PECVD作為太陽能電池生產(chǎn)中的一種工藝，對其性能的提升起著關(guān)鍵的作用。PECVD可以將氮化硅薄膜沉積在太陽能電池片的表面，從而有效提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換率。但為了清晰客觀的檢測沉積后太陽能電池片
2023-09-27 08:35:49
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由于異質(zhì)結(jié)電池不同于傳統(tǒng)的熱擴(kuò)散型晶體硅太陽能電池，因此在完成對其發(fā)射極以及BSF的注入后，下一個(gè)步驟就是在異質(zhì)結(jié)電池的正反面沉積ITO薄膜，ITO薄膜能夠彌補(bǔ)異質(zhì)結(jié)電池在注入發(fā)射極后的低導(dǎo)電性
2023-09-21 08:36:22206 薄膜沉積是指在基底上沉積特定材料形成薄膜，使之具有光學(xué)、電學(xué)等方面的特殊性能。
2023-07-13 09:10:484003 
韞茂科技成立于2018年，致力于成為平臺形態(tài)的納米級薄膜沉積設(shè)備制造企業(yè)。目前擁有ald原子層沉積系統(tǒng)、pvd物理氣體沉積系統(tǒng)、cvd化學(xué)氣體沉積系統(tǒng)、uhv超高真空涂層設(shè)備等12種產(chǎn)品。
2023-06-28 10:41:03263 18914951168求購廢硅片、碎硅片、廢晶圓、IC藍(lán)膜片、頭尾料 大量收購單晶硅~多晶硅各種廢硅片，頭尾料，邊皮料，IC碎硅片，...
2010-10-31 14:00:00
原子層沉積（Atomic layer deposition，ALD）是一種可以沉積單分子層薄膜的特殊的化學(xué)氣相沉積技術(shù)。
2023-06-15 16:19:211230 
什么是單晶硅，什么是多晶硅，二者究竟是怎么形成的，單晶硅和多晶硅有什么區(qū)別，多晶矽與單晶硅的主要差異體現(xiàn)在物理性質(zhì)方面，主要包括力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)等方面，下面具體來了解下。
2023-06-12 16:44:422621 單晶硅光伏板和多晶硅光伏板都是太陽能電池板的類型，其主要區(qū)別在于材料。
單晶硅光伏板是由單個(gè)晶體制成的硅片組成。該類型的太陽能電池板具有較高的轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性，因此在太陽能發(fā)電領(lǐng)域中應(yīng)用較為廣泛。但是，制造過程成本較高，價(jià)格較貴。
2023-06-08 16:04:413290 離子束輔助沉積 (IBAD) 是一種薄膜沉積技術(shù)，可與濺射或熱蒸發(fā)工藝一起使用，以獲得具有出色工藝控制和精度的最高質(zhì)量薄膜。
2023-06-08 11:10:22547 
在了解芯片沉積工藝之前，先要闡述下薄膜（thin film）的概念。薄膜材料是厚度介于單原子到幾毫米間的薄金屬或有機(jī)物層。
2023-06-08 11:00:121565 
。 PVD 沉積工藝在半導(dǎo)體制造中用于為各種邏輯器件和存儲器件制作超薄、超純金屬和過渡金屬氮化物薄膜。最常見的 PVD 應(yīng)用是鋁板和焊盤金屬化、鈦和氮化鈦襯墊層、阻擋層沉積和用于互連金屬化的銅阻擋層種子沉積。 PVD 薄膜沉積工藝需要一個(gè)高真空的平臺，在
2023-05-26 16:36:51966 碳化硅單晶襯底材料（Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials，以下簡稱SiC襯底）也是晶體材料的一種，屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有耐高壓、耐高溫、高頻、低損耗等優(yōu)勢，是制備大功率電力電子器件以及微波射頻器件的基礎(chǔ)性材料。
2023-05-18 09:54:341314 
ALD技術(shù)是一種將物質(zhì)以單原子膜的形式逐層鍍在基底表面的方法，能夠?qū)崿F(xiàn)納米量級超薄膜的沉積。
2023-04-25 16:01:051404 
薄膜沉積是晶圓制造的三大核心步驟之- - ，薄膜的技術(shù)參數(shù)直接影響芯片性能。
半導(dǎo)體器件的不斷縮小對薄膜沉積工藝提出了更高要求，而ALD技術(shù)憑借沉積薄膜厚度的高度可控性、優(yōu)異的均勻性和三E維保形性,在半導(dǎo)體先進(jìn)制程應(yīng)用領(lǐng)域彰顯優(yōu)勢。
