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      標(biāo)簽　>　hbm3

      hbm3

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      hbm3資訊

      三星的HBM3芯片生產(chǎn)良率約為10-20%！

      3月13日消息，據(jù)外媒報(bào)道，三星電子將采用競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士主導(dǎo)的 MR-MUF（批量回流模制底部填充）芯片封裝工藝，而非此前堅(jiān)持使用的非導(dǎo)電薄膜（...

      2024-03-13 標(biāo)簽：三星電子芯片封裝AI芯片 659 0

      AMD發(fā)布HBM3e AI加速器升級(jí)版，2025年推新款I(lǐng)nstinct MI

      目前，只有英偉達(dá)的Hopper GH200芯片配備了HBM3e內(nèi)存。與現(xiàn)有的HBM3相比，HBM3e的速度提升了50%，單個(gè)平臺(tái)可以達(dá)到10TB/s的帶...

      2024-02-25 標(biāo)簽：傳輸速率英偉達(dá)HBM3 615 0

      Rambus推出9.6Gbps HBM3內(nèi)存控制器IP

      人工智能（AI）無(wú)疑是近幾年最火的技術(shù)。從開(kāi)發(fā)到部署AI技術(shù)主要可分為兩大步驟，即AI訓(xùn)練和AI推理。

      2023-12-22 標(biāo)簽：控制器人工智能ai技術(shù) 943 0

      AI大模型不斷拉高上限，內(nèi)存控制器IP提早部署，力拱HBM3E的到來(lái)

      AI大模型不斷拉高上限，內(nèi)存控制器IP提早部署，力拱HBM3E的到來(lái)

      自2012年以來(lái)，大規(guī)模的AI訓(xùn)練所使用的數(shù)據(jù)集的計(jì)算量以每年10倍的速度增長(zhǎng)。比如在2022年11月ChatGPT的版本參數(shù)是1750億個(gè)，今年3月的...

      2023-12-13 標(biāo)簽：Rambus內(nèi)存控制器HBM3 1441 0

      Rambus通過(guò)9.6 Gbps HBM3內(nèi)存控制器IP大幅提升AI性能

      作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和 IP 核供應(yīng)商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：RMBS）今日宣布 Rambus HBM3 ...

      2023-12-07 標(biāo)簽：控制器內(nèi)存AI 761 0

      Rambus通過(guò)9.6 Gbps HBM3內(nèi)存控制器IP大幅提升AI性能

      Rambus通過(guò)9.6 Gbps HBM3內(nèi)存控制器IP大幅提升AI性能

      為增強(qiáng)AI/ML及其他高級(jí)數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載打造的 Rambus 高性能內(nèi)存 IP產(chǎn)品組合 高達(dá)9.6 Gbps的數(shù)據(jù)速率，支持HBM3內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的未來(lái)演進(jìn)...

      2023-12-07 標(biāo)簽：RambusHBM3 251 0

      英偉達(dá)將于Q1完成HBM3e驗(yàn)證 2026年HBM4將推出

      英偉達(dá)將于Q1完成HBM3e驗(yàn)證 2026年HBM4將推出

      由于hbm芯片的驗(yàn)證過(guò)程復(fù)雜，預(yù)計(jì)需要2個(gè)季度左右的時(shí)間，因此業(yè)界預(yù)測(cè)，最快將于2023年末得到部分企業(yè)對(duì)hbm3e的驗(yàn)證結(jié)果。但是，驗(yàn)證工作可能會(huì)在2...

      2023-11-29 標(biāo)簽：芯片英偉達(dá)HBM 858 0

      英偉達(dá)HBM3e 驗(yàn)證計(jì)劃2024 Q1完成

      英偉達(dá)HBM3e 驗(yàn)證計(jì)劃2024 Q1完成

      HBM4 預(yù)計(jì)將于 2026 年推出，具有針對(duì)英偉達(dá)和其他 CSP 未來(lái)產(chǎn)品量身定制的增強(qiáng)規(guī)格和性能。在更高速度的推動(dòng)下，HBM4 將標(biāo)志著其最底部邏輯...

      2023-11-28 標(biāo)簽：存儲(chǔ)芯片Nand flash英偉達(dá) 537 0

      預(yù)計(jì)英偉達(dá)將于Q1完成HBM3e驗(yàn)證 2026年HBM4將推出

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      2023-11-27 標(biāo)簽：芯片英偉達(dá)HBM 940 0

      DDR5實(shí)現(xiàn)大幅增長(zhǎng) 美光計(jì)劃明年初大量出貨HBM3E

      預(yù)計(jì)2023年第4季度移動(dòng)DRAM的合約價(jià)格將上漲13-18%，而eMMC和UFS NAND Flash的合約價(jià)格將上漲約10-15%。這種上漲趨勢(shì)預(yù)計(jì)...

