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      標(biāo)簽　>　晶圓制造

      晶圓制造

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      文章：269個(gè) 瀏覽：24067次 帖子：2個(gè)

      晶圓制造技術(shù)

      晶圓制造中的T/R的概念、意義及優(yōu)化

      在晶圓制造領(lǐng)域中，T/R（Turn Ratio）指在制品的周轉(zhuǎn)率。它是衡量生產(chǎn)線效率、工藝設(shè)計(jì)合理性和生產(chǎn)進(jìn)度的重要指標(biāo)之一。本文介紹了T/R的概念、意...

      2024-12-17 標(biāo)簽：工藝晶圓制造 218 0

      晶圓制造recipe(工藝配方)的定義、重要性、種類及構(gòu)建和驗(yàn)證方式

      本文介紹了在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，recipe（工藝配方）的定義、重要性、種類，以及構(gòu)建和驗(yàn)證方式，并介紹了優(yōu)化方向。 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，recipe（工藝配...

      2024-12-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝晶圓制造 272 0

      SiC單晶襯底加工技術(shù)的工藝流程

      SiC單晶襯底加工技術(shù)的工藝流程

      SiC單晶是一種硬而脆的材料，切片加工難度大，磨削精度要求高，因此晶圓制造是一個(gè)長(zhǎng)時(shí)間且難度較高的過程。本文介紹了幾種SiC單晶的切割加工技術(shù)以及近年來...

      2024-11-14 標(biāo)簽：SiC工藝流程加工技術(shù) 317 0

      晶圓制造工藝流程及常用名詞解釋

      晶圓制造工藝流程及常用名詞解釋

      在現(xiàn)代電子工業(yè)中，晶圓（Wafer）作為半導(dǎo)體芯片的基礎(chǔ)材料，其制造過程復(fù)雜且精細(xì)，直接決定了最終芯片的性能和質(zhì)量。晶圓制造工藝流程涵蓋了從原材料準(zhǔn)備到...

      2024-10-23 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體晶圓制造 922 0

      晶圓制造良率限制因素簡(jiǎn)述（1）

      晶圓制造良率限制因素簡(jiǎn)述（1）

      下圖列出了一個(gè)11步工藝，如第5章所示。典型的站點(diǎn)良率列在第3列，累積良率列在第5列。對(duì)于單個(gè)產(chǎn)品，從站點(diǎn)良率計(jì)算的累積fab良率與通過將fab外的晶圓...

      2024-10-09 標(biāo)簽：芯片晶圓工藝 498 0

      淺談?dòng)绊懢A分選良率的因素（2）

      淺談?dòng)绊懢A分選良率的因素（2）

      在晶圓制造良率部分討論的工藝變化會(huì)影響晶圓分選良率。在制造區(qū)域，通過抽樣檢查和測(cè)量技術(shù)檢測(cè)工藝變化。檢查抽樣的本質(zhì)是并非所有變化和缺陷都被檢測(cè)到，因此晶...

      2024-10-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓制造良率 493 0

      淺談薄膜沉積

      薄膜沉積工藝技術(shù)介紹 薄膜沉積是在半導(dǎo)體的主要襯底材料上鍍一層膜。這層膜可以有各種各樣的材料，比如絕緣化合物二氧化硅，半導(dǎo)體多晶硅、金屬銅等。從半導(dǎo)體芯...

      2024-11-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝襯底 1859 0

      晶圓制造工藝流程及一些常用名詞解釋

      晶圓制造工藝流程及一些常用名詞解釋

      共讀好書 晶圓制造工藝流程 1、 表面清洗 2、 初次氧化 3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉積一層 Si3N4 ...

      2024-07-30 標(biāo)簽：光刻蝕刻晶圓制造 1526 0

      半導(dǎo)體晶圓的制造流程

      半導(dǎo)體晶圓的制造流程

      在自然界中，獲取成本最低的半導(dǎo)體就是硅。而硅料的提取是熔煉砂子。提到這里可能有朋友想到“光伏電池片用的也是硅片”。

      2024-04-16 標(biāo)簽：光伏電池光刻膠晶圓制造 841 0

      半導(dǎo)體工藝晶圓片的制備過程

      半導(dǎo)體工藝晶圓片的制備過程

      先看一些晶圓的基本信息，和工藝路線。 晶圓主要尺寸有4吋，6吋硅片，目前對(duì)8吋，12吋硅片的應(yīng)用在不斷擴(kuò)大。這些直徑分別為100mm、150mm、2...

      2024-04-15 標(biāo)簽：芯片制造硅片晶圓制造 1259 0

      半導(dǎo)體制造工藝 - 晶圓制造的過程

      半導(dǎo)體制造工藝 - 晶圓制造的過程

      芯片制造是當(dāng)今世界最為復(fù)雜的工藝過程。這是一個(gè)由眾多頂尖企業(yè)共同完成的一個(gè)復(fù)雜過程。本文努力將這一工藝過程做一個(gè)匯總，對(duì)這個(gè)復(fù)雜的過程有一個(gè)全面而概括的描述。

      2024-03-29 標(biāo)簽：芯片制造蝕刻單晶硅 3501 0

      中國(guó)碳化硅襯底價(jià)格2024年快速滑落 800V的春天看來要到了

      中國(guó)碳化硅襯底價(jià)格2024年快速滑落 800V的春天看來要到了

      國(guó)際半導(dǎo)體IDM廠商，如意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美、羅姆電子等，在中國(guó)市場(chǎng)仍然占據(jù)碳化硅元件的重要地位。消息人士補(bǔ)充，外國(guó)汽車品牌或與中國(guó)合資的汽車品牌...