2023-02-16 14:36:54350 半導(dǎo)體設(shè)備系列研究-薄膜沉積設(shè)備
2023-01-13 09:06:52
0 摘 要: 碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性，傳統(tǒng)加工方式已經(jīng)不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對碳化硅單晶襯底加工技術(shù)，本文綜述了碳化硅單晶切片、薄化與拋光工藝段的研究現(xiàn)狀，分析對比了切片、薄化、拋光加工工藝機(jī)理，指出了加工過程中的關(guān)鍵影響因素和未來發(fā)展趨勢。
2023-01-11 11:05:55960 作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的襯底材料，碳化硅單晶具有優(yōu)異的熱、電性能，在高溫、高頻、大功率、抗輻射集成電子器件領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。碳化硅襯底加工精度直接影響器件性能，因此外延應(yīng)用對碳化硅晶片表面質(zhì)量的要求
2022-10-11 16:01:043047 單晶圓系統(tǒng)也能進(jìn)行多晶硅沉積。這種沉積方法的好處之一在于能夠臨場進(jìn)行多晶硅和鎢硅化物沉積。DRAM芯片中通常使用由多晶硅-鈞硅化物形成的疊合型薄膜作為柵極、局部連線及單元連線。臨場多晶硅/硅化物沉積
2022-09-30 11:53:00999 將ZnO:Al薄膜織構(gòu)化與沉積條件的依賴性分開是優(yōu)化ZnO作為太陽能電池中的光散射、透明接觸的一個(gè)重要方面。對于給定的多晶ZnO:Al薄膜，凹坑的密度和形狀可以通過改變各種酸的溫度和濃度來控制。凹坑
2022-05-23 16:51:232111 
中蝕刻的ZnO表面上的HCl蝕刻的演變，并且發(fā)現(xiàn)酸性和堿性溶液的蝕刻位置是相同的。我們的結(jié)論是，在生長過程中，誘導(dǎo)加速腐蝕的“特殊”缺陷形成于薄膜中，并且這些缺陷可以以與單晶ZnO中的螺旋位錯(cuò)類似的方式延伸部分或全部穿過薄膜。
2022-05-09 13:28:32301 
我們已經(jīng)使用“種子層概念”在
薄膜太陽能電池的玻璃上形成大晶粒
多晶硅(
多晶硅)膜，該概念基于薄的大晶粒
多晶硅模板(種子層)的外延增厚。由于玻璃襯底，所有工藝步驟都被限制在大約600℃的溫度?；诜蔷Ч?/div>
2022-04-13 15:24:371174 
了實(shí)驗(yàn)室反應(yīng)器配置。給出了根據(jù)所需薄膜特性設(shè)計(jì)和使用等離子體化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器的參考點(diǎn)。最后，討論了避免粉末形成和提高薄膜生長速率的解決方案。 介紹 在過去的二十年里，非平衡（“冷”）大氣壓力等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(AP-P
2022-02-21 16:50:111728 
太陽能板單晶的好還是單晶的好？這個(gè)問題不能一概而論，這個(gè)要從你側(cè)重哪個(gè)，價(jià)格，弱光，轉(zhuǎn)化效率等等方面去考慮。那首先先分別介紹一下單晶太陽能電池板，多晶太陽能電池板。 單晶太陽能電池
2022-02-17 14:51:5830953 大約100°CTo然后可以致密該碳化硅層以去除氫含量。此外，碳化硅層可以暴露于氮源以提供活性氮-氫基團(tuán)，然后可以使用其它方法堡續(xù)沉積薄膜。等離子體處理?xiàng)l件可用于調(diào)節(jié)薄膜的碳、氫或氮含量。
2022-02-15 11:11:142791 
或者在大約100°CTo然后可以致密該碳化硅層以去除氫含量。此外，碳化硅層可以暴露于氮源以提供活性氮-氫基團(tuán)，然后可以使用其它方法堡續(xù)沉積薄膜。等離子體處理?xiàng)l件可用于調(diào)節(jié)薄膜的碳、氫或氮含量。文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
2022-02-07 14:01:26816 
薄膜集成電路是使用了薄膜工藝在藍(lán)寶石、石英玻璃、陶瓷、覆銅板基片上制作電路元、器件及其接線，最后進(jìn)行封裝而成的。 集成電路薄膜沉積工藝可以分為三類，為物理氣相沉積（PVD）、化學(xué)氣相沉積（CVD
