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襯底技術(shù)

淺談薄膜沉積

薄膜沉積工藝技術(shù)介紹薄膜沉積是在半導(dǎo)體的主要襯底材料上鍍一層膜。這層膜可以有各種各樣的材料，比如絕緣化合物二氧化硅，半導(dǎo)體多晶硅、金屬銅等。從半導(dǎo)體芯...

2024-11-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝襯底 1859 0

碳化硅晶體的生長原理

碳化硅晶體的生長原理在自然界中，晶體不勝枚舉，其分布及應(yīng)用都十分廣泛。例如日常生活中隨處可見的鹽、糖、鉆石、雪花都是晶體；此外，半導(dǎo)體晶體、激光晶體、...

2024-08-03 標(biāo)簽：晶體 SiC 襯底 3508 0

半導(dǎo)體襯底材料的選擇

電子科技領(lǐng)域中，半導(dǎo)體襯底作為基礎(chǔ)材料，承載著整個電路的運行。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，對半導(dǎo)體襯底材料的選擇和應(yīng)用要求也越來越高。本文將為您詳細(xì)介紹半導(dǎo)體襯...

2024-01-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體襯底碳化硅 1708 0

碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么碳化硅技術(shù)壁壘有哪些碳化硅芯片不僅是一個新風(fēng)口，也是一個很大的挑戰(zhàn)，那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)...

2023-02-03 標(biāo)簽：SiC 襯底碳化硅 4422 0

一文詳解襯底偏壓技術(shù)

隨著集成電路工藝尺寸的不斷降低，靜態(tài)功耗在總功耗中所占的比例越來越大，甚至是主要位置（65nm工藝下，某些情況下靜態(tài)功耗占總功耗的50%）。在實際的電...

2023-01-19 標(biāo)簽：集成電路 CMOS 工藝 7911 0

碳化硅單晶襯底加工技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

摘要: 碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性，傳統(tǒng)加工方式已經(jīng)不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對碳化硅單晶襯底加工技術(shù)，本文綜述了碳化硅單晶切...

2023-01-11 標(biāo)簽：單晶襯底加工技術(shù) 1839 0

一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法

本文提供了用于蝕刻膜的方法和設(shè)備。一個方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點燃等離子體以a形成含氟蝕刻...

2022-04-24 標(biāo)簽：多晶硅蝕刻襯底 1286 0

研究碳化硅襯底和外延的實驗報告

摘要本發(fā)明提供一種能夠提供低位錯缺陷的高質(zhì)量襯底的單晶碳化硅錠，和由此獲得的襯底和外延晶片。它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠，該單晶碳化硅含有濃...

2022-02-15 標(biāo)簽：晶圓襯底鍍膜 1924 0

GaN襯底制造過程中N面氮化鎵清洗工藝的研究報告

氮化鎵由于其寬的直接帶隙、高熱和化學(xué)穩(wěn)定性，已成為短波長發(fā)射器（發(fā)光二極管和二極管激光器）和探測器等許多光電應(yīng)用的誘人半導(dǎo)體，以及高功率和高溫電子器件。...

2022-02-08 標(biāo)簽：氮化鎵 CMP GaN 3468 0

蝕刻工藝關(guān)于濕化學(xué)處理后InP表面的研究

引言本文將討論在不同的濕化學(xué)溶液中浸泡后對InP表面的氧化物的去除。本文將討論接收襯底的各種表面成分，并將有助于理解不同的外原位濕化學(xué)處理的影響。這項...

2022-01-12 標(biāo)簽：InP技術(shù)化學(xué)蝕刻 1963 0

ZnO上ZnCdO的選擇性濕法刻蝕南通華林科納

最近在外延膜的導(dǎo)電率控制和高質(zhì)量塊狀氧化鋅襯底的可用性方面的進展重新引起了我們對用于紫外光發(fā)射器和透明電子器件的氧化鋅/氧化鋅/氧化鋅異質(zhì)結(jié)構(gòu)系統(tǒng)的興趣。

2021-12-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體襯底光刻膠 1418 0

光刻膠中金屬雜質(zhì)對硅基基質(zhì)的吸附機理南通華林科納分析

應(yīng)用放射性示蹤技術(shù)研究了金屬雜質(zhì)(如鋇、銫、鋅和錳)從化學(xué)放大光刻膠中遷移和吸附到硅基底層襯底上的行為。評估了兩個重要的工藝參數(shù)，即烘烤溫度和襯底類型(...

