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標簽 > 襯底

襯底

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襯底技術(shù)

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隨著集成電路工藝尺寸的不斷降低,靜態(tài)功耗在總功耗中所占的比例越來越大,甚至是主要位置(65nm工藝下,某些情況下靜態(tài)功耗占總功耗的50%)。 在實際的電...

2023-01-19 標簽:集成電路CMOS工藝 7911 0

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

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碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口,也是一個很大的挑戰(zhàn),那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)...

2023-02-03 標簽:SiC襯底碳化硅 4422 0

碳化硅晶體的生長原理

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碳化硅晶體的生長原理 在自然界中,晶體不勝枚舉,其分布及應用都十分廣泛。例如日常生活中隨處可見的鹽、糖、鉆石、雪花都是晶體;此外,半導體晶體、激光晶體、...

2024-08-03 標簽:晶體SiC襯底 3508 0

GaN襯底制造過程中N面氮化鎵清洗工藝的研究報告

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氮化鎵由于其寬的直接帶隙、高熱和化學穩(wěn)定性,已成為短波長發(fā)射器(發(fā)光二極管和二極管激光器)和探測器等許多光電應用的誘人半導體,以及高功率和高溫電子器件。...

2022-02-08 標簽:氮化鎵CMPGaN 3468 0

蝕刻工藝關(guān)于濕化學處理后InP表面的研究

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引言 本文將討論在不同的濕化學溶液中浸泡后對InP表面的氧化物的去除。本文將討論接收襯底的各種表面成分,并將有助于理解不同的外原位濕化學處理的影響。這項...

2022-01-12 標簽:InP技術(shù)化學蝕刻 1963 0

研究碳化硅襯底和外延的實驗報告

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摘要 本發(fā)明提供一種能夠提供低位錯缺陷的高質(zhì)量襯底的單晶碳化硅錠,和由此獲得的襯底和外延晶片。 它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠,該單晶碳化硅含有濃...

2022-02-15 標簽:晶圓襯底鍍膜 1924 0

淺談薄膜沉積

薄膜沉積工藝技術(shù)介紹 薄膜沉積是在半導體的主要襯底材料上鍍一層膜。這層膜可以有各種各樣的材料,比如絕緣化合物二氧化硅,半導體多晶硅、金屬銅等。從半導體芯...

2024-11-01 標簽:半導體封裝襯底 1859 0

碳化硅單晶襯底加工技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

摘 要: 碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性,傳統(tǒng)加工方式已經(jīng)不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對碳化硅單晶襯底加工技術(shù),本文綜述了碳化硅單晶切...

2023-01-11 標簽:單晶襯底加工技術(shù) 1839 0

半導體襯底材料的選擇

電子科技領(lǐng)域中,半導體襯底作為基礎(chǔ)材料,承載著整個電路的運行。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,對半導體襯底材料的選擇和應用要求也越來越高。本文將為您詳細介紹半導體襯...

2024-01-20 標簽:半導體襯底碳化硅 1708 0

ZnO上ZnCdO的選擇性濕法刻蝕 南通華林科納

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最近在外延膜的導電率控制和高質(zhì)量塊狀氧化鋅襯底的可用性方面的進展重新引起了我們對用于紫外光發(fā)射器和透明電子器件的氧化鋅/氧化鋅/氧化鋅異質(zhì)結(jié)構(gòu)系統(tǒng)的興趣。

2021-12-13 標簽:半導體襯底光刻膠 1418 0

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襯底資訊

5G、AI、汽車加持,半導體用量驟增,聽聽材料廠商怎么說

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)5G、人工智能以及能源效率對半導體芯片的需求增長已經(jīng)是趨勢,現(xiàn)時出現(xiàn)的芯片缺貨現(xiàn)象也離不開這些新興應用需求的影響。追溯到芯...

2021-03-12 標簽:襯底FD-SOISoitec 5516 0

2023年國內(nèi)主要碳化硅襯底供應商產(chǎn)能現(xiàn)狀

2023年國內(nèi)主要碳化硅襯底供應商產(chǎn)能現(xiàn)狀

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)在過去的2023年里,國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了可能是發(fā)展速度最快的一年。首先是碳化硅襯底取得突破,8英寸進展神速,同時三安和天...

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碳化硅降本關(guān)鍵:晶體制備技術(shù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中,襯底是價值量最大的部分,在碳化硅器件成本構(gòu)成中襯底甚至能夠占近50%,相比之下,硅基半導體器件的成本構(gòu)成...

2024-01-21 標簽:襯底碳化硅第三代半導體 2644 0

Soitec成立30年,優(yōu)化襯底煥發(fā)新生,迎通信、汽車、智能設(shè)備強勁增長

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)襯底是具有特定晶面和適當電學,光學和機械特性的用于生長外延層的潔凈單晶薄片。法國Soitec公司就是設(shè)計和生產(chǎn)優(yōu)化襯底的半...

2022-12-28 標簽:襯底FD-SOISOITEC 2621 0

國內(nèi)首家10英寸藍寶石襯底問世

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繼2月份宣布量產(chǎn)4英寸和6英寸藍寶石襯底后,蘇州海鉑晶體有限公司(以下簡稱“海鉑晶體”)再次宣布:公司已于近期順利生產(chǎn)出10英寸晶錠,良品率達80%以上...

2012-08-03 標簽:襯底藍寶石襯底 2255 0

國內(nèi)碳化硅襯底生產(chǎn)企業(yè)盤點

在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中,碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價值量最大的環(huán)節(jié),是未來碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進的核心環(huán)節(jié)。 碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長晶、...

2023-10-27 標簽:SiC襯底碳化硅 2090 0

江蘇丹陽延陵鎮(zhèn)與博藍特半導體達成碳化硅襯底布局戰(zhàn)略合作

在這次考察中,考察團主要針對博藍特公司計劃將其第三代半導體碳化硅襯底項目引入到延陵鎮(zhèn),這筆交易總預算高達十億元人民幣,其中包括兩年內(nèi)生產(chǎn) 25 萬片六至...

2024-01-19 標簽:半導體襯底碳化硅 2000 0

二維半導體薄膜在任意表面的異質(zhì)外延技術(shù)

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二維半導體薄膜在任意表面的異質(zhì)外延技術(shù) 上海超級計算中心用戶北京大學陳基研究員與合作者提出了一種在不同晶體對稱性、不同晶格常數(shù)和三維架構(gòu)基底上異質(zhì)外延生...

2022-10-19 標簽:半導體超級計算襯底 1828 0

碳化硅賽道持續(xù)火熱 三安光電聯(lián)合ST加大碳化硅賽道投資超200億

碳化硅賽道持續(xù)火熱 三安光電聯(lián)合ST加大碳化硅賽道投資超200億 在新能源汽車、充電樁、光伏發(fā)電、高壓輸電市場如火如荼之際,三安光電正持續(xù)加大投入;這次...

2023-06-08 標簽:晶圓ST襯底 1271 0

中微投資!芯元基Micro LED印章巨量轉(zhuǎn)移重大突破

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芯元基由行業(yè)資深專家郝茂盛博士于2014年創(chuàng)辦,上海創(chuàng)徒、張江科投、中微半導體等先后進行了投資,并在上海臨港建設(shè)了中試生產(chǎn)線。經(jīng)過5年多的潛心研發(fā),芯元...

2023-12-10 標簽:晶圓級襯底Micro LED 1217 0

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襯底數(shù)據(jù)手冊

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時鐘 時鐘振蕩器 時鐘發(fā)生器 時鐘緩沖器 定時器 寄存器 實時時鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
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