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襯底

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襯底技術(shù)

淺談薄膜沉積

薄膜沉積工藝技術(shù)介紹薄膜沉積是在半導(dǎo)體的主要襯底材料上鍍一層膜。這層膜可以有各種各樣的材料，比如絕緣化合物二氧化硅，半導(dǎo)體多晶硅、金屬銅等。從半導(dǎo)體芯...

2024-11-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝襯底 1856 0

碳化硅晶體的生長(zhǎng)原理

碳化硅晶體的生長(zhǎng)原理在自然界中，晶體不勝枚舉，其分布及應(yīng)用都十分廣泛。例如日常生活中隨處可見(jiàn)的鹽、糖、鉆石、雪花都是晶體；此外，半導(dǎo)體晶體、激光晶體、...

2024-08-03 標(biāo)簽：晶體 SiC 襯底 3507 0

半導(dǎo)體襯底材料的選擇

電子科技領(lǐng)域中，半導(dǎo)體襯底作為基礎(chǔ)材料，承載著整個(gè)電路的運(yùn)行。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)半導(dǎo)體襯底材料的選擇和應(yīng)用要求也越來(lái)越高。本文將為您詳細(xì)介紹半導(dǎo)體襯...

2024-01-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體襯底碳化硅 1708 0

碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么碳化硅技術(shù)壁壘有哪些碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口，也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn)，那么我們來(lái)碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)...

2023-02-03 標(biāo)簽：SiC 襯底碳化硅 4419 0

一文詳解襯底偏壓技術(shù)

隨著集成電路工藝尺寸的不斷降低，靜態(tài)功耗在總功耗中所占的比例越來(lái)越大，甚至是主要位置（65nm工藝下，某些情況下靜態(tài)功耗占總功耗的50%）。在實(shí)際的電...

2023-01-19 標(biāo)簽：集成電路 CMOS 工藝 7910 0

碳化硅單晶襯底加工技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)

摘要: 碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性，傳統(tǒng)加工方式已經(jīng)不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對(duì)碳化硅單晶襯底加工技術(shù)，本文綜述了碳化硅單晶切...

2023-01-11 標(biāo)簽：單晶襯底加工技術(shù) 1839 0

一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法

本文提供了用于蝕刻膜的方法和設(shè)備。一個(gè)方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點(diǎn)燃等離子體以a形成含氟蝕刻...

2022-04-24 標(biāo)簽：多晶硅蝕刻襯底 1286 0

研究碳化硅襯底和外延的實(shí)驗(yàn)報(bào)告

摘要本發(fā)明提供一種能夠提供低位錯(cuò)缺陷的高質(zhì)量襯底的單晶碳化硅錠，和由此獲得的襯底和外延晶片。它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠，該單晶碳化硅含有濃...

2022-02-15 標(biāo)簽：晶圓襯底鍍膜 1924 0

GaN襯底制造過(guò)程中N面氮化鎵清洗工藝的研究報(bào)告

氮化鎵由于其寬的直接帶隙、高熱和化學(xué)穩(wěn)定性，已成為短波長(zhǎng)發(fā)射器（發(fā)光二極管和二極管激光器）和探測(cè)器等許多光電應(yīng)用的誘人半導(dǎo)體，以及高功率和高溫電子器件。...

2022-02-08 標(biāo)簽：氮化鎵 CMP GaN 3468 0

蝕刻工藝關(guān)于濕化學(xué)處理后InP表面的研究

引言本文將討論在不同的濕化學(xué)溶液中浸泡后對(duì)InP表面的氧化物的去除。本文將討論接收襯底的各種表面成分，并將有助于理解不同的外原位濕化學(xué)處理的影響。這項(xiàng)...

