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寬禁帶半導(dǎo)體

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寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)

寬禁帶半導(dǎo)體材料是指具有較寬的禁帶寬度（Eg>2.3eV）的半導(dǎo)體材料。這類材料具有許多獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)，使其在許多高科技領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。在現(xiàn)...

2024-07-31 標(biāo)簽：激光器電子器件半導(dǎo)體材料 1047 0

驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET有多容易？

得益于寬禁帶半導(dǎo)體的材料優(yōu)勢，SiCMOSFET在電力電子行業(yè)中的應(yīng)用越來越廣泛。SiCMOSFET很多性能與傳統(tǒng)Si基器件不同，對驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)也提出了更高...

2024-07-12 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)SiC 257 0

氮化鎵是什么結(jié)構(gòu)的材料

氮化鎵（GaN）是一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，其結(jié)構(gòu)具有許多獨(dú)特的性質(zhì)和應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵的結(jié)構(gòu)、制備方法、物理性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域。結(jié)構(gòu)：氮化鎵...

2024-01-10 標(biāo)簽：氮化鎵金屬晶格 3318 0

碳化硅肖特基二極管的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而備受關(guān)注。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有...

2023-12-29 標(biāo)簽：肖特基二極管碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 664 0

碳化硅功率器件的電氣性能優(yōu)勢

SiC材料具有兩倍于Si的電子飽和速度，使得SiC 器件具有極低的導(dǎo)通電阻（1/100 于Si），導(dǎo)通損耗低；SiC材料具有3倍于Si 的禁帶寬度，泄漏...

2023-12-20 標(biāo)簽：二極管功率器件氮化鎵 440 0

淺談?dòng)w凌的碳化硅SiC戰(zhàn)略

在汽車和可再生能源領(lǐng)域，英飛凌已經(jīng)獲得了重大的設(shè)計(jì)勝利，相關(guān)客戶的約10億歐元的預(yù)付款將有望在2024年和2025年的財(cái)政年度為其自由現(xiàn)金流做出貢獻(xiàn)。英...

2023-11-27 標(biāo)簽：英飛凌 SiC GaN 369 0

關(guān)于對碳化硅誤解的描述

碳化硅晶圓是晶體通過切割，粗磨，精磨，粗拋，精拋等工藝加工成型的單晶晶圓。由于其硬度和脆性，需要投入更多的能量、更高的溫度和更多的精力來加工和結(jié)晶。因此...

2023-09-22 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 硅晶圓 300 0

氮化鎵(GaN)技術(shù)創(chuàng)新概況氮化鎵襯底技術(shù)是什么

氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料 ?氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，是研制微電...

2023-09-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵 GaN 918 0

光子是量子力學(xué)的基本粒子之一。對光量子態(tài)的有效操控和調(diào)制，是量子計(jì)算、量子保密通信等應(yīng)用的基石。手性光子源可以在光源芯片內(nèi)實(shí)現(xiàn)對光量子態(tài)的原位調(diào)制，有利...

2023-08-21 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器顯微鏡量子計(jì)算 457 0

芯塔電子發(fā)布自主研發(fā)1700V/5Ω SiC MOSFET產(chǎn)品

芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應(yīng)用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監(jiān)測。該應(yīng)用場景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能，使之...

2023-08-16 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC MOSFET 572 0

寬禁帶半導(dǎo)體帖子

三極管具有什么特性？

標(biāo)簽：三極管寬禁帶半導(dǎo)體 1982 1

寬禁帶半導(dǎo)體資料下載

什么是第三代半導(dǎo)體及寬禁帶半導(dǎo)體立即下載

類別：電子資料 2023-02-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體寬禁帶半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體 512 0

寬禁帶半導(dǎo)體資訊

克服碳化硅制造挑戰(zhàn)，助力未來電力電子應(yīng)用

幾十年來，硅（Si）一直是半導(dǎo)體行業(yè)的主要材料——從微處理器到分立功率器件，無處不在。然而，隨著汽車和可再生能源等領(lǐng)域?qū)ΜF(xiàn)代電力需求應(yīng)用的發(fā)展，硅的局限...

