根據(jù)IC Insights的最新研究報(bào)告顯示,目前IC公司提供的面向邏輯芯片工藝技術(shù)比以往任何時(shí)候都多,邏輯IC工藝技術(shù)已經(jīng)取得重大進(jìn)步。盡管開發(fā)成本不斷增加,但IC制造商仍在繼續(xù)取得巨大進(jìn)步
2019-02-24 15:15:075427 全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司日前宣布其與TSMC在3D IC設(shè)計(jì)基礎(chǔ)架構(gòu)開發(fā)方面的合作。
2012-06-11 09:47:431071 化,既無(wú)法重復(fù)進(jìn)行光刻、刻蝕、薄膜和摻雜等關(guān)鍵工藝,也無(wú)法將制程節(jié)點(diǎn)縮小至納米級(jí)的先進(jìn)領(lǐng)域,因此隨著超大規(guī)模集成電路制造的線寬不斷細(xì)小化而產(chǎn)生對(duì)平坦化的更高要求和需求,CMP在先進(jìn)工藝制程中具有不可替代且越來(lái)越重要的作用。
2023-02-03 10:27:053660 應(yīng)用材料公司推出了一種全新的先進(jìn)邏輯芯片布線工藝技術(shù),可微縮到3納米及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)。
2021-06-18 10:21:42868 基于10nm++開發(fā)7nm工藝、基于7nm設(shè)計(jì)開發(fā)5nm工藝,基于5nm工藝來(lái)開發(fā)3nm工藝,毫無(wú)疑問(wèn),每一個(gè)“+”或者“++”所擁有的技術(shù)更新都將有可能進(jìn)入下一代節(jié)點(diǎn)的設(shè)計(jì)之中?! ≡?nm節(jié)點(diǎn)之后
2020-07-07 11:38:14
241.3 中國(guó)開源發(fā)展簡(jiǎn)史271.4 開源軟件與知識(shí)產(chǎn)權(quán)31第二章 開發(fā)者發(fā)展現(xiàn)狀392.1 中國(guó)開發(fā)者的規(guī)模位居全球第二392.2 開發(fā)者不斷沉淀和積累,技術(shù)管理占比越來(lái)越高402.3 開發(fā)者對(duì)開
2022-12-08 09:47:47
BiCMOS為重點(diǎn)發(fā)展方向,為公司開發(fā)的IC產(chǎn)品提供了有力的技術(shù)保障,相比其他fabless公司有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。 <p>貝嶺在九十年代初(1992)成功開發(fā)電表芯片,2000年推出
2008-05-28 12:58:36
對(duì)產(chǎn)量的要求,而是這些IC設(shè)計(jì)公司開發(fā)出來(lái)的產(chǎn)品很難找到用戶,這種情況從每年在深圳舉辦的各種IC技術(shù)交流會(huì)上都可以看到。這說(shuō)明,中國(guó)的IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸并不是在IC加工能力上,而是IC設(shè)計(jì)公司沒(méi)有開發(fā)
2011-04-28 09:56:32
摘 要:先進(jìn)封裝技術(shù)不斷發(fā)展變化以適應(yīng)各種半導(dǎo)體新工藝和材料的要求和挑戰(zhàn)。在半導(dǎo)體封裝外部形式變遷的基礎(chǔ)上,著重闡述了半導(dǎo)體后端工序的關(guān)鍵一封裝內(nèi)部連接方式的發(fā)展趨勢(shì)。分析了半導(dǎo)體前端制造工藝的發(fā)展
2018-11-23 17:03:35
工藝庫(kù)TSMC0.18um和TSMC0.18umrf有什么區(qū)別呢?求大神解答
2021-06-23 07:33:12
工藝節(jié)點(diǎn)中設(shè)計(jì),但是 FD-SOI 技術(shù)提供最低的功率,同時(shí)可以承受輻射效應(yīng)。與體 CMOS 工藝相比,28 納米 FD-SOI 芯片的功耗將降低 70%。射頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器需要同時(shí)具有高帶寬和低功耗,以
2023-02-07 14:11:25
COMS工藝制程技術(shù)主要包括了:1.典型工藝技術(shù):①雙極型工藝技術(shù)② PMOS工藝技術(shù)③NMOS工藝技術(shù)④ CMOS工藝技術(shù)2.特殊工藝技術(shù)。BiCOMS工藝技術(shù),BCD工藝技術(shù),HV-CMOSI藝
2019-03-15 18:09:22
