雖然EEPROM和閃存通常是大多數(shù)應(yīng)用中非易失性存儲器（NVM）的首選，但鐵電RAM（FRAM）為能量收集應(yīng)用中的許多低功耗設(shè)計(jì)（如無線傳感器節(jié)點(diǎn)）提供了明顯的優(yōu)勢。智能電表和其他數(shù)據(jù)記錄設(shè)計(jì)。憑借
2019-03-18 08:08:00
2973 
西部數(shù)據(jù)公司(NASDAQ: WDC)今日宣布推出一系列新產(chǎn)品，旨在滿足用戶對于高耐久度存儲解決方案日益增長的需求——尤其是針對工業(yè)、智能和先進(jìn)制造（包括多種物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備）等需要在嚴(yán)苛環(huán)境中操作的應(yīng)用
2019-09-26 05:15:003650 FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存，已有對傳統(tǒng)非易失性內(nèi)存性能不滿意的客戶采用我們的FRAM。
2020-05-11 10:37:431004 0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強(qiáng)的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
64－Kbit FRAM是什么？為什么要開發(fā)一種64－Kbit FRAM？64－Kbit FRAM到底有什么用途？
2021-06-17 08:27:24
FRAM RFID與傳統(tǒng)EEPROM相比，有哪些亮點(diǎn)？FRAM RFID有哪些創(chuàng)新應(yīng)用案例？
2021-05-21 06:53:14
你好，我正在設(shè)計(jì)一個(gè)16或32個(gè)FRAM（SPI）設(shè)備的存儲器陣列，用于電池操作的數(shù)據(jù)表，用于遠(yuǎn)程戶外位置。我已經(jīng)查閱了CY15B104Q（512K×8）數(shù)據(jù)表中的直流特性，特別是I/O電壓閾值
2019-10-10 09:57:35
FRAM器件消耗的工作電流大約是EEPROM的1/3，而FRAM的待機(jī)/睡眠電流規(guī)格與EEPROM的待機(jī)/睡眠電流規(guī)格差不多。有功電流中的差異對功耗產(chǎn)生巨大影響，特別是當(dāng)應(yīng)用程（如:智能電子式電表
2020-10-09 14:27:35
EDR實(shí)施將配對具有2 Mb或4 Mb密度的無限耐久性FRAM器件和高密度閃存。存儲器通常將配置為連續(xù)存儲最新的1到5 s的數(shù)據(jù)，而閃存陣列用于批量存儲較舊的數(shù)據(jù)。對于Excelon-Auto設(shè)備，有一
2020-08-12 17:41:09
FRAM器件提供非易失性存儲，用10年的數(shù)據(jù)保存時(shí)間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2021-12-09 08:28:44
以及改進(jìn)整個(gè)系統(tǒng)。而這正是我們采用 FRAM 的微控制器超越業(yè)界其他解決方案的優(yōu)勢所在。 FRAM 是一種非易失性 RAM，相較于其他非易失性存儲器技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更快速的數(shù)據(jù)存儲和幾乎無限的壽命。 這
2018-09-10 11:57:26
FRAM的特點(diǎn)是速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在如E2PROM的最大寫入次數(shù)的問題；但受鐵電晶體特性制約，FRAM仍有最大訪問（讀）次數(shù)的限制。
2019-09-11 11:30:59
DEMO演示FRAM 特性——“多、快、省”寬泛的FRAM產(chǎn)品線——涵蓋SPI、IIC、并行接口，容量向16Mb邁進(jìn)技術(shù)優(yōu)勢解決系列應(yīng)用瓶頸創(chuàng)新的FRAM 認(rèn)證芯片促進(jìn)應(yīng)用創(chuàng)新
2021-03-04 07:54:14
摘要：介紹鐵電存儲器（FRAM）的一般要領(lǐng)和基本原理，詳細(xì)分析其讀寫操作過程及時(shí)序。將FRAM與其它存儲器進(jìn)行比較，分析在不同場合中各自的優(yōu)缺點(diǎn)。最后以FM1808為例說明并行FPGA與8051系列
2014-04-25 13:46:28
內(nèi)存FRAM 4K（512×8）位I2C
2023-03-29 21:29:54
MRAM與FRAM技術(shù)比較
2021-01-25 07:33:07
