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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>化學機械拋光(CMP)的現(xiàn)狀和未來

化學機械拋光(CMP)的現(xiàn)狀和未來

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2023-08-02 10:48:407523

北方華創(chuàng)發(fā)布首臺國產(chǎn)12英寸晶邊刻蝕機

據(jù)介紹,在器件制造過程中,由于薄膜沉積、光刻、刻蝕和化學機械拋光等工藝步驟的大幅增長,在晶圓的邊緣造成了不可避免的副產(chǎn)物及殘留物堆積,這些晶邊沉積的副產(chǎn)物及殘留物驟增導致的缺陷風險成為產(chǎn)品良率的嚴重威脅。
2023-07-19 15:02:26607

出于意料!電化學拋光過程出現(xiàn)馬氏體相變

化學拋光(EP)通過選擇性地去除工件表面區(qū)域中的特定零件(如粗糙度和氧化物)形成鏡面狀表面。
2023-07-18 17:24:43550

cmp是什么意思 cmp工藝原理

CMP 主要負責對晶圓表面實現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個相互獨立的工藝流程:光刻、刻蝕、薄膜生長、擴散、離子注入、化學機械拋光、金屬化 CMP 則主要用于銜接不同薄膜工藝,其中根據(jù)工藝
2023-07-18 11:48:183030

半導體產(chǎn)業(yè)鏈叩門A股消息頻傳 盾源聚芯深主板IPO受理!

半導體產(chǎn)業(yè)鏈硅部件供應商盾源聚芯沖刺IPO上市! 近日,半導體產(chǎn)業(yè)鏈叩門A股消息頻傳,化學機械拋光(CMP)設備供應商晶亦精微,半導體功率器件企業(yè)華羿微電均在沖刺科創(chuàng)板上市。 硅部件供應商寧夏
2023-07-18 10:43:08368

陶氏化學工廠爆炸 牽動半導體關鍵耗材生產(chǎn)

陶氏化學公司是粘合劑,輔助劑等在內的多種材料提供的高純度化學產(chǎn)品生產(chǎn)線的半導體核心化學材料的主要供應商,也供應全球重要的CMP材料包括拋光墊、拋光液等。
2023-07-18 09:59:07613

晶亦精微沖刺科創(chuàng)板IPO 為國內唯一8英寸CMP設備境外供應商

。 晶亦精微主要從事半導體設備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及技術服務,主要產(chǎn)品為化學機械拋光(CMP)設備及其配件,并提供技術服務。目前主要為集成電路制造商提供8英寸、12英寸和6/8英寸兼容CMP設備,是國內唯一實現(xiàn)8英寸CMP設備境外批量銷售的設備供應商。
2023-07-14 11:01:15460

晶亦精微科創(chuàng)板IPO獲受理!主打8英寸CMP設備,募資16億研發(fā)及擴產(chǎn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/劉靜)近日,北京晶亦精微科技股份有限公司(以下簡稱:晶亦精微)科創(chuàng)板IPO獲上交所受理,保薦機構為中信證券。 晶亦精微成立于2019年,前身為四十五所CMP事業(yè)部,四十五
2023-07-11 17:25:01626

晶亦精微科創(chuàng)板IPO獲受理!主打8英寸CMP設備,募資16億研發(fā)及擴產(chǎn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/劉靜)近日,北京晶亦精微科技股份有限公司(以下簡稱:晶亦精微)科創(chuàng)板IPO獲上交所受理,保薦機構為中信證券。 晶亦精微成立于2019年,前身為四十五所CMP事業(yè)部,四十五
2023-07-11 01:04:001336

一文詳解CMP設備和材料

在前道加工領域:CMP 主要負責對晶圓表面實現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個相互獨立的工藝流程:光刻、刻蝕、薄膜生長、擴散、離子注入、化學機械拋光、金屬化 CMP 則主要用于銜接不同薄膜工藝,其中根據(jù)工藝段來分可以分為前段制程(FEOL)和后段制程(BEOL)
2023-07-10 15:14:333567

華海清科集成電路高端裝備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目奠基

據(jù)通州區(qū)馬駒橋鎮(zhèn)政府消息,華海清科集成電路尖端設備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目位于馬聚橋鎮(zhèn)智能制造基地,主要涉及化學機械光處理(cmp)設備,減薄機研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。如果該項目得以實現(xiàn),將具備28納米以下尖端工程的cmp設備研究開發(fā)能力和每月加工20萬個12英寸再生晶片的能力。
2023-06-30 11:50:10711

CMP402是一款比較器

CMP401 和CMP402分別為23 ns和65 ns四通道比較器,采用獨立的輸入和輸出電源。獨立電源使輸入級可以采用+3 V至±6 V電源供電。輸出可以采用3 V或5 V電源供電,具體取決于接口
2023-06-28 17:22:15

CMP401是一款比較器

CMP401和CMP402分別為23 ns和65 ns四通道比較器,采用獨立的輸入和輸出電源。獨立電源使輸入級可以采用+3 V至±6 V電源供電。輸出可以采用+3 V或+5 V電源供電,具體取決于
2023-06-28 17:19:58

各類機械手的工作原理和功能特點

梳理、分析了核化工項目中各類機械手的工作原理和功能特點,并就各類機械手的適用場景進行了對比,介紹了在選擇和設計機械手時需考慮的因素,總結了當前的研究進展和未來的發(fā)展趨勢,以期為今后其他項目的機械
2023-06-25 14:23:052143

什么是電拋光smt鋼網(wǎng)工藝?

