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提供超低RDS(on)和超高的電流與熱管理能力
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奈梅亨，2024年12月12日：Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產品均采用創(chuàng)新型銅夾片CCPAK1212封裝，具有業(yè)內領先的功率密度和優(yōu)越性能。創(chuàng)新型銅夾片設計能夠承載高電流、寄生電感更低且熱性能出色，因此這些器件非常適合電機控制、電源、可再生能源系統(tǒng)和其他耗電應用。該系列還包括專為AI服務器熱插拔功能設計的特定應用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封裝的MOSFET提供頂部和底部散熱選項，可實現高功率密度和可靠的解決方案。所有器件封裝均已在JEDEC注冊，并配備Nexperia交互式數據手冊，便于無縫集成。
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標桿器件PSMN1R0-100ASF是一款0.99 mΩ 100 V功率MOSFET，能夠承載460 A電流并達到1.55 KW耗散功率，采用CCPAK1212封裝，僅占用12mm×12mm的電路板空間。PSMN1R0-100CSF的頂部散熱版本也具備類似的性能。
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優(yōu)越的性能表現與器件的內部結構緊密相關。CCPAK1212中的“CC”代表銅夾片(Copper Clip)，這意味著功率MOSFET的晶圓夾在兩片銅片之間，一側是漏極散熱片，另一側是源極夾片。優(yōu)化后的設計無需引線鍵合，進而可降低導通電阻和寄生電感，提高最大額定電流并改進熱性能。
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CCPAK1212 NextPower 80/100 V MOSFET適合側重于高效率和高可靠性的耗電工業(yè)應用，包括無刷直流(BLDC)電機控制、開關電源(SMPS)、電池管理系統(tǒng)(BMS)和可再生能源存儲。這類單個大功率封裝的MOSFET可減少并聯(lián)需求、簡化設計，并提供更緊湊、更具成本效益的解決方案。
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Nexperia此次推出的CCPAK1212系列中，還包括一些為特定應用而設計開發(fā)的新型MOSFET (ASFET)，主要用于為日益增強的AI服務器實現熱插拔操作。這些器件的安全工作區(qū)(SOA)經過強化，可在線性模式轉換期間提供出色的熱穩(wěn)定性。
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本系列器件提供頂部和底部散熱選項，讓相關應用的工程師可以靈活選擇散熱途徑，尤其適用于因為某些熱敏感器件限制而無法直接通過PCB進行散熱的設計。
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Nexperia產品部總經理Chris Boyce表示：“盡管我們擁有市場領先的性能，但我們知道，一些客戶對于采用相對較新的封裝進行設計時仍猶豫不決。為此，我們已經向JEDEC標準組織注冊了CCPAK1212，參考編號為MO-359。早些年推出第一款LFPAK MOSFET封裝時，我們就采用了類似的方法，因此現在市場上有許多兼容的器件。當創(chuàng)新能夠為客戶創(chuàng)造真正的價值時，市場很快就會給予響應?！?br />
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所有新款CCPAK1212 MOSFET器件均享受一系列先進的設計工具支持，包括熱補償仿真模型。Nexperia還將傳統(tǒng)的PDF數據手冊升級成了用戶友好型交互式數據手冊，其中新增了一項“圖形轉csv”功能，使工程師能夠下載、分析和解釋每個器件關鍵特性背后的數據。這不僅簡化了設計流程，而且增強了對設計選擇的信心。
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Nexperia計劃將CCPAK1212封裝應用到所有電壓范圍的功率MOSFET及其符合車規(guī)級AEC-Q101標準的產品組合，以實現超高電流和出色熱性能，滿足下一代系統(tǒng)不斷變化的需求。
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欲了解有關Nexperia CCPAK1212 MOSFET的更多信息，請訪問：
https://www.nexperia.com/products/mosfets/family/ccpak1212-mosfets
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CCPAK1212封裝將再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現
- MOSFET(213052)
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一段時間以來，高壓應用的要求迫使設計師不得不依賴傳統(tǒng)功率封裝，例如TO-220 / TO-247和D2PAK-7。然而，隨著開關頻率越來越高，這些傳統(tǒng)封裝的限制逐漸凸顯。Nexperia憑借20多年
2023-02-09 09:51:581540
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用于功率 MOSFET 的 SPICE 和 VHDL-AMS中的 Nexperia 精密電熱模型-AN90034
用于功率 MOSFET 的 SPICE 和 VHDL-AMS 中的 Nexperia 精密電熱模型-AN90034
2023-02-09 21:43:380
