1. AMD砸6.65億美元收購芬蘭初創(chuàng)公司Silo AI,與英偉達(dá)競爭
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根據(jù)英國業(yè)界周三(7月10日)消息,AMD將以6.65億美元收購芬蘭人工智能(AI)初創(chuàng)公司Silo AI,意圖尋求擴(kuò)大其AI服務(wù),以與市場領(lǐng)導(dǎo)者英偉達(dá)競爭。
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AMD 表示,Silo AI的300名成員將使用其軟件工具建構(gòu)定制大型語言模型(LLM),這筆全現(xiàn)金收購預(yù)料將在今年下半年完成,不過仍須獲得監(jiān)管機(jī)構(gòu)批準(zhǔn)。AMD人工智能事業(yè)群資深副總裁Vamsi Boppana表示,該筆交易既有助于公司加快與客戶的接觸與布署,也有助加速自家AI技術(shù)。
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2. 三星、SK海力士探索激光解鍵合技術(shù) 或用于HBM4
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據(jù)韓媒報道,三星電子和SK海力士已經(jīng)開始進(jìn)行高帶寬存儲器(HBM)晶圓的工藝技術(shù)轉(zhuǎn)換,這一轉(zhuǎn)換以防止晶圓翹曲的新技術(shù)引入為核心,被認(rèn)為是針對下一代HBM。預(yù)計隨著工藝轉(zhuǎn)換,材料和設(shè)備供應(yīng)鏈也將發(fā)生變化。
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據(jù)悉三星電子和SK海力士,最近正在與合作伙伴一起開發(fā)將HBM用晶圓剝離(解鍵合)工藝改為激光方法。晶圓解鍵合是在工藝中將變薄的晶圓從臨時載片上分離出來的工作。半導(dǎo)體制造過程中,主晶圓和載體晶圓是通過粘合劑粘在一起的,然后用刀片剝離,因此被稱為機(jī)械解鍵合。
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3. 夏普攜手Aoi將三重工廠將轉(zhuǎn)為先進(jìn)封裝產(chǎn)線,生產(chǎn)FOLP產(chǎn)品
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鴻海旗下子公司夏普公司(Sharp Corporation)宣布,與日本電子元件制造商Aoi Electronics達(dá)成合作協(xié)議,將在夏普位于三重縣的液晶面板工廠內(nèi)引入先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝生產(chǎn)線,用于生產(chǎn)Aoi的Fan-out Laminate Package(FOLP)產(chǎn)品。
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Aoi Electronics、夏普以及Sharp Display Technology已于今日簽署了基本合作協(xié)議。根據(jù)協(xié)議,Aoi Electronics將利用夏普三重工廠的現(xiàn)有廠房和設(shè)施,建立半導(dǎo)體后段制程生產(chǎn)線。預(yù)計該生產(chǎn)線將在2024年內(nèi)建成,并計劃于2026年全面投產(chǎn),屆時月產(chǎn)能將達(dá)到2萬片。
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4. 三星電子工會計劃“無限期”罷工,將中斷芯片生產(chǎn)
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三星電子全國工會表示,準(zhǔn)備將正在進(jìn)行的罷工“無限期”延長,此舉可能會影響全球最大存儲制造商廠商的芯片生產(chǎn)。三星工會在其網(wǎng)站上發(fā)表聲明稱,在“確認(rèn)管理層無意進(jìn)行對話”后,工會宣布總罷工。
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工會呼吁總罷工,這急速加劇了與三星的爭端。7月8日,數(shù)千名工人在首爾南部的三星芯片制造廠外集會,開始了最初為期三天的罷工,要求三星提高工資,并履行帶薪休假承諾,此外需賠償因罷工造成的工資損失。這是三星集團(tuán)半個世紀(jì)以來規(guī)模最大的有組織勞工行動。工會最新聲明表示,“我們已經(jīng)明確確定中斷生產(chǎn)線,三星公司將對這一決定感到遺憾,我們認(rèn)為管理層最終會讓步,坐上談判桌?!?br />
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5. 機(jī)構(gòu):中國面板廠商主導(dǎo)大尺寸LCD電視市場,份額逾70%
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據(jù)研究機(jī)構(gòu)Omdia報告,目前中國面板制造商正領(lǐng)導(dǎo)全球大尺寸電視LCD(液晶)面板市場,包括京東方、TCL華星光電、HKC等正成為這一市場的主導(dǎo)者。這些公司占據(jù)65/75/85英寸液晶電視市場70%~85%份額,在超大尺寸(90~115英寸)液晶電視市場中,幾乎占據(jù)100%份額。
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從2024年1月至5月,TCL、海信等中國電視品牌,在面板采購市場的份額擴(kuò)大至28%,這些品牌率先采用超大尺寸面板(98~115英寸)的戰(zhàn)略引人注目。這一戰(zhàn)略不僅幫助面板制造商有效利用產(chǎn)能,還支持中國電視品牌成為全球超大尺寸液晶電視市場的全球領(lǐng)導(dǎo)者。
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6. 小鵬 P7+ 汽車官圖首次亮相:尺寸超 5 米,號稱“開啟智駕新時代”
