功率MOSFET管
自1976年開發(fā)出功率MOSFET以來，由于半導體工藝技術(shù)的發(fā)展，它的性能不斷提高：如高壓功率MOSFET其工作電
2009-11-07 09:23:12
1870 美高森美公司(MicrosemiCorporation) 宣布擴展其RF功率產(chǎn)品線，推出了DRF1400功率MOSFET。
2012-06-05 15:02:241182 Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布，推出全新電源轉(zhuǎn)換控制器系列及其首個功率MOSFET器件系列。
2012-11-19 17:28:111073 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 近日推出具有超低導通電阻 （RDS（on）） 的 StrongIRFET功率MOSFET系列，適合各種工業(yè)應用，包括電
2012-12-04 22:17:341235 東芝公司（Toshiba Corporation）（TOKYO:6502）今天宣布將推出采用DIP8封裝的IC耦合器，可直接驅(qū)動中等容量的IGBT或功率MOSFET。
2013-01-11 09:39:451311 聯(lián)大控股宣布，其旗下詮鼎推出基于東芝（TOSHIBA）的車載以太網(wǎng)橋接解決方案。
2019-04-17 11:18:091712 東芝推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作絕緣柵極驅(qū)動IC。
2021-11-30 15:24:191319 
東芝電子推出適用于高電壓汽車電池的常開型（NO）1-Form-A光繼電器---“TLX9160T”。
2022-01-20 15:13:431472 
東芝電子宣布，推出兩款全新碳化硅（SiC）MOSFET雙模塊---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”。
2022-01-26 13:35:212210 
東芝將進一步擴大其MOSFET產(chǎn)品線，通過減少損耗提高設(shè)備電源效率，進而幫助其降低功耗。
2022-03-31 11:13:271196 
中國上海， 2023 年 2 月 3 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布推出采用新型L-TOGL?（大型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝的車載40V N溝道功率MOSFET
2023-02-06 10:01:471034 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出額定電流為20A的12V共漏極N溝道MOSFET“SSM14N956L”，該器件可用于移動設(shè)備鋰離子（Li-ion）電池組中的電池保護電路。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-05-22 14:33:12512 
中國上海， 2023 年 6 月 13 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品
2023-06-13 16:38:50712 
X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備電源線路上的開關(guān)電路和熱插拔電路[1]等應用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。 ? ? TPH3R10AQM具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導通電阻，比東芝目前100V產(chǎn)品“
2023-07-03 14:48:14477 
點擊“東芝半導體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布， 推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET
2023-09-04 15:13:401134 
? 中國上海， 2023 年 11 月 7 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備
2023-11-09 15:19:57664 
。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率?！ ‘a(chǎn)品可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域?！ ?200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
意法半導體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機械、環(huán)境和電氣要求。 這些機電系統(tǒng)必須符合汽車AEC Q101規(guī)范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
2019-08-09 07:28:08
支持以相當于240fps錄制高速高清視頻東京—東芝公司（TOKYO：6502）推出一款800萬像素的BSI [1] CMOS圖像傳感器“T4KA3”,該傳感器使智能手機和平板電腦能夠以業(yè)界最高的[2]幀率，即相當于240幀/秒（fps），錄制高清（HD）視頻。樣品出貨即日啟動。
2020-04-27 06:44:29
東芝推出了TZ1041MBG，希望滿足市場對能夠支持多個外部傳感器的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備日益增長的需求，其提供一個利用藍牙的擴展集線器功能的多功能通信環(huán)境。
2020-05-18 06:20:47
的情況下，功率因數(shù)值大于0.8-0.9,LED輸出電流精度為+/-5%. LED照明設(shè)備具有功耗低、壽命長等特點，正在取代白熾燈。東芝正在開發(fā)可控制大功率LED,支持調(diào)光和高PF,并且輸出電流精度
2018-09-26 16:05:07
東芝推出的三相無刷電機控制預驅(qū)IC“TC78B027FTG”的特性是什么
2021-07-09 08:00:42
之前拍攝的照片就要作廢。不過等到東芝研發(fā)的全新相機模塊推出之后，我們就能在拍照完畢后，直接在照片上調(diào)整焦點了。http://www.hds668.com東芝研發(fā)全新相機模塊可在拍攝后直接調(diào)整照片焦點
2012-12-31 09:17:23
日本電子產(chǎn)品制造企業(yè)東芝(Toshiba Corp.)周五公布，將在年底前推出使用谷歌(Google Inc.)Android操作系統(tǒng)的平板電腦，因東芝希望在蘋果(Apple Inc.)iPad引領(lǐng)
