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標(biāo)簽 > 非易失性存儲(chǔ)器
非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存,非易失性存儲(chǔ)器(英語(yǔ):non-volatile memory,縮寫(xiě)為NVM)是指當(dāng)電流關(guān)掉后,所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中,依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn),可分為二大類產(chǎn)品,即ROM和Flash memory。
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非易失性存儲(chǔ)器(Non-Volatile Memory, NVM)是指即使在電源關(guān)閉或失去外部電源的情況下,仍能保持存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器。這類存儲(chǔ)器在...
2024-09-10 標(biāo)簽:ROM計(jì)算機(jī)非易失性存儲(chǔ)器 786 0
什么是相變存儲(chǔ)器?如何表征相變材料及器件電學(xué)性能?
相變存儲(chǔ)器(Phase-Change Random Access Memory,簡(jiǎn)稱 PCRAM 或者PCM),是一種非易失性存儲(chǔ)器,利用電能(熱量)使...
2024-04-27 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器非易失性存儲(chǔ)器 1015 0
如何在Arm平臺(tái)上進(jìn)行SPDK NVMe over TCP優(yōu)化呢?
隨著存儲(chǔ)介質(zhì)在 I/O 性能方面不斷演進(jìn),存儲(chǔ)軟件占用的總事務(wù)時(shí)間百分比變得越來(lái)越大。提高存儲(chǔ)軟件棧的性能和效率至關(guān)重要。
Telink Python腳本生成工廠數(shù)據(jù)的步驟介紹
工廠數(shù)據(jù)是在制造過(guò)程中寫(xiě)入非易失性存儲(chǔ)器的一組設(shè)備參數(shù)。
2024-03-27 標(biāo)簽:二進(jìn)制python非易失性存儲(chǔ)器 601 0
非易失性存儲(chǔ)器芯片又可分為快閃存儲(chǔ)器 (Flash Memory) 與只讀存儲(chǔ)器 (Read-Only Memory)。其中,快閃存儲(chǔ)器又可以分為 NA...
2024-03-22 標(biāo)簽:閃存NAND非易失性存儲(chǔ)器 869 0
與NAND Flash相比,NOR Flash具有較低的存儲(chǔ)密度和較高的成本,但具有較快的讀取速度、較低的讀取延遲和較好的隨機(jī)訪問(wèn)性能。
2024-02-19 標(biāo)簽:閃存存儲(chǔ)芯片非易失性存儲(chǔ)器 3855 0
EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)是指帶電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。它是...
MRAM是以磁性隧道結(jié)(MTJ)儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層,和一個(gè)通過(guò)隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同...
賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元(訪問(wèn)時(shí)間高達(dá)20 ns)與基于硅氧化物和亞硝酸鹽,氧化物硅(SONOS)的非易失性存儲(chǔ)元件相結(jié)合,可提供...
ReRAM與DB HiTek的BCD工藝集成的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)
通過(guò)ReRAM和BCD技術(shù)的協(xié)同作用,通關(guān)鍵目標(biāo)之一是實(shí)現(xiàn)單片集成,讓模擬、數(shù)字和功率組件能夠無(wú)縫地共存于同一芯片上,不僅僅簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)流程,還提升了整體...
EEPROM為什么會(huì)成為嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)理想選擇
EEPROM適合的應(yīng)用眾多,但對(duì)于汽車、醫(yī)療或航天系統(tǒng)等可靠性要求較高的應(yīng)用,開(kāi)發(fā)人員則希望使用FRAM等更可靠的存儲(chǔ)器解決方案。
2023-12-15 標(biāo)簽:微控制器閃存嵌入式系統(tǒng) 639 0
什么是FRAM?關(guān)于鐵電存儲(chǔ)器FRAM的特性介紹
FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個(gè)突出特性。特點(diǎn)是:“非易失性”、“高讀寫(xiě)耐久性”、“寫(xiě)入速度快”和“低功耗”。
NVSRAM在通信設(shè)備中的性能和可靠性方面的考慮因素
NVSRAM在通信設(shè)備中具有良好的性能和可靠性,使其成為一種受歡迎的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案。
2023-12-05 標(biāo)簽:電磁干擾nvSRAM非易失性存儲(chǔ)器 798 0
多媒體卡英文名為:Multi-Media Card,縮寫(xiě)MMC,是一種小型可擦除固態(tài)存儲(chǔ)卡,特別應(yīng)用于移動(dòng)電話和數(shù)字影像及其他移動(dòng)終端中。
2023-11-13 標(biāo)簽:二極管ESD非易失性存儲(chǔ)器 527 0
芯片設(shè)計(jì)中ROM的概念、分類、設(shè)計(jì)流程
在芯片設(shè)計(jì)中,ROM(只讀存儲(chǔ)器)是一個(gè)非常重要的存儲(chǔ)元件。
2023-10-29 標(biāo)簽:緩沖器ROM芯片設(shè)計(jì) 3327 0
窄帶隙InSe/In2Se3鐵電異質(zhì)結(jié)中可大幅調(diào)控的圓光生電流效應(yīng)
鐵電材料中的光生電流效應(yīng)在太陽(yáng)能電池、光電探測(cè)和非易失性存儲(chǔ)器等領(lǐng)域具有應(yīng)用潛力,吸引了廣泛的研究興趣,但目前可覆蓋全太陽(yáng)光譜的窄帶隙鐵電材料還很少見(jiàn)。
2023-10-11 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池光電探測(cè)器非易失性存儲(chǔ)器 1509 0
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