2022-01-12 標(biāo)簽：InP技術(shù)化學(xué)蝕刻 1963 0

襯底帖子

請(qǐng)問(wèn)襯底的缺陷密度對(duì)結(jié)深有什么影響？

標(biāo)簽：襯底 1933 0

襯底資料下載

具有帶有阻擋層的半導(dǎo)體襯底的集成電路立即下載

類(lèi)別：半導(dǎo)體技術(shù)論文 2011-11-22 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體襯底 693 0

負(fù)偏壓增強(qiáng)金剛石膜與襯底結(jié)合強(qiáng)度的理論研究立即下載

類(lèi)別：納米材料論文 2009-05-16 標(biāo)簽：金剛石膜襯底結(jié)合 888 0

襯底資訊

可控硅保護(hù)器件制作方法與應(yīng)用——錯(cuò)位觸發(fā)原理詳解

該項(xiàng)技術(shù)創(chuàng)新結(jié)合了至少一個(gè)插指單元，每個(gè)單元的核心組件包括：襯底及在襯底一表面上生成的外延層；第一N型阱區(qū)和P型阱區(qū)，分別在外延層內(nèi)形成；第一N+區(qū)和第...

2024-05-20 標(biāo)簽：可控硅保護(hù)器件襯底 398 0

合肥世紀(jì)金芯簽下2億美元SiC襯底片大單，產(chǎn)能將大幅提升

據(jù)了解，世紀(jì)金芯近期在8英寸SiC襯底片領(lǐng)域取得重要突破，成功開(kāi)發(fā)出可重復(fù)生長(zhǎng)出4H晶型、直徑大于200mm、厚度超過(guò)10mm的晶體的8寸SiC單晶生長(zhǎng)技術(shù)。

2024-04-23 標(biāo)簽：晶體 SiC 襯底 1109 0

華潤(rùn)微電子（重慶）有限公司GaN基HEMT器件及制作方法專(zhuān)利公布

此項(xiàng)發(fā)明主要涉及在襯底上構(gòu)建外延疊層，并在此基礎(chǔ)上制備柵極、漏極和源極；同時(shí)，在器件有源區(qū)周?chē)纬善帘苇h(huán)層，并利用第一和第二金屬互連層將襯底與源極連接起來(lái)。

2024-04-13 標(biāo)簽：GaN 襯底華潤(rùn)微電子 497 0

碳化硅降本關(guān)鍵：晶體制備技術(shù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，襯底是價(jià)值量最大的部分，在碳化硅器件成本構(gòu)成中襯底甚至能夠占近50%，相比之下，硅基半導(dǎo)體器件的成本構(gòu)成...

2024-01-21 標(biāo)簽：襯底碳化硅第三代半導(dǎo)體 2644 0

江蘇丹陽(yáng)延陵鎮(zhèn)與博藍(lán)特半導(dǎo)體達(dá)成碳化硅襯底布局戰(zhàn)略合作

在這次考察中，考察團(tuán)主要針對(duì)博藍(lán)特公司計(jì)劃將其第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底項(xiàng)目引入到延陵鎮(zhèn)，這筆交易總預(yù)算高達(dá)十億元人民幣，其中包括兩年內(nèi)生產(chǎn) 25 萬(wàn)片六至...

2024-01-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體襯底碳化硅 2000 0

2023年國(guó)內(nèi)主要碳化硅襯底供應(yīng)商產(chǎn)能現(xiàn)狀

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在過(guò)去的2023年里，國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了可能是發(fā)展速度最快的一年。首先是碳化硅襯底取得突破，8英寸進(jìn)展神速，同時(shí)三安和天...

2024-01-08 標(biāo)簽：SiC 襯底碳化硅 3536 0

華為新增多條芯片封裝專(zhuān)利信息

該專(zhuān)利提出了一種全新的封裝結(jié)構(gòu)，由第一芯片搭配第一混合鍵合結(jié)構(gòu)制成。這種結(jié)構(gòu)能有效地連接不同芯片，提升芯片間信號(hào)傳輸性能。具體而言，混合鍵合結(jié)構(gòu)包含第一...

2023-12-21 標(biāo)簽：芯片封裝襯底 598 0

超芯星完成數(shù)億元C輪融資，助力碳化硅襯底產(chǎn)能提升

自2019年4月在江蘇南京建立以來(lái)，超芯星專(zhuān)注于6至8英寸碳化硅襯底技術(shù)的研發(fā)和商品化。其創(chuàng)始者為劉欣宇博士，他具有豐富的海內(nèi)外產(chǎn)業(yè)化經(jīng)歷以及廣闊的國(guó)際...