2011-03-03 16:36:39
中國上海，2023年2月28日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布推出車載直流無刷電機柵極驅(qū)動IC ^[1]^ ---“TB9083FTG”，該IC適用于電動轉(zhuǎn)向助力系統(tǒng)（EPS
2023-02-28 14:11:51
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關(guān)鍵金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功率輸出級的器件。
2021-04-23 07:04:52
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何計算 同步整流器的功耗如何計算
2021-03-11 07:32:50
`功率Mosfet參數(shù)介紹V(BR)DSS（有時候叫做BVDSS）是指在特定的溫度和柵源短接情況下，流過漏極電流達到一個特定值時的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿電壓。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12:20
半導體相比，損耗更低，高溫環(huán)境條件下工作特性優(yōu)異，有望成為新一代低損耗元件的“碳化硅（SiC）功率元器件”。SiC半導體已經(jīng)開始實際應用，并且還應用在對品質(zhì)可靠性要求很嚴苛的車載設(shè)備上。提起SiC，可能在
2018-11-29 14:39:47
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯
因能源效率標準和最終系統(tǒng)要求的推動，在不影響功率密度的高能的情況下，能縮減應用電源的外形尺寸且有效解決方案是當下電源設(shè)計人
2012-04-28 10:21:32
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導通電
2010-05-06 08:55:20
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
RF 功率 MOSFET的最大應用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出現(xiàn)改變了這一
2019-07-08 08:28:02
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結(jié)構(gòu)。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導通電阻，近年來超級結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
設(shè)計，且高溫下的導通電阻也很低?！摂?shù)據(jù)是ROHM在相同條件下測試的結(jié)果，僅供參考。此處表示的特性本公司不做任何保證。4. 驅(qū)動門極電壓和導通電阻SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-05-07 06:21:55
` 本帖最后由 CHIPSPOWER-Anne 于 2016-10-25 10:26 編輯
東芝新推出了一款步進電機驅(qū)動芯片，TB67S109AFNAG。各位做機器人的朋友可以考慮測試下試試
2016-10-25 10:13:51
MOSFET不能完全開通，系統(tǒng)不能正常工作。另一方面，溫度越高，VTH的電壓就會越低，功率MOSFET在高負載或高溫環(huán)境下VTH的電壓就會降低，在感應VGS尖峰電壓的作用下，就增加了柵極誤觸發(fā)的可能性，導致
2019-08-08 21:40:31
功率MOSFET的電流感知有哪幾種方法？SenseFET方法檢測電流的工作原理是什么？影響電流檢測準確性的原因有哪些？
2021-04-21 07:16:38
某一個30A單相的設(shè)計實例，進一步闡明這些概念?！ ∮嬎?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET的耗散功率 為了確定一個MOSFET是否適合于某特定應用，你必須計算一下其功率耗散，它主要包含阻性和開關(guān)損耗兩部分
2021-01-11 16:14:25
使用功率 MOSFET 也有兩年多時間了，這方面的技術(shù)文章看了不少，但實際應用選型方面的文章不是很多。在此，根據(jù)學到的理論知識和實際經(jīng)驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率 MOSFET 的選型
2019-11-17 08:00:00
導讀：近日，德州儀器 （TI） 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封裝的功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 輸入電壓，進一步壯大了 TI 普及型 NexFET 產(chǎn)品
2018-11-29 17:13:53
最大的連續(xù)漏極電流ID的計算公式： 其中，RDS(ON)_TJ(max)為在最大工作結(jié)溫TJ下，功率MOSFET的導通電阻；通常，硅片允許的最大工作結(jié)溫為150℃。熱阻RqJC的測量可以參見文章：功率
2016-08-15 14:31:59
1）。圖1.與最新一代IGBT相比，TW070J120B SiC MOSFET的開關(guān)速度明顯更快，可在功率轉(zhuǎn)換器中提供更高的效率在 3 相 400 V PFC 中仿真，SiC MOSFET
2023-02-22 16:34:53
請問：驅(qū)動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:52711 小信號應用60V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多
2009-12-31 09:59:441421 TI推出顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應用推出業(yè)界第一個通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對其它標準
2010-01-14 09:01:43654 TI推出顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET DualCool NexFET
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應用推出業(yè)界第一個通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相
2010-01-26 16:55:08783 
