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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。
合成方法
1、即使在1000℃氮與鎵也不直接反應(yīng)。在氨氣流中于1050～1100℃下加熱金屬鎵30min可制得疏松的灰色粉末狀氮化鎵GaN。加入碳酸銨可提供氣體以攪動(dòng)液態(tài)金屬，并促使與氮化劑的接觸。
2、在干燥的氨氣流中焙燒磨細(xì)的GaP或GaAs也可制得GaN。
? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢(shì)，且它們?cè)陔娏﹄娮酉到y(tǒng)和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對(duì)其進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。 以碳化硅（SiC...
氮化鎵簡(jiǎn)介及其應(yīng)用場(chǎng)景
氮化鎵（Gallium Nitride，簡(jiǎn)稱GaN）作為最新一代的半導(dǎo)體材料，近年來在電力電子應(yīng)用領(lǐng)域引發(fā)了廣泛關(guān)注。其卓越的性能和獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，使其成為...
2024-11-27 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車半導(dǎo)體氮化鎵 477 0
入手一款適合自己的多口快充充電器，可以極大地提高生活和工作效率。最近幾年，充電器行業(yè)發(fā)展特別迅猛，市場(chǎng)上不斷涌現(xiàn)大功率充電器產(chǎn)品，比如氮化鎵65W充電頭...
德州儀器高集成氮化鎵器件加速光伏市場(chǎng)創(chuàng)新
一直以來，可再生能源利用的一大問題是缺乏彈性，比如對(duì)于光伏而言，只能根據(jù)光照進(jìn)行發(fā)電，而無法根據(jù)需求而定。不過，隨著儲(chǔ)能技術(shù)的推進(jìn)，微型逆變器和串式逆變...
芯干線科技新近研發(fā)的一款 100W 電源適配器，深受功放市場(chǎng)青睞，認(rèn)可度極高。
相比傳統(tǒng)影視行業(yè)，手機(jī)攝影的發(fā)展史確實(shí)非常短，不可能跟專業(yè)攝影一樣隨身攜帶遮光板遮光斗等專業(yè)設(shè)備，呈現(xiàn)出極致的攝影效果。但手機(jī)跟相機(jī)相比最大的優(yōu)勢(shì)，在于...
相信大家都清楚，輕載或空載狀態(tài)下，開關(guān)損耗在轉(zhuǎn)換效率中占主導(dǎo)地位。所以為了降低待機(jī)功耗，大部分電源芯片都采取載輕降頻的控制方式。而芯片的控制方式可以說是...
遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化鎵功率器件的耐高壓測(cè)試
氮化鎵（GaN），作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料，近年來在電子領(lǐng)域大放異彩，其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢(shì)...
如今，圍繞第三代半導(dǎo)體的研發(fā)和應(yīng)用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速度等特點(diǎn)，第三代半導(dǎo)體材料能夠滿足未來電子產(chǎn)品在高...
本文小編分享一篇文章，本文介紹的是原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用，本文介紹了原子層鍍膜技術(shù)在碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件中的應(yīng)用，并介紹了原子層鍍膜技...
CG2H80015D氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)規(guī)格書立即下載
類別：IC datasheet pdf 2024-09-04 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵HEMT
DK065G高性能AC-DC氮化鎵電源管理芯片規(guī)格書V1.1立即下載
類別：IC中文資料 2024-07-10 標(biāo)簽：功率開關(guān)氮化鎵AC-DC
100V、35A GaN 半橋功率級(jí)LMG2100R044數(shù)據(jù)表立即下載
類別：電子資料 2024-03-28 標(biāo)簽：氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)器
杰華特推出四管升降壓控制器JW3702，專為PD快充應(yīng)用設(shè)計(jì)立即下載
類別：電子資料 2022-04-18 標(biāo)簽：電源鋰電池升壓轉(zhuǎn)換器
杰華特推出升降壓芯片JW3651：可用于USB PD移動(dòng)電源立即下載
類別：電子資料 2022-04-18 標(biāo)簽：電源升壓轉(zhuǎn)換器氮化鎵
杰華特推出JW1565氮化鎵合封芯片，滿足65W快充應(yīng)用立即下載
類別：電子資料 2022-04-18 標(biāo)簽：電源鋰電池升壓轉(zhuǎn)換器
杰華特聯(lián)合英諾賽科推出120W氮化鎵快充方案打造大功率高端立即下載
類別：電子資料 2022-04-18 標(biāo)簽：電源升壓轉(zhuǎn)換器氮化鎵
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展
當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中，新能源汽車市場(chǎng)的快速發(fā)展是第三代半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)的重要?jiǎng)恿χ?，新能源汽?..
羅姆、臺(tái)積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
12 月 12 日消息，日本半導(dǎo)體制造商羅姆 ROHM 當(dāng)?shù)貢r(shí)間本月 10 日宣布同臺(tái)積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件的開發(fā)和量產(chǎn)事宜建立戰(zhàn)略合作伙伴...
羅姆與臺(tái)積公司攜手合作開發(fā)車載氮化鎵功率器件
近日，全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡(jiǎn)稱“羅姆”)與Taiwan Semiconductor Manufacturing Com...
2024-12-10 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率器件氮化鎵 315 0
Power Integrations榮獲2024年電源行業(yè)配套品牌兩項(xiàng)大獎(jiǎng)
近日，由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的“第三屆電源行業(yè)配套品牌評(píng)選活動(dòng)”在深圳隆重舉行。此次評(píng)選旨在表彰在技術(shù)創(chuàng)新、市場(chǎng)表現(xiàn)和行業(yè)影響力方面具有卓越成就的企業(yè)，嚴(yán)格的...
羅姆與臺(tái)積公司在車載氮化鎵功率器件領(lǐng)域建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡(jiǎn)稱“羅姆”）宣布與Taiwan Semiconductor Manufacturing Comp...
近日， 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) ...
2024-12-09 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心AI氮化鎵 301 0
前言本期為大家?guī)淼氖荰ORRAS圖拉斯旗下小冰塊快充系列一款新品——圖拉斯45W小冰塊充電器CQ14的拆解，其延續(xù)小冰塊系列小巧精美專利外觀設(shè)計(jì)，同時(shí)...
英飛凌全新一代氮化鎵產(chǎn)品重磅發(fā)布，電壓覆蓋700V！
作為第三代半導(dǎo)體材料的代表者，氮化鎵(GaN)憑借其優(yōu)異的電氣性能、高熱導(dǎo)率、電子飽和率和耐輻射性等特性，引領(lǐng)了全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)革新，隨著氮化鎵技術(shù)的...
北交大本科生走進(jìn)泰克先進(jìn)半導(dǎo)體開放實(shí)驗(yàn)室
近日，北京交通大學(xué)電氣工程學(xué)院的“電力電子方向?qū)I(yè)綜合設(shè)計(jì)與實(shí)踐”本科大四學(xué)生在楊曉峰教授的帶領(lǐng)下，走進(jìn)了泰克先進(jìn)半導(dǎo)體開放實(shí)驗(yàn)室，開啟了一場(chǎng)科技探秘之...
英飛凌近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN650VG5晶體管，該系列進(jìn)一步豐富了英飛凌氮化鎵（GaN）產(chǎn)品組合。該新產(chǎn)品系列的適用范圍廣泛，包...
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