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小鵬汽車董事長何小鵬官宣,將推一款小鵬 P7+ 全新車型。該車尺寸超 5 米,號稱“技術(shù) +”。何小鵬還稱,小鵬 P7+ 的使命是“開啟智駕新時代”。
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按照官方此前的財報電話會議內(nèi)容,這款小鵬 P7+ 預(yù)計就是四季度將推出的新型 B 級全電動轎車,也是首款實現(xiàn)技術(shù)成本降低 25% 目標(biāo)的車型。根據(jù)此前爆料,該車內(nèi)部代號 F57,將不會使用任何激光雷達(dá),而是首次轉(zhuǎn)向類似于特斯拉 FSD 的純視覺智駕解決方案。
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今日看點丨三星、SK海力士探索激光解鍵合技術(shù) 或用于HBM4;小鵬 P7+ 汽車官圖首次亮相
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三星/SK海力士將大規(guī)模投資研發(fā)
為突破半導(dǎo)體市場的不景氣,三星電子(Samsung Electronics)致力升級微細(xì)制程技術(shù);SK海力士(SK Hynix)則準(zhǔn)備以史上最大規(guī)模的投資計劃應(yīng)戰(zhàn)。
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存儲器市場漲水,SK海力士價格一路飆升35%,三星將增產(chǎn)?
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三星SK海力士引領(lǐng)韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營利破256億美元
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2017-01-24 09:12:34821
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2021-07-13 06:36:583097
SK海力士開發(fā)業(yè)界第一款HBM3 DRAM
SK海力士(或“公司”,www.skhynix.com) 宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:471632
今日看點丨消息稱 MIUI 14 是 MIUI 最后一個正式大版本;韓國:三星、SK 海力士中國工廠獲得美國無限期許可
芯片設(shè)備的豁免期限。也就是說,在無需單獨批準(zhǔn)的情況下,三星電子和 SK 海力士可以任意向中國工廠供應(yīng)含美國技術(shù)的半導(dǎo)體設(shè)備。 ? 韓聯(lián)社表示,美國商務(wù)部正在更新其“經(jīng)過驗證的最終用戶”名單,以確定哪些實體可以獲得特定技術(shù)的出口。一旦
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追趕SK海力士,三星、美光搶進(jìn)HBM3E
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2023-10-25 18:25:243042
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三星布陣Asian Edge 第一島鏈再成科技最前線
的商機(jī)仍然暢旺,在供給端僅有三星、SK海力士、美光,加上新技術(shù)量產(chǎn)困難,在這些現(xiàn)實下,2019年對存儲器廠商而言仍會是個豐收的年度。如果要考慮供過于求的變量,可能是第二代10nm等級的DRAM技術(shù)
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三星存儲業(yè)務(wù)派狼將金奇南對戰(zhàn)SK海力士 SK海力士如臨大敵
三星的金奇南猶如一名狼將,金奇南的狼性展現(xiàn)在他的投資企圖上,是一名難得的競爭對手。對于金奇南出任存儲業(yè)務(wù)的CEO時,SK海力士如臨大敵般的恐慌。
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三星、SK海力士準(zhǔn)備向中國采購原材料 化解目前危機(jī)
為了化解危機(jī),三星電子、SK海力士準(zhǔn)備向中國大陸及中國臺灣采購更多材料。另外,韓國企業(yè)還會去日本之外的國家尋找?guī)齑娑嘤嗟钠髽I(yè),向它們采購。
2019-07-11 14:46:123147
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2019-07-17 10:03:303122
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2019-12-18 16:36:542865
禁令影響 三星電子和SK海力士將在9月15日停止向華為出售芯片
軟件技術(shù)的產(chǎn)品。 正如外媒分析的那樣,禁令對三星、SK海力士的傷害并不亞于華為,以SK海力士為例,其上半年133億美元的營收中,4成都來自對華為的出口。 有報道跟進(jìn)表示,事實上三星和SK海力士已經(jīng)向美方提交申請,希望允許在15日后繼續(xù)向
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三星和 SK 海力士將停止向華為出售零部件
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2020-09-15 16:41:402485
斷供華為 三星、SK海力士:我也不想啊
發(fā)布當(dāng)天(8月17日),三星、SK海力士等韓企就已停止生產(chǎn)向華為供應(yīng)的半導(dǎo)體。響應(yīng)如此迅速,難道斷供華為也是韓企的愿望嗎? 斷供華為,三星、SK海力士:我也不想啊 此番斷供,三星、SK海力士等韓企也是迫不得已。 華為此前公布,
2020-09-17 15:15:132362
三星和SK海力士斷供華為,華為大量采購芯片價格大漲15%
據(jù)報道,韓國三星和SK海力士宣布9月15日將停止向華為出售芯片。禁令期將至,華為何去何從?