TI推出具備板載功率MOSFET的全集成型雙路功率驅(qū)動器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備集成型功率 MOSFET、保護模塊以及監(jiān)控特性的數(shù)字雙路同步降壓功率驅(qū)動器，
2010-02-23 09:26:57667 CISSOID引入了新系列P通道高溫功率MOSFET晶體管
CISSOID，在高溫半導體解決方案的領(lǐng)導者，介紹了 VENUS，他們的新系列高溫 30V 的 P通道功率 MOSFET 晶體管保證操
2010-02-23 10:42:591542 英飛凌推出可擴展的全套高溫8位MCU系列
在紐必堡舉行的2010年嵌入式技術(shù)展會上，英飛凌科技股份公司宣布推出可擴展的全套高溫8位微控制器(MCU)系列。該系列可在高
2010-03-10 10:56:54674 IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導通電阻 (RDS(on)) 的IRFH620
2010-03-12 10:28:391444 Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開關(guān)速度，應用工作電壓高達650V, 電流20A。新的TK系列器件適合用于各
2010-03-30 10:37:181447 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:52777 英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451013 意法半導體推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管，MDmesh V系列已是市場上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態(tài)電阻
2011-12-27 17:29:101277 
東芝光耦 IGBT/MOSFET，List of Photocouplers (IC Output) by Peak Output Current (IGBT / MOSFET)
2012-03-16 13:43:011090 
東芝光耦 MOSFET Output，Photorelays (MOSFET Output)
2012-03-16 13:44:59579 
日前，東芝公司宣布，公司已為智能手機與平板電腦燈移動設(shè)備的高電流充電電路開關(guān)推出超緊湊型MOSFET，包括兩種高功耗封裝電池“SSM6J781G”和“SSM6J771G”。
2013-07-30 16:27:391141 
東京—東芝公司（TOKYO：6502）今天宣布推出采用低高度SO6L封裝的軌對軌輸出柵極驅(qū)動光電耦合器，用于直接驅(qū)動中低等功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）及功率金屬氧化物半導體場效應晶體管（power MOSFET）。
2014-10-08 18:19:061449 東京—東芝公司（TOKYO：6502）旗下半導體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，推出單通道高邊N溝道功率金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）柵極驅(qū)動器“TPD7104F”。
2014-11-05 18:54:361787 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231402 賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:111667 東芝宣布推出新一代超結(jié)功率MOSFET，新器件進一步提高電源效率。在這個連小學生做作業(yè)都講求高效率的年代，還有什么是高效率不能解決的呢？
2018-09-13 15:54:155102 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出車載直流無刷電機（BLDC電機）無傳感器預驅(qū)動器IC“TB9062FNG”，該IC適用于車載電動泵等汽車應用。樣品現(xiàn)已上市，批量生產(chǎn)定于今年12月開始。
2019-05-16 16:00:492135 新產(chǎn)品是東芝首款采用緊湊型SOP Advance（WF）封裝的車用100V N溝道功率MOSFET。封裝采用可焊錫側(cè)翼端子結(jié)構(gòu)，安裝在電路板上時能夠進行自動目視檢查，從而有助于提高可靠性。
2019-12-26 09:26:463093 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領(lǐng)導者CISSOID近日宣布，將繼續(xù)致力于應對汽車和工業(yè)市場的挑戰(zhàn)，并推出用于電動汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM）平臺。
2020-03-07 09:31:30950 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（東芝）宣布，在其TOLL（TO-無引線）封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結(jié)功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231117 
后，SiC在汽車中的用量開始增加，現(xiàn)在已經(jīng)有不少廠商都推出了車規(guī)級的SiC產(chǎn)品。 東芝作為先進的半導體制造商，在SiC產(chǎn)品方面布局多年，目前已經(jīng)推出了SiC MOSFET、SiC SBD，及SiC MOSFET模塊等多種類型的產(chǎn)品。在PCIM Aisa 2021展上，東芝電子元件（上海）有限
2021-10-12 15:41:192707 的能力主要通過實踐培養(yǎng)起來的。 近日，東芝針對汽車應用推出了XPW4R10ANB、XPW6R30ANB、XPN1300ANC三款100V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品，進一步擴充了產(chǎn)品線。這些產(chǎn)品符合AEC-Q101標準，應用于汽車設(shè)計中，有助于縮小汽車設(shè)備體積，滿足當前市
2021-10-25 14:16:291658 
的能力主要通過實踐培養(yǎng)起來的。 新品 近日，東芝針對汽車應用推出了XPW4R10ANB、XPW6R30ANB、XPN1300ANC三款100V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品，進一步擴充了產(chǎn)品線。這些產(chǎn)品符合AEC-Q101標準，應用于汽車設(shè)計中，有助于縮小汽車設(shè)備體積，滿足當
