在采用帶引線的TO-247封裝中采用共源共柵模式技術(shù)之后，市場上出現(xiàn)了許多趨勢，這些市場朝著R DS（開啟），更好的開關(guān)品質(zhì)因數(shù)（FOM）和更低的電容方面的改進(jìn)方向發(fā)展。
2021-03-16 11:26:34
6828 通過采用電子馬達(dá)驅(qū)動器或“電壓源逆變器”可實(shí)現(xiàn)對電機(jī)的增強(qiáng)型控制，此類驅(qū)動器通常會產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來控制馬達(dá)的速度、扭矩和方向。驅(qū)動器采用開關(guān)電源技術(shù)，通常在16kHz左右運(yùn)行，并通過脈沖寬度調(diào)制實(shí)現(xiàn)輸出控制。
2021-04-28 09:43:152443 
通過種種信息，我們應(yīng)該都能發(fā)現(xiàn)，氮化鎵充電器目前已經(jīng)快要與普通充電器市場持平，而且，氮化鎵充電器是近幾年新開發(fā)出來的，從剛開始出現(xiàn)的30W到現(xiàn)在的140W、200W，相信未來還會有更多可能。
2023-02-03 16:51:466396 
新一代氮化鎵技術(shù)針對汽車、5G 和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用；新器件采用了傳統(tǒng)的TO-247封裝和創(chuàng)新的銅夾片貼片封裝CCPAK
2020-06-11 08:03:432926 氮化鎵（GaN）是第三代半導(dǎo)體技術(shù)，其運(yùn)行速度比舊的慢速硅（Si）快20倍，并且可以以三分之一的體積和重量，實(shí)現(xiàn)高達(dá)三倍的功率或充電速度。
2021-03-15 09:45:54994 采用了該公司的氮化鎵技術(shù)。這款適配器采用Transphorm的SuperGaN?第四代技術(shù)，這是一種氮化鎵場效應(yīng)管(FET)平臺，具有以下優(yōu)點(diǎn)：系統(tǒng)
2022-08-08 10:47:13707 
對于大規(guī)模MIMO系統(tǒng)而言，第4代氮化鎵技術(shù)和多功能相控陣?yán)走_(dá)(MPAR)架構(gòu)可提升射頻性能和裝配效率——DavidRyan，MACOM高級業(yè)務(wù)開發(fā)和戰(zhàn)略營銷經(jīng)理解說道，向5G移動網(wǎng)絡(luò)的推進(jìn)不斷加快
2019-08-02 08:28:19
`對于大規(guī)模MIMO系統(tǒng)而言，第4代氮化鎵技術(shù)和多功能相控陣?yán)走_(dá)(MPAR)架構(gòu)可提升射頻性能和裝配效率——DavidRyan，MACOM高級業(yè)務(wù)開發(fā)和戰(zhàn)略營銷經(jīng)理解說道，向5G移動網(wǎng)絡(luò)的推進(jìn)不斷
2017-08-03 16:28:14
"對于大規(guī)模MIMO系統(tǒng)而言，第4代氮化鎵技術(shù)和多功能相控陣?yán)走_(dá)(MPAR)架構(gòu)可提升射頻性能和裝配效率。"—David Ryan，MACOM高級業(yè)務(wù)開發(fā)和戰(zhàn)略營銷經(jīng)理 行業(yè)洞察
2017-06-06 18:03:10
(86) ，因此在正常體溫下，它會在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀(jì)60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術(shù)才得以出現(xiàn)。作為一種化合物，氮化鎵的熔點(diǎn)超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計(jì)的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
的數(shù)十億次的查詢，便可以獲得數(shù)十億千瓦時(shí)的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年
2019-03-14 06:45:11
被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域，隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求，氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中，尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開來，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