2020-09-22 11:33:223421
三星電子和SK海力士已停止對華為出貨芯片產(chǎn)品
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2023-10-10 11:40:181035
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2023-12-19 09:20:35492
傳三星/SK海力士已開始訂購DRAM機(jī)群工藝和HBM相關(guān)設(shè)備
數(shù)據(jù)顯示,首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴(kuò)大其HBM生產(chǎn)能力,并啟動大規(guī)模HBM設(shè)備采購;此外,三星和SK海力士計劃加強(qiáng)DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移,進(jìn)一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:22970
三星電子和SK海力士將聯(lián)合投資622萬億韓元 推進(jìn)“超級集群”計劃
三星電子和SK海力士將聯(lián)合投資622萬億韓元,推進(jìn)“超級集群”計劃。
2024-01-23 11:35:48635
三星加大投資提升HBM產(chǎn)能,與SK海力士競爭加劇
近日,據(jù)報道,三星電子正計劃大規(guī)模擴(kuò)大其HBM(高帶寬內(nèi)存)產(chǎn)能,以滿足不斷增長的市場需求。這一舉措將進(jìn)一步加劇與SK海力士的競爭。
2024-01-26 15:33:09746
OpenAI首席執(zhí)行官會見三星和SK海力士高管
近日,OpenAI的首席執(zhí)行官Sam Altman前往韓國,與三星電子和SK海力士的高管進(jìn)行了會面。據(jù)報道,這次會面的主要議題是探討建立一個AI半導(dǎo)體聯(lián)盟以及投資機(jī)會的可能性。
2024-01-30 18:23:461073
SK海力士宣布HBM內(nèi)存生產(chǎn)配額全部售罄
SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示,作為 HBM 行業(yè)翹楚,海力士洞察到市場對 HBM 存儲的巨大需求,現(xiàn)已提前調(diào)整產(chǎn)量,以期更好地滿足市場需求,保護(hù)其市場占有率。
2024-02-23 14:12:00808
三星追趕AI芯片競賽,計劃采用海力士制造技術(shù)
三星必須采取一些措施來提高其HBM產(chǎn)量......采用MUF技術(shù)對三星來說有點不得已而為之,因為它最終遵循了SK海力士首次使用的技術(shù)。
2024-03-14 11:00:14692
三星否認(rèn)MR-RUF方式用于HBM內(nèi)存生產(chǎn)
實現(xiàn)HBM的關(guān)鍵所在為多層DRAM堆疊,市場主要采用兩種鍵合作程: SK海力士旗下的MR-RUF與三星的TC-NCF方案。前者為反流焊接粘附DRAM,后填塑模具填充間隙;后者則為熱壓粘連NCF(非導(dǎo)電薄膜)至各DRAM層之間。
2024-03-14 16:31:21914
英偉達(dá)對三星HBM3E進(jìn)行測試,海力士仍穩(wěn)坐HBM市場頭把交椅
現(xiàn)如今,SK海力士為英偉達(dá)AI半導(dǎo)體提供主要HBM產(chǎn)品,同時自去年起,美光公司也加入了該供應(yīng)陣營。據(jù)悉,相比其他競爭對手,三星電子在HBM授權(quán)上大約晚了一年有余。
2024-03-22 09:53:23707
英偉達(dá)尋求從三星采購HBM芯片
英偉達(dá)正在尋求與三星建立合作伙伴關(guān)系,計劃從后者采購高帶寬存儲(HBM)芯片。HBM作為人工智能(AI)芯片的核心組件,其重要性不言而喻。與此同時,三星正努力追趕業(yè)內(nèi)領(lǐng)頭羊SK海力士,后者已率先實現(xiàn)下一代HBM3E芯片的大規(guī)模量產(chǎn)。
2024-03-25 11:42:04712
剛剛!SK海力士出局!