操作是通過在MTJ兩端施加非常低的電壓來完成的，從而在部件使用壽命內(nèi)支持無限的操作。圖3：MRAM讀寫周期FRAM技術(shù)FRAM或鐵電隨機(jī)存取存儲器使用1個(gè)晶體管–1個(gè)鐵電電容器（1T-1FC）架構(gòu)，該
2022-11-17 15:05:44
和 SPI）提供的 FRAM 內(nèi)容在系統(tǒng)即便未加電的情況下用于讀取日志消息（例如，通過溫度或壓力發(fā)送器讀?。?。此外，在系統(tǒng)完成安裝并加電之前（或之后），也可在試運(yùn)行時(shí)對配置參數(shù)進(jìn)行編程。通過此類功能，無需為
2015-05-05 15:13:56
SRAM接口。所有這些實(shí)現(xiàn)都以某種形式的8引腳封裝提供?！ RAM和FRAM技術(shù)的常用功能 在最高級別上，SRAM和FRAM的基本功能是相同的-從Kilobits到即時(shí)存儲在內(nèi)存中的少量兆位的隨機(jī)存取存儲器的容量。該存儲器沒有特殊配置或頁面邊界，并且支持標(biāo)準(zhǔn)SPI物理引腳排列。
2020-12-17 16:18:54
MEMORY FRAM FOR TOWER SYSTEM
2023-03-22 19:57:21
ucgui 儲存設(shè)備分析優(yōu)勢使用儲存設(shè)備,會開辟一段內(nèi)存，一系列繪圖操作保存這段內(nèi)存中，僅在調(diào)用GUI_MEMDEV_CopyToLCD() 時(shí) 更新。相關(guān)函數(shù) 及步驟創(chuàng)建儲存設(shè)備
2022-01-21 08:23:58
8Mb MRAM MR3A16ACMA35采用48引腳BGA封裝。MR3A16ACMA35的優(yōu)點(diǎn)與富士通FRAM相比，升級到Everspin MRAM具有許多優(yōu)勢：?更快的隨機(jī)訪問操作時(shí)間?高可靠性和數(shù)
2023-04-07 16:26:28
能量收集應(yīng)用提供了許多低功耗設(shè)計(jì)，例如無線傳感器節(jié)點(diǎn)，智能電表明顯的優(yōu)勢，和其他數(shù)據(jù)記錄的設(shè)計(jì)。憑借其擴(kuò)展的寫周期耐力和數(shù)據(jù)保留時(shí)間，FRAM技術(shù)可幫助設(shè)計(jì)人員滿足使用的FRAM芯片和基于FRAM
2016-02-25 16:25:49
之前在論壇里面發(fā)帖問了關(guān)于如何延長EEPROM壽命的問題，后面經(jīng)大神推薦選擇了用FRAM來替代。前兩天在某公司申請的FRAM樣片到了，今天就拿來做測試。我原本的測試方案就是跟以前測試EEPROM一樣
2013-09-03 10:52:35
功耗要求?！痹陬愃迫缟纤龅南到y(tǒng)中，FRAM 可帶來多種優(yōu)勢。 結(jié)合我們 FRAM MCU 的非易失性、寫入速度和低功耗以及與 AES 模塊及存儲器保護(hù)單元的集成，使得諸如 MSP430FR5969
2018-09-10 11:57:29
您好!IAM使用FM25V01 128 kBIT（16 K×8）串行（SPI）F RAM。在將數(shù)據(jù)存儲到Flash中之后，希望從FLASH讀取完整內(nèi)存區(qū)域的數(shù)據(jù)。是否有任何工具或設(shè)備，如PROM程序員直接讀取傾倒數(shù)據(jù)讀取這個(gè)FRAM。請幫忙。如果你知道任何工具建議我。
2019-09-25 13:41:48
寫入FRAM的零時(shí)鐘周期延遲 一個(gè)典型的EEPROM需要5毫秒的寫周期時(shí)間，以將其頁面數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到非易失性EEPROM內(nèi)。當(dāng)需要寫入幾千字節(jié)的數(shù)據(jù)時(shí)，會導(dǎo)致寫入時(shí)間較長。相比之下的FRAM不會使這種寫
2020-09-28 14:42:50
兆次代表了富士通FRAM產(chǎn)品本身性能優(yōu)異的高讀寫耐久度，20年則是富士通專注FRAM、成功量產(chǎn)與不斷創(chuàng)新的寶貴經(jīng)驗(yàn)，37億顆表示了量產(chǎn)以來的累計(jì)出貨量。毫無疑問，富士通FRAM正在廣泛賦能各行各業(yè)的創(chuàng)新應(yīng)用！”
2020-10-30 06:42:47
隨機(jī)存取存儲器（FRAM）是一種非易失性的獨(dú)立型存儲技術(shù)，本文將論述FRAM的主要技術(shù)屬性，同時(shí)探討可充分展現(xiàn)FRAM優(yōu)勢的具體用例。
2019-08-22 06:16:14
較之閃存/EEPROM 具有哪些主要優(yōu)勢？ 1) 速度。 FRAM 具有快速寫入的特性。 寫入到 FRAM 存儲器單元的實(shí)際時(shí)間小于50ns，這超越了所有其他存儲器的類似操作。 這大約比 EEPROM