拋光smt鋼網(wǎng)是什么工藝,它與其他smt鋼網(wǎng)相比有哪些優(yōu)點呢,今天我們?yōu)榇蠹易錾钊氲闹v解,希望幫助大家在選購適合自己工廠真正需要的smt鋼網(wǎng)。
2023-06-19 10:17:44569

氧氣傳感器在化學工業(yè)中的應用

化學工業(yè)(chemical industry)又稱化學加工工業(yè),泛指生產(chǎn)過程中化學方法占主要地位的過程工業(yè)。化學工業(yè)是從19世紀初開始形成,并發(fā)展較快的一個工業(yè)部門。化學工業(yè)在許多國家的國民經(jīng)濟
2023-06-16 10:28:14255

北成新控丨哈默納科Harmonic執(zhí)行器在半導體CMP設備中的應用

北方某客戶在CMP設備使用了哈默納科執(zhí)行器SHA、RSF、HMA和FHA系列產(chǎn)品,滿足了客戶對于提高控制精度,高速定位,緊湊安裝空間的需求。
2023-06-14 09:48:39327

基于深度強化學習的視覺反饋機械臂抓取系統(tǒng)

機械臂抓取擺放及堆疊物體是智能工廠流水線上常見的工序,可以有效的提升生產(chǎn)效率,本文針對機械臂的抓取擺放、抓取堆疊等常見任務,結合深度強化學習及視覺反饋,采用AprilTag視覺標簽、后視經(jīng)驗回放機制
2023-06-12 11:25:221214

一文讀懂CMP拋光

在現(xiàn)代工業(yè)中,表面加工是至關重要的一環(huán)。為了達到所需的表面粗糙度、光潔度和平整度等要求,往往需要進行拋光處理。
2023-06-08 11:13:552653

藍寶石在化學機械拋光過程中的材料去除機理

化學腐蝕點處的濃度越高,腐蝕速率越快。在拋光過程中拋光液持續(xù)流動,我們假設在腐蝕點處的濃度可以保持初始時的濃度,腐蝕率以最快的速度發(fā)生,則拋光液不同的PH值對應一個腐蝕率,由此可見,去除速率與PH值有關,PH越高,速率越快。
2023-06-02 15:24:06347

碳化硅晶片的超精密拋光工藝

使用化學機械拋光(CMP)方法對碳化硅晶片進行了超精密拋光試驗,探究了滴液速率、拋光頭轉 速、拋光壓力、拋光時長及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對晶片表面粗糙度的影響,并對工藝參數(shù)進行了優(yōu)化,最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062215

化學傳感器原理及應用 全面了解電化學化學傳感器

? 電化學傳感器是通過電化學反應過程的電信號(一般包括電位、電流、阻抗等)對待測對象進行檢測的一種化學分析技術。電化學傳感器因其對特殊靶標例如血糖、尿酸、乳酸等代謝物、血氣、農藥殘留、重金屬離子
2023-05-31 08:39:002350

半導體工藝裝備現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

集成電路前道工藝及對應設備主要分八大類,包括光刻(光刻機)、刻蝕(刻蝕機)、薄膜生長(PVD-物理氣相沉積、CVD-化學氣相沉積等薄膜設備)、擴散(擴散爐)、離子注入(離子注入機)、平坦化(CMP設備)、金屬化(ECD設備)、濕法工藝(濕法工藝設備)等。
2023-05-30 10:47:121131

機器人復雜曲面打磨拋光主軸 全自動高精度打磨很簡單

速科德Kasite打磨拋光主軸主要對高精度零件的加工處理,如汽車零部件、光纖接插件陶瓷加工、義齒加工雕銑等行業(yè)。這些高精度零件如果在拋光打磨過程中稍有誤差可能就會導致零件的報廢,造成較大的經(jīng)濟損失,因此一款高精度高性能打磨拋光主軸就顯得尤為重要。
2023-05-29 17:39:48743

固定電勢在電化學反應中的應用

在電化學界面反應過程中,由于電化學反應界面通常與恒定電極電勢的外電極相連,為確保電子的化學勢與外電極的電勢達到平衡
2023-05-26 09:44:431080

深度解讀工控安全技術發(fā)展現(xiàn)狀與應用趨勢

本文將分析工控安全技術發(fā)展現(xiàn)狀,盤點國內外工控安全主流廠商發(fā)展態(tài)勢,分析我國工控安全市場發(fā)展現(xiàn)狀,展望未來工控安全技術的發(fā)展與應用趨勢。
2023-05-25 10:42:082736