技術(shù)迭代。2018 年，氮化鎵技術(shù)走出實(shí)驗(yàn)室，正式運(yùn)用到充電器領(lǐng)域，讓大功率充電器迅速小型化，體積僅有傳統(tǒng)硅（Si）功率器件充電器一半大小，氮化鎵快充帶來了充電器行業(yè)變革。但作為新技術(shù)，當(dāng)時(shí)氮化鎵
2022-06-14 11:11:16
現(xiàn)在越來越多充電器開始換成氮化鎵充電器了，氮化鎵充電器看起來很小，但是功率一般很大，可以給手機(jī)平板，甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么，氮化鎵充電器有哪些優(yōu)點(diǎn)，下文簡單做個(gè)分析。一、氮化鎵
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
`從研發(fā)到商業(yè)化應(yīng)用，氮化鎵的發(fā)展是當(dāng)下的顛覆性技術(shù)創(chuàng)新，其影響波及了現(xiàn)今整個(gè)微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對眾多射頻應(yīng)用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的影響，并實(shí)現(xiàn)了利用傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)無法實(shí)現(xiàn)
2017-08-15 17:47:34
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
深圳市尊信電子技術(shù)有限公司專業(yè)開發(fā)設(shè)計(jì)電子產(chǎn)品方案鈺泰，智融，賽芯微一級代理吉娜：*** 微信：mphanfan歡迎行業(yè)客戶聯(lián)系，獲取datasheet、報(bào)價(jià)、樣片等更多產(chǎn)品信息氮化鎵技術(shù)的普及，使
2021-11-28 11:16:55
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術(shù)，瞄準(zhǔn)主流消費(fèi)
2018-02-12 15:11:38
用于無線基礎(chǔ)設(shè)施的半導(dǎo)體技術(shù)正在經(jīng)歷一場重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管在功率放大器領(lǐng)域幾十年來的主導(dǎo)地位正在被氮化鎵(GaN)撼動，這將對無線
2017-08-30 10:51:37
地控制烹飪。以上講解到的演示，即我們的硅基氮化鎵技術(shù)將如何支持射頻能量市場，這是我們要通過高效氮化鎵技術(shù)推動的多種應(yīng)用之一。關(guān)于MACOMMACOM是一家新生代半導(dǎo)體器件公司，集高速增長、多元化和高
2017-09-06 14:44:16
，尤其是2010年以后，MACOM開始通過頻繁收購來擴(kuò)充產(chǎn)品線與進(jìn)入新市場，如今的MACOM擁有包括氮化鎵（GaN）、硅鍺（SiGe）、磷化銦（InP）、CMOS、砷化鎵等技術(shù)，共有40多條生產(chǎn)線
2017-09-04 15:02:41
的各個(gè)電端子之間的距離縮短十倍。這樣可以實(shí)現(xiàn)更低的電阻損耗，以及電子具備更短的轉(zhuǎn)換時(shí)間?？偟膩碚f，氮化鎵器件具備更快速的開關(guān)、更低的功率損耗及更低的成本優(yōu)勢。由于氮化鎵技術(shù)在低功耗、小尺寸等方面具有獨(dú)特
2017-07-18 16:38:20
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級
2020-10-27 09:28:22
eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專有的AllGaN?工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動器，邏輯和保護(hù)功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
功率密度。氮化鎵開關(guān)器件通過在高速開關(guān)下保持高效率水平實(shí)現(xiàn)這些優(yōu)勢， 這使得可以應(yīng)用更小的元件，從而縮小尺寸。同時(shí)，高效率產(chǎn)生更少的熱量，從而確保電源適配器表面溫度不超過要求的溫度上限。精品推薦：通用適配器來了，氮化鎵技術(shù)做后盾`
2017-05-25 10:35:22
氮化鎵技術(shù)非常適合4.5G或5G系統(tǒng)，因?yàn)轭l率越高，氮化鎵的優(yōu)勢越明顯。那對于手機(jī)來說射頻GaN技術(shù)還需解決哪些難題呢？
2019-07-31 06:53:15