2018-08-20 09:11:18
確保100倍以上的數(shù)據(jù)寫入速度和250倍的功耗降幅。此外，這種片上 FRAM 還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬億次的寫入次數(shù)、并為開發(fā)人員提供了一個(gè)全新的靈活度（允許其通過軟件
2011-05-04 16:37:37
你好！我在一個(gè)嵌入式項(xiàng)目中使用CY15B104Q FRAM。有誰有這個(gè)內(nèi)存的C/C++驅(qū)動程序嗎？ 以上來自于百度翻譯 以下為原文Hello! I'm using CY15B104Q FRAM
2019-06-28 09:20:28
采用FRAM的MCU為何就能具有諸多優(yōu)勢呢?舉例說明:TI做了一個(gè)實(shí)驗(yàn)，如果要寫13Kbps的數(shù)據(jù)到DRAM里需要花1秒時(shí)間，大約要用2200uA的功耗去做寫的功能，但如果用FRAM來做只要10ms
2021-11-24 07:19:40
（Ferroelectric Random Access Memory）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長的鐵電隨機(jī)存儲器（內(nèi)存）。FRAM的數(shù)據(jù)保持，不僅不需要備用
2020-05-07 15:56:37
什么是FRAM?FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲器）是被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質(zhì)膜用作電容器來存儲數(shù)據(jù)。FRAM具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機(jī)存取器）的特點(diǎn)，在高速讀寫入、高讀寫耐久
2014-06-19 15:49:33
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說明在智能電子式電表的設(shè)計(jì)中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優(yōu)勢。圖1顯示的是智能電子式電表的簡化框圖。非易失性存儲器是一個(gè)電表
2021-07-12 07:26:45
鐵電存儲器FRAM 是具有低功耗、高寫入速度、高耐久力的新型非易失性存儲器，應(yīng)用范圍廣泛。本文介紹FRAM 及其應(yīng)用， 并給出FRAM 與MCS-51 單片機(jī)的接口電路和軟件設(shè)計(jì)。
2009-05-13 16:25:45
25 本文首先介紹了FRAM 的特點(diǎn)；然后在分析了FRAM 配置及DSP 的SPI 通信模塊的基礎(chǔ)上，給出了FM25L256 與TMS320F2812 DSP 的接口電路的硬件設(shè)計(jì)。最后，文章給出了SPI模塊的初始化程序及DSP
2009-09-14 16:01:2018 富士通嵌入FRAM的RFID射頻芯片MB89R118C的優(yōu)點(diǎn):? 抗金屬，可在金屬環(huán)境中使用。? 可耐200度高溫。? 高速數(shù)據(jù)寫入：可提高數(shù)據(jù)寫入時(shí)的效率。? 穩(wěn)定的通信距離
2023-12-27 13:53:33
鐵電存儲器FRAM詳解:
鐵電存儲器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫
2008-01-30 09:13:504172 
內(nèi)存故障與分析
一、開機(jī)無顯示由于內(nèi)存條原因出現(xiàn)此類故障是比較普遍的現(xiàn)象，一般是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">內(nèi)存條與主板內(nèi)存插槽接 觸不
2009-05-22 09:02:06478 鐵電隨機(jī)存取存儲器（FRAM）是一種非易失性的獨(dú)立型存儲技術(shù)，本文將論述FRAM的主要技術(shù)屬性，同時(shí)探討可充分展現(xiàn)FRAM優(yōu)勢的具體用例。
2012-10-08 15:34:551835 
富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布，成功推出擁有1 Mb內(nèi)存的FRAM產(chǎn)品---MB85RS1MT。由于該器件采用晶圓級芯片尺寸封裝（WL-CSP），使得其體積僅為3.09 × 2.28 × 0.33 mm，一舉成為業(yè)內(nèi)擁有SPI接口的、尺寸最小的1 Mb FRAM器件。
