動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-08-20 11:05

  SiC FET在固態(tài)斷路器應用中的沖擊電流處理能力

  

  固態(tài)斷路器(SSCB)相比于傳統(tǒng)的電機械斷路器具有多種優(yōu)勢?；趯拵?WBG)器件如碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)的SSCB可以在許多應用中擴大其競爭優(yōu)勢。SSCB的優(yōu)勢傳統(tǒng)的電機械斷路器依靠電磁作用進行短路檢測和中斷，同時利用雙金屬作用實現(xiàn)過載電流保護。電磁效應依賴于線圈和接點，涉及多個運動部件。故障限制響應時間通常在幾毫秒左右，具體取決于額定值和使

  SiC 固態(tài) 斷路器 短路檢測器

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• 發(fā)布了文章 2024-08-19 11:33

  臺積電斥資171.4億新臺幣收購Innolux工廠，加速先進封裝產(chǎn)能擴張

  

  全球領先的半導體制造巨頭臺積電，在持續(xù)擴大其生產(chǎn)版圖方面邁出了重要一步。據(jù)LibertyTimesNet于8月15日的最新報道，臺積電正式宣布已完成對先進封裝及面板制造商Innolux位于臺灣南部科學園區(qū)的一座重要工廠的收購，交易金額定為171.4億新臺幣，遠低于市場普遍預期的200億新臺幣水平，展現(xiàn)了其高效的資本運作能力。此次收購的工廠占地面積超過96,0

  TSMC 半導體 臺積電

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• 發(fā)布了文章 2024-08-19 11:31

  提升傳統(tǒng)基于IGBT模塊的電力組件性能的SiC模塊

  

  近年來，1200V和1700V的碳化硅(SiC)MOSFET已成為當前使用IGBT的電力轉(zhuǎn)換器設計師的真正替代方案。到目前為止，大多數(shù)SiCMOSFET的設計成功主要發(fā)生在低功率到20kW范圍內(nèi)的電力轉(zhuǎn)換器中，這些通常是全新設計，這一趨勢主要是由于提高光伏逆變器和其他工業(yè)電源應用的效率的需求。圖1設計師們現(xiàn)在正在使用市面上可用的高功率全SiC電力模塊和驅(qū)動器

  IGBT IGBT模塊 SiC 電力轉(zhuǎn)換器

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• 發(fā)布了文章 2024-08-16 11:18

  SemiQ將S7封裝添加至其QSiC™高性能功率模塊系列

  

  SemiQ公司在其QSiC?系列SiC功率模塊中新增了一種S7封裝，該系列模塊包括1200V的半橋MOSFET和肖特基二極管模塊。這些組件為電力工程師提供了更大的設計靈活性，能夠為新設計提供緊湊、高效和高性能的選擇。同時，它們也便于無縫替換那些需要提升效率的舊系統(tǒng)。此次公告包括四個新電子模塊的發(fā)布：一個529AMOSFET模塊(GCMX003A120S7B1

  SemiQ SiC 功率模塊

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• 發(fā)布了文章 2024-08-16 11:13

  反向?qū)щ奍GBT的控制方法

  

  當IGBT和二極管的功能結(jié)合在單個硅片上時，就產(chǎn)生了反向?qū)щ奍GBT(RC-IGBT)。這使得標準的IGBT/二極管模塊可以在單個硅芯片上構(gòu)建，從而增強了電流承載能力，而無需增加模塊的占地面積。此外，根據(jù)器件技術的不同，二極管的電氣性能可以受到IGBT柵極控制狀態(tài)的影響。然而，為了管理復合RC-IGBT中的損耗，需要考慮特殊的控制方法。器件介紹反向?qū)щ奍GB

  IGBT 二極管 電氣性能

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• 發(fā)布了文章 2024-08-15 10:39

  GaN技術引領功率電子產(chǎn)業(yè)新風潮，預估2030年市場規(guī)模將突破43億美元

  