2021-12-22 16:41:067238 研集團(tuán)與電科集團(tuán)間的業(yè)務(wù)合作伙伴關(guān)系。 ? 硅單晶產(chǎn)品被用于泛林、東京電子設(shè)備及臺積電產(chǎn)線 ? 有研半導(dǎo)體成立于2001年6月，目前主要從事硅材料的研究、開發(fā)、生產(chǎn)與經(jīng)營，產(chǎn)品包括集成電路用5-12英寸硅單晶及硅片、功率集
2021-06-26 07:37:003032 半導(dǎo)體單晶和薄膜制造技術(shù)說明。
2021-04-08 13:56:5138 太陽能電池是現(xiàn)代的重要電池產(chǎn)品之一，太陽能電池借助太陽的熱能，為諸多設(shè)備提供了電力支持。為增進(jìn)大家對太陽能電池的了解，本文將對單晶硅太陽能電池和多晶硅薄膜太陽能電池予以介紹。如果你對太陽能電池具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2021-02-17 17:33:007442 硅材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最基礎(chǔ)、最核心的材料，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的復(fù)雜生產(chǎn)流程，也要從基礎(chǔ)硅材料的生產(chǎn)開始。在硅材料的生產(chǎn)中，有兩個(gè)基礎(chǔ)的概念：多晶硅和單晶硅。這二者具體代表什么意思呢？它們的區(qū)別在哪里呢？本篇科普文章就簡單給大家簡單作一個(gè)解析
2020-12-24 13:21:1610450 在激烈的競爭之下，多晶硅因其成本低的優(yōu)勢，市場份額逐漸提高。不過部分企業(yè)也在單晶硅領(lǐng)域持續(xù)研發(fā)，讓單晶硅的成本有了進(jìn)一步下降。 多晶硅方面，目前比較主流的生產(chǎn)工藝主要有兩種，分別為改良西門子法和硅烷
2020-12-09 17:37:192468 電子發(fā)燒友為你提供區(qū)分單晶硅和多晶硅電池板的方法免費(fèi)下載
2020-11-24 18:30:4019 太陽能電池的發(fā)展過程，主要經(jīng)歷了三個(gè)階段： 第一階段，主要是多晶硅、單晶硅太陽能電池。 第二階段，主要是非晶硅薄膜太陽能電池和晶硅薄膜太陽能電池。 第三階段，主要是鈣鈦礦太陽能電池、量子點(diǎn)太陽能電池
2020-11-03 20:54:311564 太陽能電池的發(fā)展過程，主要經(jīng)歷了三個(gè)階段：第一階段，主要是多晶硅、單晶硅太陽能電池。第二階段，主要是非晶硅薄膜太陽能電池和晶硅薄膜太陽能電池。第三階段，主要是鈣鈦礦太陽能電池、量子點(diǎn)太陽能電池、有機(jī)太陽能電池等一些新概念太陽能電池。
2020-09-16 12:20:176702 
單晶爐，全自動(dòng)直拉單晶生長爐，是一種在惰性氣體（氮?dú)?、氦氣為主）環(huán)境中，用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生長無錯(cuò)位單晶的設(shè)備。
2020-08-25 16:07:317387 近日，杭州立昂微電子股份有限公司再傳佳報(bào)，浙江省第一根擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的量產(chǎn)型集成電路用12英寸硅單晶棒在衢州拉制成功。
2019-07-09 10:32:433765 單晶硅光伏組件是以高純的單晶硅棒為原料的太陽能電池板，目前廣泛的應(yīng)用于光伏市場中。單晶硅光伏組件光電轉(zhuǎn)換率較高，在弱光條件下表現(xiàn)比同類產(chǎn)品更好。多晶硅光伏組件是由多晶太陽能電池片按照不同的串、并陣列排列而構(gòu)成的。多晶硅光伏組件性價(jià)比較高，交大光谷的多晶硅光伏組件的發(fā)電效率通常在17%左右。
2019-04-11 13:55:5062075 單晶硅具有兩種同晶，結(jié)晶和無定形。晶體硅進(jìn)一步分為單晶硅和多晶硅，兩者都具有金剛石晶格。該晶體硬且脆，具有金屬光澤，并且是導(dǎo)電的，但導(dǎo)電性不如金屬，并且隨溫度增加，并且具有半導(dǎo)體特性。
