動態(tài)
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發(fā)布了文章 2024-07-29 10:52
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發(fā)布了文章 2024-07-26 10:03
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發(fā)布了文章 2024-07-25 09:46
3D封裝熱設(shè)計:挑戰(zhàn)與機遇并存
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,芯片封裝技術(shù)也在持續(xù)進步。目前,2D封裝和3D封裝是兩種主流的封裝技術(shù)。這兩種封裝技術(shù)在散熱路徑和熱設(shè)計方面有著各自的特點和挑戰(zhàn)。本文將深入探討2D封裝和3D封裝的散熱路徑及熱設(shè)計考慮。1.4k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-07-24 11:09
半導(dǎo)體真空腔體:精密工藝鑄就科技基石
在當(dāng)今科技日新月異的時代,半導(dǎo)體行業(yè)作為信息技術(shù)的基石,其重要性不言而喻。隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、5G通信等新興技術(shù)的快速發(fā)展,對半導(dǎo)體芯片的性能、穩(wěn)定性和可靠性提出了更高要求。而在半導(dǎo)體制造過程中,真空腔體作為關(guān)鍵設(shè)備之一,其加工制造技術(shù)直接關(guān)系到半導(dǎo)體器件的質(zhì)量和生產(chǎn)效率。本文將深入探討半導(dǎo)體行業(yè)真空腔體的加工制造過程、技術(shù)挑戰(zhàn)、材料選擇以及未來發(fā)展趨勢。1.6k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-07-23 10:53
半導(dǎo)體技術(shù)大揭秘:襯底與外延,誰更關(guān)鍵?
在半導(dǎo)體技術(shù)與微電子領(lǐng)域中,襯底和外延是兩個重要的概念。它們在半導(dǎo)體器件的制造過程中起著至關(guān)重要的作用。本文將詳細探討半導(dǎo)體襯底和外延的區(qū)別,包括它們的定義、功能、材料結(jié)構(gòu)以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面。790瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-07-22 10:24
車規(guī)級IGBT模組:成本背后的復(fù)雜系統(tǒng)解析
車規(guī)級IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)模組作為新能源汽車中的核心功率半導(dǎo)體器件,其成本結(jié)構(gòu)涉及多個方面。本文將從材料成本、制造成本、研發(fā)成本以及其他相關(guān)成本等角度,對車規(guī)級IGBT模組的成本結(jié)構(gòu)進行深入分析。545瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-07-19 10:23
半導(dǎo)體IGBT采用銀燒結(jié)工藝(LTJT)的優(yōu)勢探討
隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件在電力轉(zhuǎn)換與能源管理領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。其中,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以其顯著優(yōu)點在功率半導(dǎo)體器件中脫穎而出,然而,傳統(tǒng)的焊接技術(shù)已經(jīng)難以滿足IGBT模塊對高可靠性的需求。在這一背景下,銀燒結(jié)工藝(LTJT)作為一種新型連接技術(shù),正逐漸成為IGBT封裝領(lǐng)域的研究與應(yīng)用熱點。787瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-07-18 10:17
探秘真空熱處理設(shè)備:如何實現(xiàn)高效、環(huán)保的生產(chǎn)?
隨著現(xiàn)代工業(yè)技術(shù)的飛速發(fā)展,真空熱處理設(shè)備作為金屬材料加工的關(guān)鍵技術(shù)之一,正經(jīng)歷著前所未有的變革。真空熱處理設(shè)備不僅在提升材料性能、優(yōu)化工藝流程方面發(fā)揮著重要作用,還在節(jié)能減排、提高產(chǎn)品質(zhì)量等方面具有顯著優(yōu)勢。近年來,隨著新材料、新技術(shù)的不斷涌現(xiàn),真空熱處理設(shè)備也在不斷更新?lián)Q代,以適應(yīng)市場需求。385瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-07-17 10:31
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發(fā)布了文章 2024-07-16 09:55