EMC設(shè)計(jì)、工藝技術(shù)基本要點(diǎn)和問(wèn)題處理流程推薦給大家參考。。
2015-08-25 12:05:04
水平,購(gòu)買或者開發(fā)EUV光刻機(jī)是否必要?中國(guó)應(yīng)如何切實(shí)推進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的發(fā)展?EUV面向7nm和5nm節(jié)點(diǎn)所謂極紫外光刻,是一種應(yīng)用于現(xiàn)代集成電路制造的光刻技術(shù),它采用波長(zhǎng)為10~14納米的極紫外光作為
2017-11-14 16:24:44
<br/>? 九. 檢驗(yàn)工藝<br/>? 十. SMT生產(chǎn)中的靜電防護(hù)技術(shù)<br/><
2008-09-12 12:43:03
。 SMT有關(guān)的技術(shù)組成 1、電子元件、集成電路的設(shè)計(jì)制造技術(shù) 2、電子產(chǎn)品的電路設(shè)計(jì)技術(shù) 3、電路板的制造技術(shù) 4、自動(dòng)貼裝設(shè)備的設(shè)計(jì)制造技術(shù) 5、電路裝配制造工藝技術(shù) 6、裝配制造中使用的輔助材料的開發(fā)生產(chǎn)技術(shù)
2010-03-09 16:20:06
Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究針對(duì)SiC 襯底缺陷密度相對(duì)較高的問(wèn)題,研究了消除或減弱其影響的工藝技術(shù)并進(jìn)行了器件研制。通過(guò)優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為2?07 nm的刻蝕表面;犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
;nbsp; &nbsp;<br/>薛競(jìng)成----無(wú)鉛工藝技術(shù)應(yīng)用和可靠性&nbsp;<br/>主辦單位&
2009-07-27 09:02:35
區(qū)別在于Xilinx選擇28nm節(jié)點(diǎn)的硅工藝技術(shù)。Xilinx并沒(méi)有選擇***積體電路公司(TSMC)針對(duì)PC上的顯卡芯片量身定制的28nm高性能工藝或針對(duì)移動(dòng)電話ASSP的28nm低功耗工藝,而是與TSMC
2016-12-21 10:56:25
哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一指定應(yīng)用?對(duì)此,業(yè)界存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用,但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP
2019-08-02 08:23:59
的發(fā)展。尖端集成電路(Integrated circuit,簡(jiǎn)稱IC)可能會(huì)成為未來(lái)數(shù)位應(yīng)用發(fā)展的主動(dòng)力,因此,發(fā)展半導(dǎo)體技術(shù)對(duì)中國(guó)實(shí)現(xiàn)科技強(qiáng)國(guó)的目標(biāo)至關(guān)重要。盡管中國(guó)持續(xù)為本土芯片制造投入巨額資金
2022-09-07 15:40:45
和日趨完善?! ∪詣?dòng)貼裝工藝是表面貼裝技術(shù)中對(duì)設(shè)備依賴性最強(qiáng)的一個(gè)工序,整個(gè)SNIT生產(chǎn)線的產(chǎn)能、效率和產(chǎn)品適應(yīng)性,主要取決于貼裝工序,在全自動(dòng)貼裝中貼片機(jī)設(shè)備起決定性作用。但是這絕不意味著設(shè)備決定一切
2018-11-22 11:08:10
PCB部件使用PI膜作為柔性芯板,并覆蓋聚酰亞胺或丙烯酸膜。粘合劑使用低流動(dòng)性預(yù)浸料,最后將這些基材層壓在一起以制成剛撓性PCB。剛?cè)嵝訮CB制造工藝技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì):未來(lái),剛?cè)峤Y(jié)合PCB將朝著超薄,高密度
2019-08-20 16:25:23
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用,但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用,但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP
