電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術(shù)，據(jù)官方介紹，這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術(shù)，相比上一代產(chǎn)品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:18
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蘋果公司在官網(wǎng)推出了新款MacBook Air，搭載高性能M3芯片，提供13英寸和15英寸兩種尺寸選擇。新款MacBook Air不僅性能卓越，還擁有出色的電池續(xù)航，最長可達(dá)18小時(shí)，滿足
2024-03-13 17:37:56292 近日，全球電子組件領(lǐng)域的領(lǐng)軍制造商美國柏恩Bourns，宣布推出兩款全新的車規(guī)級(jí)高溫屏蔽功率電感器——SRR0735HA和SRR0745HA系列。這兩款電感器專為滿足現(xiàn)代汽車及其他應(yīng)用對高性能、高可靠性的需求而設(shè)計(jì)，展現(xiàn)了Bourns在電源、保護(hù)和傳感解決方案領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新。
2024-03-13 10:52:03244 意法半導(dǎo)體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計(jì)上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿足不同應(yīng)用場景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 在電子元件領(lǐng)域不斷創(chuàng)新的Vishay公司，近日宣布推出新系列的浪涌限流正溫度系數(shù)（PTC）熱敏電阻——Vishay BCcomponents PTCEL系列。這款新型熱敏電阻以其寬阻值范圍、高電壓處理能力和高能量吸收能力，為汽車和工業(yè)應(yīng)用中的有源充放電電路帶來了顯著的性能提升。
2024-03-12 10:34:11105 近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 近日，全球知名的半導(dǎo)體及組件制造商Vishay宣布推出五款新型半橋IGBT功率模塊，這些模塊采用了經(jīng)過改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝。新款產(chǎn)品系列包括VS-GT100TS065S
2024-03-12 10:29:3891 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（以下簡稱“東芝”）近日宣布，其最新研發(fā)的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產(chǎn)品特別適用于數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器等關(guān)鍵應(yīng)用的開關(guān)電源，展現(xiàn)了東芝在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續(xù)創(chuàng)新。
2024-03-12 10:27:36255 在全球電力電子領(lǐng)域，英飛凌科技以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新能力和領(lǐng)先的產(chǎn)品質(zhì)量贏得了廣泛贊譽(yù)。近日，該公司宣布推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，標(biāo)志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域邁入了新的發(fā)展階段。
2024-03-12 09:53:5297 在電力電子領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出，標(biāo)志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域迎來了新的里程碑，為行業(yè)的低碳化進(jìn)程注入了強(qiáng)大動(dòng)力。
2024-03-12 09:43:29125 日前，Vishay 推出了新系列浪涌限流正溫度系數(shù)（PTC）熱敏電阻，名為PTCEL系列，專為浪涌限流設(shè)計(jì)。這一系列熱敏電阻在25°C時(shí)阻值范圍廣泛，能夠處理高電壓和高能量，有助于提升汽車和工業(yè)應(yīng)用中有源充放電電路的性能。
2024-03-08 11:47:07262 Vishay近期發(fā)布五款新型半橋IGBT功率模塊，其改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝備受矚目。這五款器件，包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等，均運(yùn)用Vishay領(lǐng)先
2024-03-08 11:45:51266 日前，Vishay 推出新系列浪涌限流正溫度系數(shù)（PTC）熱敏電阻。Vishay BCcomponents PTCEL 系列器件 25 °C（R25）條件下阻值范圍寬，具有高電壓處理和高能量吸收能力，
2024-03-08 11:34:20293 
日前，Vishay 推出五款采用改良設(shè)計(jì)的 INT-A-PAK 封裝新型半橋 IGBT 功率模塊。新型器件由 VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N 和 VS-GT200TS065N 組成
2024-03-08 09:15:18177 
意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），
2024-02-22 18:22:41976 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進(jìn)一步提高工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強(qiáng)熱性能。
2024-02-22 17:11:08353 