2015-07-08 15:03:571568 上海，2016年3月9日–富士通電子元器件（上海）有限公司今天宣布，將攜其FRAM鐵電隨機(jī)存儲器等自有產(chǎn)品線，以及代理產(chǎn)品線參加在中國上海舉行的“第十五屆慕尼黑上海電子展”（Electronica China 2016）。本次展會將于2016年3月15日至17日在上海新國際博覽中心拉開帷幕。
2016-03-09 10:47:521383 近幾年，FRAM（鐵電存儲器）比較火，特別是在三表的應(yīng)用中。網(wǎng)上也有不少對FRAM技術(shù)的討論。這不，小編看到了一篇分享，是某網(wǎng)友總結(jié)的FRAM應(yīng)用的心得，發(fā)布在這里供正在使用和將來要使用FRAM的筒子們參考~
2017-03-24 18:27:171915 上一篇文章我們介紹了嵌入了FRAM的RFID相比傳統(tǒng)嵌入EEPROM的RFID的優(yōu)勢。這篇文章我們將介紹FRAM RFID的具體應(yīng)用。
2017-03-28 18:00:431652 
FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲器）是被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質(zhì)膜用作電容器來存儲數(shù)據(jù)。FRAM具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機(jī)存取器）的特點(diǎn)，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢。
2017-03-28 18:05:301459 富士通半導(dǎo)體因FRAM在醫(yī)療領(lǐng)域和智能電表中的解決方案及應(yīng)用而備受業(yè)界矚目。FRAM在這兩個(gè)領(lǐng)域備受關(guān)注，這與它在醫(yī)療領(lǐng)域和智能電表行業(yè)內(nèi)的有著巨大的優(yōu)勢是分不開的。
2017-03-29 11:12:121117 和DRAM這些傳統(tǒng)易失性存儲器的級別。而且，FRAM的讀/寫耐久性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于EEPROM和Flash存儲器。EEPROM和Flash存儲器能寫入大約100萬次（106次），FRAM最高可寫入1013次，或者說寫入次數(shù)可以達(dá)到前兩種存儲器的1000萬倍以上。
2017-03-29 11:46:291659 
FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲器的優(yōu)勢。擅于進(jìn)行高速寫入、具有長的耐久力和低功耗。 不同接口的產(chǎn)品各自都有哪些特點(diǎn)呢？
2017-09-04 14:46:3010691 
FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲器的優(yōu)勢。擅于進(jìn)行高速寫入、具有長的耐久力和低功耗。富士通半導(dǎo)體可提供采用串行（I2C和SPI）和并行外設(shè)的FRAM產(chǎn)品。 不同接口的產(chǎn)品各自都有哪些特點(diǎn)呢？
2017-09-17 16:34:229447 
選用存儲器時(shí)主要考慮的指標(biāo)包括安全性、使用壽命、讀寫速度、產(chǎn)品功耗和存儲容量等。FRAM(鐵電存儲器)由于具有ROM的非易失性和RAM的隨機(jī)存取特性，以及高速讀寫/高讀寫耐久性(高達(dá)1014
2018-06-02 02:46:0014464 本文首先介紹了耐久性試驗(yàn)的概念，其次介紹了耐久性試驗(yàn)的目的及耐久性試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)，最后介紹了電子設(shè)備耐久性試驗(yàn)的基本步驟。
2018-05-14 09:27:597640 FRAM 應(yīng)用介紹
2018-08-15 08:28:005742 板卡存儲大廠影馳宣布，旗下ONE 240GB SSD固態(tài)盤歷時(shí)3個(gè)半月、持續(xù)109天的考驗(yàn)，順利完成了耐久度測試，數(shù)據(jù)總寫入量達(dá)到715.5TB，期間無任何數(shù)據(jù)出錯(cuò)。
2019-01-04 15:00:145302 
西部數(shù)據(jù)為工業(yè)4.0智慧工廠的生態(tài)和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備提供兼具高耐久度和低功耗的工業(yè)級存儲解決方案，以促成工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)（IIoT）的構(gòu)成。
