三星HBM3已經(jīng)通過英偉達(dá)的適用性測試

去年，三星便積極向英偉達(dá)遞送了HBM3樣品，旨在融入其H100等多款計(jì)算卡的供應(yīng)鏈體系中，并預(yù)計(jì)于2024年?duì)幦〉接ミ_(dá)HBM3訂單中高達(dá)30%的份額。...

2024-07-26 標(biāo)簽：英偉達(dá)三星HBM3 502 0

今日看點(diǎn)丨傳三星HBM3獲英偉達(dá)認(rèn)證 將用于中國版H20芯片；OPPO 新開兩塊高密度硅材料單電芯電池

1. 隨著日本將首次引入EUV 光刻機(jī)，ASML 當(dāng)?shù)貑T工計(jì)劃增至600 人 ? 隨著日本準(zhǔn)備進(jìn)口其首批極紫外（EUV）光刻機(jī)，作為唯一技術(shù)提供商的AS...

2024-07-24 標(biāo)簽：芯片OPPO英偉達(dá) 652 0

HBM格局生變！傳三星HBM3量產(chǎn)供貨英偉達(dá)，國內(nèi)廠商積極布局

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）根據(jù)韓媒sedaily 的最新報(bào)道，三星華城17號產(chǎn)線已開始量產(chǎn)并向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3內(nèi)存。同時(shí)，美光已經(jīng)為英偉達(dá)供應(yīng)HB...

2024-07-23 標(biāo)簽：英偉達(dá)HBM三星 3757 0

三星電子HBM3E芯片驗(yàn)證仍在進(jìn)行，與英偉達(dá)展開聯(lián)合測試并取得階段性成果

據(jù)行業(yè)觀察者透露，三星HBM3E面臨的問題源于臺積電在驗(yàn)證過程中采用了SK海力士的標(biāo)準(zhǔn)，而這與三星自身的生產(chǎn)方式有所出入，從而影響了產(chǎn)品的認(rèn)證進(jìn)程。

2024-05-17 標(biāo)簽：SK海力士三星HBM3 380 0

SK海力士發(fā)布2024財(cái)年第1季度財(cái)報(bào)，創(chuàng)歷史同期新高

本季度，SK海力士實(shí)現(xiàn)了歷史最高的收入水平，同時(shí)營業(yè)利潤也刷新了自 2018 年以來的同期次高紀(jì)錄。公司認(rèn)為這標(biāo)志著長期低迷后的全面復(fù)蘇。

2024-04-25 標(biāo)簽：DRAMSK海力士HBM3 529 0

韓美半導(dǎo)體新款TC鍵合機(jī)助力HBM市場擴(kuò)張

TC鍵合機(jī)作為一種應(yīng)用熱壓技術(shù)將芯片與電路板連接的設(shè)備，近年來廣泛應(yīng)用于HBM3E和HBM3的垂直堆疊工藝中，提升了生產(chǎn)效率和精度。

2024-04-12 標(biāo)簽：電路板半導(dǎo)體行業(yè)HBM3 1076 0

三星電子HBM存儲技術(shù)進(jìn)展：12層HBM3E芯片，2TB/s帶寬HBM4即將上市

據(jù)業(yè)內(nèi)透露，三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領(lǐng)先其他公司，有能力在2024年9月實(shí)現(xiàn)對英偉達(dá)的替代，這意味著它將成為英偉達(dá)12層HBM3E的壟斷供應(yīng)商。...

2024-03-27 標(biāo)簽：英偉達(dá)三星HBM3 847 0

NVIDIA預(yù)定購三星獨(dú)家供應(yīng)的大量12層HBM3E內(nèi)存

據(jù)悉，HBM3E 12H內(nèi)存具備高達(dá)1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲容量，較8層堆疊的HBM3 8H，分別提升了50%以上的帶寬及容量。

2024-03-25 標(biāo)簽：人工智能英偉達(dá)HBM3 418 0

美光科技Q2業(yè)績超預(yù)期 營收同比增長58%

美光科技Q2業(yè)績超預(yù)期 營收同比增長58% 美光科技Q2業(yè)績超預(yù)期，截至2月29日的第二財(cái)季，美光營收同比增長58%，高達(dá)58.2億美元，大幅超出分析師...

2024-03-21 標(biāo)簽：美光科技HBMHBM3 692 0

英偉達(dá)CEO贊譽(yù)三星HBM內(nèi)存，計(jì)劃采購

　提及此前有人預(yù)測英偉達(dá)可能向三星購買HBM3或HBM3E等內(nèi)存，黃仁勛在會上直接認(rèn)可三星實(shí)力，稱其為“極具價(jià)值的公司”。他透露目前已對三星HBM內(nèi)存進(jìn)...

2024-03-20 標(biāo)簽：英偉達(dá)黃仁勛HBM3 835 0

GTC 2024：三大存儲廠商齊展HBM3E與GDDR7技術(shù)

據(jù)悉，HBM3E廣泛應(yīng)用于Blackwell加速器、NVIDIA H200、GH200芯片；AMD Instinct MI300A / X亦有可能采用其...

2024-03-20 標(biāo)簽：加速器顯卡HBM3 713 0

SK海力士HBM3E正式量產(chǎn)，鞏固AI存儲領(lǐng)域的領(lǐng)先地位

SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家，預(yù)計(jì)這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗(yàn)，將進(jìn)一步強(qiáng)化公司在AI存儲器市場的領(lǐng)導(dǎo)者地位。

2024-03-19 標(biāo)簽：存儲器SK海力士HBM3 1014 0

SK海力士HBM3E內(nèi)存正式量產(chǎn)，AI性能提升30倍，成本能耗降低96%

同日，SK海力士宣布啟動 HBM3E 內(nèi)存的量產(chǎn)工作，并在本月下旬開始供貨。自去年宣布研發(fā)僅過了七個月。據(jù)稱，該公司成為全球首家量產(chǎn)出貨HBM3E 的廠...

2024-03-19 標(biāo)簽：存儲器SK海力士HBM3 1070 0

四川長虹回應(yīng)幫華為代工 HBM芯片備受關(guān)注

四川長虹回應(yīng)幫華為代工 HBM芯片備受關(guān)注 AI的爆發(fā)極大的推動了HBM芯片的需求；今日市場有傳聞稱四川長虹將為華為代工HBM芯片，對此傳言四川長虹回應(yīng)...

2024-03-18 標(biāo)簽：華為長虹HBM 9788 0

英偉達(dá)B100 GPU架構(gòu)披露，B200或配備288GB顯存

XpeaGPU透露，B100 GPU將配備兩枚基于此技術(shù)的芯片，與此同時(shí)，還將連通多達(dá)8個HBM3e顯存堆棧，總?cè)萘扛哌_(dá)192GB。AMD同樣已有提供同...

2024-03-18 標(biāo)簽：amdgpu英偉達(dá) 1309 0