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標(biāo)簽 > 非易失性存儲(chǔ)器

非易失性存儲(chǔ)器

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  非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存,非易失性存儲(chǔ)器(英語(yǔ):non-volatile memory,縮寫(xiě)為NVM)是指當(dāng)電流關(guān)掉后,所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中,依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn),可分為二大類產(chǎn)品,即ROM和Flash memory。

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非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)

簡(jiǎn)述非易失性存儲(chǔ)器的類型

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2024-09-10 標(biāo)簽:ROM計(jì)算機(jī)非易失性存儲(chǔ)器 786 0

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2024-04-01 標(biāo)簽:以太網(wǎng)SSDTCP 1962 0

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NAND存儲(chǔ)種類和優(yōu)勢(shì)

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EEPROM適合的應(yīng)用眾多,但對(duì)于汽車、醫(yī)療或航天系統(tǒng)等可靠性要求較高的應(yīng)用,開(kāi)發(fā)人員則希望使用FRAM等更可靠的存儲(chǔ)器解決方案。

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NVSRAM在通信設(shè)備中具有良好的性能和可靠性,使其成為一種受歡迎的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案。

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芯片設(shè)計(jì)中ROM的概念、分類、設(shè)計(jì)流程

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鐵電材料中的光生電流效應(yīng)在太陽(yáng)能電池、光電探測(cè)和非易失性存儲(chǔ)器等領(lǐng)域具有應(yīng)用潛力,吸引了廣泛的研究興趣,但目前可覆蓋全太陽(yáng)光譜的窄帶隙鐵電材料還很少見(jiàn)。

2023-10-11 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池光電探測(cè)器非易失性存儲(chǔ)器 1509 0

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