在基礎(chǔ)晶圓上通過硅通孔(TSV)連接多層DRAM,首批HBM3E產(chǎn)品均采用8層堆疊,容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達(dá)發(fā)送了樣品。此前有消息稱,英偉達(dá)已經(jīng)向SK海力士支付了約合5.4億至7.7億美元的預(yù)付款,供應(yīng)下一代HBM3E。 SK海力士和三星都在推進(jìn)12層
2024-03-27 09:12:08589
三星聯(lián)席CEO在AI合作交流中力推HBM內(nèi)存
慶桂顯此行主要推廣三星的HBM內(nèi)存,并探索AI合作可能性。然而,由于此前在HBM策略上出現(xiàn)失誤,三星已被競爭對手SK海力士超越;位于第三位的美光近年來也在HBM3芯片上取得突破,成功獲得英偉達(dá)H200訂單。
2024-04-16 16:46:05603
SK海力士聯(lián)手臺積電推出HBM4,引領(lǐng)下一代DRAM創(chuàng)新
SK海力士表示,憑借其在AI應(yīng)用領(lǐng)域存儲器發(fā)展的領(lǐng)先地位,以及與臺積電在全球頂尖邏輯代工領(lǐng)域的深厚合作基礎(chǔ),該公司有信心持續(xù)引領(lǐng)HBM技術(shù)創(chuàng)新。通過整合IC設(shè)計廠、晶圓代工廠及存儲器廠的技術(shù)資源,SK海力士將進(jìn)一步提升存儲器產(chǎn)品性能,實現(xiàn)新的突破。
2024-04-19 09:28:04524
SK海力士與臺積電共同研發(fā)HBM4,預(yù)計2026年投產(chǎn)
自 HBM3E(第五代 HBM 產(chǎn)品)起,SK海力士的 HBM 產(chǎn)品基礎(chǔ)裸片均采用自家工藝生產(chǎn);然而,從 HMB4(第六代 HBM 產(chǎn)品)開始,該公司將轉(zhuǎn)用臺積電的先進(jìn)邏輯工藝。
2024-04-19 10:32:07606
SK海力士將采用臺積電7nm制程生產(chǎn)HBM4內(nèi)存基片
HBM內(nèi)存基礎(chǔ)裸片即DRAM堆疊基座,兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議,首要任務(wù)便是提升HBM基礎(chǔ)邏輯芯片性能。
2024-04-23 16:41:19786
SK海力士提前完成HBM4內(nèi)存量產(chǎn)計劃至2025年
SK海力士宣布,計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品,而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據(jù)該公司上月與臺積電簽署的HBM基礎(chǔ)裸片合作協(xié)議,原本預(yù)計HBM4內(nèi)存要等到2026年才會問世。
2024-05-06 15:10:21442
SK海力士明年HBM產(chǎn)能基本售罄
SK海力士近日宣布,其高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片在2025年的產(chǎn)能已經(jīng)基本售罄。這一成績主要歸功于人工智能(AI)技術(shù)的蓬勃發(fā)展,極大地推動了市場對HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39450
SK海力士加速HBM4E內(nèi)存研發(fā),預(yù)計2026年面市
HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市場需求,SK海力士將提速研發(fā)進(jìn)程,預(yù)計最快在 2026 年推出 HBM4E 內(nèi)存在內(nèi)存帶寬上比 HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09429
漲價20%!三星、 SK 海力士將停止供貨這類芯片
業(yè)界傳出,全球前二大DRAM供貨商三星、SK海力士全力沖刺高帶寬內(nèi)存(HBM)與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存,下半年起將停止供應(yīng)DDR3利基型DRAM,引起市場搶貨潮,導(dǎo)致近期DDR3價格飆漲,最高漲幅達(dá)二成,且下半年報價還會再上揚。
2024-05-14 10:31:58381
三星電子與SK海力士預(yù)測存儲芯片市場需求強(qiáng)烈,HBM產(chǎn)能售罄
全球知名存儲芯片制造巨頭三星及SK海力士預(yù)判,今年DRAM和高帶寬存儲器(HBM)價格將持續(xù)攀升,受益于市場對于高端芯片,尤其是人工智能相關(guān)芯片的強(qiáng)大需求。
