預(yù)計英偉達(dá)HBM3e 驗證將于2024 Q1完成。

TrendForce對HBM市場的最新研究表明，英偉達(dá)計劃使其HBM供應(yīng)商多元化，以實現(xiàn)更強大、更高效的供應(yīng)鏈管理。三星的 HBM3 (24GB) 預(yù)計將于今年 12 月完成英偉達(dá)的驗證。HBM3e 的進(jìn)展情況如下表所示，美光于 7 月底向英偉達(dá)提供了 8hi (24GB) 樣品，8 月中旬向 SK 海力士提供，10 月初向三星提供。

鑒于 HBM 驗證過程的復(fù)雜性（預(yù)計需要兩個季度），TrendForce 預(yù)計一些制造商可能會在 2023 年底之前獲悉 HBM3e 的初步結(jié)果。不過，普遍預(yù)計主要制造商將在 2024 年第一季度之前獲得明確的結(jié)果。值得注意的是，最終評估仍在進(jìn)行中，結(jié)果將影響英偉達(dá)2024 年的采購決策。 ?

英偉達(dá)繼續(xù)主導(dǎo)高端芯片市場，擴(kuò)大其先進(jìn)AI芯片陣容

? 2024 年即將到來，多家 AI 芯片供應(yīng)商紛紛推出最新產(chǎn)品。英偉達(dá)目前的 2023 年高端 AI 系列采用了 HBM，包括 A100/A800 和 H100/H800 等型號。2024 年，英偉達(dá)計劃進(jìn)一步完善其產(chǎn)品組合。新增加的產(chǎn)品包括使用 6 個 HBM3e 芯片的 H200 和使用 8 個 HBM3e 芯片的 B100。英偉達(dá)還將集成自家基于 Arm 的 CPU 和 GPU，推出 GH200 和 GB200，通過更專業(yè)、更強大的 AI 解決方案增強其產(chǎn)品陣容。

相比之下，AMD 2024 年的重點是采用 HBM3 的 MI300 系列，下一代 MI350 過渡到 HBM3e。該公司預(yù)計將于2024年下半年開始對 MI350 進(jìn)行 HBM 驗證，預(yù)計 25 年 1 季度產(chǎn)品將大幅增加。 Intel Habana 在 2H22 推出了 Gaudi 2，它采用了 6 個 HBM2e 堆棧。即將推出的 Gaudi 3（預(yù)計于 2024 年中期推出）預(yù)計將繼續(xù)使用 HBM2e，但將升級至 8 個堆棧。TrendForce認(rèn)為，英偉達(dá)憑借其最先進(jìn)的HBM規(guī)格、產(chǎn)品準(zhǔn)備和戰(zhàn)略時間表，將在GPU領(lǐng)域保持領(lǐng)先地位，進(jìn)而在競爭激烈的AI芯片市場保持領(lǐng)先地位。

?HBM4 可能轉(zhuǎn)向商品 DRAM 之外的定制

? HBM4 預(yù)計將于 2026 年推出，具有針對英偉達(dá)和其他 CSP 未來產(chǎn)品量身定制的增強規(guī)格和性能。在更高速度的推動下，HBM4 將標(biāo)志著其最底部邏輯芯片（基礎(chǔ)芯片）首次使用 12 納米工藝晶圓，由代工廠提供。這一進(jìn)步標(biāo)志著代工廠和存儲器供應(yīng)商之間針對每種 HBM 產(chǎn)品的合作努力，反映了高速存儲器技術(shù)不斷發(fā)展的前景。 隨著更高計算性能的推動，HBM4 將從當(dāng)前的 12 層(12hi)堆棧擴(kuò)展到 16 層 (16hi) 堆棧，從而刺激對新混合鍵合技術(shù)的需求。HBM4 12hi 產(chǎn)品將于 2026 年推出，16hi 型號將于 2027 年推出。

最后，TrendForce 指出 HBM4 市場的定制需求發(fā)生了重大轉(zhuǎn)變。買家正在啟動定制規(guī)范，超越與 SoC 相鄰的傳統(tǒng)布局，并探索將 HBM 直接堆疊在 SoC 頂部等選項。雖然這些可能性仍在評估中，但 TrendForce 預(yù)計將針對 HBM 行業(yè)的未來采取更加量身定制的方法。 與商品 DRAM 的標(biāo)準(zhǔn)化方法相反，這種向定制化的轉(zhuǎn)變預(yù)計將帶來獨特的設(shè)計和定價策略，標(biāo)志著對傳統(tǒng)框架的背離，并預(yù)示著 HBM 技術(shù)專業(yè)化生產(chǎn)時代的到來。 存儲芯片市場價格的反彈信號，讓行業(yè)人士看到“曙光”。

在2024年存儲產(chǎn)業(yè)趨勢研討會上，集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理吳雅婷表示：“2023年，原廠產(chǎn)能策略步調(diào)一致，均以去庫存為目標(biāo)。目前實際生產(chǎn)量已經(jīng)低于需求，預(yù)計第四季度庫存去化將加速。展望明年，供需將逐步走向平衡，帶動價格緩步上漲。”近2年來，全球存儲芯片產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了過山車行情，從2021年的缺貨，供不應(yīng)求，到2022年的產(chǎn)能過剩，2023年第三季度開始出現(xiàn)反轉(zhuǎn)信號，存儲芯片春天即將到來。 進(jìn)入第四季度，多個型號的存儲芯片呈現(xiàn)漲價之勢。根據(jù)集邦咨詢最新研究數(shù)據(jù)，今年第四季Mobile DRAM（移動動態(tài)隨機存取存儲器）合約價季漲幅預(yù)估將擴(kuò)大至13%至18%。

NAND Flash（閃存存儲器）方面，eMMC（嵌入式多媒體存儲芯片）、UFS（通用閃存存儲芯片）第四季合約價漲幅約10%至15%；由于Mobile DRAM一直以來獲利表現(xiàn)均較其他DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）產(chǎn)品低，因此成為本次的領(lǐng)漲項目。 兆易創(chuàng)新在接受機構(gòu)調(diào)研時表示：“大存儲在今年第三季度已經(jīng)達(dá)到了價格的底部區(qū)間。在今年三季度末大存儲出現(xiàn)一些價格反彈，此反彈對利基存儲有一定的帶動效應(yīng)，利基存儲價格也在筑底并有微弱反彈。明年大存儲的價格有望延續(xù)反彈的走勢，但也不太會出現(xiàn)暴漲暴跌的情況；利基型DRAM也會隨著大存儲反彈的走勢，延續(xù)微弱反彈的趨勢。具體供需關(guān)系還要看明年需求的恢復(fù)情況以及主流廠商減產(chǎn)的持續(xù)時間。”

審核編輯：黃飛

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