2019-04-11 13:53:31173104 制造一個(gè)芯片，需要先將普通的硅制造成硅單晶圓片，然后再通過一系列工藝步驟將硅單晶圓片制造成芯片，其中電子級多晶硅是最高純度等級的多晶硅產(chǎn)品，是整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，由于提純工藝復(fù)雜，導(dǎo)致進(jìn)入壁壘高，行業(yè)的集中度比較高，企業(yè)壟斷性利潤空間大。
2018-10-23 09:47:233936 大家都知道太陽能電池板分為單晶、多晶和非晶硅，現(xiàn)在大多數(shù)太陽能電池板主要以單晶和多晶為材料。那么太陽能電池板是單晶好呢還是多晶好？太陽能電池板單晶好還是多晶好，都有什么特點(diǎn)呢？太陽能板單晶和多晶區(qū)別在哪里？請下文詳解
2018-01-30 09:43:57323933 多晶硅片，是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來，就結(jié)晶成多晶硅。利用價(jià)值：從目前國際太陽電池的發(fā)展過程可以看出其發(fā)展趨勢為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料。
2018-01-29 19:25:1140627 本文已多晶硅為中心，主要介紹了多晶硅的技術(shù)特征、單晶硅與多晶硅的區(qū)別、多晶硅應(yīng)用價(jià)值以及多晶硅行業(yè)走勢概況及預(yù)測進(jìn)行分析。
2017-12-18 11:28:1357596 單晶體是指樣品中所含分子（原子或離子）在三維空間中呈規(guī)則、周期排列的一種固體狀態(tài)。而整個(gè)物體是由許多雜亂無章的排列著的小晶體組成的，這樣的物體叫多晶體。
2017-12-08 17:21:04113221 一、多晶硅電池與單晶硅電池的比較 多晶硅太陽電池與單晶硅太陽電池相比有如下特點(diǎn)： （1）比起單晶硅，多晶硅硅片更適合用純度相對較低的原材料，且有更大的裝填量，目前常見的多晶硅錠達(dá)到 250~270
2017-11-13 14:49:0721 是制造半導(dǎo)體硅器件的原料，用于制大功率整流器、 大功率晶體管、二極管、開關(guān)器件等。 二、多晶硅 polycrystalline silicon 多晶硅是生產(chǎn)單晶硅的直接原料， 是當(dāng)代人
2017-11-07 19:32:0219 一句話解釋各種名詞： 多晶：晶體顆粒小，同樣的體積對應(yīng)更多顆粒。 單晶：晶體顆粒大，同樣的體積對應(yīng)更少顆粒。 （注：由于自由電子會在晶體顆粒邊界處復(fù)合，回到被綁定狀態(tài)，不能再貢獻(xiàn)電流，所以顆粒越小
2017-09-29 09:45:528 CIGs薄膜的制備方法 20世紀(jì)70年代Wagner等瞳］利用CulnSe2單晶制備出了最早的CIS太陽能電池，其效率可以達(dá)到12％。隨著技術(shù)的發(fā)展多晶薄膜電池成為了主要的發(fā)展方向，相繼出現(xiàn)了共蒸發(fā)
2017-09-27 17:52:427 根據(jù)硅片厚度的不同，可分為晶體硅太陽能電池和薄膜硅太陽能電池兩大類。本文主要論述以下幾種硅基太陽能電池的基本原理：單晶硅太陽能電池，多晶硅太陽能電池，多晶硅薄膜太陽能電池，非晶硅薄膜太陽能電池，微晶硅薄膜太陽能電池。
2017-05-09 15:58:2621683 
本文主要研究了導(dǎo)致組件CTM損失的可能因素，重點(diǎn)分析了造成單晶組件和多晶組件CTM差異的原因。光學(xué)損失和B-O復(fù)合之間的差異決定了多晶組件的CTM損失要少于單晶組件，對于硼氧復(fù)合損失可以想辦法改善，但對于光學(xué)損失的差異，針對單晶沒有更好的解決方法。
2016-01-29 11:01:405112 單晶硅和多晶硅的區(qū)別是，當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則形成單晶硅。如果這些晶核長成晶面取向不同的
2012-10-19 17:23:449841 中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司近日公布了三項(xiàng)新產(chǎn)品：國內(nèi)首顆8英寸區(qū)熔硅單晶、直拉區(qū)熔高效太陽能電池用硅單晶和8英寸〈110〉晶向直拉硅單晶。
2011-12-26 09:45:27477 低壓化學(xué)氣相沉積、固相晶化、準(zhǔn)分子激光晶化、快速熱退火、金屬誘導(dǎo)晶化、等離子體增強(qiáng)化學(xué)反應(yīng)氣相沉積等是目前用于制備多晶硅薄膜的幾種主要方法。它們具有各自不同的制備