2024-10-24 標(biāo)簽：電力電子 SiC GaN 181 0

鎵仁半導(dǎo)體完成近億元Pre-A輪融資

杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司近日宣布成功完成近億元的Pre-A輪融資，同時(shí)與杭州銀行達(dá)成重要戰(zhàn)略合作。本輪融資由九智資本領(lǐng)投，普華資本鼎力參與，彰顯了資本市場...

2024-08-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體寬禁帶半導(dǎo)體 583 0

開關(guān)損耗更低、效率更高，增速超越SiC，GaN開始進(jìn)軍光儲(chǔ)、家電市場

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）隨著以SiC、GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料被推出以后，因其優(yōu)秀的特性，迅速在多種電力電子設(shè)備中應(yīng)用。目前來看，GaN已經(jīng)在...

2024-07-04 標(biāo)簽：SiC GaN 寬禁帶半導(dǎo)體 4440 0

西安電子科技大學(xué)馬曉華團(tuán)隊(duì)：蹚出寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新之路

來源：西安電子科技大學(xué) 6月24日，2023年度國家科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)在京揭曉，共評選出250個(gè)項(xiàng)目和12名科技專家。其中，國家最高科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)2人，國家自然科學(xué)...

2024-07-02 標(biāo)簽：寬禁帶半導(dǎo)體 394 0

8英寸SiC投產(chǎn)進(jìn)展加速，2025年上量

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）聞泰科技旗下安世半導(dǎo)體近日宣布，計(jì)劃投資2億美元研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品，包括SiC和GaN。與此同時(shí)，安世半導(dǎo)體的第一...

2024-07-01 標(biāo)簽：功率器件 SiC 寬禁帶半導(dǎo)體 1.9萬 0

安世半導(dǎo)體斥資2億美元擴(kuò)產(chǎn)德國基地，聚焦寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)

在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)日新月異的今天，芯片制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）再次展現(xiàn)了其前瞻性的戰(zhàn)略布局。近日，該公司宣布將投資高達(dá)2億美元，用于在德國漢堡...

2024-06-29 標(biāo)簽：SiC 寬禁帶半導(dǎo)體安世半導(dǎo)體 541 0

安世半導(dǎo)體宣布2億美元投資，加速寬禁帶半導(dǎo)體研發(fā)與生產(chǎn)

在全球半導(dǎo)體市場日新月異的今天，荷蘭半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）近日邁出了重大的一步。這家以技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品質(zhì)量著稱的公司宣布，計(jì)劃投資高達(dá)...

2024-06-28 標(biāo)簽：碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體安世半導(dǎo)體 592 0

安世半導(dǎo)體Nexperia將在漢堡投資2億美元研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品(WBG)

半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，計(jì)劃投資2億美元（約合1.84億歐元）研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮...

2024-06-28 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 Nexperia 884 0

安世半導(dǎo)體受邀參加2024第三代半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新發(fā)展論壇

在高頻高壓應(yīng)用領(lǐng)域，寬禁帶材料不可替代的優(yōu)勢正在加速相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與落地應(yīng)用。制造技術(shù)的進(jìn)步，也讓其成本更有競爭力。需求拉動(dòng)疊加成本降低，寬禁帶半導(dǎo)體的...

2024-06-19 標(biāo)簽：MOSFET 寬禁帶半導(dǎo)體安世半導(dǎo)體 891 0

注冊開放，搶占坐席 | 英飛凌寬禁帶論壇全日程首發(fā)

當(dāng)今，氣候變化與如何應(yīng)對持續(xù)增長的能源需求已經(jīng)成為人類面臨的共同挑戰(zhàn)，而寬禁帶半導(dǎo)體高度契合節(jié)能減排需求，并在能源轉(zhuǎn)型中為減緩氣候變化做出重要貢獻(xiàn)。以碳...

