摘要 本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進行，例如在大約23丁和 大約200V之間
2022-02-07 14:01:26
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原子層刻蝕和沉積工藝利用自限性反應(yīng)，提供原子級控制。 泛林集團先進技術(shù)發(fā)展事業(yè)部公司副總裁潘陽博士 分享了他對這個話題的看法。 技術(shù)節(jié)點的每次進步都要求對制造工藝變化進行更嚴格的控制。最先進的工藝
2021-02-08 10:53:006590 
原子層沉積技術(shù)（Atomic layer deposition， ALD）近年在集成電路制程設(shè)備產(chǎn)業(yè)中受到相當大的矚目，對比于其他在線鍍膜系統(tǒng)，原子層沉積技術(shù)具有更優(yōu)越的特點，如絕佳的鍍膜批覆性以及
2021-02-05 15:23:174743 
單晶圓系統(tǒng)也能進行多晶硅沉積。這種沉積方法的好處之一在于能夠臨場進行多晶硅和鎢硅化物沉積。DRAM芯片中通常使用由多晶硅-鈞硅化物形成的疊合型薄膜作為柵極、局部連線及單元連線。臨場多晶硅/硅化物沉積
2022-09-30 11:53:001235 進行MEMS制造的最基本需求是能夠沉積1到100微米之間的材料薄膜。NEMS的制造過程是基本一致的，膜沉積的測量范圍從幾納米到一微米。
2022-10-11 09:12:591193 美國半導(dǎo)體設(shè)備制造商應(yīng)用材料本周一表示，計劃以35億美元價格（較先前報價增加59％），從私募股權(quán)公司KKR手中收購規(guī)模較小的日本同行國際電氣（Kokusai Electric），理由是其前景良好且估值較高。收購國際電氣將使應(yīng)用材料獲得其薄膜沉積技術(shù)。
2021-01-06 10:04:082446 ）已經(jīng)越來越看好150mm晶圓的產(chǎn)品應(yīng)用前景。其子公司W(wǎng)olfspeed（位于美國三角研究園）作為SiC功率MOSFET器件制造商，更是“下注”2023年SiC器件的可用市場總額（TAM）將迅速增長到50
2019-05-12 23:04:07
是在晶圓上制作電路及電子元件（如晶體管、電容、邏輯開關(guān)等），其處理程序通常與產(chǎn)品種類和所使用的技術(shù)有關(guān)，但一般基本步驟是先將晶圓適當清洗，再在其表面進行氧化及化學(xué)氣相沉積，然后進行涂膜、曝光、顯影、蝕刻
2011-12-01 15:43:10
。但是任重道遠。目前
晶圓制造，
核心技術(shù)，依然牢牢的把握在外國晶圓廠家的手里。我國對外國
晶圓的依賴性還非常之大。甚至普通消費者對外國電子產(chǎn)品的依賴性也相當大，認為外國的月亮比中國的
圓。這也是全球
晶圓緊缺，中國電子數(shù)碼市場首當其沖，強烈起伏的原因；也是外國在電子數(shù)碼領(lǐng)域?qū)ξ覀冇枞∮枨蟮脑?/div>
2019-09-17 09:05:06
`微晶片制造的四大基本階段：晶圓制造（材料準備、長晶與制備晶圓）、積體電路制作，以及封裝。晶圓制造過程簡要分析[hide][/hide]`
2011-12-01 13:40:36
晶圓制造的基礎(chǔ)知識，適合入門。
2014-06-11 19:26:35
本人想了解下晶圓制造會用到哪些生產(chǎn)輔材或生產(chǎn)耗材
2017-08-24 20:40:10
晶圓的制造過程是怎樣的？
2021-06-18 07:55:24
先進封裝發(fā)展背景晶圓級三維封裝技術(shù)發(fā)展
2020-12-28 07:15:50
薄膜的純度作者:愛特斯薄膜的純度與所蒸發(fā)純度依賴于一下三個方面：一是源材料的純度；二是加熱裝置、蒸發(fā)舟以及支撐材料的污染；三是真空系統(tǒng)中的殘余氣體。在沉淀過程中，蒸發(fā)物，包括原子和分子，連同殘余氣體
2016-12-08 11:08:43
CPU制造流程CPU制造全過程第1頁：由沙到晶圓，CPU誕生全過程 沙中含有25%的硅，是地殼中第二多元素，在經(jīng)過
2009-09-22 08:16:03
到一塊玻璃板上。4.[IC制造] IC制造是指在單晶硅片上制作集成電路芯片，其流程主要有蝕刻、氧化、擴散/離子植入、化學(xué)氣相沉積薄膜和金屬濺鍍。擁有上述功能的公司一般被稱為晶圓代工廠。5.[IC測試