，一些射頻氮化鎵廠商開始考慮在未來的手持設(shè)備中使用氮化鎵。對于現(xiàn)在的手機(jī)而言，氮化鎵的性能過剩，價(jià)格又太貴。但將來支持下一代通信標(biāo)準(zhǔn)（即5G）的手機(jī)，使用氮化鎵是有可能的。氮化鎵技術(shù)非常適合4.5G或
，利用氮化鎵技術(shù)的性能優(yōu)勢，基于固態(tài)射頻能量的等離子照明極大延長了光源的使用壽命，為等離子燈提供了前所未有的市場機(jī)會。由于固態(tài)射頻能量的高效率和長壽命，等離子照明現(xiàn)在可以為大面積照明應(yīng)用提供極高的價(jià)值。由
2017-12-14 10:24:22
在德州儀器不斷推出的“技術(shù)前沿”系列博客中，一些TI最優(yōu)秀的人才討論當(dāng)今最大的技術(shù)趨勢以及如何應(yīng)對未來挑戰(zhàn)等問題。相較于先前使用的硅晶體管，氮化鎵（GaN）可以讓全新的電源應(yīng)用在同等電壓條件下以更高
2018-08-30 15:05:40
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級
2022-11-10 06:36:09
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無法實(shí)現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于氮化鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解？事實(shí)又是怎樣的呢？
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
，是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。
首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長達(dá) 30 年的職業(yè)生涯中，長期擔(dān)任副總裁及更高級別的管理職位，并領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
，整合優(yōu)勢資源，讓客戶更加方便地用上氮化鎵技術(shù)，獲得氮化鎵低開關(guān)損耗、高效率的優(yōu)勢，降低充電器的能耗，節(jié)能減排助力“3060雙碳”戰(zhàn)略。茂睿芯年初發(fā)布了業(yè)界最小體積SOT23-6的高頻QR ACDC
2021-11-12 11:53:21
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案，相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
愛思強(qiáng)股份有限公司推出最新產(chǎn)品AIX G5+，為其AIX G5行星式反應(yīng)器平臺提供5x200 mm硅基氮化鎵生長專用設(shè)備?；谝钥蛻魹橹行牡陌l(fā)展計(jì)劃，愛思強(qiáng)的研發(fā)實(shí)驗(yàn)室開發(fā)了此技術(shù)并設(shè)計(jì)并制
2012-07-25 11:16:211364 在過去的半個(gè)世紀(jì)，硅一直是現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)，原因很顯然：到現(xiàn)在為止，硅是大規(guī)模應(yīng)用于最新消費(fèi)、商業(yè)和工業(yè)技術(shù)最完美的半導(dǎo)體材料。但是現(xiàn)在，面對一種可提供比舊行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)更高的速度、更強(qiáng)的功率處理能力和更小的尺寸的新型半導(dǎo)體材料，硅的局限性受到了挑戰(zhàn)。
2017-05-22 09:35:501927 
硅功率MOSFET為電路設(shè)計(jì)者提供了許多好處，使它成為許多應(yīng)用中的明顯選擇。它提供了高開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻，不像前面的雙極晶體管，MOSFET不遭受熱失控。
2017-06-13 09:58:49
14 器件能夠提供最大限度射頻功率密度，芯片與封裝包之間的良好熱接口極為重要。
在氮化鎵技術(shù)中，熱設(shè)計(jì)與電氣設(shè)計(jì)同等重要。
2018-01-04 16:44:585694 德州儀器的默認(rèn)過流保護(hù)方法被歸類為“電流鎖存”保護(hù)；這意味著，若在器件中檢測到任何過流故障，F(xiàn)ET將安全關(guān)斷，并在故障復(fù)位前保持關(guān)斷狀態(tài)。在我們的70mΩ器件中，故障在36 A觸發(fā)；對于50mΩ器件，故障觸發(fā)器擴(kuò)展到61 A.
