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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展
當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中，新能源汽車市場的快速發(fā)展是第三代半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)的重要?jiǎng)恿χ?，新能源汽?..
羅姆、臺(tái)積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
12 月 12 日消息，日本半導(dǎo)體制造商羅姆 ROHM 當(dāng)?shù)貢r(shí)間本月 10 日宣布同臺(tái)積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件的開發(fā)和量產(chǎn)事宜建立戰(zhàn)略合作伙伴...
羅姆與臺(tái)積公司攜手合作開發(fā)車載氮化鎵功率器件
近日，全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)與Taiwan Semiconductor Manufacturing Com...
2024-12-10 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率器件氮化鎵 331 0
Power Integrations榮獲2024年電源行業(yè)配套品牌兩項(xiàng)大獎(jiǎng)
近日，由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的“第三屆電源行業(yè)配套品牌評(píng)選活動(dòng)”在深圳隆重舉行。此次評(píng)選旨在表彰在技術(shù)創(chuàng)新、市場表現(xiàn)和行業(yè)影響力方面具有卓越成就的企業(yè)，嚴(yán)格的...
羅姆與臺(tái)積公司在車載氮化鎵功率器件領(lǐng)域建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）宣布與Taiwan Semiconductor Manufacturing Comp...
近日， 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) ...
2024-12-09 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心AI氮化鎵 315 0
前言本期為大家?guī)淼氖荰ORRAS圖拉斯旗下小冰塊快充系列一款新品——圖拉斯45W小冰塊充電器CQ14的拆解，其延續(xù)小冰塊系列小巧精美專利外觀設(shè)計(jì)，同時(shí)...
英飛凌全新一代氮化鎵產(chǎn)品重磅發(fā)布，電壓覆蓋700V！
作為第三代半導(dǎo)體材料的代表者，氮化鎵(GaN)憑借其優(yōu)異的電氣性能、高熱導(dǎo)率、電子飽和率和耐輻射性等特性，引領(lǐng)了全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)革新，隨著氮化鎵技術(shù)的...
北交大本科生走進(jìn)泰克先進(jìn)半導(dǎo)體開放實(shí)驗(yàn)室
近日，北京交通大學(xué)電氣工程學(xué)院的“電力電子方向?qū)I(yè)綜合設(shè)計(jì)與實(shí)踐”本科大四學(xué)生在楊曉峰教授的帶領(lǐng)下，走進(jìn)了泰克先進(jìn)半導(dǎo)體開放實(shí)驗(yàn)室，開啟了一場科技探秘之...
英飛凌近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN650VG5晶體管，該系列進(jìn)一步豐富了英飛凌氮化鎵（GaN）產(chǎn)品組合。該新產(chǎn)品系列的適用范圍廣泛，包...
第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)基礎(chǔ)知識(shí)
第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）。它以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，在科技界掀起了一陣熱潮。 ? 今天我要和你們聊一聊半導(dǎo)體領(lǐng)域的一顆“新星”——第三代半導(dǎo)...
2024-11-27 標(biāo)簽：氮化鎵GaN第三代半導(dǎo)體 377 0
在剛剛結(jié)束的德國慕尼黑電子展（electronica Munich）上，PI 展出了其最新的1700V InnoMux-2產(chǎn)品。這款產(chǎn)品是業(yè)界首款170...
納微半導(dǎo)體再次入選德勤北美高成長科技企業(yè)500強(qiáng)
納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日宣布再次入選德勤北美高成長科技企業(yè)500強(qiáng)。全球不斷增長的市場和客戶對(duì)先進(jìn)、高效、寬禁帶氮化鎵（GaN...
2024-11-22 標(biāo)簽：AI氮化鎵納微半導(dǎo)體 414 0
25W氮化鎵快充芯片U8723AH合理平衡工作頻率問題提升芯片的工作頻率，無疑能夠加快設(shè)備的處理速度，提升用戶體驗(yàn)，但高頻率意味著更高的功耗和更大的發(fā)熱...
現(xiàn)在的充電器與幾年前的充電器相比，體積上大幅縮減，而充電速度卻實(shí)現(xiàn)了十幾倍的飛躍式提升。這其中究竟隱藏著怎樣的奧秘呢?
業(yè)內(nèi)首款1700V氮化鎵開關(guān)IC登場！高耐壓且效率大于90%，PI是如何做到的
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/莫婷婷）從硅產(chǎn)品、碳化硅產(chǎn)品，再到氮化鎵的功率變換開關(guān)產(chǎn)品，PI都走在行業(yè)前列。近期，PI推出InnoMux?-2系列單級(jí)、獨(dú)...
PI近日宣布推出1700V氮化鎵(GaN)開關(guān)IC，這一技術(shù)突破有哪些亮點(diǎn)?它將如何影響高壓氮化鎵市場? 近日，Power Integrations(以...
2024-11-15 標(biāo)簽：氮化鎵GaN開關(guān)IC 315 0
合作案例 | 一文解開遠(yuǎn)山氮化鎵功率器件耐高壓的秘密
引言氮化鎵（GaN），作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料，近年來在電子領(lǐng)域大放異彩，其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面...
Diodes 超高功率密度140瓦PD3.1 GaN充電器解決方案
Diodes公司推出了一款高效140WUSBType-C充電解決方案，采用獲得專利的ACF拓?fù)?，滿足DOEVI和COCTier2效率要求。該方案支持PD...
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