安世半導(dǎo)體動態(tài)

• 安世半導(dǎo)體榮獲2024行家極光獎年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎

  在2024年12月12日落幕的行家說三代半年會上，行業(yè)內(nèi)上下游主流企業(yè)及行業(yè)精英匯聚深圳，共同探討行業(yè)趨勢，深化交流合作

  2024-12-17 標(biāo)簽： 場效應(yīng)管 FET GaN 313 0

• 安世半導(dǎo)體推出微型無引腳邏輯IC

  基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日發(fā)布了一系列采用微型車規(guī)級MicroPak XSON

  2024-12-17 標(biāo)簽： 封裝 邏輯IC 安世半導(dǎo)體 113 0

• 安世半導(dǎo)體CCPAK1212封裝再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)

  基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET

  2024-12-12 標(biāo)簽： MOSFET 功率MOSFET Nexperia 402 0

• 安世半導(dǎo)體650V IGBT網(wǎng)絡(luò)研討會前瞻

  IGBT是中高壓應(yīng)用的主要器件。為滿足越來越多的對穩(wěn)健、高效和具有成本效益的電源解決方案日益旺盛的需求，Nexperia

  2024-12-09 標(biāo)簽： IGBT 功率半導(dǎo)體 Nexperia 195 0

• 安世半導(dǎo)體將舉行理想二極管與負(fù)載開關(guān)線上研討會

  在物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)的復(fù)雜電源架構(gòu)中，安世半導(dǎo)體理想二極管和負(fù)載開關(guān)可以協(xié)同工作，以實現(xiàn)高效的電源路徑管理。理想二極管較傳統(tǒng)二極

  2024-12-03 標(biāo)簽： 負(fù)載開關(guān) 理想二極管 安世半導(dǎo)體 132 0

• 安世半導(dǎo)體與德國汽車零件供應(yīng)商達成合作

  來源：集邦化合物半導(dǎo)體 近日，安世半導(dǎo)體宣布與德國汽車供應(yīng)商KOSTAL（科世達）建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，旨在生產(chǎn)更符合汽

  2024-11-08 標(biāo)簽： 汽車零件 安世半導(dǎo)體 415 0

• 安世半導(dǎo)體攜多款先進產(chǎn)品和解決方案亮相PCIM Asia 2024

  8月28日至30日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商安世半導(dǎo)體在PCIM Asia 2024展會上大放異彩，展示了其強大的

  2024-09-03 標(biāo)簽： MOSFET IGBT 安世半導(dǎo)體 572 0

• 安世半導(dǎo)體P溝道LFPAK56 MOSFET特性概述

  Nexperia（安世半導(dǎo)體）將向您展示H橋直流電機控制電路參考設(shè)計。 H橋電路是一個全橋DC-DC轉(zhuǎn)換器，支持有刷直流

  2024-07-25 標(biāo)簽： MOSFET 安世半導(dǎo)體 657 0

• 安世半導(dǎo)體斥資2億美元擴產(chǎn)德國基地，聚焦寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)

  在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)日新月異的今天，芯片制造商Nexperia（安世半導(dǎo)體）再次展現(xiàn)了其前瞻性的戰(zhàn)略布局。近日，該公司宣布將

  2024-06-29 標(biāo)簽： SiC 寬禁帶半導(dǎo)體 安世半導(dǎo)體 541 0

• 安世半導(dǎo)體宣布2億美元投資，加速寬禁帶半導(dǎo)體研發(fā)與生產(chǎn)

  在全球半導(dǎo)體市場日新月異的今天，荷蘭半導(dǎo)體制造商Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日邁出了重大的一步。這家以技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品

  2024-06-28 標(biāo)簽： 碳化硅 寬禁帶半導(dǎo)體 安世半導(dǎo)體 592 0

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