用于柔性化學傳感器的功能性水凝膠

水凝膠由于其獨特的3D結構、高滲透性、離子導電性和類組織機械性能,在柔性化學傳感器領域引起了相當大的關注。
2023-05-18 09:30:27394

硅晶片的酸基蝕刻:傳質和動力學效應

拋光硅晶片是通過各種機械化學工藝制備的。首先,硅單晶錠被切成圓盤(晶片),然后是一個稱為拍打的扁平過程,包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷,蝕刻之后是各種單元操作,如拋光和清洗之前,它已經(jīng)準備好為設備制造。
2023-05-16 10:03:00584

中國開源未來發(fā)展峰會“問道 AI 分論壇”即將開幕!

的模式出現(xiàn)。許多業(yè)內專家更是認為,開源是未來的 AI 領域技術工具產(chǎn)品存活于市場的必要條件。 然而,在備受追捧的現(xiàn)狀背后,也隱藏著眾多風險與挑戰(zhàn),比如數(shù)據(jù)安全和隱私保護的問題,我們該如何適合 AI 浪潮
2023-05-09 09:49:41

在為更高效、更安全與可靠的工業(yè)機械未來尋找突破口嗎?這里有答案

經(jīng)受嚴苛環(huán)境的考驗。 基于此,TE在工業(yè)機械設計領域開展了一次深入調研,一方面探尋工業(yè)機械設計領域不斷變化的需求,另一方面定位永恒不變的根基,用更加精準和有效的產(chǎn)品和服務滿足客戶需求,助推工業(yè)機械設計的轉型和進步。 發(fā)現(xiàn)一 未來工業(yè)機械
2023-05-06 14:39:13494

如何讓自動拋光設備達到理想的拋光效果

一、自動拋光機的拋光效果因素自動拋光機的拋光效果取決于多個因素,除了自動拋光機本身的質量以外,還包括使用工藝、選用什么樣的拋光輔料,要拋光物件材質,操作者的經(jīng)驗技術等,在條件都合適的情況下,自動
2023-05-05 09:57:03535

酸性化學品供應控制系統(tǒng)

[技術領域] 本實用新型涉及半導體制造技術領域,具體地說是一種酸性化學品供應控制系 統(tǒng)。 由于半導體行業(yè)中芯片生產(chǎn)線的工作對象是硅晶片,而能在硅晶片上蝕刻圖形 以及清洗硅晶片上的雜質、微粒子的化學
2023-04-20 13:57:0074

《炬豐科技-半導體工藝》III-V族化學-機械拋光工藝開發(fā)

書籍:《炬豐科技-半導體工藝》 文章:III-V族化學-機械拋光工藝開發(fā) 編號:JFKJ-21-214 作者:炬豐科技 摘要 ? III-V材料與絕緣子上硅平臺的混合集成是一種很有前景的技術
2023-04-18 10:05:00151

從半導體原材料到拋光晶片的基本工藝流程

 半導體材料和半導體器件在世界電子工業(yè)發(fā)展扮演的角色我們前幾天已經(jīng)聊過了。而往往身為使用者的我們都不太會去關注它成品之前的過程,接下來我們就聊聊其工藝流程。今天我們來聊聊如何從原材料到拋光晶片的那些事兒。
2023-04-14 14:37:502034

通過物聯(lián)網(wǎng)網(wǎng)關實現(xiàn)拋光設備數(shù)據(jù)采集遠程監(jiān)控

拋光工作在電鍍、涂裝、陽極氧化等表面處理過程中發(fā)揮重要作用。早期的拋光工作由工人手動操作,通過經(jīng)驗和觀察進行打磨拋光。此種作業(yè)方式既損害環(huán)境和身體健康,也具備較大的安全風險和人力成本,逐漸被自動拋光
2023-04-14 10:21:59338

超精密拋光技術,不簡單!

很早以前看過這樣一個報道:德國、日本等國家的科學家耗時5年時間,花了近千萬元打造了一個高純度的硅-28材料制成的圓球,這個1kg純硅球要求超精密加工研磨拋光、精密測量(球面度、粗糙度和質量),可謂
2023-04-13 14:24:341685

CMP0603AFX-3300ELF

CMP0603AFX-3300ELF
2023-04-06 23:30:58

CMP1206-FX-5100ELF

CMP1206-FX-5100ELF
2023-04-06 23:30:40

CMP0603-FX-1004ELF

CMP0603-FX-1004ELF
2023-04-06 23:29:30

被卡脖子的半導體材料(萬字深度報告)

根據(jù)SEMI數(shù)據(jù),2020年全球晶圓制造材料中,硅片占比最高,為35%;電子氣體排名第2,占比13%;掩膜版排名第3,占比12%,光刻膠占比6%;光刻膠配套材料占比8% ;濕電子化學品占比7%;CMP拋光材料占比6%;靶材占比2%。
2023-03-25 09:30:544119

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