2011-10-18 12:04:041903 單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。熔融的單質(zhì)硅在凝固時(shí)硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成
2011-06-23 10:43:22149 原本堅(jiān)持做薄膜電池的無錫尚德，做出了一個(gè)艱難的決定。公司將原本擬生產(chǎn)薄膜太陽能電池的上海工廠，轉(zhuǎn)產(chǎn)多晶硅電池。11月初，無錫尚德上海新的多晶硅電池生產(chǎn)廠正式投產(chǎn)，
2010-11-26 11:11:25846 1）區(qū)域熔煉法 以高純多晶硅為原料，制成棒狀，并將多晶硅棒垂直固定，在多晶硅棒的下端放置具有一定晶相的單晶硅
2010-07-18 11:22:116097 多晶硅四川230億資本轉(zhuǎn)戰(zhàn)薄膜太陽能
曾瘋狂一時(shí)的多晶硅行業(yè)還在遭受陣痛，另一新領(lǐng)域——薄膜太陽能已開始受到資本追捧。3月19日，一座耗資12億元的非晶硅薄膜
2010-03-05 08:51:14631 《太陽能電池用硅單晶》國家標(biāo)準(zhǔn) 開化起草全國獲獎(jiǎng)
筆者昨日從開化縣質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局了解到，全國半導(dǎo)體設(shè)備材料標(biāo)準(zhǔn)化
2010-02-05 09:05:13652 薄膜電池成市場主導(dǎo)是必然趨勢
簡要內(nèi)容：太陽能光伏板主要分為兩類:單晶/多晶硅及薄膜太陽能電池。薄膜電池的光電轉(zhuǎn)
2010-01-28 08:45:05523 公司立足自主創(chuàng)新，攻克了12 英寸硅單晶生長的熱場設(shè)計(jì)和安全、雜質(zhì)和缺陷的控制、硅片幾何參數(shù)的精密控制、表面金屬和顆粒的去除等關(guān)鍵技術(shù)難題，形成了從單晶生長到晶
2009-12-21 10:26:4722 6 英寸重?fù)缴?b style="color: red">硅單晶及拋光片有研半導(dǎo)體材料股份有限公司1 半導(dǎo)體硅材料在國民經(jīng)濟(jì)中的意義在全球信息化和經(jīng)濟(jì)全球化的進(jìn)程中，以通信業(yè)、計(jì)算機(jī)業(yè)、網(wǎng)絡(luò)業(yè)、家電業(yè)
2009-12-14 11:26:1020 多晶硅薄膜太陽能電池的研制及發(fā)展趨勢摘 要: 闡述了多晶硅薄膜太陽能電池的結(jié)構(gòu)、特點(diǎn), 以及多晶硅薄膜的制備方法, 并展望了多晶硅薄膜電池的發(fā)展趨勢和前
2009-11-04 11:57:4541 什么是多晶硅太陽電池？
多晶硅太陽電池的性能基本與單晶硅太陽電池相同，目前國
2009-10-23 14:34:42589 insb-多晶薄膜霍爾傳感器的性能研究：它是一種利用霍爾效應(yīng)進(jìn)行工作的半導(dǎo)體磁電器件
2009-04-02 09:42:3515 硅單晶外延層的質(zhì)量檢測與分析
表征外延層片質(zhì)量的主要參數(shù)是外延層電阻率、厚度、層錯(cuò)及位錯(cuò)密度、少數(shù)載流子壽命
2009-03-09 13:55:402231 
半導(dǎo)體制程之薄膜沉積
在半導(dǎo)體組件工業(yè)中，為了對所使用的材料賦與某種特性，在材料表面上常以各種方法形成被膜而加以使用，假如
2009-03-06 17:14:585284 
集成電路工藝專題實(shí)驗(yàn) Topic Experiments of Integrate Circuit Techniques
實(shí)驗(yàn)一 硅單晶(或多晶)薄膜的沉積………………………………………………………3實(shí)驗(yàn)二 硅單晶外延層的質(zhì)
2009-03-06 14:06:565 單晶硅與多晶硅的區(qū)別
單晶硅和多晶硅的區(qū)別是，當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些
2009-03-04 15:13:584035 多晶薄膜與薄膜太陽電池引言 近幾年來，光伏市場發(fā)展極其迅速，1997年光伏組件的銷售量達(dá)122Vw，比上年增加38％。世界主要幾大公司宣稱，近期
2009-02-23 21:18:421829 
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