2024-05-15 09:23:52422
SK海力士提前一年量產(chǎn)HBM4E第七代高帶寬存儲器
據(jù)業(yè)內(nèi)人士預(yù)計,HBM4E的堆疊層數(shù)將增加到16~20層,而SK海力士原本計劃在2026年量產(chǎn)16層的HBM4產(chǎn)品。此外,該公司還暗示,有可能從HBM4開始采用“混合鍵合”技術(shù)以實現(xiàn)更高的堆疊層數(shù)。
2024-05-15 09:45:35407
SK海力士HBM4E存儲器提前一年量產(chǎn)
SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上,由先進(jìn)HBM技術(shù)團(tuán)隊負(fù)責(zé)人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進(jìn)展。SK海力士計劃從2026年開始,提前一年量產(chǎn)其第七代高帶寬存儲器HBM4E。這一消息表明,SK海力士在HBM技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)速度正在加快。
2024-05-15 11:32:13802
三星HBM3E芯片驗證仍在進(jìn)行,英偉達(dá)訂單分配備受關(guān)注
業(yè)內(nèi)評論指出,三星HBM之所以出現(xiàn)問題,主要原因在于負(fù)責(zé)英偉達(dá)GPU制造的臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標(biāo)準(zhǔn)。由于SK海力士8層HBM3E的生產(chǎn)方式與三星有所差異,導(dǎo)致三星產(chǎn)品未能順利通過驗證。
2024-05-16 17:56:201188
臺積電在歐洲技術(shù)研討會上展示HBM4的12FFC+和N5制造工藝
目前,我們正在攜手眾多HBM存儲伙伴(如美光、三星、SK海力士等)共同推進(jìn)HBM4在先進(jìn)制程中的全面集成。12FFC+基礎(chǔ)Dies在滿足HBM性能需求的同時,具有顯著的成本優(yōu)勢;而N5基礎(chǔ)Dies則可在較低功耗條件下實現(xiàn)HBM4的預(yù)期速度。
2024-05-17 10:07:08516
三星和SK海力士下半年停產(chǎn)DDR3內(nèi)存
近日,三星和SK海力士宣布,將于下半年停止生產(chǎn)并供應(yīng)DDR3內(nèi)存,轉(zhuǎn)向利潤更高的DDR5內(nèi)存和HBM系列高帶寬內(nèi)存。此舉標(biāo)志著內(nèi)存行業(yè)的一次重要轉(zhuǎn)型。
2024-05-17 10:12:21639
SK海力士HBM技術(shù)再創(chuàng)新高,將集成更多功能
SK海力士正全力開發(fā)HBM4E存儲設(shè)備,意欲打造集計算、緩存和網(wǎng)絡(luò)存儲于一身的新型HBM產(chǎn)品,進(jìn)而提升性能與數(shù)據(jù)傳輸速率。
2024-05-29 16:41:27558
SK海力士HBM4芯片前景看好
瑞銀集團(tuán)最新報告指出,SK海力士的HBM4芯片預(yù)計從2026年起,每年將貢獻(xiàn)6至15億美元的營收。作為高帶寬內(nèi)存(HBM)市場的領(lǐng)軍企業(yè),SK海力士已在今年2月宣布其HBM產(chǎn)能已全部售罄,顯示其產(chǎn)品的強(qiáng)勁需求。
2024-05-30 10:27:22758
三星與海力士引領(lǐng)DRAM革新:新一代HBM采用混合鍵合技術(shù)
在科技日新月異的今天,DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)作為計算機(jī)系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件,其技術(shù)革新一直備受矚目。近日,據(jù)業(yè)界權(quán)威消息源透露,韓國兩大DRAM芯片巨頭——三星和SK海力士,都將在新一代高帶寬
2024-06-25 10:01:36648
臺積電攜手創(chuàng)意電子,斬獲SK海力士HBM4芯片大單
在全球半導(dǎo)體市場的激烈競爭中,臺積電再次憑借其卓越的技術(shù)實力和創(chuàng)新能力,攜手旗下子公司創(chuàng)意電子,成功斬獲了SK海力士在下一代HBM4(High Bandwidth Memory 4)芯片領(lǐng)域的重大
2024-06-25 10:13:12587
ASMPT與美光攜手開發(fā)下一代HBM4鍵合設(shè)備