0LFPAK系列全新8*8封裝提升功率效率
為了適應業(yè)界對節(jié)省空間、提高功率密度和電流處理能力的需要，Nexperia大大改進了最新的銅夾封裝。 LFPAK88結合了低RDSon和高ID，將功率密度基準設定為1 W / mm3以上。
2023-02-10 09:39:061948
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采用 CCPAK1212封裝的 650V,33mOhm 氮化鎵(GaN) FET-GAN039-650NBA
采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBA
2023-02-16 20:47:212
2采用 CCPAK1212i 封裝的 650V,33mOhm 氮化鎵(GaN) FET-GAN039-650NTBA
采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTBA
2023-02-16 20:47:323
3采用 CCPAK1212i 封裝的 650V,33mOhm 氮化鎵(GaN) FET-GAN039-650NTB
采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTB
2023-02-16 20:47:450
0采用 CCPAK1212封裝的 650V,33mOhm 氮化鎵(GaN) FET-GAN039-650NBB
采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBB
2023-02-16 20:48:020
0MOSFET 和 GaN FET 應用手冊-Nexperia_document_bo...
MOSFET 和 GaN FET 應用手冊-Nexperia_document_bo...
2023-02-17 19:13:1637
37NEXPERIA LFPAK 功率 MOSFET中的最大連續(xù)電流-AN90016
NEXPERIA LFPAK 功率 MOSFET 中的最大連續(xù)電流-AN90016
2023-02-17 19:38:100
0Nexperia | 推出用于自動安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產品組合
Nexperia | 推出用于自動安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產品組合 基礎半導體器件領域的專家 Nexperia（安世半導體）推出了用于自動化安全氣囊應用的專用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11639
639KUU推出SOT-723封裝MOSFET
MOSFET器件匹敵的電氣和功率性能表現。KM3134K是一款20V750mA的N-MOSFET，KM3139K則是-20V-660mA的P-MOSFET，兩款器件
2023-04-04 16:10:391768
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英飛凌推出先進的OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大采用PQFN 2x2 mm2封裝的MOSFET器件的產品陣容
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優(yōu)化了用于高性能設計的成熟OptiMOS技術。新產品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12921
921Nexperia與三菱電機就SiC MOSFET分立產品達成戰(zhàn)略合作伙伴關系
) MOSFET分立產品。Nexperia和三菱電機都是各自行業(yè)領域的領軍企業(yè)，雙方聯(lián)手開發(fā)，將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。 三菱電機的功率半導體產品有助于客戶在汽車、家用電器、工業(yè)設備和牽引電機等眾多領域實現大幅節(jié)
2023-11-14 10:06:00315
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三菱電機與Nexperia共同開啟硅化碳功率半導體開發(fā)
三菱電機公司宣布將與Nexperia B.V.結成戰(zhàn)略合作伙伴關系，共同為電力電子市場開發(fā)硅碳（SiC）功率半導體。三菱電機將利用其廣帶隙半導體技術開發(fā)和供應SiC MOSFET芯片，這些芯片將用于Nexperia開發(fā)SiC分立器件。
2023-11-30 16:14:09452
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SOT8000：塑料，表面安裝銅夾子包裝（CCPAK1212）程序包信息介紹
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2023-12-19 15:55:330
0針對工業(yè)和可再生能源應用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應管，采用 CCPAK1212i 頂部散熱封裝技術，開創(chuàng)了寬禁帶半導體和銅夾片封裝相結合的新時代。
2023-12-24 09:30:06799
799N溝道，100 V，1.09 mOhm，具有增強SOA的MOSFET 在CCPAK1212i包中目標數據表
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2024-02-20 10:57:220
0NextPower 100 V，1.04 mOhm，N溝道MOSFET CCPAK1212i包目標數據表
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2024-02-20 10:55:140