2019-09-26 09:07:08503 富士通電子在過去約20年量產(chǎn)各種FRAM非易失性內(nèi)存產(chǎn)品，具備比EEPROM及閃存更高的讀∕寫耐久性、高速寫入速度及超低功耗。近幾年來，這些產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于可穿戴裝置、工業(yè)機(jī)器人與無人機(jī)。
2019-11-01 08:38:312627 和FLASH非易失性內(nèi)存相比，FRAM在EDR應(yīng)用上有三大關(guān)鍵優(yōu)勢。對于那些有精確時(shí)間要求的應(yīng)用來說，FRAM會立即具備非易失性。這些應(yīng)用在系統(tǒng)發(fā)生故障時(shí)，最重要的數(shù)據(jù)，如數(shù)據(jù)記錄器通常會面臨風(fēng)險(xiǎn)。FRAM擦寫周期為10E+14，而EEROM為10E+6，F(xiàn)LASH為10E+5，。因此FRAM是數(shù)據(jù)記錄
2020-05-26 11:03:431080 
FRAM器件提供非易失性存儲，用10年的數(shù)據(jù)保存時(shí)間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2020-07-03 10:27:44336 
最近出現(xiàn)的許多內(nèi)存問題都以3D Xpoint的形式出現(xiàn)在ReRAM，MRAM和PCRAM上。但是鐵電RAM（FRAM）在小型利基設(shè)備中得到了成功。 去年對新興內(nèi)存年報(bào)，吹捧的ReRAM，MRAM
2020-07-24 15:17:57459 FRAM是一種鐵電存儲器，它使用鐵電膜作為電容來存儲數(shù)據(jù)，即使數(shù)據(jù)沒有電源也可以保存。采用鐵電薄膜作為電容器來存儲數(shù)據(jù)。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速讀寫，高讀寫耐久性，低功耗，防篡改等方面
2020-09-27 14:32:311634 鐵電存儲器是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長的鐵電隨機(jī)存儲器（內(nèi)存）。FRAM的數(shù)據(jù)保持不僅不需要備用電池，而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比
2020-10-19 14:22:59626 采用FRAM的MCU為何就能具有諸多優(yōu)勢呢？舉例說明：TI做了一個(gè)實(shí)驗(yàn)，如果要寫13Kbps的數(shù)據(jù)到DRAM里需要花1秒時(shí)間，大約要用2200uA的功耗去做寫的功能，但如果用FRAM來做只要10ms
2020-12-06 10:00:001469 我們每天都在同內(nèi)存打交道，但大家對內(nèi)存真的了解嗎？上篇文章中，我們對服務(wù)器內(nèi)存以及服務(wù)器內(nèi)存技術(shù)有所介紹，為增進(jìn)大家對內(nèi)存的認(rèn)識，本文將為大家介紹高頻率內(nèi)存的優(yōu)勢。此外，小編還將對虛擬內(nèi)存加以探討。如果你對內(nèi)存及其相關(guān)知識具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-12-06 17:43:005856 
內(nèi)存耐久度指定為存儲單元可以寫入或擦除的次數(shù)。對于盡管嚴(yán)格和廣泛使用仍需要高數(shù)據(jù)完整性的應(yīng)用程序，內(nèi)存耐用性是關(guān)鍵的系統(tǒng)性能特征和設(shè)計(jì)考慮因素之一。鐵電RAM或FRAM是一種快速，非易失性和低功耗
2020-12-22 15:20:05455 
獨(dú)特性能成就技術(shù)“硬核”，FRAM 是存儲界的實(shí)力派。除非易失性以外， FRAM 還具備三大主要優(yōu)勢：高讀寫入耐久性、高速寫入以及低功耗，這是絕大多數(shù)同類型存儲器無法比擬的。
2021-03-11 09:23:313503 富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長的鐵電隨機(jī)存儲器（內(nèi)存）。FRAM的數(shù)據(jù)保持，不僅不需要備用電池，而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲器
2021-04-08 15:42:02824 
本應(yīng)用筆記介紹了如何用EERAM代替FRAM，以及如何通過跳線和修改代碼來創(chuàng)建一個(gè)集成EERAM 和FRAM（第二個(gè)源）的設(shè)計(jì)。