2023-12-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體襯底碳化硅 893 0

華為一種裸芯片、芯片和電子元件專(zhuān)利獲得授權(quán)

據(jù)專(zhuān)利概述內(nèi)容顯示，此項(xiàng)專(zhuān)利屬于微電子技術(shù)領(lǐng)域。其設(shè)計(jì)是由襯底、有源層、波導(dǎo)層及緩沖結(jié)構(gòu)疊加組成。其中，有源層介于襯底與波導(dǎo)層之間，波導(dǎo)層為脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，...

2023-12-11 標(biāo)簽：華為波導(dǎo)微電子 1159 0

中微投資！芯元基Micro LED印章巨量轉(zhuǎn)移重大突破

芯元基由行業(yè)資深專(zhuān)家郝茂盛博士于2014年創(chuàng)辦，上海創(chuàng)徒、張江科投、中微半導(dǎo)體等先后進(jìn)行了投資，并在上海臨港建設(shè)了中試生產(chǎn)線(xiàn)。經(jīng)過(guò)5年多的潛心研發(fā)，芯元...

2023-12-10 標(biāo)簽：晶圓級(jí)襯底 Micro LED 1217 0

襯底數(shù)據(jù)手冊(cè)

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加速度傳感器

加速度傳感器

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加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
OBD

OBD

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OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫(xiě)，中文翻譯為“車(chē)載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會(huì)馬上發(fā)出警示。
傅里葉變換

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盡管最初傅里葉分析是作為熱過(guò)程的解析分析的工具，但是其思想方法仍然具有典型的還原論和分析主義的特征?！叭我狻钡暮瘮?shù)通過(guò)一定的分解，都能夠表示為正弦函數(shù)的線(xiàn)性組合的形式，而正弦函數(shù)在物理上是被充分研究而相對(duì)簡(jiǎn)單的函數(shù)類(lèi)，這一想法跟化學(xué)上的原子論想法何其相似！
TOF

TOF

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角度傳感器

角度傳感器

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角度傳感器，顧名思義，是用來(lái)檢測(cè)角度的。它的身體中有一個(gè)孔，可以配合樂(lè)高的軸。當(dāng)連結(jié)到RCX上時(shí)，軸每轉(zhuǎn)過(guò)1/16圈，角度傳感器就會(huì)計(jì)數(shù)一次。
L298

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DMD

DMD

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DMD是一種整合的微機(jī)電上層結(jié)構(gòu)電路單元，利用COMS SRAM記憶晶胞所制成。DMD上層結(jié)構(gòu)的制造是從完整CMOS內(nèi)存電路開(kāi)始，再透過(guò)光罩層的使用，制造出鋁金屬層和硬化光阻層交替的上層結(jié)構(gòu)
OV7620

OV7620

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ov7620是一款CMOS攝像頭器件，是彩色CMOS型圖像采集集成芯片，提供高性能的單一小體積封裝，該器件分辨率可以達(dá)到640X480，傳輸速率可以達(dá)到30幀。
MC9S12XS128

MC9S12XS128

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HCS12X系列單片機(jī)簡(jiǎn)介 Freescale 公司的16位單片機(jī)主要分為HC12 、HCS12、HCS12X三個(gè)系列。HC12核心是16位高速CPU12核，總線(xiàn)速度8MHZ；HCS12系列單片機(jī)以速度更快的CPU12內(nèi)核為核心，簡(jiǎn)稱(chēng)S12系列，典型的S12總線(xiàn)速度可以達(dá)到25MHZ。
TDC-GP2

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干擾器

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干擾器有多種類(lèi)型，如GPS干擾器是適用于長(zhǎng)途客車(chē)司機(jī)以及一些不想被GPS信號(hào)追蹤到的人群的一個(gè)機(jī)器，手機(jī)信號(hào)干擾器主要針對(duì)各類(lèi)考場(chǎng)、學(xué)校、加油站、教堂、法庭、圖書(shū)館、會(huì)議中心（室）、影劇院、醫(yī)院、政府、金融、監(jiān)獄、公安、軍事重地等禁止使用手機(jī)的場(chǎng)所。
重力傳感器

