認(rèn)證。該認(rèn)證是多年廣泛合作的結(jié)果,旨在
2018-10-27 22:16:01255

中國(guó)配套支撐環(huán)境能否滿足IC設(shè)計(jì)的發(fā)展需求

MPS是一家1997年創(chuàng)立于美國(guó)硅谷的模擬IC設(shè)計(jì)公司。當(dāng)時(shí),半導(dǎo)體業(yè)界還沒(méi)有專門用于電源管理的工藝技術(shù),為此,MPS公司的創(chuàng)始人邢正人開發(fā)了這種工藝技術(shù),它使電源管理芯片的速度更高、面積更小。
2019-01-16 14:58:58682

邏輯IC工藝技術(shù)的進(jìn)步的體現(xiàn)

IC產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步取決于IC制造商繼續(xù)提供更多性能和功能的能力。隨著主流CMOS工藝在理論,實(shí)踐和經(jīng)濟(jì)方面的限制
2019-02-25 09:24:512768

三星宣布已完成5納米FinFET工藝技術(shù)開發(fā)

4月16日,三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿,宣布已經(jīng)完成5納米FinFET工藝技術(shù)開發(fā),現(xiàn)已準(zhǔn)備好向客戶提供樣品。
2019-04-16 17:27:233008

曝光成像與顯影工藝技術(shù)的原理及特點(diǎn)

PCB板上的線路圖形就是PCB線路板廠家采用曝光成像與顯影蝕刻工藝技術(shù)來(lái)完成的,無(wú)論是PCB多層線路板還是柔性線路板在制作線路圖形時(shí)都要用到曝光成像與顯影工藝技術(shù)。下面來(lái)詳細(xì)介紹這兩種工藝的加工特點(diǎn)及加工原理。
2019-04-28 15:10:5231336

SONNET中的工藝技術(shù)層介紹

在14版本中,SONNET新引入了一種名為工藝技術(shù)層的屬性定義層,以實(shí)現(xiàn)EDA框架和設(shè)計(jì)流程的平滑過(guò)渡。該工藝技術(shù)層實(shí)際上是用戶創(chuàng)建的EM工程中 的多個(gè)屬性對(duì)象的集合體,其中包括了很多基本屬性設(shè)置,比如層的命名、物理位置、金屬屬性、網(wǎng)格控制選項(xiàng)等等。
2019-10-08 15:17:412021

中芯國(guó)際的先進(jìn)制程工藝再獲突破

作為中國(guó)大陸技術(shù)先進(jìn)、規(guī)模最大的晶圓代工企業(yè),中芯國(guó)際的制程工藝發(fā)展一直備受關(guān)注。歷經(jīng)20年,其制程工藝從0.18微米技術(shù)節(jié)點(diǎn)發(fā)展至如今的N+1工藝
2020-10-20 16:50:105947

SiFive成功采用臺(tái)積電N5工藝技術(shù)首個(gè)SoC

最大的RISC-V架構(gòu)廠商SiFive近日宣布,其OpenFive部門已成功采用臺(tái)積電(TSMC)的N5工藝技術(shù)流片公司首個(gè)SoC,采用2.5D封裝HBM3存儲(chǔ)單元,帶寬7.2Gbps。在半導(dǎo)體行業(yè)中,流片意味著芯片設(shè)計(jì)大功告成,一般會(huì)在一年內(nèi)投入商用。
2021-05-01 09:33:002960

多絞屏蔽線處理及焊接工藝技術(shù)綜述

多絞屏蔽線處理及焊接工藝技術(shù)綜述
2021-07-12 09:45:593

楷登電子數(shù)字和模擬流程獲TSMC N3和N4工藝技術(shù)認(rèn)證

)宣布,其數(shù)字和定制/模擬流程已獲得 TSMC N3 和 N4 工藝技術(shù)認(rèn)證,支持最新的設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(cè)(DRM)。通過(guò)持續(xù)合作,Cadence 和 TSMC 發(fā)布了 TSMC N3 和 N
2021-10-26 15:10:581928