2021-11-26 15:22:501827 
東芝拓展650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET新品 景嘉微發(fā)布JH920 東芝拓展新一代超級結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產(chǎn)品線 東芝電子元件及存儲裝置株式會社 （“東芝
2022-03-18 17:35:264581 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝，適用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源，其中
2022-04-01 09:12:422802 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。
2022-04-01 16:42:3610906 如今，市場對于高效率電源的需求日益增漲，在此背景下，東芝拓展了新一代650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”，推出TK090E65Z、TK090E65Z、TK110E65Z
2022-04-26 14:11:291092 ?東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）為其TCK42xG系列MOSFET 柵極驅(qū)動器IC 的產(chǎn)品陣容增加面向可穿戴設(shè)備等移動設(shè)備的五款新品。該系列的新產(chǎn)品配備了過壓鎖定功能，并根據(jù)輸入電壓控制外部MOSFET的柵極電壓。
2022-06-09 10:00:301635 
隨著科技的不斷革新發(fā)展，MOSFET產(chǎn)品也經(jīng)過技術(shù)的迭代升級有了更加優(yōu)越的表現(xiàn)。但如何提升器件性能的同時進一步降低器件的自身損耗依舊是亟待解決的問題。為此東芝半導體拓展了MOSFET產(chǎn)品線，推出
2022-08-26 11:01:07794 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布擴大其智能柵極驅(qū)動光耦產(chǎn)品線，推出一款輸出電流為2.5A的智能柵極驅(qū)動光耦---“TLP5222”。這是一種可為MOSFET或IGBT等功率器件提供過流保護的隔離柵極驅(qū)動IC，內(nèi)置保護操作自動恢復的功能。該產(chǎn)品于今日開始出貨。
2022-08-31 17:58:551219 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，現(xiàn)已開始出貨。
2022-09-01 15:37:53479 Vishay?七款新型二極管和 MOSFET 功率模塊 靈活的器件采用 PressFit 引腳壓合技術(shù) 在小型封裝中內(nèi)置各種電路配置 Vishay? 針對車載充電應用專門推出七款新型二極管
2022-11-25 15:20:05926 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出采用新型L-TOGLTM（大型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝的車載40V N溝道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB
2023-02-04 18:31:452676 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源，涵蓋數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-03-31 10:05:32727 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線。
2023-06-16 09:03:30228 
摘要：碳化硅（SiC）由于其優(yōu)異的電學及熱學特性而成為一種很有發(fā)展前途的寬禁帶半導體材料。SiC材料制作的功率MOSFET很適合在大功率領(lǐng)域中使用，高溫柵氧的可靠性是大功率MOSFET中最應注意
2023-04-04 10:12:34663 
點擊“東芝半導體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布， 推出采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM
2023-06-29 17:40:01368 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-08-22 11:03:21557 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:10600 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業(yè)設(shè)備應用。
2023-09-07 09:59:32734 
MOSFET也已經(jīng)發(fā)展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。其柵極驅(qū)動電路設(shè)計簡單，可靠性得到進一步的提高。 碳化硅MOSFET的優(yōu)勢 相同功率等級的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:02269 
汽車電子MOSFET發(fā)展的一個最終方向是提高感測、控制和保護功率開關(guān)的性能。功率器件正集成到智能化車載系統(tǒng)中?，F(xiàn)在在最低功率級別，MOSFET可以與功率器件上的感測元件一起使用。
2023-10-20 11:44:58148 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護。
2023-11-09 17:39:10460 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），
2024-02-22 18:22:41977 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝”）近日宣布，其最新研發(fā)的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產(chǎn)品特別適用于數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器等關(guān)鍵應用的開關(guān)電源，展現(xiàn)了東芝在功率半導體領(lǐng)域的深厚實力與持續(xù)創(chuàng)新。
2024-03-12 10:27:36255
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