2019-01-02 16:28:35
。 案例三： 產(chǎn)品工藝異?；蛘{(diào)整后通過FIB獲取膜層剖面對各膜層檢查以及厚度的測量檢測工藝穩(wěn)定性。 3.氣相沉積（GIS） FIB GIS系統(tǒng)搭載Pt氣體，其作用除了對樣品表面起到保護作用，還能根據(jù)其
2017-06-29 14:16:04
。 案例三： 產(chǎn)品工藝異?；蛘{(diào)整后通過FIB獲取膜層剖面對各膜層檢查以及厚度的測量檢測工藝穩(wěn)定性。 3.氣相沉積（GIS） FIB GIS系統(tǒng)搭載Pt氣體，其作用除了對樣品表面起到保護作用，還能根據(jù)其
2017-06-29 14:20:28
。 案例三： 產(chǎn)品工藝異?；蛘{(diào)整后通過FIB獲取膜層剖面對各膜層檢查以及厚度的測量檢測工藝穩(wěn)定性。 3.氣相沉積（GIS） FIB GIS系統(tǒng)搭載Pt氣體，其作用除了對樣品表面起到保護作用，還能根據(jù)其
2017-06-29 14:24:02
、晶圓、光刻、蝕刻、離子注入、金屬沉積、金屬層、互連、晶圓測試與切割、核心封裝、等級測試、包裝上市等基本步驟。硅熔煉成硅錠：通過多步凈化得到可用于半導(dǎo)體制造質(zhì)量的硅，學(xué)名電子級硅(EGS)，平均每一百萬
2017-05-04 21:25:46
。光刻膠的圖案通過蝕刻劑轉(zhuǎn)移到晶片上。沉積：各種材料的薄膜被施加在晶片上。為此，主要使用兩種工藝，物理氣相沉積 (PVD) 和化學(xué)氣相沉積 (CVD)。制作步驟：1.從空白晶圓開始2.自下而上構(gòu)建
2021-07-08 13:13:06
半導(dǎo)體器件需要高度完美的晶體。但是即使使用了最成熟的技術(shù)，完美的晶體還是得不到的。不完美，就稱為晶體缺陷，會產(chǎn)生不均勻的二氧化硅膜生長、差的外延膜沉積、晶圓里不均勻的摻雜層，以及其他問題而導(dǎo)致工藝
2018-07-04 16:46:41
，以便能在上面印制第一層。這一重要步驟通常被稱為 "沉積"。隨著芯片變得越來越小，在晶圓上印制圖案變得更加復(fù)雜。沉積、刻蝕和光刻技術(shù)的進步是讓芯片不斷變小，從而推動摩爾定律不斷延續(xù)
2022-04-08 15:12:41
，我們將采用穿硅通孔（TSV）用于晶圓級堆疊器件的互連。該技術(shù)基本工藝為高密度鎢填充穿硅通孔，通孔尺寸從1μm到3μm。用金屬有機化學(xué)汽相淀積（MOCVD）淀積一層TiN薄膜作為籽晶層，隨后同樣也采用
2011-12-02 11:55:33
納米到底有多細微？什么晶圓？如何制造單晶的晶圓？
2021-06-08 07:06:42
`晶圓測試是對晶片上的每個晶粒進行針測，在檢測頭裝上以金線制成細如毛發(fā)之探針（probe），與晶粒上的接點（pad）接觸，測試其電氣特性，不合格的晶粒會被標上記號，而后當晶片依晶粒為單位切割成獨立
2011-12-01 13:54:00
平行于靶表面的封閉磁場，和靶表面上形成的正交電磁場，把二次電子束縛在靶表面特定區(qū)域，實現(xiàn)高離子密度和高能量的電離，把靶原子或分子高速率濺射沉積在基片上形成薄膜。化學(xué)機械研磨機晶圓制造中，隨著制程技術(shù)
2018-09-03 09:31:49
的材料，依面積大小而有三寸、四寸、五寸、六寸、八寸、十二寸（直徑）等規(guī)格之分。一根八寸硅晶棒重量約一百二十公斤，切割成一片片的八寸晶圓后，送至八寸晶圓廠內(nèi)制造芯片電路（Die），這些芯片電路再經(jīng)封裝測試
2020-02-17 12:20:00
該資料包含了晶圓制造、薄膜沉積、光刻、腐蝕等內(nèi)容，圖文并茂，淺顯易懂，真是居家旅行的必備啊。
2014-05-17 14:09:40
Pressure CVD；LPCVD)為進行50片或更多晶圓之批次量產(chǎn)，爐管內(nèi)之晶圓勢必要垂直密集地豎放于晶舟上，這明顯產(chǎn)生沉積薄膜之厚度均勻性問題；因為平板邊界層問題的假設(shè)已不合適，化學(xué)蒸汽在經(jīng)過第一片晶
2012-09-28 14:01:04
「輸送現(xiàn)象」(transport phenomena) 的應(yīng)用。常壓化學(xué)氣相沉積速度頗快，但成長薄膜的質(zhì)地較為松散。另外，如果晶圓不采用水平擺放的方式 (太浪費空間)，薄膜之厚度均勻性
2012-09-16 20:22:12
