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標(biāo)簽 > nexperia
Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專(zhuān)家,這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET 可用于汽車(chē)感性負(fù)載控制
雙MOSFET器件通過(guò)節(jié)省空間、減少器件數(shù)量和提高可靠性,簡(jiǎn)化汽車(chē)電磁閥控制電路。
Nexperia推適用于CAN-FD應(yīng)用的新款無(wú)引腳ESD保護(hù)器件,支持使用AOI工具
Nexperia推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)引腳CAN-FD保護(hù)二極管,具有行業(yè)領(lǐng)先的ESD性能兼容AOI,出色的RF性能。
Nexperia將首次亮相第三屆中國(guó)國(guó)際進(jìn)口博覽會(huì)
Nexperia為多個(gè)汽車(chē)應(yīng)用領(lǐng)域貢獻(xiàn)力量,約270款Nexperia產(chǎn)品運(yùn)用在不同的汽車(chē)應(yīng)用中。
Nexperia全新定義MOSFET產(chǎn)品 為特定應(yīng)用提供優(yōu)化的參數(shù)
Nexperia為電池隔離、電機(jī)控制、熱插拔和以太網(wǎng)供電(PoE)應(yīng)用提供ASFET系列。
Nexperia推出首款帶可焊性側(cè)面、采用DFN封裝的LED驅(qū)動(dòng)器
采用DFN2020D-6 (SOT1118D)封裝,能有效節(jié)省空間。
2020-10-12 標(biāo)簽:led驅(qū)動(dòng)器光學(xué)檢測(cè)Nexperia 862 0
Nexperia推出用于HDMI 2.1和DP端口的具有ESD保護(hù)的共模濾波器
HDMI 2.1使顯示器具有更高的分辨率和更出色的色彩。但是,這需要更優(yōu)秀的抗干擾保護(hù),尤其是在緊湊的無(wú)線(xiàn)應(yīng)用中。
Nexperia推出四款全新兼具高信號(hào)完整性的TrEOS ESD保護(hù)器件
具備行業(yè)基準(zhǔn)性能的器件,符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),可保護(hù)信息娛樂(lè)、多媒體和ADAS系統(tǒng)。
2020-09-16 標(biāo)簽:ESD信號(hào)完整性adas 595 0
Nexperia宣布推出新一代氮化鎵技術(shù);中芯國(guó)際回復(fù)首輪問(wèn)詢(xún)…
據(jù)有關(guān)媒體報(bào)道,近段時(shí)間內(nèi),包括蘋(píng)果、高通、聯(lián)發(fā)科、AMD等在內(nèi),都紛紛向臺(tái)積電大幅追加第四季度的7nm訂單。第四季度是個(gè)耐人尋味的時(shí)間點(diǎn),因?yàn)槊婪?月...
Nexperia(安世半導(dǎo)體)宣布推出新一代650V氮化鎵 (GaN) 技術(shù)
新一代氮化鎵技術(shù)針對(duì)汽車(chē)、5G 和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用;新器件采用了傳統(tǒng)的TO-247封裝和創(chuàng)新的銅夾片貼片封裝CCPAK
2020-06-11 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心氮化鎵Nexperia 3202 0
Nexperia的鍺化硅整流器問(wèn)市,兼具高效、穩(wěn)定于一身
半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia推出了一系列反向電壓為120 V、150 V和200 V的新鍺化硅(SiGe)整流器,兼具肖特基...
Nexperia推出反向電壓為120 V、150 V和200 V的新鍺化硅(SiGe)整流器
PMEG SiGe設(shè)備(PMEGxGxELR/P)采用功率二極管行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的節(jié)省空間、高熱效率的CFP3和CFP5封裝。
Nexperia發(fā)布P溝道MOSFET,采用節(jié)省空間的堅(jiān)固LFPAK56封裝
LFPAK封裝采用銅夾片結(jié)構(gòu),由Nexperia率先應(yīng)用,已在汽車(chē)等要求嚴(yán)格的應(yīng)用領(lǐng)域中使用近20年。
Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%,且具備低導(dǎo)通電阻RDS(on)
PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝,占位面積僅為0.62 x 0.62 mm,與前一代DFN1006器件相比,節(jié)省了超過(guò)36%的空間。
Nexperia推出首款支持USB4標(biāo)準(zhǔn)的ESD保護(hù)器件
TrEOS二極管完全支持USB4TM標(biāo)準(zhǔn);具有低鉗位、低電容、低泄露特性,極高的魯棒性
Nexperia與Ricardo合作開(kāi)發(fā)基于GaN的EV逆變器設(shè)計(jì)
的汽車(chē)咨詢(xún)公司在技術(shù)演示器中采用Nexperia已獲AEC-Q101認(rèn)證的GaN FET器件
Nexperia針對(duì)汽車(chē)以太網(wǎng)推具有開(kāi)創(chuàng)性且符合OPEN Alliance 標(biāo)準(zhǔn)的硅基ESD器件
分立元件、MOSFET 元件及模擬和邏輯 IC 的專(zhuān)業(yè)制造商 Nexperia,日前宣布針對(duì) 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 汽車(chē)以太...
MJD雙極晶體管(高達(dá)8A)豐富了Nexperia功率產(chǎn)品系列
Nexperia公司今日推出一款全新高質(zhì)量、高可靠性 的MJD 3 A 和 8 A 功率汽車(chē)雙極晶體管(符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)以及消費(fèi)者/工業(yè)標(biāo)準(zhǔn))。
Nexperia公司推出了一款全新的功率汽車(chē)雙極晶體管
總部位于荷蘭的分立和 MOSFET 器件及模擬與邏輯 IC領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia公司今日推出一款全新高質(zhì)量、高可靠性的MJD 3 A 和 8 A 功...
Nexperia推出了一款適用于電動(dòng)汽車(chē)中的Nexperia氮化鎵器件
GAN063-650WSA的特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻(最大RDS(on) 僅為 60 m)以及快速的開(kāi)關(guān)切換;效率非常高。 Nexperia氮化鎵器件的目標(biāo)是高...
2019-11-29 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)氮化鎵Nexperia 3538 0
Nexperia推出650V的功率器件GAN063-650WSA
Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管(GaN)市場(chǎng)。
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