2021-04-16 10:04:567 FRAM鐵電存儲器。它是一種采用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應(yīng)來進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲的存儲器。FRAM具有ROM和RAM的特點(diǎn)，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢
2021-05-04 10:17:001850 
監(jiān)控，記錄和分析處理。因此需要提高存儲器性能和耐久性設(shè)計(jì)。只有非易失性?高速?高讀寫耐久性的車規(guī)級的存儲器FRAM才可以滿足所要求的可靠性和無遲延的要求。 FRAM在電池管理系統(tǒng)BMS應(yīng)用 高燒寫耐久性，高速寫入操作： ?系統(tǒng)每0.1或1秒，
2021-05-04 10:18:00377 
存儲器的性能和耐久性設(shè)計(jì)，這些要求使FRAM成為理想的存儲選擇。 FRAM在Car Infotainment中的應(yīng)用 高速燒寫，高讀寫耐久性： 系統(tǒng)經(jīng)常會會受到發(fā)動機(jī)關(guān)閉，導(dǎo)航，倒車攝像或電話進(jìn)入時(shí)的干擾，高端的car infotainment需要實(shí)時(shí)記錄當(dāng)前狀態(tài)，并在干擾之后回復(fù)當(dāng)前
2021-05-04 10:15:00290 
的 FRAM 究竟用到了哪些領(lǐng)域呢？下面由富士通代理英尚微電子帶大家一起來看看吧 汽車工業(yè) 車載電子控制系統(tǒng)對于存取各類傳感器資料的需求持續(xù)增加，因此對于高效能非易失性內(nèi)存技術(shù)的需求也越來越高，因?yàn)楫?dāng)系統(tǒng)在進(jìn)行資料分析或是其他數(shù)據(jù)處理時(shí)，只有
2021-04-24 10:56:48422 FRAM鐵電存儲器是一種采用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應(yīng)來進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲的存儲器。FRAM具有ROM和RAM的特點(diǎn)，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢。那么
2021-04-26 14:31:28544 仍有最大訪問（讀）次數(shù)的限制。FRAM在耐久性、讀寫速度、功耗等各方面吊打EEFROM和FLASH。 FRAM性能比EEPROM好的的三個(gè)優(yōu)勢： 1、壽命，讀寫的次數(shù)比較多， EEPROM和flash
2021-04-30 17:10:171083 表重要數(shù)據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)元件。富士通FRAM在智能水和氣表中的應(yīng)用，與智能電表類似，如非易失性與高寫入耐久性確保了準(zhǔn)確、可靠的數(shù)據(jù)記錄。 此外由于水和氣表使用電池供電，FRAM存儲器擁有超低功耗的特性使之備受方案商的青睞。以64Byte數(shù)據(jù)寫
2021-05-08 15:41:37421 
工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的蓬勃發(fā)展，對數(shù)據(jù)鏈上如數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)記錄、數(shù)據(jù)處理等各個(gè)環(huán)節(jié)的應(yīng)用提出了更高的要求。對于智能電表而言，數(shù)據(jù)記錄及存儲需要考慮準(zhǔn)確記錄、非易失性、耐久度等多個(gè)方面的需求。因此智能電表方案
2021-05-11 17:18:08503 
FRAM是電力計(jì)量系統(tǒng)中使用的主要存儲器，由于具有高耐用性、快速寫入和低能耗等優(yōu)點(diǎn)，FRAM在此領(lǐng)域迅速占領(lǐng)了市場；隨著電子設(shè)備和存儲數(shù)據(jù)需求的增多使得FRAM受到廣泛應(yīng)用，FRAM能用于如智能電表、水表和煤氣表等的常見的計(jì)量系統(tǒng)中。
2021-05-12 16:52:49616 FRAM是一種非易失性存儲器，因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲器的優(yōu)點(diǎn)。相對于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。英尚微存儲芯片供應(yīng)商可提供產(chǎn)品測試及技術(shù)支持。