英飛凌科技股份公司，憑借其豐富的磁性位置傳感器技術(shù)經(jīng)驗(yàn)與成熟的線性隧道磁阻（TMR）技術(shù)，成功研發(fā)出新款磁性位置傳感器XENSIV? TLI5590-A6W。
2024-01-31 11:08:26345 Vishay威世科技日前宣布，其光電子產(chǎn)品部推出了一款全集成超小型接近傳感器——VCNL36828P。這款傳感器專為提高消費(fèi)類電子應(yīng)用的效率和性能而設(shè)計(jì)。
2024-01-29 10:21:38283 Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916，采用了創(chuàng)新的雙面散熱 DFN 5 x 6 封裝。這一創(chuàng)新型封裝為 AOS 產(chǎn)品賦予了卓越的散熱性能，使其在長期惡劣的運(yùn)行條件下仍能保持穩(wěn)定的性能。
2024-01-26 18:25:151382 MALVER N 、中國 上海 — 2024 年 1 月 25 日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，其光電子產(chǎn)品部推出全集
2024-01-26 15:45:36925 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布推出新款低功耗藍(lán)牙（LE）片上系統(tǒng)（SoC），即DA14592。這款產(chǎn)品憑借其超低功耗和微型尺寸，成為瑞薩電子系列中功耗最低、體積最小的多核（Cortex-M33、Cortex-M0+）低功耗藍(lán)牙產(chǎn)品。
2024-01-19 16:18:15322 英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
2023-12-26 16:54:45
集特推出新款龍芯主板GM9-3003
2023-12-14 16:03:07209 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術(shù)和專有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供更多選擇。
2023-12-13 10:38:17312 Vishay 推出五款新型 10 MBd 低功耗高速光耦，有助于工業(yè)應(yīng)用節(jié)能。
2023-12-08 09:27:10394 
如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?
2023-12-06 18:22:24522 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
問題1：在功率MOSFET管應(yīng)用中，主要考慮哪些參數(shù)？在負(fù)載開關(guān)的功率MOSFET管導(dǎo)通時(shí)間計(jì)算，通常取多少比較好？相應(yīng)的PCB設(shè)計(jì)，銅箔面積布設(shè)多大散熱會(huì)比較好？漏極、源極銅箔面積大小是否需要一樣？有公式可以計(jì)算嗎？
2023-12-03 09:30:40408 
功率MOSFET零電壓軟開關(guān)ZVS的基礎(chǔ)認(rèn)識(shí)
2023-11-23 09:06:38407 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用TrenchFET IV功率MOSFET系列設(shè)計(jì)更綠色、更小的電源.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-13 15:11:29
0 全球被動(dòng)元件領(lǐng)導(dǎo)廠商-國巨集團(tuán)，推出新款薄膜氮化鉭晶片電阻-NT系列。 NT系列產(chǎn)品具備抗?jié)?、抗硫、高精密度、高穩(wěn)定表現(xiàn)的特性，外殼尺寸從0402到1206 ，電阻范圍為100Ω-481KΩ，具有
2023-11-08 11:08:37370 MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
2023-11-07 21:16:18
MOSFET N-CH 30V SMD
2023-10-31 17:40:36
MOSFET P-CH 20V SC-70-6
2023-10-31 17:40:36
SiA400EDJ-T1-GE3是一款N溝道功率場效應(yīng)管，具有以下參數(shù) - 最大耐壓 30V- 最大漏極電流 5.8A- 導(dǎo)通時(shí)的電阻（RDS(ON)） 22mΩ@10V, 28m
2023-10-27 15:55:27
功率MOSFET選型的幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應(yīng)理論技術(shù)文章有很多介紹MOSFET參數(shù)和性能的，這里不作贅述，只對實(shí)際
2023-10-26 08:02:47373 
在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
2023-10-25 10:43:16765 
和小功率MOSFET類似，功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個(gè)大類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。
2023-10-25 10:42:27493 
Littelfuse宣布推出首款汽車級(jí)PolarP P通道功率MOSFET產(chǎn)品 IXTY2P50PA。這個(gè)創(chuàng)新的產(chǎn)品設(shè)計(jì)能滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)苛要求，提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25402 Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動(dòng)功率，且開關(guān)速度優(yōu)異?？梢哉f具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 
MOSFET功率損耗的詳細(xì)計(jì)算
2023-09-28 06:09:39
如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?