2021-12-13 標(biāo)簽：納米材料納米襯底 1216 0

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加速度傳感器是一種能夠測量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
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OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個系統(tǒng)隨時監(jiān)控發(fā)動機的運行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會馬上發(fā)出警示。
傅里葉變換

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盡管最初傅里葉分析是作為熱過程的解析分析的工具，但是其思想方法仍然具有典型的還原論和分析主義的特征。“任意”的函數(shù)通過一定的分解，都能夠表示為正弦函數(shù)的線性組合的形式，而正弦函數(shù)在物理上是被充分研究而相對簡單的函數(shù)類，這一想法跟化學(xué)上的原子論想法何其相似！
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角度傳感器，顧名思義，是用來檢測角度的。它的身體中有一個孔，可以配合樂高的軸。當(dāng)連結(jié)到RCX上時，軸每轉(zhuǎn)過1/16圈，角度傳感器就會計數(shù)一次。
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DMD是一種整合的微機電上層結(jié)構(gòu)電路單元，利用COMS SRAM記憶晶胞所制成。DMD上層結(jié)構(gòu)的制造是從完整CMOS內(nèi)存電路開始，再透過光罩層的使用，制造出鋁金屬層和硬化光阻層交替的上層結(jié)構(gòu)
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ov7620是一款CMOS攝像頭器件，是彩色CMOS型圖像采集集成芯片，提供高性能的單一小體積封裝，該器件分辨率可以達到640X480，傳輸速率可以達到30幀。
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HCS12X系列單片機簡介 Freescale 公司的16位單片機主要分為HC12 、HCS12、HCS12X三個系列。HC12核心是16位高速CPU12核，總線速度8MHZ；HCS12系列單片機以速度更快的CPU12內(nèi)核為核心，簡稱S12系列，典型的S12總線速度可以達到25MHZ。
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干擾器有多種類型，如GPS干擾器是適用于長途客車司機以及一些不想被GPS信號追蹤到的人群的一個機器，手機信號干擾器主要針對各類考場、學(xué)校、加油站、教堂、法庭、圖書館、會議中心（室）、影劇院、醫(yī)院、政府、金融、監(jiān)獄、公安、軍事重地等禁止使用手機的場所。
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采用彈性敏感元件制成懸臂式位移器，與采用彈性敏感元件制成的儲能彈簧來驅(qū)動電觸點，完成從重力變化到電信號的轉(zhuǎn)換，廣泛應(yīng)用在中高端智能手機和平板電腦內(nèi)。
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無刷直流電機由電動機主體和驅(qū)動器組成，是一種典型的機電一體化產(chǎn)品。無刷電機是指無電刷和換向器（或集電環(huán)）的電機，又稱無換向器電機。早在十九紀(jì)誕生電機的時候，產(chǎn)生的實用性電機就是無刷形式，即交流鼠籠式異步電動機，這種電動機得到了廣泛的應(yīng)用。
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聲紋識別，生物識別技術(shù)的一種，也稱為說話人識別，包括說話人辨認(rèn)和說話人確認(rèn)。聲紋識別就是把聲信號轉(zhuǎn)換成電信號，再用計算機進行識別。不同的任務(wù)和應(yīng)用會使用不同的聲紋識別技術(shù)，如縮小刑偵范圍時可能需要辨認(rèn)技術(shù)，而銀行交易時則需要確認(rèn)技術(shù)。
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凡是電流方向不隨時間變化的電流稱為直流電壓。電流值可以全為正值，也可以全為負(fù)值。在直流電流中又可分為兩種：穩(wěn)恒直流和脈動直流。直流輸電技術(shù)已經(jīng)由簡單的端對端工程朝著大規(guī)模多端輸電的方向發(fā)展，這些工程將是未來直流電網(wǎng)的組成部分，將相同電壓等級的直流工程連接成網(wǎng)遠(yuǎn)比不同電壓等級下的獨立工程更經(jīng)濟、便捷。
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buck是降壓型電路，boost是升壓型電路，可以分開單獨使用，buck-boost電路就是把2種電路合在一起，可升可降。buck-boost拓?fù)潆娐房梢詫崿F(xiàn)升降壓功能，常見的buck-boost電路有兩種，第一種是輸入與輸出電壓極性相反，只需采用一個開關(guān)管和二極管。另外一種是采用兩個開關(guān)管和兩個二極管，可實現(xiàn)同極性電壓升降壓功能。
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所謂識別技術(shù)，也稱為自動識別技術(shù)，通過被識別物體與識別裝置之間的交互自動獲取被識別物體的相關(guān)信息，并提供給計算機系統(tǒng)供進一步處理。
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電磁繼電器是一種電子控制器件，它具有控制系統(tǒng)（又稱輸入回路）和被控制系統(tǒng)（又稱輸出回路），通常應(yīng)用于自動控制電路中，它實際上是用較小的電流、較低的電壓去控制較大電流、較高的電壓的一種“自動開關(guān)”。故在電路中起著自動調(diào)節(jié)、安全保護、轉(zhuǎn)換電路等作用。
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