「輸送現(xiàn)象」(transport phenomena) 的應(yīng)用。常壓化學(xué)氣相沉積速度頗快，但成長薄膜的質(zhì)地較為松散。另外，如果晶圓不采用水平擺放的方式 (太浪費空間)，薄膜之厚度均勻性
2012-10-07 23:23:19
(Low Pressure CVD；LPCVD) 為進行50片或更多晶圓之批次量產(chǎn)，爐管內(nèi)之晶圓勢必要垂直密集地豎放于晶舟上，這明顯產(chǎn)生沉積薄膜之厚度均勻性問題；因為平板邊界層問題的假設(shè)已不
2011-09-23 14:41:42
單晶的晶圓制造步驟是什么？
2021-06-08 06:58:26
今日分享晶圓制造過程中的工藝及運用到的半導(dǎo)體設(shè)備。晶圓制造過程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴散等。這幾個主要步驟都需要若干種半導(dǎo)體設(shè)備，滿足不同的需要。設(shè)備中應(yīng)用較為廣泛
2018-10-15 15:11:22
前段生產(chǎn)工藝找出缺陷產(chǎn)生點，通過調(diào)整工藝解決產(chǎn)品缺陷。 案例三： 產(chǎn)品工藝異?；蛘{(diào)整后通過FIB獲取膜層剖面對各膜層檢查以及厚度的測量檢測工藝穩(wěn)定性。 3.氣相沉積（GIS） FIB GIS系統(tǒng)
2017-06-28 16:40:31
前段生產(chǎn)工藝找出缺陷產(chǎn)生點，通過調(diào)整工藝解決產(chǎn)品缺陷。 案例三： 產(chǎn)品工藝異?；蛘{(diào)整后通過FIB獲取膜層剖面對各膜層檢查以及厚度的測量檢測工藝穩(wěn)定性。 3.氣相沉積（GIS） FIB GIS系統(tǒng)
2017-06-28 16:50:34
點，通過調(diào)整工藝解決產(chǎn)品缺陷。 案例三： 產(chǎn)品工藝異?；蛘{(diào)整后通過FIB獲取膜層剖面對各膜層檢查以及厚度的測量檢測工藝穩(wěn)定性。 3.氣相沉積（GIS） FIB GIS系統(tǒng)搭載Pt氣體，其作用除了對樣品
2017-06-28 16:45:34
解決產(chǎn)品缺陷。 案例三： 產(chǎn)品工藝異?；蛘{(diào)整后通過FIB獲取膜層剖面對各膜層檢查以及厚度的測量檢測工藝穩(wěn)定性。 3.氣相沉積（GIS） FIB GIS系統(tǒng)搭載Pt氣體，其作用除了對樣品表面起到保護作用
2017-06-29 14:08:35
薄膜太陽能電池也是現(xiàn)在發(fā)展的比較好一點的電池，下面給大家分享四種薄膜太陽能電池，大家可以對比一下看看哪一種最好。1.非晶硅。非晶硅薄膜是太陽能電池核心原材料之一，也稱微晶硅。按照材料的不同，當前硅
2016-01-29 15:46:43
作者：ADI公司 Dust Networks產(chǎn)品部產(chǎn)品市場經(jīng)理 Ross Yu，遠程辦公設(shè)施經(jīng)理 Enrique Aceves問題 對半導(dǎo)體晶圓制造至關(guān)重要的是細致、準確地沉積多層化學(xué)材料，以形成
2019-07-24 06:54:12
一層選擇性CVD鈷覆蓋膜，改善接觸界面，進而提高器件的可靠性可達到80倍。鈷薄膜沉積突破了導(dǎo)線互聯(lián)技術(shù)傳統(tǒng)瓶頸全新PVD沉積系統(tǒng)實現(xiàn)高成本效益的3D芯片垂直集成與Endura Volta CVD
2014-07-12 17:17:04
對半導(dǎo)體晶圓制造至關(guān)重要的是細致、準確地沉積多層化學(xué)材料，以形成數(shù)千、數(shù)百萬甚至在有些情況下是數(shù) 10 億個晶體管，構(gòu)成各種各樣復(fù)雜的集成電路 (IC)。在制造這些 IC 的過程中，每一步都要精確
2020-05-20 07:40:09
`哪位了解LCVD激光氣相沉積設(shè)備，想買一臺用來做補線用。如圖，沉積出寬10um左右的金屬線。求大神指點！`
2014-01-17 10:36:02
（Sputter） 解離金屬電漿（淘氣鬼）物理氣相沉積技術(shù) 解離金屬電漿是最近發(fā)展出來的物理氣相沉積技術(shù)，它是在目標區(qū)與晶圓之間，利用電漿，針對從目標區(qū)濺擊出來的金屬原子，在其到達晶圓之前，加以離子化
2011-09-23 14:43:07