2023-09-18 16:54:35590 
V Vishay?推出新型 6 A、20 A 和 25 A microBRICK 同步降壓穩(wěn)壓器，用來提高負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器的功率密度和效率。 Vishay SiliconixSiC931
2023-09-15 10:41:09545 
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431202 
功率MOSFET是便攜式設(shè)備中大功率開關(guān)電源的主要組成部分。此外，對于散熱量極低的筆記本電腦來說，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計(jì)算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過多相、同步整流、降壓型CPU核電源中一個(gè)30A單相的分布計(jì)算示例，詳細(xì)說明了上述概念。
2023-09-06 09:14:32446 
功率MOSFET數(shù)據(jù)表參數(shù)
2023-08-24 09:13:06552 
特斯拉決定在推出新產(chǎn)品的同時(shí)，在國內(nèi)市場降低價(jià)格銷售新型產(chǎn)品。8月14日，特斯拉在推特上表示，從今天起，Model Y長期型號(hào)的銷售價(jià)格將從31萬3900元下調(diào)到29萬9900元，Model Y高性能型號(hào)的價(jià)格將從36萬3900元下調(diào)到34萬9900元，分別下調(diào)1.4萬元。
2023-08-15 10:56:49860 隨著現(xiàn)代電子設(shè)備對小型化和高效率的要求不斷提高,對電源管理芯片的技術(shù)也提出了更高要求。針對此趨勢,安森德半導(dǎo)體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能參數(shù),將助您的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)更高功率密度和轉(zhuǎn)換效率。
2023-08-14 15:04:45367 
海凌科推出新款百元左右的路由模塊，集2.4G/5G雙頻段 + WiFi5 于一體，支持 5 路千兆路由，體積小巧，接口豐富，性價(jià)比高。 1 RM50產(chǎn)品介紹 HLK-RM50 是海凌科電子推出
2023-08-14 09:44:57657 Vishay 推出一種用于工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)和移動(dòng)應(yīng)用領(lǐng)域的新型反射式光傳感器。
2023-08-11 12:32:58538 倍加福推出新款 VOC工業(yè)事件相機(jī) ，再次擴(kuò)展工業(yè)視覺產(chǎn)品系列。該相機(jī)可以實(shí)現(xiàn) 在觸發(fā)信號(hào)前后長達(dá) 60 秒、以事件為驅(qū)動(dòng)的視頻記錄 ，從而實(shí)現(xiàn)針對性的簡單遠(yuǎn)程診斷以及 自動(dòng)文檔記錄 。
2023-07-28 14:10:23513 MOSFET的漏伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對應(yīng)GTR的截止區(qū)）;飽和區(qū)（對應(yīng)于GTR的放大區(qū)）;非飽和區(qū)（對應(yīng)于GTR的飽和區(qū)）。功率MOSFET在開關(guān)狀態(tài)下工作，即截止區(qū)域和不飽和區(qū)之間的轉(zhuǎn)換
2023-07-04 16:46:37975 
據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，近日，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出兩款新型固定增益紅外（IR）傳感器
2023-06-29 09:37:12404 功率 MOSFET 即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三個(gè)管腳，分別為柵極（ Gate
2023-06-28 08:39:353665 
功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開關(guān)的作用。
2023-06-27 17:41:20369 
英飛凌科技汽車 MOSFET 產(chǎn)品線高級(jí)副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標(biāo)桿。
2023-06-26 13:10:00302 
Vishay 推出四款新系列200 V FRED Pt 超快恢復(fù)整流器，這些器件采用薄型易于吸附焊錫的側(cè)邊焊盤 DFN3820A封裝。1 A VS-1EAH02xM3
2023-06-21 17:25:00523 
Vishay VOMDA1271 器件通過 AEC-Q102 認(rèn)證 開關(guān)速度和開路輸出電壓（8.5V）達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平 Vishay? 推出一款業(yè)內(nèi)先進(jìn)的新型汽車級(jí)光電壓輸出光耦，用于 MOSFET
2023-06-09 10:10:01426 
Vishay VOMDA1271 器件通過 AEC-Q102 認(rèn)證 開關(guān)速度和開路輸出電壓（8.5V）達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平 Vishay? 推出一款業(yè)內(nèi)先進(jìn)的新型汽車級(jí)光伏 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器
2023-06-08 19:55:02374 
功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個(gè)管腳，分別為柵極（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