2019-08-20 08:01:20
中國(guó)石化加油IC卡工程是一個(gè)跨平臺(tái)、范圍廣、涉及面寬的全國(guó)性系統(tǒng)建設(shè)工程。中國(guó)石化股份有限公司應(yīng)對(duì)不斷提高的服務(wù)需求、順應(yīng)信息化帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)化的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì),利用先進(jìn)的電子信息技術(shù),以IC卡為載體,實(shí)現(xiàn)
2019-09-24 07:45:08
如何提高多層板層壓品質(zhì)在工藝技術(shù)
2021-04-25 09:08:11
的工藝技術(shù)可用于晶圓凸起,每種技術(shù)有各自的優(yōu)缺點(diǎn)。其中金線柱焊接凸點(diǎn)和電解或化學(xué)鍍金焊接凸點(diǎn)主要用于引腳數(shù)較少的封裝應(yīng)用領(lǐng)域包括玻璃覆晶封裝、軟膜覆晶封裝和RF模塊。由于這類技術(shù)材料成本高、工序
2011-12-01 14:33:02
求TSMC90nm的工藝庫(kù),請(qǐng)問(wèn)可以分享一下嗎?
2021-06-22 06:21:52
半導(dǎo)體工藝和RF封裝技術(shù)的不斷創(chuàng)新完全改變了工程師設(shè)計(jì)RF、微波和毫米波應(yīng)用的方式。RF設(shè)計(jì)人員需要比以往任何時(shí)候都更具體、更先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)計(jì)支持。設(shè)計(jì)技術(shù)持續(xù)發(fā)展,RF和微波器件的性質(zhì)在不久的未來(lái)
2019-07-31 06:34:51
近日,羅姆憑借超低功耗降壓型電源IC“BD70522GUL”榮獲中國(guó)IoT杰出技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)!新產(chǎn)品“BD70522GUL”是以IoT市場(chǎng)的關(guān)鍵詞“紐扣電池10年驅(qū)動(dòng)”為目標(biāo)開發(fā)而成的超低功耗降壓型電源
2019-07-11 04:20:24
一條,制衡中國(guó)芯片發(fā)展,限制阿斯麥光刻機(jī)賣中國(guó),禁止先進(jìn)EDA工具賣給中國(guó)企業(yè)和高校,把TSMC忽悠到亞利桑那建3納米fab。當(dāng)然,TSMC也在擔(dān)心美國(guó)人偷fab管理體系。 全球爭(zhēng)奪芯片F(xiàn)ab資源
2022-12-05 15:44:07
的先進(jìn)技術(shù)和工藝,研制、開發(fā)出一系列涵蓋存儲(chǔ)系列、輸送系列、搬運(yùn)系列、工位器具及集裝單元系列等上百種標(biāo)準(zhǔn)或非標(biāo)物流設(shè)備,并可根據(jù)客戶要求規(guī)劃、設(shè)計(jì)和制造,完全能滿足眾多企業(yè)的個(gè)性化需求。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用
2009-11-11 10:39:17
的先進(jìn)技術(shù)和工藝,研制、開發(fā)出一系列涵蓋存儲(chǔ)系列、輸送系列、搬運(yùn)系列、工位器具及集裝單元系列等上百種標(biāo)準(zhǔn)或非標(biāo)物流設(shè)備,并可根據(jù)客戶要求規(guī)劃、設(shè)計(jì)和制造,完全能滿足眾多企業(yè)的個(gè)性化需求。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用
2009-11-12 10:23:26
的先進(jìn)技術(shù)和工藝,研制、開發(fā)出一系列涵蓋存儲(chǔ)系列、輸送系列、搬運(yùn)系列、工位器具及集裝單元系列等上百種標(biāo)準(zhǔn)或非標(biāo)物流設(shè)備,并可根據(jù)客戶要求規(guī)劃、設(shè)計(jì)和制造,完全能滿足眾多企業(yè)的個(gè)性化需求。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用
2009-11-13 10:20:08
請(qǐng)?jiān)敿?xì)敘述腐蝕工藝工段的工藝流程以及整個(gè)前道的工藝技術(shù)
2011-04-13 18:34:13
請(qǐng)問(wèn)技術(shù)創(chuàng)新是如何推動(dòng)設(shè)計(jì)工藝發(fā)展的?