      2024-03-14 標(biāo)簽：SiC碳化硅射頻器件 1265 0

      半導(dǎo)體襯底和外延有什么區(qū)別？

      半導(dǎo)體襯底和外延有什么區(qū)別？

      襯底（substrate）是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進(jìn)入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也可以進(jìn)行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。

      2024-03-08 標(biāo)簽：GaN單晶硅半導(dǎo)體制造 1513 0

      關(guān)于半導(dǎo)體價(jià)值鏈分析（設(shè)計(jì)、制造和后制造）

      半導(dǎo)體價(jià)值鏈的制造階段包括晶圓制造、前段制程、中段制程、后段制程和遠(yuǎn)端制程。

      2024-02-19 標(biāo)簽：DRAMNAND半導(dǎo)體制造 1518 0

      半導(dǎo)體行業(yè)之晶圓制造與封裝概述（四）

      半導(dǎo)體行業(yè)之晶圓制造與封裝概述（四）

      有許多單獨(dú)的模式處理步驟，這些處理步驟標(biāo)識(shí)了器件的數(shù)量、器件的具體結(jié)構(gòu)，器件中堆疊層的組合方式，并且可以在物理尺寸的層面上繼續(xù)縮小。

      2024-01-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電阻器晶體管 802 0

      半導(dǎo)體行業(yè)之晶圓制造與封裝概述（三）

      半導(dǎo)體行業(yè)之晶圓制造與封裝概述（三）

      電路設(shè)計(jì)是制造微芯片的第一步。電路設(shè)計(jì)人員首先會(huì)從設(shè)計(jì)電路的單元功能圖開始，如邏輯圖中所示的這樣。

      2024-01-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體MOS晶體管晶圓制造 590 0

      半導(dǎo)體行業(yè)之晶圓制造與封裝概述（二）

      半導(dǎo)體行業(yè)之晶圓制造與封裝概述（二）

      下圖中描述了一個(gè)中等規(guī)模集成(MSI)/雙極顯微照片集成電路。選擇整合的水平，以便一些表面細(xì)節(jié)可以看到。高密度電路的元件非常小，以至于它們?cè)谡麄€(gè)芯片的顯...

      2024-01-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電阻器MOS管 768 0

      安森美IGBT常規(guī)進(jìn)行的可靠性測(cè)試方案

      安森美IGBT常規(guī)進(jìn)行的可靠性測(cè)試方案

      用于確定漏電流的穩(wěn)定性，這與IGBT的場(chǎng)畸變有關(guān)。HTRB 通過高溫反向偏置測(cè)試來增強(qiáng)故障機(jī)制，因此是器件質(zhì)量和可靠性的良好指標(biāo)，也可以驗(yàn)證過程控制的有效性。

      2024-01-17 標(biāo)簽：安森美IGBT偏置電壓 748 0

      半導(dǎo)體芯片的制造過程及原理

      對(duì)于電子設(shè)備來說，它藏在內(nèi)部，又非常重要，相當(dāng)于汽車的發(fā)動(dòng)機(jī)、人的心臟，所以叫“芯”。從形態(tài)來看，它是一片一片的，所以叫“片”。合起來，就是“芯片”。

      2024-01-15 標(biāo)簽：集成電路芯片制造半導(dǎo)體芯片 1310 0

      碳化硅器件封裝與模塊化的關(guān)鍵技術(shù)

      碳化硅器件封裝與模塊化的關(guān)鍵技術(shù)

      碳化硅（Silicon Carbide，簡(jiǎn)稱SiC）器件封裝與模塊化是實(shí)現(xiàn)碳化硅器件性能和可靠性提升的關(guān)鍵步驟。

      2024-01-09 標(biāo)簽：射頻SiC碳化硅 490 0

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        電池
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        電池（Battery）指盛有電解質(zhì)溶液和金屬電極以產(chǎn)生電流的杯、槽或其他容器或復(fù)合容器的部分空間，能將化學(xué)能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。具有正極、負(fù)極之分。隨著科技的進(jìn)步，電池泛指能產(chǎn)生電能的小型裝置。如太陽能電池。電池的性能參數(shù)主要有電動(dòng)勢(shì)、容量、比能量和電阻。
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        +關(guān)注
        iPhone5是蘋果公司（Apple）在2012年9月推出的一款手機(jī)，已于2012年9月21日正式上市。
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        　　隨著Vivado 設(shè)計(jì)套件通用版本的發(fā)布，賽靈思還針對(duì)All Programmable 7系列 FPGA和Zynq？-7000 EPP SoC器件推出Vivado高層次綜合（HLS）工具，繼續(xù)延續(xù)其在電子系統(tǒng)級(jí)（ESL）設(shè)計(jì)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
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        +關(guān)注
        基帶芯片是指用來合成即將發(fā)射的基帶信號(hào)，或?qū)邮盏降幕鶐盘?hào)進(jìn)行解碼的芯片。具體地說，就是發(fā)射時(shí)，把語音或其他數(shù)據(jù)信號(hào)編碼成用來發(fā)射的基帶碼；接收時(shí)，把收到的基帶碼解碼為語音或其他數(shù)據(jù)信號(hào)，它主要完成通信終端的信息處理功能。
      • 世強(qiáng)
        世強(qiáng)
        +關(guān)注
      • MRAM
        MRAM
        +關(guān)注
        MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory） 是一種非易失性（Non-Volatile）的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
      • 便攜醫(yī)療
        便攜醫(yī)療
        +關(guān)注
        受惠于中國(guó)政府醫(yī)療改革以及居民對(duì)健康保健的重視，未來3年，中國(guó)便攜醫(yī)療電子市場(chǎng)年復(fù)合增長(zhǎng)率將超過30％！其市場(chǎng)規(guī)模從2006年的80億元迅速擴(kuò)大到2011的280億元！
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