2024-06-18 標(biāo)簽：英飛凌能源寬禁帶半導(dǎo)體 359 0

寬禁帶半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊

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半導(dǎo)體芯片：在半導(dǎo)體片材上進(jìn)行浸蝕，布線，制成的能實(shí)現(xiàn)某種功能的半導(dǎo)體器件。不只是硅芯片，常見的還包括砷化鎵（砷化鎵有毒，所以一些劣質(zhì)電路板不要好奇分解它），鍺等半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體也像汽車有潮流。二十世紀(jì)七十年代，因特爾等美國企業(yè)在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（D-RAM）市場占上風(fēng)。
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德國易能森有限公司(EnOcean GmbH)是無線能量采集技術(shù)的開創(chuàng)者。2012年3月，國際電工技術(shù)委員會(huì)將EnOcean無線通信標(biāo)準(zhǔn)采納為國際標(biāo)準(zhǔn)“ISO/IEC 14543-3-10”，這也是世界上唯一使用能量采集技術(shù)的無線國際標(biāo)準(zhǔn)。
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Heilind為電子行業(yè)各細(xì)分市場的原始設(shè)備制造商和合約制造商提供支持，供應(yīng)來自業(yè)界頂尖制造商的產(chǎn)品，涵蓋25個(gè)不同元器件類別，并特別專注于互連與機(jī)電產(chǎn)品。其主要分銷產(chǎn)品包括互連器件、繼電器、風(fēng)扇、開關(guān)和傳感器、電路保護(hù)與熱管理、套管和線束產(chǎn)品、晶體與振蕩器。
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RISC-V是一個(gè)基于精簡指令集（RISC）原則的開源指令集架構(gòu)（ISA），重點(diǎn)在于它是開源的，這是與另外兩個(gè)主流架構(gòu)英特爾的 X86和軟銀的Arm最大區(qū)別。
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梁孟松他是加州大學(xué)柏克萊分校電機(jī)博士，畢業(yè)后曾在美國處理器大廠AMD工作幾年，在四十歲那年加入臺(tái)積電，后來到三星，現(xiàn)在為中芯國際執(zhí)行長。
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紫光展銳是我國集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的龍頭企業(yè)，以生態(tài)為核心戰(zhàn)略，高舉5G和AI兩面技術(shù)旗幟，以價(jià)值、未來、服務(wù)為三個(gè)指向，為個(gè)人與社會(huì)的智能化服務(wù)。
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北京時(shí)間2017年2月26日，華為終端在巴塞羅那世界移動(dòng)通信大會(huì)2017（MWC）上發(fā)布發(fā)布了全新華為P系列智能手機(jī)——華為P10 & P10 Plus.
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MACOM是一家高性能模擬射頻、微波、毫米波和光電解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，總部位于美國馬薩諸塞州洛厄爾，擁有超過60年的歷史?？偛吭O(shè)在美國洛厄爾，馬薩諸塞州。
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上海安路信息科技有限公司成立于2011年，總部位于浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)。安路科技專注于為客戶提供高性價(jià)比的可編程邏輯器件（FPGA）、可編程系統(tǒng)級芯片（SOC）、定制化可編程芯片、及相關(guān)軟件設(shè)計(jì)工具和創(chuàng)新系統(tǒng)解決方案。
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驍龍835（一般指高通驍龍?zhí)幚砥鳎┦且豢钣?017年初由高通廠商研發(fā)的支持Quick Charge 4.0快速充電技術(shù)的手機(jī)處理器。
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　　華為Mate 9系列是華為推出的商務(wù)旗艦手機(jī)。華為Mate 9系列搭載麒麟960海思處理器，操作系統(tǒng)為基于Android 7.0深度定制的EMUI5.0。
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長電科技面向全球提供封裝設(shè)計(jì)、產(chǎn)品開發(fā)及認(rèn)證，以及從芯片中測、封裝到成品測試及出貨的全套專業(yè)生產(chǎn)服務(wù)。長電科技生產(chǎn)、研發(fā)和銷售網(wǎng)絡(luò)已覆蓋全球主要半導(dǎo)體市場。
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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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公司在特別依賴分布式高性能計(jì)算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對的優(yōu)勢在該細(xì)分市場持續(xù)保持全球第一的市場地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷全球一百多個(gè)國家和地區(qū)，深受用戶喜愛。
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北京時(shí)間2015年9月10日，美國蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制、汽車電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
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東軟集團(tuán)是中國領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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