2021-04-21 06:46:39
功能由配合DSP工作的MCU完成,則通??蓪?shí)現(xiàn)更低的功耗。功耗更低的工作模式可降低電源管理IC本身的損耗,而借助這種工作模式和改進(jìn)后的工藝技術(shù),電源管理IC及相關(guān)組件的效率可獲得進(jìn)一步提升。
2011-03-10 12:15:55
再流焊工藝技術(shù)研究(SMT工藝):隨著表面貼裝技術(shù)的發(fā)展,再流焊越來(lái)越受到人們的重視。本文介紹了再流焊接的一般技術(shù)要求,并給出了典型溫度曲線以及溫度曲線上主要控制點(diǎn)
2009-03-25 14:44:3330 和艦科技自主創(chuàng)新研發(fā)的0.16 微米硅片制造工藝技術(shù)在原有比較成熟的0.18 微米工藝技術(shù)基礎(chǔ)上,將半導(dǎo)體器件及相關(guān)繞線尺寸進(jìn)行10%微縮(實(shí)際尺寸為0.162 微米),大大降低了芯
2009-12-14 11:23:3625 高壓0.18um 先進(jìn)工藝技術(shù)上海華虹 NEC 電子有限公司工程一部1、簡(jiǎn)介項(xiàng)目名稱:高壓0.18μm 先進(jìn)工藝技術(shù),該項(xiàng)目產(chǎn)品屬于30V 高工作電壓的關(guān)鍵尺寸為0.18μm 的邏輯器件。
2009-12-14 11:37:329 常用PCB工藝技術(shù)參數(shù).
2010-07-15 16:03:1766 無(wú)鉛波峰焊接工藝技術(shù)與設(shè)備1.無(wú)鉛焊接技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)
2006-04-16 21:37:53669 IC工藝技術(shù)問(wèn)題 集成電路芯片偏置和驅(qū)動(dòng)的電源電壓Vcc是選擇IC時(shí)要注意的重要問(wèn)題。從IC電源管腳吸納的電流主要取決于該電壓值以及該IC芯片輸出級(jí)
2009-08-27 23:13:38780 提高多層板層壓品質(zhì)工藝技術(shù)技巧 由于電子技術(shù)的飛速發(fā)展,促使了印制電路技術(shù)的不斷發(fā)展。PCB板經(jīng)由單面-雙面一多層發(fā)展,并
2009-11-18 14:13:12967 TSMC向中國(guó)客戶介紹車用電子工藝驗(yàn)證規(guī)格及套裝服務(wù)
TSMC今(27)日宣布,將于十二月二日在中國(guó)廈門所舉行的中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路設(shè)計(jì)分會(huì)年會(huì)上,向中國(guó)客
2009-11-28 16:24:421144 高通攜手TSMC,繼續(xù)28納米工藝上合作
高通公司(Qualcomm Incorporated)與其專業(yè)集成電路制造服務(wù)伙伴-TSMC前不久日共同宣布,雙方正在28納米工藝技術(shù)進(jìn)行密切合作。此
2010-01-13 08:59:23910 中聯(lián)科偉達(dá)實(shí)現(xiàn)中國(guó)晶硅太陽(yáng)能電池裝備、工藝技術(shù)國(guó)產(chǎn)化
核心提示:2009年,中國(guó)太陽(yáng)能電池和組件的實(shí)際出貨量占到世界的一半左
2010-01-22 08:57:57799 什么是CPU的生產(chǎn)工藝技術(shù)/向下兼容?
