完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>
標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
文章：1440個 瀏覽：116301次 帖子：76個
? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢，且它們在電力電子系統(tǒng)和電動汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對其進(jìn)行簡單介紹。 以碳化硅（SiC...
氮化鎵（Gallium Nitride，簡稱GaN）作為最新一代的半導(dǎo)體材料，近年來在電力電子應(yīng)用領(lǐng)域引發(fā)了廣泛關(guān)注。其卓越的性能和獨(dú)特的優(yōu)勢，使其成為...
入手一款適合自己的多口快充充電器，可以極大地提高生活和工作效率。最近幾年，充電器行業(yè)發(fā)展特別迅猛，市場上不斷涌現(xiàn)大功率充電器產(chǎn)品，比如氮化鎵65W充電頭...
一直以來，可再生能源利用的一大問題是缺乏彈性，比如對于光伏而言，只能根據(jù)光照進(jìn)行發(fā)電，而無法根據(jù)需求而定。不過，隨著儲能技術(shù)的推進(jìn)，微型逆變器和串式逆變...
芯干線科技新近研發(fā)的一款 100W 電源適配器，深受功放市場青睞，認(rèn)可度極高。
相比傳統(tǒng)影視行業(yè)，手機(jī)攝影的發(fā)展史確實(shí)非常短，不可能跟專業(yè)攝影一樣隨身攜帶遮光板遮光斗等專業(yè)設(shè)備，呈現(xiàn)出極致的攝影效果。但手機(jī)跟相機(jī)相比最大的優(yōu)勢，在于...
相信大家都清楚，輕載或空載狀態(tài)下，開關(guān)損耗在轉(zhuǎn)換效率中占主導(dǎo)地位。所以為了降低待機(jī)功耗，大部分電源芯片都采取載輕降頻的控制方式。而芯片的控制方式可以說是...
氮化鎵（GaN），作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料，近年來在電子領(lǐng)域大放異彩，其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢...
如今，圍繞第三代半導(dǎo)體的研發(fā)和應(yīng)用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速度等特點(diǎn)，第三代半導(dǎo)體材料能夠滿足未來電子產(chǎn)品在高...
本文小編分享一篇文章，本文介紹的是原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用，本文介紹了原子層鍍膜技術(shù)在碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件中的應(yīng)用，并介紹了原子層鍍膜技...
隨著電動汽車和可再生能源的不斷普及，功率半導(dǎo)體市場正迎來顯著增長，并在封裝領(lǐng)域發(fā)生巨大變革。封裝的復(fù)雜性逐漸增加，以適應(yīng)各種高功率和高溫條件的應(yīng)用。英飛...
2024-10-15 標(biāo)簽：封裝氮化鎵功率半導(dǎo)體 277 0
2KW 48V雙向ACDC儲能模塊采用All GaN解決方案，包括前端AC-DC無橋圖騰柱PFC和后端DC-DC隔離全橋LLC轉(zhuǎn)換器，可實(shí)現(xiàn)單雙向工作。...
2024-10-12 標(biāo)簽：氮化鎵英諾賽科第三代半導(dǎo)體 555 0
分立器件在45W氮化鎵快充產(chǎn)品中的應(yīng)用
如今，以碳化硅、氮化鎵等為代表的第三代半導(dǎo)體新材料得到廣泛應(yīng)用，它們具有更高的導(dǎo)熱率和抗輻射能力，以及更大的電子飽和漂移速率等特點(diǎn)。氮化鎵熱穩(wěn)定性好、飽...
針對寬輸出電壓應(yīng)用場合，為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵芯片U8722AH集成了...
氮化鎵（GaN）和砷化鎵（GaAs）都是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重要成員，它們在各自的應(yīng)用領(lǐng)域中都展現(xiàn)出了卓越的性能。然而，要判斷哪個更先進(jìn)，并不是一個簡單的二...
2024-09-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵砷化鎵 2414 0
氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）都是當(dāng)前半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的佼佼者，它們各自具有獨(dú)特的優(yōu)勢，應(yīng)用領(lǐng)域也有所不同。以下是對兩者優(yōu)勢的比較： 氮化鎵（GaN）...
2024-09-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 1584 0
引言 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種具有重要應(yīng)用前景的第三代半導(dǎo)體材料。它們具有高熱導(dǎo)率、高電子遷移率、高擊穿場強(qiáng)等優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì)，被廣泛...
2024-09-02 標(biāo)簽：電子器件半導(dǎo)體材料氮化鎵 967 0
目前市場已推出多種快充技術(shù)方案。其中PD方案的出現(xiàn)，助力推動了快充產(chǎn)品的普及。在快速充電器中，變壓器為最重要元件，而氮化鎵則是不容忽視的重要材料。氮化鎵...
晶體管的主要材料是半導(dǎo)體材料，這些材料在導(dǎo)電性能上介于導(dǎo)體和絕緣體之間，具有獨(dú)特的電子結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，使得晶體管能夠?qū)崿F(xiàn)對電流的有效控制。以下將詳細(xì)探討晶體...
2024-08-15 標(biāo)簽：晶體管半導(dǎo)體材料氮化鎵 1342 0
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），近年來在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用場景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及...
換一批
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
| 電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
| 伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |
關(guān)注我們的微信
下載發(fā)燒友APP
電子發(fā)燒友觀察
版權(quán)所有 ? 湖南華秋數(shù)字科技有限公司
長沙市望城經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)航空路6號手機(jī)智能終端產(chǎn)業(yè)園2號廠房3層（0731-88081133）
電子發(fā)燒友 （電路圖） 湘公網(wǎng)安備43011202000918
工商網(wǎng)監(jiān)
湘ICP備2023018690號-1