2019-04-24 14:36:47679 
過去十年，全球?qū)﹄娦呕A(chǔ)設(shè)施的投資一直很穩(wěn)定，并且，中國政府的投入近年持續(xù)增長。在這個(gè)穩(wěn)定的市場中，更高的頻率趨勢，為RF GaN在5G網(wǎng)絡(luò)頻率低于6GHz（sub-6Ghz）的功率放大器（PA）中找到了用武之地。
2019-05-10 09:18:256132 
毫無疑問，氮化鎵在半導(dǎo)體競爭中處于領(lǐng)先地位，可用于超級電源開關(guān)。
2019-05-31 15:35:512859 貝爾金近日發(fā)布了全新的USB-C氮化鎵電源適配器以及無線充電器。貝爾金全新USB-C電源適配器有30W、60W和68W三種選擇，全部采用氮化鎵技術(shù)，尺寸更小。
2020-01-13 14:06:191136 用于無線基礎(chǔ)設(shè)施的半導(dǎo)體技術(shù)正在經(jīng)歷一場重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管在功率放大器領(lǐng)域幾十年來的主導(dǎo)地位正在被氮化鎵(GaN)撼動，這將對無線基站的系統(tǒng)性能和運(yùn)營成本產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。
2020-02-12 13:25:448675 
近日，康佳一則招募氮化鎵工程師的官方啟事引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注?？导迅笨偛美詈觏w在接受記者采訪時(shí)解釋，招募氮化鎵工程師是希望加快推進(jìn)康佳在Micro LED芯片研發(fā)上的工作。在經(jīng)過了長時(shí)間的積累與沉淀之后，康佳以氮化鎵技術(shù)為突破，發(fā)力Micro LED的號角已經(jīng)吹響。
2020-02-28 15:30:351283 在這當(dāng)中氮化鎵技術(shù)就起到了非常重要的作用。高輸出功率、線性度和功耗要求正促使基站和網(wǎng)絡(luò)OEM從使用PA LDMOS技術(shù)轉(zhuǎn)向氮化鎵技術(shù)。
2020-04-28 16:15:35853 目前常用的解決方案包括使用硅基超結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（SJMOSFET）來調(diào)節(jié)、轉(zhuǎn)換并向電池充電。它的尺寸大約為18英寸×25英寸，重量大概13磅，能效約為94%。
2020-11-05 13:03:251452 碳化硅和氮化鎵技術(shù)的“甜區(qū)”在哪里？
2021-06-02 11:14:432855 
通過采用電子馬達(dá)驅(qū)動器或“電壓源逆變器”可實(shí)現(xiàn)對電機(jī)的增強(qiáng)型控制，此類驅(qū)動器通常會產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來控制馬達(dá)的速度、扭矩和方向。驅(qū)動器采用開關(guān)電源技術(shù)，通常在16kHz左右運(yùn)行，并通過脈沖寬度調(diào)制實(shí)現(xiàn)輸出控制。
2021-07-04 09:36:102762 
氮化鎵（GaN）是下一代半導(dǎo)體技術(shù)，它的器件開關(guān)速度比傳統(tǒng)硅器件快20倍。
2021-09-08 12:22:201285 USB PD快充是目前主流的快充協(xié)議，而USB Type-C接口也在手機(jī)和筆記本上廣泛應(yīng)用，USB Type-C接口內(nèi)置USB PD快充協(xié)議的通信線，并且支持USB PD標(biāo)準(zhǔn)的電壓與電流，USB Type-C接口是USB PD快充協(xié)議的主流載體，所以說USB PD和USB Type-C是一套相輔相成的關(guān)系。
2021-12-27 15:19:551199 的65W 2C1A USB PD適配器采用了該公司的氮化鎵技術(shù)。這款適配器采用Transphorm的SuperGaN?第四代技術(shù)，這是一種氮化鎵場效應(yīng)管(FET)平臺，具有以下優(yōu)點(diǎn)：系統(tǒng)設(shè)計(jì)簡單，元件
2022-07-29 09:14:47584 副總裁 Andrea Bricconi 的播客中，我們將分析這個(gè)寬帶隙生態(tài)系統(tǒng)的最新技術(shù)，這些技術(shù)將推動下一步的改進(jìn)。 開始 歡迎來到由 Maurizio Di Paolo Emilio 主持的播客節(jié)目
2022-07-29 16:06:00418 Micro LED被譽(yù)為新時(shí)代顯示技術(shù)，但目前仍面臨關(guān)鍵技術(shù)、良率、和成本的挑戰(zhàn)。 微米級的Micro LED已經(jīng)脫離了常規(guī)LED工藝，邁入類IC制程。相對其它競爭方案，大尺寸硅襯底氮化鎵（GaN
2022-08-17 12:25:421137 亞洲充電展(Asia Charging Expo)簡稱ACE，由充電頭網(wǎng)發(fā)起，旨在促進(jìn)最新電源技術(shù)和低碳環(huán)保的緊密結(jié)合。2022亞洲充電展立足現(xiàn)代化國際都市群粵港澳大灣區(qū)，是全球影響最為廣泛的能源電子技術(shù)展會之一，也是亞洲屈指可數(shù)的充電行業(yè)技術(shù)產(chǎn)業(yè)盛會。