在半導(dǎo)體制造技術(shù)的持續(xù)演進(jìn)中,韓國后端設(shè)備制造商ASMPT與全球知名的內(nèi)存解決方案提供商美光公司近日宣布了一項重要的合作。據(jù)悉,ASMPT已向美光提供了專用于高帶寬內(nèi)存(HBM)生產(chǎn)的演示熱壓(TC)鍵合機(jī),雙方將攜手開發(fā)下一代鍵合技術(shù),以支持HBM4的生產(chǎn)。
2024-07-01 11:04:15818
美光HBM市場雄心勃勃,SK海力士加速應(yīng)對挑戰(zhàn)
雄心勃勃的宣言無疑給當(dāng)前HBM市場的兩大主要競爭對手——SK海力士和三星帶來了不小的競爭壓力,尤其是SK海力士,作為韓國DRAM行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè),正嚴(yán)陣以待,積極調(diào)整策略以應(yīng)對美光的挑戰(zhàn)。
2024-07-03 09:28:59501
三星、SK海力士探索激光解鍵合技術(shù)
在半導(dǎo)體技術(shù)的浩瀚星空中,三星電子與SK海力士正攜手點亮一顆璀璨的新星——高帶寬存儲器(HBM)晶圓工藝技術(shù)的重大革新。據(jù)韓媒最新報道,這兩家行業(yè)巨頭已正式邁入下一代HBM的技術(shù)探索之旅,其核心在于引入一種旨在防止晶圓翹曲的新技術(shù),這一變革預(yù)示著HBM制造領(lǐng)域的新篇章。
2024-07-12 09:29:56709
英偉達(dá)、臺積電與SK海力士攜手,2026年量產(chǎn)HBM4內(nèi)存,能效顯著提升
科技行業(yè)持續(xù)向AI時代邁進(jìn)的浪潮中,英偉達(dá)、臺積電與SK海力士三大巨頭宣布了一項重大合作,旨在通過組建“三角聯(lián)盟”共同推進(jìn)下一代高帶寬內(nèi)存(HBM)技術(shù)的發(fā)展,特別是備受矚目的HBM4內(nèi)存。這一合作不僅標(biāo)志著半導(dǎo)體行業(yè)的一次重要聯(lián)手,也為未來數(shù)據(jù)處理和計算性能的提升奠定了堅實基礎(chǔ)。
2024-07-15 17:28:05750
SK海力士將在HBM生產(chǎn)中采用混合鍵合技術(shù)
在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天,SK海力士再次站在了行業(yè)創(chuàng)新的前沿。據(jù)最新消息,該公司計劃于2026年在其高性能內(nèi)存(High Bandwidth Memory, HBM)的生產(chǎn)過程中引入混合鍵合技術(shù),這一舉措不僅標(biāo)志著SK海力士在封裝技術(shù)上的重大突破,也預(yù)示著全球半導(dǎo)體行業(yè)將迎來新一輪的技術(shù)革新。
2024-07-17 09:58:19771
SK海力士探索無焊劑鍵合技術(shù),引領(lǐng)HBM4創(chuàng)新生產(chǎn)
在半導(dǎo)體存儲技術(shù)的快速發(fā)展浪潮中,SK海力士,作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商,正積極探索前沿技術(shù),以推動高帶寬內(nèi)存(HBM)的進(jìn)一步演進(jìn)。據(jù)最新業(yè)界消息,SK海力士正著手評估將無助焊劑鍵合工藝引入其下一代HBM4產(chǎn)品的生產(chǎn)中,這一舉措標(biāo)志著公司在追求更高性能、更小尺寸內(nèi)存解決方案上的又一次大膽嘗試。
2024-07-17 15:17:47942
SK海力士攜手臺積電,N5工藝打造高性能HBM4內(nèi)存
在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天,SK海力士再次引領(lǐng)行業(yè)潮流,宣布將采用臺積電先進(jìn)的N5工藝版基礎(chǔ)裸片來構(gòu)建其新一代HBM4內(nèi)存。這一舉措不僅標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲解決方案領(lǐng)域的持續(xù)深耕,也預(yù)示著HBM內(nèi)存技術(shù)即將邁入一個全新的發(fā)展階段。
2024-07-18 09:47:53624
SK海力士轉(zhuǎn)向4F2 DRAM以降低成本
SK海力士近日宣布了一項重要計劃,即開發(fā)采用4F2結(jié)構(gòu)(垂直柵)的DRAM。這一決策緊跟其競爭對手三星的步伐,標(biāo)志著SK海力士在DRAM制造領(lǐng)域的新探索。SK海力士研究員表示,隨著極紫外(EUV
2024-08-14 17:06:43802
三星電子加速推進(jìn)HBM4研發(fā),預(yù)計明年底量產(chǎn)