CPU的生產(chǎn)工藝技術(shù) 我們??梢栽贑PU性能列表上看到“工藝技術(shù)”一項(xiàng),其中有“
2010-02-04 10:41:53742 采用SiGe:C BiCMOS工藝技術(shù)的射頻/微波產(chǎn)品
恩智浦將在2010年底前推出超過(guò)50種采用SiGe:C技術(shù)的產(chǎn)品,其QUBiC4 SiGe:C工藝技術(shù)可提供高功率增益和優(yōu)
2010-05-24 11:06:351367 Achronix半導(dǎo)體公司宣布:該公司已經(jīng)戰(zhàn)略性地獲得了英特爾公司22納米工藝技術(shù)的使用權(quán),并計(jì)劃開發(fā)最先進(jìn)的現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)
2010-11-15 09:06:29553 日前,記者從有關(guān)方面獲悉,昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心(簡(jiǎn)稱昆山平板顯示中心)和維信諾公司在中國(guó)本土率先全線打通了LTPS-TFT背板和OLED顯示屏制造工藝技術(shù),并于201
2010-12-29 09:29:35534 中國(guó)頂尖IC設(shè)計(jì)公司已經(jīng)采用了28納米尖端技術(shù)開發(fā)芯片,而9.2% 本地?zé)o晶圓廠半導(dǎo)體公司亦采用先進(jìn)的45納米或以下的工藝技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)及大規(guī)模量產(chǎn)。
2011-09-07 11:23:501556 中國(guó)頂尖設(shè)計(jì)公司已經(jīng)采用28納米尖端技術(shù)開發(fā)芯片,而本地9.2%無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體公司亦采用先進(jìn)的45納米或以下的工藝技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)及大規(guī)模量產(chǎn)
2011-09-13 09:00:403212 對(duì)3D封裝技術(shù)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、主流多層基板技術(shù)分類及其常見鍵合技術(shù)的發(fā)展作了論述,對(duì)過(guò)去幾年國(guó)際上硅通孔( TSV)技術(shù)發(fā)展動(dòng)態(tài)給與了重點(diǎn)的關(guān)注。尤其就硅通孔關(guān)鍵工藝技術(shù)如硅片減薄
2011-12-07 11:00:52149 本文重點(diǎn)描述運(yùn)用MEMS微機(jī)械加工工藝技術(shù)設(shè)計(jì)、加工、生產(chǎn)胎壓傳感器IC芯片,希望對(duì)大家學(xué)習(xí)MEMS有所幫助
2012-12-11 14:17:267238 日前,聯(lián)華電子與SuVolta公司宣布聯(lián)合開發(fā)28納米工藝技術(shù),該工藝將SuVolta的SuVolta的Deeply Depleted Channel晶體管技術(shù)集成到聯(lián)華電子的28納米High-K/Metal Gate高效能移動(dòng)工藝。
2013-07-25 10:10:521049 ? Analog FastSPICE? 電路驗(yàn)證平臺(tái)已完成了電路級(jí)和器件級(jí)認(rèn)證,Olympus-SoC? 數(shù)字設(shè)計(jì)平臺(tái)正在進(jìn)行提升,以幫助設(shè)計(jì)工程師利用 TSMC 10nm FinFET 技術(shù)更有效地驗(yàn)證和優(yōu)化其設(shè)計(jì)。10nm V1.0 工藝的認(rèn)證預(yù)計(jì)在 2015 年第 4 季度完成。
2015-09-21 15:37:101300 TSMC已經(jīng)按照Synopsys的IC Compiler? II布局及 布線解決方案,完成了在其最先進(jìn)的10-納米(nm)級(jí)FinFET v1.0技術(shù)節(jié)點(diǎn)上運(yùn)行Synopsys數(shù)字、驗(yàn)收及自定義實(shí)施工具的認(rèn)證。
2016-03-23 09:12:011731 半導(dǎo)體的制造流程以及各工位的詳細(xì)工藝技術(shù)。