Vishay ?MCB ISOA 器件通過 AEC-Q200 認(rèn)證 采用 SOT-227 小型封裝 可直接安裝在散熱器上 具有高脈沖處理能力 功率耗散達(dá) 120 W Vishay? 推出一款通過
2023-06-03 08:25:02533 
分享功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路方案大全，希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02
同步整流技術(shù)就是用功率MOSFET代替普通二極管或者肖特基二極管進(jìn)行整流,所以,研究同步整流技術(shù),就必須首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。
2023-05-18 09:10:06421 
亮鉆推出新款核心板Y-3566，其采用四核Cortex-A55內(nèi)核的瑞芯微RK3566處理器，主頻可達(dá)1.8GHz。郵票孔接口設(shè)計(jì)，支持8GB大內(nèi)存，集成最高1Tops AI算力的NPU，為用戶提供“嵌入式”+“AI”解決方案平臺(tái)。
2023-05-17 15:57:27965 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布推出新款高速四通道數(shù)字隔離器“DCL54xx01”系列，該系列具有100kV/μs（最小值）的高共模瞬態(tài)抑制（CMTI）和150Mbps的高速數(shù)據(jù)速率。該系列六款產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-05-10 09:37:18600 
功率MOSFET怎樣關(guān)斷？能否用PWM實(shí)現(xiàn)？怎樣實(shí)現(xiàn)？
2023-05-08 16:16:27
KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應(yīng)用優(yōu)化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)來取得能夠和SOT-523等大上許多
2023-04-04 16:10:39987 
Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出加強(qiáng)版0805封裝抗浪涌厚膜電阻器Vishay Draloric RCS0805 e3，額定功率高達(dá)0.5
2023-03-29 17:00:06694 
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC-70
2023-03-29 15:12:30
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
2023-03-29 15:11:32
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
2023-03-29 15:08:46
MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L
2023-03-29 15:08:42
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
2023-03-29 15:08:05
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6L
2023-03-29 15:07:51
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
2023-03-29 15:06:42
MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L
2023-03-29 14:29:47
MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
2023-03-29 14:29:24
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
2023-03-29 14:28:08
MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L
2023-03-29 10:05:37
MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L
2023-03-29 10:04:39
MOSFET P-CH 20V 12A SC-70
2023-03-28 22:31:15
MOSFET N-CH 30V 12A SC-70
2023-03-28 22:31:07
MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
2023-03-28 22:30:40
MOSFET P-CH 20V 9A SC70
2023-03-28 22:28:00
MOSFET N-CH 20V 25A SC-70-6
2023-03-28 22:24:41
MOSFET P-CH 12V 31A SC70-6
2023-03-28 22:24:35
MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6
2023-03-28 22:20:59
MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6
2023-03-28 22:20:52
MOSFET P-CH 30V 4.5A SC-70-6
2023-03-28 22:20:38
MOSFET - 陣列 N 和 P 溝道 20V 4.5A 7.8W 表面貼裝型 PowerPAK? SC-70-6 雙
2023-03-28 18:20:06
MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4.5A RDS(ON)=54mΩ@4.5V
2023-03-28 18:20:01
SIA471DJ-T1-GE3
2023-03-28 13:12:41
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