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采用彈性敏感元件制成懸臂式位移器，與采用彈性敏感元件制成的儲(chǔ)能彈簧來(lái)驅(qū)動(dòng)電觸點(diǎn)，完成從重力變化到電信號(hào)的轉(zhuǎn)換，廣泛應(yīng)用在中高端智能手機(jī)和平板電腦內(nèi)。
線(xiàn)束

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半導(dǎo)體工藝

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機(jī)械臂

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MPSoC

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直流無(wú)刷電機(jī)

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無(wú)刷直流電機(jī)由電動(dòng)機(jī)主體和驅(qū)動(dòng)器組成，是一種典型的機(jī)電一體化產(chǎn)品。無(wú)刷電機(jī)是指無(wú)電刷和換向器（或集電環(huán)）的電機(jī)，又稱(chēng)無(wú)換向器電機(jī)。早在十九紀(jì)誕生電機(jī)的時(shí)候，產(chǎn)生的實(shí)用性電機(jī)就是無(wú)刷形式，即交流鼠籠式異步電動(dòng)機(jī)，這種電動(dòng)機(jī)得到了廣泛的應(yīng)用。
半導(dǎo)體制冷片

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聲紋識(shí)別

聲紋識(shí)別

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聲紋識(shí)別，生物識(shí)別技術(shù)的一種，也稱(chēng)為說(shuō)話(huà)人識(shí)別，包括說(shuō)話(huà)人辨認(rèn)和說(shuō)話(huà)人確認(rèn)。聲紋識(shí)別就是把聲信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，再用計(jì)算機(jī)進(jìn)行識(shí)別。不同的任務(wù)和應(yīng)用會(huì)使用不同的聲紋識(shí)別技術(shù)，如縮小刑偵范圍時(shí)可能需要辨認(rèn)技術(shù)，而銀行交易時(shí)則需要確認(rèn)技術(shù)。
零序

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ATmega16單片機(jī)

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直流電壓

直流電壓

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凡是電流方向不隨時(shí)間變化的電流稱(chēng)為直流電壓。電流值可以全為正值，也可以全為負(fù)值。在直流電流中又可分為兩種：穩(wěn)恒直流和脈動(dòng)直流。直流輸電技術(shù)已經(jīng)由簡(jiǎn)單的端對(duì)端工程朝著大規(guī)模多端輸電的方向發(fā)展，這些工程將是未來(lái)直流電網(wǎng)的組成部分，將相同電壓等級(jí)的直流工程連接成網(wǎng)遠(yuǎn)比不同電壓等級(jí)下的獨(dú)立工程更經(jīng)濟(jì)、便捷。
LPC2368

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緩沖電路

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Buck-Boost

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buck是降壓型電路，boost是升壓型電路，可以分開(kāi)單獨(dú)使用，buck-boost電路就是把2種電路合在一起，可升可降。buck-boost拓?fù)潆娐房梢詫?shí)現(xiàn)升降壓功能，常見(jiàn)的buck-boost電路有兩種，第一種是輸入與輸出電壓極性相反，只需采用一個(gè)開(kāi)關(guān)管和二極管。另外一種是采用兩個(gè)開(kāi)關(guān)管和兩個(gè)二極管，可實(shí)現(xiàn)同極性電壓升降壓功能。
識(shí)別技術(shù)

識(shí)別技術(shù)

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所謂識(shí)別技術(shù)，也稱(chēng)為自動(dòng)識(shí)別技術(shù)，通過(guò)被識(shí)別物體與識(shí)別裝置之間的交互自動(dòng)獲取被識(shí)別物體的相關(guān)信息，并提供給計(jì)算機(jī)系統(tǒng)供進(jìn)一步處理。
電磁繼電器

電磁繼電器

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電磁繼電器是一種電子控制器件，它具有控制系統(tǒng)（又稱(chēng)輸入回路）和被控制系統(tǒng)（又稱(chēng)輸出回路），通常應(yīng)用于自動(dòng)控制電路中，它實(shí)際上是用較小的電流、較低的電壓去控制較大電流、較高的電壓的一種“自動(dòng)開(kāi)關(guān)”。故在電路中起著自動(dòng)調(diào)節(jié)、安全保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路等作用。
制冷片

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VCM

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