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標(biāo)簽 > 3D芯片
3D芯片是采用3D Tri-Gate晶體設(shè)計(jì)制造工藝技術(shù),依靠3D三門晶體管生產(chǎn)的處理器芯片。3D芯片仍采用多核,不同的是,多個(gè)處理器不再并排相連,而是上下平行地連在一起。這樣,線纜的分布面積就擴(kuò)大至整個(gè)處理器的表面,而且平行結(jié)構(gòu)也有效縮短了各個(gè)處理器之間纜線的長(zhǎng)度。
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Moldex3D芯片封裝模塊,能協(xié)助設(shè)計(jì)師分析不同的芯片封裝成型制程。在轉(zhuǎn)注成型分析(TransferMolding)與成型底部填膠分析(MoldedU...
AMD硅芯片設(shè)計(jì)中112G PAM4串?dāng)_優(yōu)化分析
在當(dāng)前高速設(shè)計(jì)中,主流的還是PAM4的設(shè)計(jì),包括當(dāng)前的56G,112G以及接下來(lái)的224G依然還是這樣。突破摩爾定律2.5D和3D芯片的設(shè)計(jì)又給高密度高...
2024-03-11 標(biāo)簽:amd摩爾定律芯片設(shè)計(jì) 1044 0
納米片晶體管并不能拯救摩爾定律,也不能解決代工廠在最先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)上面臨的所有挑戰(zhàn)。為了克服這些問(wèn)題,代工廠正在尋求各種創(chuàng)新,例如背面供電(BSPD),以...
《先進(jìn)半導(dǎo)體封裝材料及工藝-2023版》
從封裝的角度來(lái)看,要提高帶寬,需要考慮兩個(gè)關(guān)鍵因素:I/O(輸入/輸出)總數(shù)和每個(gè)I/O的比特率。增加I/O總數(shù)需要在每個(gè)布線層/再分布層(RDL)中實(shí)...
2023-07-05 標(biāo)簽:光刻半導(dǎo)體封裝3D芯片 697 0
Infineon芯片是一種多集成的無(wú)線基帶SoC芯片。功能(GPS、調(diào)頻收音機(jī)、BT.)同樣的eWLB產(chǎn)品也有自2010年以來(lái),諾基亞一直在生產(chǎn)手機(jī)。
為什么選擇3D,3D芯片設(shè)計(jì)要點(diǎn)分析
然已經(jīng)有很多關(guān)于 3D 設(shè)計(jì)的討論,但對(duì)于 3D 的含義有多種解釋。然而,這不僅僅是語(yǔ)義,因?yàn)槊總€(gè)封裝選項(xiàng)都需要不同的設(shè)計(jì)方法和技術(shù)。
Lge(無(wú)線基帶)、Samsung(基帶調(diào)制解調(diào)器)和Nokia(基帶調(diào)制解調(diào)器和射頻收發(fā)器)使用了Infineon的eWLB他們的手機(jī)產(chǎn)品。
2023-03-27 標(biāo)簽:調(diào)制解調(diào)器封裝技術(shù)3D芯片 682 0
3D IC制造技術(shù)已成主流,異構(gòu)3D IC還有待進(jìn)步
多年來(lái),3D IC技術(shù)已從初始階段發(fā)展成為一種成熟的主流制造技術(shù)。EDA行業(yè)引入了許多工具和技術(shù)來(lái)幫助設(shè)計(jì)采用3D IC路徑的產(chǎn)品。最近,復(fù)雜的SoC實(shí)...
2022-09-16 標(biāo)簽:集成電路IC設(shè)計(jì)eda 1270 0
什么是3D芯片堆疊技術(shù)3D芯片堆疊技術(shù)的發(fā)展歷程和詳細(xì)資料簡(jiǎn)介
近日,武漢新芯研發(fā)成功的三片晶圓堆疊技術(shù)備受關(guān)注。有人說(shuō),該技術(shù)在國(guó)際上都處于先進(jìn)水平,還有人說(shuō)能夠“延續(xù)”摩爾定律。既然3D芯片堆疊技術(shù)有如此大的作用...
