為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位

各位小伙伴，不久前我們推送了“SiC科普小課堂”視頻課——《什么是米勒鉗位？為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位？》后反響熱烈，很多朋友留言詢問課件...

2024-12-19 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 461 0

提高SiC晶圓平整度的方法

提高SiC（碳化硅）晶圓平整度是半導(dǎo)體制造中的一個重要環(huán)節(jié)，以下是一些提高SiC晶圓平整度的方法： 一、測量與分析 平整度檢測：首先，使用高精度的測量...

2024-12-16 標(biāo)簽：SiC碳化硅晶圓檢測 167 0

晶圓單面拋光的裝置及方法

晶圓單面拋光的裝置及方法主要涉及半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，以下是對其詳細(xì)的介紹： 一、晶圓單面拋光裝置 晶圓單面拋光裝置通常包含以下關(guān)鍵組件： 工作臺：作...

2024-12-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅晶圓檢測 199 0

單面磷化銦晶片的制備方法有哪些？

單面磷化銦晶片的制備方法主要包括以下步驟： 一、基本制備流程 研磨：采用研磨液對InP（磷化銦）晶片進(jìn)行研磨。研磨液通常包含水、Al2O3（氧化鋁）和...

2024-12-11 標(biāo)簽：晶片碳化硅晶圓檢測 94 0

控制12寸再生晶圓雙面拋光平坦度的方法有哪些？

控制12寸再生晶圓雙面拋光平坦度的方法主要包括以下幾種： 一、采用先進(jìn)的拋光設(shè)備和技術(shù) 雙面拋光設(shè)備： 使用雙面拋光設(shè)備對晶圓進(jìn)行加工，這種設(shè)備能同時...

2024-12-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓碳化硅 89 0

浮思特|如何通過設(shè)計(jì)SiC功率模塊優(yōu)化電動汽車電機(jī)驅(qū)動熱管理效率?

提高電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)的功率密度是提升電動汽車性能的關(guān)鍵。特斯拉已經(jīng)使用的碳化硅(SiC)功率模塊，有可能將功率密度提高一倍。SiC器件具有高溫電阻性、低損耗...

2024-12-09 標(biāo)簽：電動汽車SiC碳化硅 432 0

碳化硅MOSFET柵極氧化層缺陷的檢測技術(shù)

碳化硅材料在功率器件中的優(yōu)勢碳化硅（SiC）作為第三代化合物半導(dǎo)體材料，相較于傳統(tǒng)硅基器件，展現(xiàn)出了卓越的性能。SiC具有高禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高的擊穿...

2024-12-06 標(biāo)簽：MOSFET檢測碳化硅 285 0

基于石英玻璃外延GaN的工藝改進(jìn)方法有哪些？

基于石英玻璃外延GaN的工藝改進(jìn)方法主要包括以下幾個方面： 一、晶圓片制備優(yōu)化 多次減薄處理： 采用不同材料的漿液和磨盤對石英玻璃進(jìn)行多次減薄處理，可...

2024-12-06 標(biāo)簽：GaN石英玻璃碳化硅 262 0

大尺寸藍(lán)寶石晶圓平坦化的方法有哪些

大尺寸藍(lán)寶石晶圓平坦化的方法主要包括以下幾種： 一、傳統(tǒng)研磨與拋光方法 粗研磨 使用研磨墊配合綠碳化硅溶液對藍(lán)寶石晶圓進(jìn)行雙面粗研磨，以去除晶圓表面的...

2024-12-06 標(biāo)簽：測量碳化硅晶圓檢測 204 0

改善晶圓出刀TTV異常的加工方法有哪些？

改善晶圓出刀TTV（Total Thickness Variation，總厚度變化量）異常的加工方法主要包括以下幾種： 一、設(shè)備調(diào)整與優(yōu)化 主軸與承片...

2024-12-05 標(biāo)簽：碳化硅測厚半導(dǎo)體晶圓 230 0

SiC功率器件的特點(diǎn)和優(yōu)勢

SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù)，其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件，特別是在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)勢日益顯現(xiàn)。Wol...

2024-12-05 標(biāo)簽：晶體管功率器件SiC 254 0

磨料形貌及分散介質(zhì)對4H碳化硅晶片研磨質(zhì)量有哪些影響

磨料形貌及分散介質(zhì)對4H碳化硅（4H-SiC）晶片研磨質(zhì)量具有顯著影響。以下是對這一影響的詳細(xì)分析： 一、磨料形貌的影響 磨料形貌是研磨過程中影響4H...

2024-12-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅晶圓檢測 213 0

怎么制備半導(dǎo)體晶圓片切割刃料？

半導(dǎo)體晶圓片切割刃料的制備是一個復(fù)雜而精細(xì)的過程，以下是一種典型的制備方法： 一、原料準(zhǔn)備 首先，需要準(zhǔn)備高純度的原料，如綠碳化硅和黑碳化硅。這些原料...

2024-12-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓碳化硅 150 0

第三代寬禁帶半導(dǎo)體:碳化硅和氮化鎵介紹

? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢，且它們在電力電子系統(tǒng)和電動汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對其進(jìn)行簡單介紹。 以碳化硅（SiC...

2024-12-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 273 0

有什么方法可以去除晶圓鍵合邊緣缺陷?

去除晶圓鍵合邊緣缺陷的方法主要包括以下幾種： 一、化學(xué)氣相淀積與平坦化工藝 方法概述： 提供待鍵合的晶圓。 利用化學(xué)氣相淀積的方法，在晶圓的鍵合面淀積...

2024-12-04 標(biāo)簽：晶圓鍵合碳化硅 232 0

模塊封裝的關(guān)鍵工藝

區(qū)別于分立器件模塊的制造有一些特別的關(guān)鍵工藝技術(shù)，如銀燒結(jié)、粗銅線鍵合、端子焊接等。

2024-12-04 標(biāo)簽：封裝分立器件碳化硅 193 0

SiC半導(dǎo)體產(chǎn)品如何實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量和高可靠性

從MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是我們生活中無數(shù)電子設(shè)備的核心。從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施，到個人電子產(chǎn)品和電動汽車(EV)，它們...

2024-11-30 標(biāo)簽：二極管MOSFET半導(dǎo)體 324 0

基本半導(dǎo)體Pcore?2 E2B工業(yè)級碳化硅半橋模塊解析

隨著可再生能源、電動汽車等領(lǐng)域現(xiàn)代電力應(yīng)用的發(fā)展，硅的局限性變得越來越明顯。以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料具有適合高壓、大功率應(yīng)用的優(yōu)良特性，在650...

2024-11-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅半橋模塊 246 0

超短脈沖激光輔助碳化硅晶圓切片

? 當(dāng)今科技迅速發(fā)展，超短脈沖激光技術(shù)作為一項(xiàng)重要的特種加工技術(shù)，引起了廣泛關(guān)注。超短脈沖激光以其極短的脈沖寬度和高能量密度，在微納加工領(lǐng)域備受矚目。在...

2024-11-25 標(biāo)簽：晶圓脈沖激光碳化硅 182 0

電隔離柵極驅(qū)動器的隔離能力評估

電隔離式 (GI) 柵極驅(qū)動器在優(yōu)化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演著至關(guān)重要的角色，特別是在應(yīng)對電氣化系統(tǒng)日益增長的需求時。隨著全球?qū)﹄娏?..

2024-11-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體安森美SiC 373 0