氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體的區(qū)別

氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體是兩種主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學(xué)性能以...

2023-12-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅半導(dǎo)體 1813 0

淺談伺服驅(qū)動(dòng)技術(shù)未來(lái)開(kāi)發(fā)趨勢(shì)

總體來(lái)看，伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的發(fā)展趨勢(shì)是：體積減小，質(zhì)量減輕，并提升了最高轉(zhuǎn)矩、轉(zhuǎn)速；提高響應(yīng)性，縮短調(diào)整時(shí)間；提高了整定性能，使調(diào)諧趨于簡(jiǎn)單便利；提高了擴(kuò)展...

2023-02-15 標(biāo)簽：伺服驅(qū)動(dòng)寬禁帶 829 0

氮化鎵和碳化硅MOSFET應(yīng)用建議以及碳化硅二極管應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅作為寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料，具有比傳統(tǒng)硅材料更加優(yōu)異的性能，尤其是用于功率轉(zhuǎn)換和控制的功率器件。與傳統(tǒng)硅器件相比，碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐...

2023-02-03 標(biāo)簽：功率器件碳化硅寬禁帶 1102 0

碳化硅在車用逆變器的妙用

碳化硅作為寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料，具有比傳統(tǒng)硅材料更加優(yōu)異的性能，尤其是用于功率轉(zhuǎn)換和控制的功率器件。與傳統(tǒng)硅器件相比，碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐...

2023-02-03 標(biāo)簽：硅材料碳化硅寬禁帶 998 0

碳化硅二極管優(yōu)勢(shì)有哪些？

碳化硅二極管的優(yōu)勢(shì) 　 1.寬禁帶提高了工作溫度和可靠性 　　寬禁帶材料可提高器件的工作溫度，6H-SiC和4H-SiC禁帶寬度分別高...

2023-02-03 標(biāo)簽：功率器件SiC寬禁帶 633 0

硅基器件與寬禁帶器件的區(qū)別

固體中電子的能量分布是離散的，電子都分布在不連續(xù)的能帶(Energy Band)上，價(jià)電子所在能帶與自由電子所在能帶之間的間隙稱為禁帶寬度（Energy...

2022-10-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體熱導(dǎo)率寬禁帶 1941 0

碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域 碳化硅材料的特性與優(yōu)勢(shì)

碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域 碳化硅（SiC），作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性，在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用潛力。以下是碳化硅的一些主要應(yīng)用領(lǐng)域：...

2024-11-29 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車半導(dǎo)體材料碳化硅 940 0

聞泰科技與KOSTAL建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

近日，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)宣布與全球知名汽車供應(yīng)商KOSTAL（科世達(dá)）正式建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。這一合作旨在共同開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)更符合汽車應(yīng)用嚴(yán)苛要求的車規(guī)級(jí)...

2024-11-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體寬禁帶聞泰科技 354 0

光谷誕生全球集成度最高光電芯片

丁琪超重點(diǎn)介紹了實(shí)驗(yàn)室的6個(gè)技術(shù)能力體系。如實(shí)驗(yàn)室核心技術(shù)方向之一的“異質(zhì)集成”，能通過(guò)8英寸硅集成不同化合物半導(dǎo)體材料，發(fā)揮不同材料最優(yōu)勢(shì)特性，集成相關(guān)芯片。

2024-04-11 標(biāo)簽：MOSFET無(wú)源器件碳化硅 691 0

意法半導(dǎo)體寬禁帶研討會(huì)圓滿舉行

近日，全球?qū)捊麕ьI(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)意法半導(dǎo)體（ST）在深圳和上海兩地成功舉辦了寬禁帶研討會(huì)，受到電力和能源領(lǐng)域?qū)I(yè)嘉賓的熱烈追捧。

2024-03-28 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體寬禁帶 628 0