先進(jìn)3D芯片堆疊的精細(xì)節(jié)距微凸點(diǎn)互連
本文研究主要考慮基于CuSn金屬互化物的微凸點(diǎn)(bump)作為芯片堆疊的手段。系統(tǒng)研究了形成金屬互化物凸點(diǎn)連接的兩種方法。一:瞬時(shí)液相(TLP)鍵合,在...
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,技術(shù)的每一次革新都標(biāo)志著行業(yè)邁向新的里程碑。近年來(lái),隨著芯片性能需求的不斷提升,傳統(tǒng)的二維封裝技術(shù)已難以滿足日益增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)處理速度和功...
3D芯片技術(shù)成關(guān)鍵,AR原型芯片獲得巨大的性能提升
增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)存在諸多限制,尤其是眼鏡形態(tài),AR 眼鏡身形狹小,所以搭載的芯片在能效和性能方面均有高度要求。
2024-02-29 標(biāo)簽:晶圓3D芯片機(jī)器學(xué)習(xí) 1189 0
最新技術(shù)!英特爾于IFS Direct Connect會(huì)議上公布3D芯片技術(shù)、邏輯單元、背面供電等未來(lái)代工技術(shù)!
來(lái)源:IEEE Spectrum 編譯:化合物半導(dǎo)體雜志 近日,在一場(chǎng)于圣何塞僅限受邀者參加的活動(dòng)舉行之前的一次獨(dú)家采訪中,英特爾通過(guò)分享其未來(lái)數(shù)據(jù)中心...
什么是Foveros封裝?Foveros封裝的難點(diǎn)
Foveros技術(shù)的核心在于實(shí)現(xiàn)芯片的3D堆疊,這涉及到如何將不同芯片之間進(jìn)行精確對(duì)準(zhǔn)和連接。由于芯片之間的間距很小,對(duì)準(zhǔn)的精度要求非常高,這需要高精度...
IMEC預(yù)計(jì),到2032年,工藝節(jié)點(diǎn)縮小的速度將會(huì)放緩,迫使人們更加依賴小芯片和先進(jìn)封裝的混合搭配使用,以及那些不斷縮小尺寸的高性能邏輯組件。
圍繞 3D異構(gòu)集成(3DHI:heterogeneous integration )的活動(dòng)正在升溫,原因是政府的支持不斷增加、需要向系統(tǒng)中添加更多功能和計(jì)算元素
2023-11-25 標(biāo)簽:soc芯片設(shè)計(jì)3D芯片 1109 0
臺(tái)積電擴(kuò)產(chǎn)SoIC 明年月產(chǎn)能將超3000片
半導(dǎo)體芯片soic是業(yè)界最早的高密度3d芯片技術(shù),可以通過(guò)Chip on Wafer(CoW)封裝技術(shù)與多晶圓堆疊(WoW)封裝技術(shù),可以將不同尺寸、功...
2023-11-20 標(biāo)簽:封裝技術(shù)3D芯片半導(dǎo)體芯片 877 0
三星2024年將推出先進(jìn)3D芯片封裝技術(shù)SAINT
三星計(jì)劃在2024年先進(jìn)3D芯片封裝技術(shù)SAINT(Samsung Advanced Interconnection Technology,三星高級(jí)互連...
臺(tái)積電推出3Dblox 2.0標(biāo)準(zhǔn),促進(jìn)3D芯片架構(gòu)設(shè)計(jì)
半導(dǎo)體公司在2022年提出了3dblox開放型標(biāo)準(zhǔn),以簡(jiǎn)化半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的3d芯片設(shè)計(jì)和模式化。臺(tái)積電表示,在大規(guī)模生態(tài)系統(tǒng)的支持下,3dblox成為未來(lái)3...
硅光產(chǎn)業(yè)化競(jìng)賽一觸即發(fā),中國(guó)大陸或已悄然起跑
英特爾計(jì)劃到2025年為止,在馬來(lái)西亞包括新的3d封裝工廠,將先進(jìn)ic封裝能力增加4倍左右。英特爾負(fù)責(zé)制造供應(yīng)網(wǎng)及運(yùn)營(yíng)的副總經(jīng)理Robin Martin...
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