隨著集成電路設(shè)計師將更復(fù)雜的功能嵌入更狹小的空間，異構(gòu)集成包括器件的3D堆疊已成為混合與連接各種功能技術(shù)的一種更為實用且經(jīng)濟的方式。作為異構(gòu)集成平臺之一，高密度扇出型晶圓級封裝技術(shù)正獲得越來越多
2020-07-07 11:04:42
性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達0.99999999999。晶圓制造廠再將此多晶硅
2011-12-02 14:30:44
請問一下8寸 原子層沉積設(shè)備ALD，單晶片。國內(nèi)設(shè)備大約在什么價位??？
2023-06-16 11:12:27
?。?）錫膏印刷 對于THR工藝，網(wǎng)板印刷是將焊膏沉積于PCB的首選方法。網(wǎng)板厚度是關(guān)鍵的參數(shù)，因為PCB上的錫膏 層是網(wǎng)板開孔面積和厚度的函數(shù)。這將在本章的網(wǎng)板設(shè)計部分詳細討論。使用鋼質(zhì)刮刀以
2018-11-22 11:01:02
用脈沖激光(Nd:YAG 激光)沉積技術(shù)在硅基上沉積富硅SiO2薄膜(SiOx,x<2)，沉積時氧氣壓力分別為1.33，2.66，3.99，5.32，6.65，7.98Pa，膜的厚度約為300nm。隨后，在氬(Ar)氣中1000℃的溫度下對
2010-08-03 16:24:35
0 半導(dǎo)體制程之薄膜沉積
在半導(dǎo)體組件工業(yè)中，為了對所使用的材料賦與某種特性，在材料表面上常以各種方法形成被膜而加以使用，假如
2009-03-06 17:14:585558 
硅單晶(或多晶)薄膜的沉積
硅（Si）單晶薄膜是利用氣相外延(VPE)技術(shù)，在一塊單晶Si 襯底上沿其原來的結(jié)晶軸方向，生長一層導(dǎo)電類型
2009-03-09 13:23:416889 由于低溫沉積、薄膜純度以及絕佳覆蓋率等固有優(yōu)點，ALD（原子層淀積）技術(shù)早從21世紀初即開始應(yīng)用于半導(dǎo)體加工制造。DRAM電容的高k介電質(zhì)沉積率先采用此技術(shù)，但近來ALD在其它半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域也已發(fā)展
2018-02-13 03:16:0025903 泛林集團宣布推出一種用于沉積低氟填充鎢薄膜的新型原子層沉積 （ALD） 工藝，標志著其業(yè)界領(lǐng)先的 ALTUS? 產(chǎn)品系列又添新成員。通過業(yè)內(nèi)首創(chuàng)的低氟鎢（LFW） ALD 工藝，ALTUS Max
2018-05-24 17:19:002398 在等離子增強化學(xué)氣相沉積法PECVD沉積 SiO2和 SiN掩蔽層過程中!分解等離子體中濃度較高的H原子使MG受主鈍化!同時在P-GaN材料表面發(fā)生反應(yīng)形成淺施主特性的N空位。
2018-12-17 08:00:0017 沉積是半導(dǎo)體制造工藝中的一個非常重要的技術(shù)，其是一連串涉及原子的吸附、吸附原子在表面擴散及在適當?shù)奈恢孟戮劢Y(jié)，以漸漸形成薄膜并成長的過程。在一個新晶圓投資建設(shè)中，晶圓廠80%的投資用于購買設(shè)備。其中，薄膜沉積設(shè)備是晶圓制造的核心步驟之一，占據(jù)著約25%的比重。
2020-09-07 15:50:106019 
）及化學(xué)氣相沉積（CVD）工藝已經(jīng)無法滿足極小尺寸下良好的臺階覆蓋要求，而控制納米級別厚度的高質(zhì)量超薄膜層制備也成為技術(shù)難點。 原子層沉積（ALD）是一種可以將物質(zhì)以單原子膜的形式，一層一層鍍在基底表面的先進沉積技術(shù)。一個
2021-04-17 09:43:2116607 
業(yè)界主流的薄膜沉積工藝主要有原子層沉積（ALD）、物理式真空鍍膜（PVD）和化學(xué)式真空鍍膜（CVD）等，其中ALD屬于CVD的一種，屬于當下最先進的薄膜沉積技術(shù)。
2021-09-03 11:12:421149 
本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進行，例如在大約23丁和 大約200V之間
2022-02-15 11:11:143427 
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