  隨著全球?qū)Ω咝茈娏鉀Q方案的需求日益增加，氮化鎵(GaN)技術正在成為功率電子產(chǎn)業(yè)的一大亮點。近期，英飛凌和德州儀器等行業(yè)巨頭對GaN技術的投入不斷加大，標志著功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展即將迎來新一輪的快速增長。根據(jù)TrendForce集邦咨詢發(fā)布的《2024全球GaNPowerDevice市場分析報告》，2023年全球GaN功率元件市場規(guī)模約為2.71億美元，

  GaN 功率元件 功率電子 氮化鎵

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• 發(fā)布了文章 2024-08-15 10:38

  利用人工智能改變 PCB 設計

  

  人工智能在PCB設計中展現(xiàn)出不可否認的潛力，但是工程師們自然對其影響有所顧慮。關于工作保障和責任的等問題常常浮現(xiàn)：人工智能會奪走我的工作嗎?如果人工智能出錯，我會被指責嗎?然而，人工智能助手不僅不是威脅，反而可以成為可靠的合作伙伴，它能夠解釋自己的決策并提供有價值的見解。它的選擇理由能力促進了一個協(xié)作的環(huán)境，使經(jīng)驗較少的工程師能夠在不感到威脅的情況下學習和成

  PCB設計 人工智能 數(shù)據(jù)

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• 發(fā)布了文章 2024-08-14 10:59

  光伏產(chǎn)業(yè)鏈2024年上半年強勁增長，引領全球綠色能源轉(zhuǎn)型

  

  隨著全球?qū)稍偕茉葱枨蟮某掷m(xù)攀升，中國光伏產(chǎn)業(yè)在2024年上半年展現(xiàn)出了前所未有的強勁增長態(tài)勢，各環(huán)節(jié)數(shù)據(jù)均創(chuàng)歷史新高，不僅鞏固了中國在全球光伏領域的領先地位，也為全球綠色能源轉(zhuǎn)型注入了強大動力。據(jù)最新統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，多晶硅作為光伏產(chǎn)業(yè)鏈的基礎原材料，在2024年上半年實現(xiàn)了驚人的產(chǎn)量飛躍，全國總產(chǎn)量達到了106萬噸，較去年同期大幅增長74.9%。這一成績的

  光伏 光伏產(chǎn)業(yè) 多晶硅 終端

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• 發(fā)布了文章 2024-08-14 10:58

  寬禁帶(WBG)半導體封裝與測試解決方案

  

  隨著科技的不斷進步，電子設備對性能和效率的要求日益提高，為了滿足這些需求，寬禁帶(WideBandgap,WBG)半導體材料如氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)逐漸成為研究和應用的重點。這些材料不僅具備較高的擊穿電壓和熱導率，還能在高溫、高頻及高功率環(huán)境下穩(wěn)定工作。然而，WBG半導體的封裝和測試面臨著一系列挑戰(zhàn)。電力半導體市場與寬禁帶材料全球電力半導體市場包

  半導體 寬禁帶 測試

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• 發(fā)布了文章 2024-08-13 12:02

  我國集成電路進出口持續(xù)向好 貨物貿(mào)易呈現(xiàn)增長態(tài)勢

  

  根據(jù)關總署于8月7日發(fā)布的數(shù)據(jù)，2024年前7個月，我國貨物貿(mào)易進出口總值達24.83萬億元，顯示出我國在全球經(jīng)濟復蘇過程中，貿(mào)易活力逐步增強。特別是在集成電路這一關鍵領域，無論是出口還是進口，都呈現(xiàn)出可喜的增長態(tài)勢。數(shù)據(jù)顯示，今年7月，我國集成電路出口數(shù)量達到273.4億個，出口額為985.6億元，較去年同期分別增長了26.77%。這一增幅不僅在各類商品中

  功率器件 機電 集成電路

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