三星電子在半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新之路上再邁堅實一步,據(jù)業(yè)界消息透露,該公司計劃于今年年底正式啟動第6代高帶寬存儲器(HBM4)的流片工作。這一舉措標(biāo)志著三星電子正緊鑼密鼓地為明年年底實現(xiàn)12層HBM4產(chǎn)品的量產(chǎn)做足準(zhǔn)備。
2024-08-22 17:19:07629
三星、SK海力士及美光正全力推進(jìn)HBM產(chǎn)能擴(kuò)張計劃
近期,科技界傳來重要消息,三星、SK海力士及美光三大半導(dǎo)體巨頭正全力推進(jìn)高帶寬內(nèi)存(HBM)的產(chǎn)能擴(kuò)張計劃。據(jù)預(yù)測,至2025年,這一領(lǐng)域的新增產(chǎn)量將激增至27.6萬個單位,推動年度總產(chǎn)量翻番至54萬個單位,實現(xiàn)驚人的105%年增長率,標(biāo)志著HBM產(chǎn)能的顯著飛躍。
2024-08-29 16:43:25853
SK海力士引領(lǐng)未來:全球首發(fā)12層HBM3E芯片,重塑AI存儲技術(shù)格局
今日,半導(dǎo)體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業(yè)界矚目的技術(shù)里程碑,該公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)模化生產(chǎn),此舉不僅將HBM存儲器的最大容量推升至史無前例的36GB新高度,更進(jìn)一步鞏固了SK海力士在AI應(yīng)用存儲器市場的領(lǐng)軍地位。
2024-09-26 16:30:31810
SK海力士Q3利潤有望趕超三星半導(dǎo)體
隨著三星電子定于10月8日發(fā)布第三季度初步財務(wù)報告,市場焦點轉(zhuǎn)向了其與SK海力士之間營業(yè)利潤的預(yù)期差距如何進(jìn)一步拉大。
SK海力士因在高帶寬內(nèi)存(HBM)領(lǐng)域的強(qiáng)勁表現(xiàn),預(yù)計將迎來歷史最佳
2024-10-08 15:58:35642
韓華精密機(jī)械向SK海力士提供HBM設(shè)備
韓華精密機(jī)械公司正式宣告,已成功向SK海力士提供了高帶寬存儲器(HBM)生產(chǎn)中的核心設(shè)備——TC鍵合測試設(shè)備。
針對10月16日部分媒體所報道的“韓華精密機(jī)械與SK海力士的HBM TC鍵
2024-10-18 15:51:08437
三星與SK海力士市值份額差距縮至13年最小
韓國交易所近日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,三星電子與SK海力士的市值份額差距已經(jīng)縮小至近13年來的最低水平。
2024-10-28 15:44:59467
小鵬P7+引領(lǐng)能耗管理革新,續(xù)航提升顯著
10月30日,在“小鵬P7+三電技術(shù)溝通會”上,小鵬汽車動力總成中心負(fù)責(zé)人顧捷先生分享了小鵬P7+在純電能耗管理方面的卓越表現(xiàn)。他強(qiáng)調(diào),小鵬汽車始終將能耗水平視為檢驗續(xù)航能力的核心標(biāo)準(zhǔn),拒絕采用簡單的“堆電池”策略,而是致力于通過系統(tǒng)化方案解決能耗難題。
2024-10-30 15:11:24890
英偉達(dá)加速推進(jìn)HBM4需求,SK海力士等存儲巨頭競爭加劇
韓國大型財團(tuán)SK集團(tuán)的董事長崔泰源在周一的采訪中透露,英偉達(dá)的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK集團(tuán)旗下的存儲芯片制造巨頭SK海力士提出要求,希望其能提前六個月推出下一代高帶寬存儲產(chǎn)品HBM4。SK海力士此前
2024-11-04 16:17:00518
英偉達(dá)向SK海力士提出提前供應(yīng)HBM4芯片要求
近日,韓國SK集團(tuán)會長透露了一項重要信息,即英偉達(dá)公司的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK海力士提出了一項特殊的要求。黃仁勛希望SK海力士能夠提前六個月供應(yīng)其下一代高帶寬內(nèi)存芯片,這款芯片被命名為HBM4
2024-11-05 10:52:48298
HBM4需求激增,英偉達(dá)與SK海力士攜手加速高帶寬內(nèi)存技術(shù)革新
董事長崔泰源透露,英偉達(dá)公司首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK海力士提出請求,希望其能提前六個月供應(yīng)最新一代的高帶寬內(nèi)存芯片——HBM4。