西門子獲先進(jìn)模擬IC代工工藝技術(shù)認(rèn)證_環(huán)旭電子投資氮化鎵系統(tǒng)有限公司

Siemens Digital Industries Software宣布,其用于模擬、數(shù)字和混合信號(hào)集成電路 (IC) 設(shè)計(jì)的電源完整性分析的全新 mPower? 解決方案現(xiàn)已通過(guò) Tower Semiconductor 的 SBC13 和 SBC18 工藝技術(shù)的認(rèn)證。
2022-03-16 14:56:571762

全面解讀電子封裝工藝技術(shù)

全面解讀電子封裝工藝技術(shù)
2022-10-10 11:00:51876

Cadence定制設(shè)計(jì)遷移流程加快臺(tái)積電N3E和N2工藝技術(shù)的采用速度

,包括最新的 N3E 和 N2 工藝技術(shù)。這一新的生成式設(shè)計(jì)遷移流程由 Cadence 和臺(tái)積電共同開發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)定制和模擬 IC 設(shè)計(jì)在臺(tái)積電工藝技術(shù)之間的自動(dòng)遷移。與人工遷移相比,已使用該流程的客戶成功地將遷移時(shí)間縮短了 2.5 倍。
2023-05-06 15:02:15801

Cadence數(shù)字和定制/模擬設(shè)計(jì)流程獲得TSMC最新N3E和N2工藝技術(shù)認(rèn)證

楷登電子(美國(guó) Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)近日宣布,Cadence 數(shù)字和定制/模擬設(shè)計(jì)流程已通過(guò) TSMC N3E 和 N2 先進(jìn)工藝的設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(cè)(DRM)認(rèn)證。兩家公司還發(fā)
2023-05-09 10:09:23708

三大頂流半導(dǎo)體廠商高端工藝逐鹿,你更看好誰(shuí)

在代工行業(yè),采用先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)更能帶來(lái)明顯的成本競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。2020年,臺(tái)積電(TSMC)是業(yè)界唯一同時(shí)使用7nm和5nm工藝節(jié)點(diǎn)用于IC制造的企業(yè),此舉也使得TSMC每片晶圓的總收入大幅增加,達(dá)到1634美元。這一數(shù)字比GlobalFoundries高66%,是UMC和中芯國(guó)際的兩倍多。
2023-05-20 14:58:50629

1天工藝技術(shù)培訓(xùn)、1天技術(shù)產(chǎn)業(yè)報(bào)告分享,凝聚先進(jìn)封測(cè)奮進(jìn)力量!

來(lái)源:ACT半導(dǎo)體芯科技 隨著我國(guó)集成電路國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程的加深、下游應(yīng)用領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展以及國(guó)內(nèi)先進(jìn)封測(cè)龍頭企業(yè)工藝技術(shù)的不斷進(jìn)步,先進(jìn)封測(cè)行業(yè)市場(chǎng)空間將進(jìn)一步擴(kuò)大。而能否實(shí)現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同發(fā)展,是先進(jìn)
2023-07-17 20:04:55320

2006電子元器件搪錫工藝技術(shù)要求

2006電子元器件搪錫工藝技術(shù)要求
2023-08-23 16:48:033

Cadence 定制/模擬設(shè)計(jì)遷移流程加速 TSMC 先進(jìn)制程技術(shù)的采用

流程,能兼容所有的 TSMC(臺(tái)積電)先進(jìn)節(jié)點(diǎn),包括最新的 N3E 和 N2 工藝技術(shù)。 這款生成式設(shè)計(jì)遷移流程由 Cadence 和 TSMC 共同開發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)定制和模擬 IC 設(shè)計(jì)在 TSMC
2023-09-27 10:10:04301

電子產(chǎn)品裝聯(lián)工藝技術(shù)詳解

電子產(chǎn)品裝聯(lián)工藝技術(shù)詳解
2023-10-27 15:28:22373

MEMS封裝中的封帽工藝技術(shù)

密性等。本文介紹了五種用于MEMS封裝的封帽工藝技術(shù),即平行縫焊、釬焊、激光焊接、超聲焊接和膠粘封帽??偨Y(jié)了不同封帽工藝的特點(diǎn)以及不同MEMS器件對(duì)封帽工藝的選擇。本文還介紹了幾種常用的吸附劑類型,針對(duì)吸附劑易于飽和問(wèn)題,給出了封帽工藝解決方案,探
2024-02-25 08:39:28171

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