0N溝道MOSFET CCPAK1212包PSMN1R0-100ASF目標數據表
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2024-02-20 10:53:470
0N-通道100V1.04 mohmMOSFET和CCPAK1212包裝中增強的SOA
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2024-02-20 10:52:140
0Nexperia發(fā)布新款1200V碳化硅MOSFET
Nexperia（安世半導體）近日宣布，公司推出了業(yè)界領先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，標志著其在高功率半導體領域的又一重要突破。
2024-05-23 11:34:58913
913Nexperia(安世)發(fā)布高性能碳化硅MOSFET，滿足工業(yè)應用增長需求
近日，全球知名的半導體制造商Nexperia(安世)半導體推出采用D2PAK-7SMD封裝的高度先進的1200V碳化硅(SiC)MOSFET。此次發(fā)布的MOSFET共包含四種不同選項，RDSon值
2024-05-23 10:57:39514
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Nexperia 2N7002BK,215 N溝道MOSFET中文參數資料_封裝尺寸_焊腳說明
Nexperia2N7002BK,215N溝道MOSFET是一款高效能的Trench MOSFET，設計用于表面貼裝技術，適合各種高頻和高效能的應用。其邏輯電平兼容性和極快的開關速度使其在現代
2024-07-01 11:50:24577
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Nexperia擴展一系列創(chuàng)新應用專用MOSFET
MOSFET參數組來更好地匹配這些要求。例如，應用可能要求軟啟動、擴展的安全工作區(qū)域、可靠的線性模式性能或增強的保護。在Nexperia，我們將久經驗證的MOSFET專業(yè)知識和廣泛的應用認知相結合，打造了一系列更豐富的應用專用MOSFET。
2024-07-15 16:07:17468
468Nexperia擴展NextPower系列MOSFET陣容,引領高效低噪新紀元
2024年8月7日，全球領先的半導體解決方案提供商Nexperia宣布，其NextPower 80V及100V MOSFET產品線再次迎來重大擴充，成功推出了采用標準化5x6mm及8x8mm封裝
2024-08-07 14:53:32345
345SemiQ將S7封裝添加至其QSiC?高性能功率模塊系列
SemiQ公司在其QSiC?系列SiC功率模塊中新增了一種S7封裝，該系列模塊包括1200V的半橋MOSFET和肖特基二極管模塊。這些組件為電力工程師提供了更大的設計靈活性，能夠為新設計提供緊湊
2024-08-16 11:18:42277
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Nexperia、東芝和Navitas擴展MOSFET產品線以應對高效能需求
隨著電動車、可再生能源和數據中心等領域對高效、高性能組件需求的持續(xù)上升，電源管理系統(tǒng)的復雜性也隨之增加，市場對更先進和可靠的MOSFET需求愈加旺盛。對此，Nexperia、東芝和Navitas等
2024-08-27 11:47:54347
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如何通過創(chuàng)新封裝技術提升功率器件性能
由于對提高功率密度的需求，功率器件、封裝和冷卻技術面臨獨特的挑戰(zhàn)。在功率轉換過程中，高溫和溫度波動限制了設備的最大功率能力、系統(tǒng)性能和可靠性。本文將總結兩種不同的技術，以最大化功率模塊和器件的熱性能
2024-09-03 10:37:04347
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Nexperia推出采用DFN2020D-3封裝的功率雙極結型晶體管
BJT產品，涵蓋標準與汽車級應用，均采用先進的DFN2020D-3封裝技術。這一舉措不僅豐富了其BJT產品線，更彰顯了Nexperia在技術創(chuàng)新與市場響應速度上的領先地位。
2024-09-03 14:28:57410
410適用于600V GaN功率級的QFN12x12封裝的熱性能
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2024-09-21 10:18:060
0汽車650V GaN功率級頂部冷卻QFN 12x12封裝的熱設計和性能
電子發(fā)燒友網站提供《汽車650V GaN功率級頂部冷卻QFN 12x12封裝的熱設計和性能.pdf》資料免費下載
2024-09-24 11:27:100
0雷卯展示SOD-323封裝大功率ESD
上海雷卯有全系列各種電壓的SOD-323封裝ESD，現整理部分產品列表如下： 一、SOD-323封裝大功率ESD的優(yōu)勢特點 1、 尺寸與空間優(yōu)勢 體積小：SOD-323封裝本身尺寸小巧，在電路板上
2024-12-11 09:24:34104
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安世半導體CCPAK1212封裝再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia（安世半導體）近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產品均采用創(chuàng)新型銅夾片CCPAK1212封裝，具有業(yè)內領先的功率
2024-12-12 11:35:13310
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工商網監(jiān)
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