2016-05-26 11:46:340 PCB測(cè)試工藝技術(shù),很詳細(xì)的
2016-12-16 21:54:480 撓性電路板化學(xué)鎳鈀金工藝技術(shù)研究
2017-01-22 20:56:130 確保連續(xù)四代全可編程技術(shù)及多節(jié)點(diǎn)擴(kuò)展的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)四代先進(jìn)工藝技術(shù)和3D IC以及第四代FinFET技術(shù)合作 2015年5月28日, 中國(guó)北京 - All Programmable 技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先
2017-02-09 03:48:04198 2017年4月18日,中國(guó)上海 – 楷登電子(美國(guó)Cadence公司,NASDAQ: CDNS)今日正式發(fā)布針對(duì)7nm工藝的全新Virtuoso? 先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)平臺(tái)。通過(guò)與采用7nm FinFET
2017-04-18 11:09:491165 已經(jīng)浮出水面。人們都認(rèn)為市場(chǎng)上最新的半導(dǎo)體技術(shù)也是您下一設(shè)計(jì)最好的工藝技術(shù),這種想法促進(jìn)了 IoT 的雪崩式發(fā)展。 最近在硅谷舉行的 TSMC 輔助支持系統(tǒng)論壇上清楚的闡述了這種發(fā)展。隨著 20、16 和 10 nm 工藝的發(fā)展,最大的代工線負(fù)責(zé)人宣稱,在老工藝尺
2017-09-14 19:52:445 Technology (12FFC) 和最新版本 7nm FinFET Plus 工藝的認(rèn)證。Nitro-SoCTM 布局和布線系統(tǒng)也通過(guò)了認(rèn)證,可以支持 TSMC 的 12FFC 工藝技術(shù)。
2017-10-11 11:13:422372 業(yè)界對(duì)哪種 半導(dǎo)體 工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用,但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像 CMOS 、B iC MOS、砷化鎵(GaAs)、磷化
2017-11-25 02:35:02456 業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用,但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP
2019-03-15 11:06:13447 在未來(lái)數(shù)年內(nèi),仍有數(shù)不清的機(jī)遇推動(dòng)5G射頻技術(shù)創(chuàng)新,而半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展無(wú)疑將扮演重要角色。從整個(gè)行業(yè)來(lái)看,從工藝和材料開發(fā)到設(shè)計(jì)技巧和建模,再到高頻測(cè)試和制造,仍有很多工作需要完成。在實(shí)現(xiàn)5G目標(biāo)的道路上所有學(xué)科都將參與其中,而半導(dǎo)體工程材料技術(shù)是重中之重。
2018-05-28 14:43:00899 。Mentor 的工具和 TSMC 的新工藝將協(xié)助雙方共同客戶更快地為高增長(zhǎng)市場(chǎng)提供芯片創(chuàng)新。 TSMC 設(shè)計(jì)基礎(chǔ)架構(gòu)營(yíng)銷部資深總監(jiān) Suk Lee 表示:“Mentor 通過(guò)提供更多功能和解決方案來(lái)支持我們最先進(jìn)的工藝,持續(xù)為TSMC 生態(tài)系統(tǒng)帶來(lái)了了更高的價(jià)值。
2018-05-17 15:19:003391 Synopsys設(shè)計(jì)平臺(tái)用于高性能、高密度芯片設(shè)計(jì) 重點(diǎn): Synopsys設(shè)計(jì)平臺(tái)獲得TSMC工藝認(rèn)證,支持高性能7-nm FinFET Plus工藝技術(shù),已成功用于客戶的多個(gè)設(shè)計(jì)項(xiàng)目。 針對(duì)
2018-05-17 06:59:004461 Synopsys Synopsys近日宣布, Synopsys 設(shè)計(jì)平臺(tái)獲得TSMC最新版且最先進(jìn)的5nm工藝技術(shù)認(rèn)證,可用于客戶先期設(shè)計(jì)。通過(guò)與TSMC的早期密切協(xié)作,IC CompilerII