2022-08-18 12:42:56606 氮化鎵技術(shù)的出現(xiàn)，通過降低開關(guān)損耗和導(dǎo)通阻抗，提高效率，降低發(fā)熱，減小了快充充電器的體積。
2022-09-28 14:45:221578 支持瓦特到千瓦級應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)
2022-11-01 08:25:401 氮化鎵不僅受到近距離無線充電的歡迎，比如高合汽車采用GaN無線充電，而且遠(yuǎn)距離無線輸電也在采用氮化鎵技術(shù)。
2022-12-08 11:50:011947 隨著氮化鎵技術(shù)的不斷發(fā)展，氮化鎵也應(yīng)用在了很多新興領(lǐng)域，充電頭網(wǎng)此次選取了手機(jī)、車充、PC電源、服務(wù)器電源、筆記本適配器、戶外電源等新場景，幫助大家掌握氮化鎵應(yīng)用的最新動態(tài)。
2023-02-02 17:52:311332 什么是氮化鎵技術(shù) 氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子
2023-02-03 14:14:451559 氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
2023-02-03 17:52:383426 氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導(dǎo)體。
2023-02-03 18:18:465898 
的導(dǎo)通電阻，因此能夠降低損耗、減少發(fā)熱，提供高效節(jié)能，使得元器件的體積能夠更加精簡，正因如此，氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用也越來越多，本文就帶大家了解一下氮化鎵技術(shù)應(yīng)用在了哪些方面。 氮化鎵器件現(xiàn)在普遍應(yīng)用在了構(gòu)建放大器電路的
2023-02-06 09:32:01861 氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。
2023-02-06 09:46:091719 硅基氮化鎵是一個(gè)正在走向成熟的顛覆性半導(dǎo)體技術(shù)，硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 16:44:262277 
通過采用電子馬達(dá)驅(qū)動器或“電壓源逆變器”可實(shí)現(xiàn)對電機(jī)的增強(qiáng)型控制，此類驅(qū)動器通常會產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來控制馬達(dá)的速度、扭矩和方向。驅(qū)動器采用開關(guān)電源技術(shù)，通常在16kHz左右運(yùn)行，并通過脈沖寬度調(diào)制實(shí)現(xiàn)輸出控制。
2023-02-08 09:46:44614 
具體而言，SiC 近年來在很多領(lǐng)域都有應(yīng)用，比如工業(yè)領(lǐng)域。對于 GAN 來說，可使用場景非常廣泛。SiC 產(chǎn)品在高功率市場中有著很好的應(yīng)用，例如 IGBT 這些產(chǎn)品都有著很好的使用，應(yīng)用領(lǐng)域在不斷增長中，其主要動力來自汽車行業(yè)
2023-02-10 11:01:28432 氮化鎵（GaN）技術(shù)如今在電力電子行業(yè)風(fēng)靡一時(shí)，這種寬禁帶半導(dǎo)體能夠?qū)崿F(xiàn)非常高的效率和功率密度，因此能夠減小電源的體積，并且降低其工作溫度，該性能優(yōu)勢正迅速成為電源制造商保持競爭力和符合日益嚴(yán)格
2023-02-10 15:10:57669 、零反向恢復(fù)電荷、體積小和能耗低、抗輻射等優(yōu)勢。 曾經(jīng)射頻半導(dǎo)體市場中主要用到的是LDMOS技術(shù)，而如今，硅基氮化鎵技術(shù)基本已經(jīng)取代了傳統(tǒng)的LDMOS技術(shù)，與傳統(tǒng)的LDMOS技術(shù)相比，硅基氮化鎵技術(shù)可提供的功率效率能夠超過70%，單位面積功
2023-02-12 14:30:281420 氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬
2023-02-12 17:32:163011 氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度
2023-02-13 09:26:412019 GaN和SiC屬于高帶隙的第三代半導(dǎo)體材料，與第一代Si和第二代GaAs等前輩相比，它們在特性上具有突出優(yōu)勢。由于大的帶隙和高的熱導(dǎo)率，GaN器件可以在200°C以上的高溫下工作，并且可以承載更高的能量密度和更高的可靠性；大的帶隙和絕緣損壞電場降低了器件的導(dǎo)通電阻，有利于提高器件的整體能效。
2023-02-13 17:24:04410 硅基氮化鎵技術(shù)是一種新型的氮化鎵外延片技術(shù)，它可以提高外延片的熱穩(wěn)定性和抗拉強(qiáng)度，從而提高外延片的性能。