      2023-11-24 標(biāo)簽：DRAMNANDHBM 1054 0

      1.1TB HBM3e內(nèi)存！NVIDIA奉上全球第一GPU：可惜無(wú)緣中國(guó)

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      NVIDIA H200的一大特點(diǎn)就是首發(fā)新一代HBM3e高帶寬內(nèi)存(疑似來(lái)自SK海力士)，單顆容量就多達(dá)141GB(原始容量144GB但為提高良率屏蔽了...

      2023-11-15 標(biāo)簽：NVIDIAgpu堆疊 960 0

      英偉達(dá)發(fā)布新一代H200，搭載HBM3e，推理速度是H100兩倍！

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      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李彎彎）日前，英偉達(dá)正式宣布，在目前最強(qiáng)AI芯片H100的基礎(chǔ)上進(jìn)行一次大升級(jí)，發(fā)布新一代H200芯片。H200擁有141GB的內(nèi)...

      2023-11-15 標(biāo)簽：英偉達(dá)HBM3HBM3E 3610 0

      三星電子將從明年1月開(kāi)始向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3內(nèi)存

      據(jù)預(yù)測(cè)，進(jìn)入今年以來(lái)一直萎靡不振的三星電子半導(dǎo)體業(yè)績(jī)明年將迅速恢復(fù)。部分人預(yù)測(cè)，三星電子明年下半年的hbm市場(chǎng)占有率將超過(guò)sk海力士。

      2023-11-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體三星電子SK海力士 778 0

      追趕SK海力士，三星、美光搶進(jìn)HBM3E

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      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）新型存儲(chǔ)HBM隨著AI訓(xùn)練需求的攀升顯示出越來(lái)越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來(lái)看，HBM歷經(jīng)HBM1...

      2023-10-25 標(biāo)簽：美光三星HBM3 3066 0

      三星披露下一代HBM3E內(nèi)存性能

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      FinFET立體晶體管技術(shù)是Intel 22nm率先引用的，這些年一直是半導(dǎo)體制造工藝的根基，接下來(lái)在Intel 20A、臺(tái)積電2nm、三星3nm上，都...

      2023-10-23 標(biāo)簽：內(nèi)存晶體管EUV 618 0

      HBM3E明年商業(yè)出貨,兼具高速和低成本優(yōu)點(diǎn)

      ? ? 據(jù)了解，HBM(High Bandwidth Memory)是指垂直連接多個(gè)DRAM，能夠提升數(shù)據(jù)處理速度，HBM DRAM產(chǎn)品以 HBM(第一...

      2023-10-10 標(biāo)簽：DRAMERPHBM 836 0

      創(chuàng)意電子宣布5nm HBM3 PHY和控制器經(jīng)過(guò)硅驗(yàn)證，速度為8.4Gbps

      創(chuàng)意電子宣布5nm HBM3 PHY和控制器經(jīng)過(guò)硅驗(yàn)證，速度為8.4Gbps

      來(lái)源：EE Times 先進(jìn)ASIC領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商創(chuàng)意電子（GUC）宣布，公司HBM3解決方案已通過(guò)8.4 Gbps硅驗(yàn)證，該方案采用臺(tái)積電5納米工藝技術(shù)。該...

      2023-09-07 標(biāo)簽：控制器HBM3 562 0

      三星或?qū)牡谒募径乳_(kāi)始向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3

      有分析師爆料稱(chēng)三星將成為英偉達(dá)的HBM3存儲(chǔ)芯片關(guān)鍵供應(yīng)商，三星或?qū)牡谒募径乳_(kāi)始向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3。

      2023-09-01 標(biāo)簽：芯片英偉達(dá)三星 4.1萬(wàn) 0

      SK海力士開(kāi)發(fā)“最佳性能”HBM3E

      以“業(yè)界頂尖性能”推動(dòng)人工智能技術(shù)創(chuàng)新的產(chǎn)品將從2024年1月起開(kāi)始量產(chǎn)。

      2023-08-31 標(biāo)簽：DRAM人工智能SK海力士 667 0

      SK海力士成功開(kāi)發(fā)出面向AI的超高性能DRAM新產(chǎn)品HBM3E

      與此同時(shí)，SK海力士技術(shù)團(tuán)隊(duì)在該產(chǎn)品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術(shù)，其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性（B...

      2023-08-23 標(biāo)簽：DRAM散熱性能SK海力士 814 0

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