2018-06-01 09:35:003784 基于7nm工藝技術(shù)的控制器和PHY IP具有豐富的產(chǎn)品組合,包括LPDDR4X、MIPI CSI-2、D-PHY、PCI Express 4.0以及安全I(xiàn)P。
IP解決方案支持TSMC 7nm工藝技術(shù)所需的先進(jìn)汽車設(shè)計(jì)規(guī)則,滿足可靠性和15年汽車運(yùn)行要求。
2018-10-18 14:57:216541 、D-PHY、PCI Express 4.0以及安全I(xiàn)P在TSMC 7nm工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn)了先進(jìn)的汽車設(shè)計(jì)規(guī)則,以滿足ADAS和自動(dòng)駕駛芯片的可靠性及運(yùn)行要求。推出此項(xiàng)支持TSMC 7nm工藝技術(shù)的汽車
2018-11-13 16:20:231517 關(guān)鍵詞:5nm , Compiler , PrimeTime 新思科技(Synopsys)宣布其數(shù)字和定制設(shè)計(jì)平臺(tái)通過(guò)了TSMC最先進(jìn)的5nm EUV工藝技術(shù)認(rèn)證。該認(rèn)證是多年廣泛合作的結(jié)果,旨在
2018-10-27 22:16:01255 MPS是一家1997年創(chuàng)立于美國(guó)硅谷的模擬IC設(shè)計(jì)公司。當(dāng)時(shí),半導(dǎo)體業(yè)界還沒(méi)有專門用于電源管理的工藝技術(shù),為此,MPS公司的創(chuàng)始人邢正人開發(fā)了這種工藝技術(shù),它使電源管理芯片的速度更高、面積更小。
2019-01-16 14:58:58682 IC產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步取決于IC制造商繼續(xù)提供更多性能和功能的能力。隨著主流CMOS工藝在理論,實(shí)踐和經(jīng)濟(jì)方面的限制
2019-02-25 09:24:512768 4月16日,三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿,宣布已經(jīng)完成5納米FinFET工藝技術(shù)開發(fā),現(xiàn)已準(zhǔn)備好向客戶提供樣品。
2019-04-16 17:27:233008 PCB板上的線路圖形就是PCB線路板廠家采用曝光成像與顯影蝕刻工藝技術(shù)來(lái)完成的,無(wú)論是PCB多層線路板還是柔性線路板在制作線路圖形時(shí)都要用到曝光成像與顯影工藝技術(shù)。下面來(lái)詳細(xì)介紹這兩種工藝的加工特點(diǎn)及加工原理。
2019-04-28 15:10:5231336 在14版本中,SONNET新引入了一種名為工藝技術(shù)層的屬性定義層,以實(shí)現(xiàn)EDA框架和設(shè)計(jì)流程的平滑過(guò)渡。該工藝技術(shù)層實(shí)際上是用戶創(chuàng)建的EM工程中 的多個(gè)屬性對(duì)象的集合體,其中包括了很多基本屬性設(shè)置,比如層的命名、物理位置、金屬屬性、網(wǎng)格控制選項(xiàng)等等。
2019-10-08 15:17:412021 作為中國(guó)大陸技術(shù)最先進(jìn)、規(guī)模最大的晶圓代工企業(yè),中芯國(guó)際的制程工藝發(fā)展一直備受關(guān)注。歷經(jīng)20年,其制程工藝從0.18微米技術(shù)節(jié)點(diǎn)發(fā)展至如今的N+1工藝。
2020-10-20 16:50:105947 最大的RISC-V架構(gòu)廠商SiFive近日宣布,其OpenFive部門已成功采用臺(tái)積電(TSMC)的N5工藝技術(shù)流片公司首個(gè)SoC,采用2.5D封裝HBM3存儲(chǔ)單元,帶寬7.2Gbps。在半導(dǎo)體行業(yè)中,流片意味著芯片設(shè)計(jì)大功告成,一般會(huì)在一年內(nèi)投入商用。
2021-05-01 09:33:002960 多絞屏蔽線處理及焊接工藝技術(shù)綜述
2021-07-12 09:45:593 )宣布,其數(shù)字和定制/模擬流程已獲得 TSMC N3 和 N4 工藝技術(shù)認(rèn)證,支持最新的設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(cè)(DRM)。通過(guò)持續(xù)合作,Cadence 和 TSMC 發(fā)布了 TSMC N3 和 N
