近年來，隨著汽車電子化的快速發(fā)展和電動汽車銷量的持續(xù)攀升，車載MOSFET市場增長迅速。在功率半導體技術不斷進步的推動下，車載MOSFET性能持續(xù)提升，器件的功率密度和可靠性越來越高，功耗也越來越低，為電動汽車的發(fā)展提供了強大動力。

另一個趨勢是，滿足電動汽車車載設備更大功耗的元器件的需求持續(xù)增加。而一些新型高散熱封裝的出現(xiàn)，正在為提高板上熱循環(huán)性能，實現(xiàn)更高效率和功率密度添磚加瓦。

東芝推出的采用新型高散熱封裝的車載40 V N溝道功率MOSFET XPQR3004PB和XPQ1R004PB就是這樣的產(chǎn)品。

東芝新型L-TOGL封裝車載MOSFET

MOSFET功能特性分析

東芝已出貨的上述兩款新產(chǎn)品是采用新型L-TOGL（大型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝的車載40 V N溝道功率MOSFET，除了具有高額定漏極電流和低導通電阻外，還支持大電流和高散熱。

封裝和內(nèi)部電路

在器件結構上，上述產(chǎn)品沒有采用焊錫連接的內(nèi)部接線柱結構，而是引入了銅夾片（Cu clip），實現(xiàn)了源極連接件和外部引腳的一體化。源極引腳采用多針結構，與現(xiàn)有的TO-220SM（W）封裝相比，封裝電阻降低了約70%，從而將XPQR3004PB的漏極額定電流（DC）提高到400A，比當前采用TO-220SM（W）封裝的TKR74F04PB產(chǎn)品高出1.6倍。另外，XPQR3004PB采用厚銅框，使內(nèi)溝道到外殼熱阻比TKR74F04PB降低了50%。這些特性有利于實現(xiàn)更大的電流，同時降低車載設備的損耗。

東芝新開發(fā)的S-TOGL和L-TOGL都是采用銅夾片結構（無接線柱結構）和多引腳結構的封裝。銅連接器結構的發(fā)展順應了車載MOSFET的封裝技術趨勢，實現(xiàn)了更大的電流，使性能得以進一步提升。

車載MOSFET封裝技術趨勢

憑借新型封裝技術，東芝新產(chǎn)品進一步簡化了散熱設計，同時顯著減少了半導體繼電器和一體化起動發(fā)電機變頻器等需要大電流的應用所需的MOSFET數(shù)量，進而幫助縮小系統(tǒng)尺寸。

如果客戶需要并聯(lián)多個器件，滿足車載設備對更大工作電流的需求，東芝可按照每卷產(chǎn)品柵極閾值電壓浮動范圍0.4 V對產(chǎn)品進行分組，以支持兩款新品的分組出貨，確保客戶在設計時使用同一組別的產(chǎn)品，從而減少特性偏差。

通常，車載設備需要在各種溫度環(huán)境下工作，所以表面貼裝的焊點可靠性是一個需要考慮的關鍵因素。新產(chǎn)品采用的鷗翼式引腳恰恰可以降低貼裝應力，提高焊點的可靠性。

MOSFET的主要特性

40 V N溝道功率MOSFET XPQR3004PB和XPQ1R004PB的特性如下：

產(chǎn)品已通過AEC-Q101認證

低漏源導通電阻：XPQR3004PB為RDS(on)＝0.23 mΩ（典型值）（VGS＝10 V）；XPQ1R004PB為RDS(on)＝0.8 mΩ（典型值）（VGS＝10 V）

低漏電流：IDSS＝10 μA（最大值）（VDS＝40 V）

高額定漏極電流：XPQR3004PB為ID＝400 A；XPQ1R004PB為ID＝200 A

增強模式：XPQ1R004PB為Vth＝2.0～3.0 V（VDS＝10 V，ID＝0.5 mA）；XPQR3004PB為Vth＝2.0～3.0 V（VDS＝10 V，ID＝1.0 mA）

采用新型鷗翼引腳L-TOGL封裝

以下是產(chǎn)品的主要規(guī)格：

主要規(guī)格

產(chǎn)品亮點及應用方向

東芝推出的采用新型L-TOGL封裝的車載MOSFET以其高額定漏極電流、低導通電阻和大散熱能力等特點，為大電流車載設備提供了強有力的支持。器件具有很強的通流能力，支持車載設備對更大電流的需求。其應用方向主要包括：車載設備變頻器、半導體繼電器、負載開關、開關穩(wěn)壓器、電機驅(qū)動器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等。

未來，隨著汽車電子化和電動汽車市場的持續(xù)發(fā)展，這兩款產(chǎn)品有望在車載MOSFET市場中占據(jù)重要地位。東芝也將繼續(xù)擴大其采用新型封裝的功率產(chǎn)品線，根據(jù)市場需求推出優(yōu)化功能和功率特性的MOSFET產(chǎn)品，滿足車載應用的多種不同需求，推動汽車系統(tǒng)電氣化向縱深發(fā)展。

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