2024-11-05 14:13:03315
英偉達(dá)加速Rubin平臺AI芯片推出,SK海力士提前交付HBM4存儲器
日,英偉達(dá)(NVIDIA)的主要高帶寬存儲器(HBM)供應(yīng)商南韓SK集團(tuán)會長崔泰源透露,英偉達(dá)執(zhí)行長黃仁勛已要求SK海力士提前六個月交付用于英偉達(dá)下一代AI芯片平臺Rubin的HBM4存儲芯片。這一消息意味著英偉達(dá)下一代AI芯片平臺的問世時間將提前半年。
2024-11-05 14:22:09370
SK海力士推出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品
領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,更為未來的高性能計算市場帶來了全新的可能性。 SK海力士CEO郭魯正(Kwak Noh-Jung)表示,盡管業(yè)界普遍認(rèn)為16層HBM市場將從HBM4時代開始興起,但SK海力士憑借前瞻性的技術(shù)布局
2024-11-05 15:01:20327
SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片
在近日舉行的SK AI峰會上,韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著SK海力士在高端存儲技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:05360
特斯拉或向SK海力士、三星采購HBM4芯片
近日,SK海力士和三星電子正在為特斯拉公司開發(fā)第六代高帶寬內(nèi)存(HBM4)芯片樣品。據(jù)悉,特斯拉計劃在測試這兩家公司提供的樣品后,選擇其中一家作為其HBM4芯片的供應(yīng)商。 與微軟、谷歌、Meta等
2024-11-21 14:22:44579
特斯拉也在搶購HBM 4
據(jù)報道,特斯拉已要求三星和SK海力士提供HBM4芯片樣品。這兩家半導(dǎo)體公司都在為特斯拉開發(fā)第六代高帶寬內(nèi)存芯片原型。據(jù)KEDGlobal報道,特斯拉已要求三星和SK海力士供應(yīng)通用的HBM4芯片。預(yù)計
2024-11-22 01:09:32556
英偉達(dá)、微軟、亞馬遜等排隊求購SK海力士HBM芯片,這些國產(chǎn)設(shè)備廠迎機(jī)遇
AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM(高帶寬存儲器),是由AMD和SK海力士發(fā)起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,適用于高存儲器帶寬需求的應(yīng)用場合。如今HBM已經(jīng)發(fā)展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產(chǎn)品,SK海力士目前是唯一能量產(chǎn)HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:312736
HBM格局生變!傳三星HBM3量產(chǎn)供貨英偉達(dá),國內(nèi)廠商積極布局
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/吳子鵬)根據(jù)韓媒sedaily 的最新報道,三星華城17號產(chǎn)線已開始量產(chǎn)并向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3內(nèi)存。同時,美光已經(jīng)為英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E。至此,高端HBM內(nèi)存的供應(yīng)由SK海力士
2024-07-23 00:04:003704
HBM3E量產(chǎn)后,第六代HBM4要來了!
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)眼下各家存儲芯片廠商的HBM3E陸續(xù)量產(chǎn),HBM4正在緊鑼密鼓地研發(fā),從規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)到工藝制程、封裝技術(shù)等都有所進(jìn)展,原本SK海力士計劃2026年量產(chǎn)HBM4,不過最近
2024-07-28 00:58:134875
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