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標(biāo)簽 > 柵極驅(qū)動(dòng)器
柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下,例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí),使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中,微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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MPS推出一款LLC變壓器驅(qū)動(dòng)芯片以及隔離式偏置電源模塊解決方案
電動(dòng)汽車的充電樁中,包含著不同充電口的類型及標(biāo)準(zhǔn)。其中,目前最快的是直流快速充電樁(DC Fast-Charging System,DCFC),最短只需...
2024-04-03 標(biāo)簽:LLC驅(qū)動(dòng)芯片MPS 3977 0
為什么需要柵極驅(qū)動(dòng)器?柵極驅(qū)動(dòng)器及其應(yīng)用介紹
柵極驅(qū)動(dòng)器是低壓控制器和高功電路之間的緩沖電路,用于放大控制器的控制信號(hào),從而實(shí)現(xiàn)功率器件更有效的導(dǎo)通和關(guān)斷。
2024-04-02 標(biāo)簽:MOSFET寄生電容驅(qū)動(dòng)芯片 1649 0
集成柵極驅(qū)動(dòng)器的GaN ePower超快開(kāi)關(guān)
氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管在許多電力電子應(yīng)用中持續(xù)獲得關(guān)注,但氮化鎵技術(shù)仍處于其生命周期的早期階段【1】。雖然基本FET性能品質(zhì)因數(shù)還有很大的提升空間,但GaN...
2024-03-05 標(biāo)簽:氮化鎵GaN激光驅(qū)動(dòng)器 2930 0
調(diào)整MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器以用于GaN FETs
氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管已經(jīng)徹底改變了電力電子行業(yè),具有比傳統(tǒng)硅MOSFETs更小的尺寸、更快的開(kāi)關(guān)速度、更高的效率和更低的成本等優(yōu)勢(shì)。然而,GaN...
低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用設(shè)計(jì)指南
本文通過(guò)分析低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的等效電路來(lái)計(jì)算如何合理的選取RGATE電阻的阻值,既要保持MOS管的良好開(kāi)關(guān)性能,還要有效抑制振鈴的產(chǎn)生。
博世推出的PMIC芯片—— CS600,就能很好地滿足了功能安全合規(guī)性的應(yīng)用需求。CS600可為系統(tǒng)提供完整的電源解決方案,包括μC、SoC以及相關(guān)外設(shè)的供電。
2024-02-25 標(biāo)簽:汽車電子電源管理芯片柵極驅(qū)動(dòng)器 1215 0
適用于太陽(yáng)能發(fā)電的超可靠柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案
在正常運(yùn)行期間(當(dāng)負(fù)載在標(biāo)準(zhǔn)溫度下連接時(shí)),與電源開(kāi)關(guān)的阻斷能力相比,太陽(yáng)能逆變器的直流母線電壓相對(duì)較低。因此,有足夠的電壓“余量”來(lái)處理電源開(kāi)關(guān)關(guān)閉時(shí)...
2024-01-31 標(biāo)簽:逆變器電源開(kāi)關(guān)柵極驅(qū)動(dòng)器 335 0
KP85402 開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)耐壓為 650V,輸出峰值拉電流和灌電流能力分別為 300mA 和 1000mA,專用于驅(qū)動(dòng)功率 MOSFETs 或 IGBTs...
消費(fèi)者在購(gòu)買(mǎi)手機(jī)充電器時(shí)會(huì)更傾向選擇原裝充電器,雖說(shuō)現(xiàn)在第三方充電器的品質(zhì)足夠優(yōu)秀,并且相較部分手機(jī)原裝充電器而言,其支持的協(xié)議更全面,性能更強(qiáng),但還是...
2024-01-04 標(biāo)簽:充電器柵極驅(qū)動(dòng)器小米 1156 0
如何選擇和開(kāi)始使用功率器件驅(qū)動(dòng)器
作者:Bill Schweber 投稿人:DigiKey 北美編輯 所有的分立式開(kāi)關(guān)功率器件都需要驅(qū)動(dòng)器,無(wú)論這些器件是分立式金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管 ...
2024-01-01 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器功率器件柵極驅(qū)動(dòng)器 1032 0
隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的演變(IGBT/SiC/GaN)
報(bào)告內(nèi)容包含: 效率和功率密度推動(dòng)變革 基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器功能 驅(qū)動(dòng)器演進(jìn)以支持 IGBT(絕緣柵雙極晶體管) 驅(qū)動(dòng)器進(jìn)化以支持 ...
柵極驅(qū)動(dòng)器原理:揭示電子器件中的關(guān)鍵組件
在當(dāng)今的數(shù)字時(shí)代,電子元件是塑造我們生活的無(wú)數(shù)技術(shù)奇跡的支柱。從智能手機(jī)到電動(dòng)汽車以及介于兩者之間的所有產(chǎn)品,電子元件都發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。稱為柵極驅(qū)...
2023-12-06 標(biāo)簽:光耦柵極驅(qū)動(dòng)器 1819 0
HL型柵極驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部結(jié)構(gòu)解析
引言:在多相電源控制器里,PWM波輸出最為常見(jiàn),但是HL型也使用較多,與PWM型相比,HL型控制更為獨(dú)立,更為靈活,抗干擾能力也較好,唯獨(dú)就是需要兩...
2023-11-13 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器控制器 1264 0
低壓柵極驅(qū)動(dòng)器的結(jié)構(gòu)組成和工作過(guò)程
引言:對(duì)于中壓或高壓的電源系統(tǒng),對(duì)MOS組的要求特別高,DrMOS已經(jīng)不能滿足設(shè)計(jì)參數(shù)要求,此時(shí)將DrMOS再次分拆開(kāi)來(lái),將驅(qū)動(dòng)部分獨(dú)立成為柵極驅(qū)動(dòng)器。...
2023-11-10 標(biāo)簽:PWMsmps驅(qū)動(dòng)芯片 1838 0
高效可再生能源系統(tǒng)的碳化硅設(shè)計(jì)方案
SiC MOSFET和散熱器之間的適當(dāng)爬電距離至關(guān)重要。在太陽(yáng)能應(yīng)用中,散熱器很大,并且通過(guò)機(jī)械固定在機(jī)箱上,因此水平安裝往往很常見(jiàn),在這種情況下,隔離...
茂睿芯MD18011X單通道隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器簡(jiǎn)介
MD18011X,光耦兼容的單通道隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器系列,是茂睿芯功率驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品推出的新型產(chǎn)品系列,可廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源、光伏逆變器、伺服、變頻器等系統(tǒng)。它...
2023-10-26 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1009 0
引言:高性能的單(多)輸出同步升壓轉(zhuǎn)換器控制器,驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N通道功率MOSFET,同步整流提高效率,減少功率損耗,減輕散熱需求,簡(jiǎn)化了高功率的應(yīng)用。
2023-10-18 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET控制器 1571 0
穩(wěn)壓與非穩(wěn)壓隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用領(lǐng)域
低功率隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器尺寸小巧,適用于通信設(shè)備、儀器儀表和工業(yè)電子領(lǐng)域,可以為對(duì)空間要求嚴(yán)苛的應(yīng)用場(chǎng)景提供理想的解決方案。RECOM 提供廣泛...
2023-09-21 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器ldo柵極驅(qū)動(dòng)器 1260 0
太陽(yáng)能光伏系統(tǒng):為了提高轉(zhuǎn)換效率和降低系統(tǒng)成本,太陽(yáng)能光伏系統(tǒng)的輸入電壓也在增加,從600V增加到1,500V。
2023-09-19 標(biāo)簽:MOSFET光伏系統(tǒng)半導(dǎo)體器件 364 0
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