2021-10-26 15:10:581928 Siemens Digital Industries Software宣布,其用于模擬、數(shù)字和混合信號(hào)集成電路 (IC) 設(shè)計(jì)的電源完整性分析的全新 mPower? 解決方案現(xiàn)已通過(guò) Tower Semiconductor 的 SBC13 和 SBC18 工藝技術(shù)的認(rèn)證。
2022-03-16 14:56:571762 全面解讀電子封裝工藝技術(shù)
2022-10-10 11:00:51876 ,包括最新的 N3E 和 N2 工藝技術(shù)。這一新的生成式設(shè)計(jì)遷移流程由 Cadence 和臺(tái)積電共同開發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)定制和模擬 IC 設(shè)計(jì)在臺(tái)積電工藝技術(shù)之間的自動(dòng)遷移。與人工遷移相比,已使用該流程的客戶成功地將遷移時(shí)間縮短了 2.5 倍。
2023-05-06 15:02:15801 楷登電子(美國(guó) Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)近日宣布,Cadence 數(shù)字和定制/模擬設(shè)計(jì)流程已通過(guò) TSMC N3E 和 N2 先進(jìn)工藝的設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(cè)(DRM)認(rèn)證。兩家公司還發(fā)
2023-05-09 10:09:23708 在代工行業(yè),采用先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)更能帶來(lái)明顯的成本競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。2020年,臺(tái)積電(TSMC)是業(yè)界唯一同時(shí)使用7nm和5nm工藝節(jié)點(diǎn)用于IC制造的企業(yè),此舉也使得TSMC每片晶圓的總收入大幅增加,達(dá)到1634美元。這一數(shù)字比GlobalFoundries高66%,是UMC和中芯國(guó)際的兩倍多。
2023-05-20 14:58:50629 來(lái)源:ACT半導(dǎo)體芯科技 隨著我國(guó)集成電路國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程的加深、下游應(yīng)用領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展以及國(guó)內(nèi)先進(jìn)封測(cè)龍頭企業(yè)工藝技術(shù)的不斷進(jìn)步,先進(jìn)封測(cè)行業(yè)市場(chǎng)空間將進(jìn)一步擴(kuò)大。而能否實(shí)現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同發(fā)展,是先進(jìn)
2023-07-17 20:04:55320 2006電子元器件搪錫工藝技術(shù)要求
2023-08-23 16:48:033 流程,能兼容所有的 TSMC(臺(tái)積電)先進(jìn)節(jié)點(diǎn),包括最新的 N3E 和 N2 工藝技術(shù)。 這款生成式設(shè)計(jì)遷移流程由 Cadence 和 TSMC 共同開發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)定制和模擬 IC 設(shè)計(jì)在 TSMC
2023-09-27 10:10:04301 電子產(chǎn)品裝聯(lián)工藝技術(shù)詳解
2023-10-27 15:28:22373 密性等。本文介紹了五種用于MEMS封裝的封帽工藝技術(shù),即平行縫焊、釬焊、激光焊接、超聲焊接和膠粘封帽??偨Y(jié)了不同封帽工藝的特點(diǎn)以及不同MEMS器件對(duì)封帽工藝的選擇。本文還介紹了幾種常用的吸附劑類型,針對(duì)吸附劑易于飽和問(wèn)題,給出了封帽工藝解決方案,探
2024-02-25 08:39:28171
評(píng)論
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