2023-02-14 14:19:011046 硅基氮化鎵技術(shù)原理是指利用硅和氮化鎵的特性，將其結(jié)合在一起，形成一種新的復(fù)合材料，以滿足電子元件、電子器件和電子零件的制造要求。硅基氮化鎵具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性，可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件，而氮化鎵則可以提供良好的電子性能和絕緣性能。
2023-02-14 14:46:581044 氮化鎵晶體管型號參數(shù)主要包括電壓限值、電流密度、功率密度、效率、溫度系數(shù)、漏電流、漏電壓、抗電磁干擾能力等。
2023-02-14 16:24:031388 氮化鎵技術(shù)是誰突破的技術(shù) 作為支撐“新基建”建設(shè)的關(guān)鍵核心器件，氮化鎵應(yīng)用范圍非常廣泛，氮化鎵在數(shù)據(jù)中心，新能源汽車等領(lǐng)域都有運(yùn)用。那么這么牛的氮化鎵技術(shù)是誰突破的技術(shù)？ 氮化鎵技術(shù)是誰突破的技術(shù)
2023-02-16 17:48:442805 氮化鎵在任何功率級別都很關(guān)鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時(shí)減小尺寸、重量和元件數(shù)量。從歷來經(jīng)驗(yàn)來看，您必須至少對其中的部分因素進(jìn)行權(quán)衡，但德州儀器正通過所有這些優(yōu)勢實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)，同時(shí)通過
2023-03-31 09:14:29299 
氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體器件，憑借其優(yōu)異的性能，在PD快充領(lǐng)域被廣泛使用。
2023-06-02 16:41:13330 
渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵（GaN）功率轉(zhuǎn)換解決方案產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的應(yīng)用技術(shù)。已獲得所有必要的監(jiān)管部門審批，交易結(jié)束后，GaN Systems 已正式成為英飛凌的組成部分。 目前，英飛凌共有 450 名氮化鎵技術(shù)專家和超過 350 個(gè)氮化鎵技術(shù)專利族。英飛凌表示，公司和 G
2023-10-26 08:43:52207 氮化鎵是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有高電子遷移率、高耐壓、高頻率等特性。相比傳統(tǒng)的硅材料，氮化鎵材料的帶隙寬度更大，能夠承受更高的電壓和溫度，同時(shí)具有更高的電子遷移率和更快的開關(guān)速度。這些特性使得氮化
2023-11-07 15:48:01196 氮化鎵材料定義：氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。 氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，是研制微電子器件、光電子器件的新型材料。
2023-11-14 11:03:10217 
近日，Nexperia（安世半導(dǎo)體）憑借其在氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）領(lǐng)域的杰出表現(xiàn)，榮獲兩項(xiàng)權(quán)威大獎：“SiC年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎”和“中國GaN功率器件十強(qiáng)”。這一榮譽(yù)充分展示了安世半導(dǎo)體作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體全球領(lǐng)導(dǎo)者的強(qiáng)大實(shí)力，以及其在三代半領(lǐng)域的深厚積累。
2024-01-03 15:46:13403 氮化鎵技術(shù)（GaN技術(shù)）是一種基于氮化鎵材料的半導(dǎo)體技術(shù)，被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、光電子器件、能源、通信和國防等領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵技術(shù)的用途和應(yīng)用，并從不同領(lǐng)域深入探討其重要性和優(yōu)勢
2024-01-09 18:06:36303 氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料，由氮?dú)夂徒饘冁壏磻?yīng)得到。它具有優(yōu)異的光電特性和熱穩(wěn)定性，因此在電子器件、光電器件、化學(xué)傳感器等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。本文將從氮化鎵的制備方法、特性、應(yīng)用等方面進(jìn)行詳細(xì)介紹
2024-01-10 10:06:30197
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