2021-07-27 10:29:281158 FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器（如EEPROM、閃存）相比，FRAM不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055 FRAM （鐵電RAM） 是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器 （如EEPROM、閃存）相比，FRAM不需要備用電池來保留數(shù)據(jù)，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度
2021-10-28 10:26:562565 采用FRAM的MCU為何就能具有諸多優(yōu)勢呢?舉例說明:TI做了一個(gè)實(shí)驗(yàn)，如果要寫13Kbps的數(shù)據(jù)到DRAM里需要花1秒時(shí)間，大約要用2200uA的功耗去做寫的功能，但如果用FRAM來做只要10ms
2021-11-16 10:21:018 FRAM是一種非易失性存儲器產(chǎn)品，具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點(diǎn)，富士通推出了具有并行接口型號MB85R8M2TA的8Mbit?FRAM存儲芯片，這是富士通FRAM產(chǎn)品系列中第一款保證
2021-12-11 14:46:17579 ? ? ? ?FRAM是一種非易失性存儲器產(chǎn)品，具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。 ? ? ? ? ?富士通并行接口的8Mbit?FRAM?MB85R8M2T。保證寫入壽命超過10萬億
2022-01-12 15:12:20351 鐵電隨機(jī)存取存儲器是一種使用鐵電文件作為存儲數(shù)據(jù)的電容器的存儲器。即使斷電也能保留內(nèi)容。結(jié)合了ROM和RAM的優(yōu)點(diǎn)，具有快速寫入速度、低功耗和高讀/寫周期耐久性。也稱為FeRAM。FRAM鐵電存儲器
2022-02-17 15:33:241666 
、讀/寫循環(huán)壽命長、功耗低等特點(diǎn)。 ? FRAM 采用了哪些類型的應(yīng)用程序？ FRAM已被用于需要小密度內(nèi)存和頻繁數(shù)據(jù)寫入的應(yīng)用中。應(yīng)用示例是；OA設(shè)備（例如用于計(jì)數(shù)器和打印記錄的MFP），F(xiàn)A設(shè)備（例如用于存儲參數(shù)和數(shù)據(jù)記錄的測量設(shè)備和分析儀），金融終端（例如用于
2022-03-02 17:18:36766 鐵電存儲器FRAM是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比，FRAM不需要備用電池來保留數(shù)據(jù)，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度操作和更低的功耗。今天進(jìn)行并口
2022-03-15 15:43:44741 鐵電存儲器稱FRAM或FeRAM，FRAM采用鐵電晶體材料作為存儲介質(zhì)，利用鐵電晶體材料電壓與電流關(guān)系具有特征滯后回路的特點(diǎn)來實(shí)現(xiàn)信息存儲。 ?? FRAM結(jié)構(gòu)圖 FRAM技術(shù)特點(diǎn)： 非易失性：斷電
2022-11-10 17:00:141785 
內(nèi)存耐久度指定為存儲單元可以寫入或擦除的次數(shù)。對于盡管嚴(yán)格和廣泛使用仍需要高數(shù)據(jù)完整性的應(yīng)用程序，內(nèi)存耐用性是關(guān)鍵的系統(tǒng)性能特征和設(shè)計(jì)考慮因素之一。
2022-11-30 16:49:39310 
FRAM是一種非易失性存儲器，因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲器的優(yōu)點(diǎn)。相對于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。
2021-07-15 16:46:56697 
FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個(gè)突出特性。特點(diǎn)是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46417
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論