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• 一個簡單的MOS驅(qū)動電路設(shè)計

  看了一眼這個電路，我感覺有問題，MOS管應(yīng)該不會導(dǎo)通，就跟同事講了，同事說這個電路是之前用過的，認(rèn)為沒有問題，于是就上電了。...

  546次閱讀 · 0評論 單片機(jī)NMOS發(fā)光二極管MOS驅(qū)動電路
  

• 如何全方面了解三極管

  三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件。其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號，也用作無觸點開關(guān)。...

  1287次閱讀 · 0評論 三極管晶體管晶體三極管半導(dǎo)體器件
  

• 壓敏電阻易老化怎么辦？

  壓敏電阻具有較大的寄生電容，當(dāng)它應(yīng)用于交流電源系統(tǒng)的保護(hù)時，往往會在正常運行狀態(tài)下產(chǎn)生數(shù)值可觀的泄漏電流。例如一個寄生電容為2nF的壓敏電阻安裝在220V,50hz的交流電源系統(tǒng)中，其泄漏電流可達(dá)0.14mA(有效值)，這樣大的泄漏電流往往會對系統(tǒng)的正常運行產(chǎn)生影響。...

  299次閱讀 · 0評論 壓敏電阻寄生電容電源系統(tǒng)放電管
  

• 二極管在LDO電路中的常見應(yīng)用方式

  ① LDO正常工作時，VIN大于VOUT，二極管D3截止； ② LDO掉電，出現(xiàn)VOUT下電比VIN下電慢的情況，反向壓差可能會損壞LDO，加了D3，輸入和輸出電壓差鉗位在二極管壓降大小，保護(hù)了LDO。...

  1023次閱讀 · 0評論 三極管二極管電壓源電流回路LDO電路
  

• 碳化硅MOS、超結(jié)MOS與IGBT性能比較

  Si-MOSFET根據(jù)制造工藝可分為平面柵極MOSFET和超結(jié)MOSFET。平面柵極MOSFET在提高額定電壓時，漂移層會變厚，導(dǎo)致導(dǎo)通電阻增加的問題。...

  6045次閱讀 · 0評論 二極管IGBTMOSSiC碳化硅
  

• 碳化硅功率器件特性及基本原理

  碳化硅是一種寬帶隙(Wide Bandgap,WBG)半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅(Si)材料相比，具有更寬的能隙、更高的擊穿電場強(qiáng)度和熱導(dǎo)率。...

  602次閱讀 · 0評論 功率轉(zhuǎn)換功率器件SiC碳化硅

• MOS管驅(qū)動電路的4種類型

  MOS管因為其導(dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個MOS管，其驅(qū)動電路的設(shè)計就很關(guān)鍵。...

  1544次閱讀 · 0評論 開關(guān)電源MOS管驅(qū)動電路寄生電容電源IC
  

• 如何處理運放或比較器多余的引腳？

  在實際應(yīng)用中，運放的同一個封裝里面有雙運放或四運放（如下圖），但有時候我們只需使用其中的一部分，多余的引腳怎么處理呢？...

  3061次閱讀 · 0評論 運算放大器跟隨器比較器輸出電壓
  

• 如何看懂MOS管的每一個參數(shù)

  那么結(jié)溫和熱阻有什么用呢？--半導(dǎo)體器件主要通過熱傳遞的方式對元件本身進(jìn)行散熱，當(dāng)芯片溫度升高，超過結(jié)溫后會導(dǎo)致元件損壞。...

  2017次閱讀 · 0評論 MOS管導(dǎo)通電阻晶體管寄生電容半導(dǎo)體器件
  

• 深入探索研究SiC功率器件高效互連技術(shù)

  本文采用的DTS（DieTopSystem）技術(shù)結(jié)合了芯片雙面銀燒結(jié)工藝與銅線鍵合工藝，此技術(shù)能夠避免直接在芯片上進(jìn)行銅線鍵合時造成的芯片損傷。...

  394次閱讀 · 0評論 DTS功率器件SiC
  

• 探究IGBT開關(guān)過程及其驅(qū)動設(shè)計的關(guān)鍵因素

  IGBT在二極管鉗位感性負(fù)載條件下的電路如圖1所示，該電路為IGBT常用電路，可作為IGBT開關(guān)特性的測試電路，評估IGBT的開通及關(guān)斷行為。...

  2066次閱讀 · 0評論 二極管電流MOSFET驅(qū)動器IGBT
  

• 中國碳化硅襯底價格2024年快速滑落 800V的春天看來要到了

  國際半導(dǎo)體IDM廠商，如意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美、羅姆電子等，在中國市場仍然占據(jù)碳化硅元件的重要地位。消息人士補充，外國汽車品牌或與中國合資的汽車品牌，也主要依賴于上述供應(yīng)商進(jìn)行碳化硅采購。...

  1265次閱讀 · 0評論 SiC碳化硅射頻器件晶圓制造
  

• Infineon碳化硅布局加速，晶圓廠投資引發(fā)市場疑慮

  雖然Infineon是歐洲五大芯片制造商之一，但他的作風(fēng)一向非常低調(diào)。就連Infineon的收購行動也常常被低調(diào)處理。...

  243次閱讀 · 0評論 SiCInfineon碳化硅
  

• 電路仿真揭秘！運算放大器建模一次搞定

  SPICE在晶體管級別的仿真方面表現(xiàn)出色；然而，IC設(shè)計工程師要盡一切可能，讓人難以分辨運算放大器中是否存在晶體管。他們希望您能夠使用運算放大器手冊為設(shè)計提供參考，并且不會因為晶體管的限制而偏離理想的運算放大器性能。...

  1430次閱讀 · 0評論 運算放大器IC設(shè)計SPICE
  

• 探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢、應(yīng)用場景

  碳化硅功率器件利用SiC半導(dǎo)體材料制成。SiC是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有比硅（Si）更高的電子飽和漂移速度和熱導(dǎo)率，以及更高的臨界擊穿電場強(qiáng)度。...

  474次閱讀 · 0評論 功率器件SiC碳化硅
  

• 水下航行器電機(jī)的SiC MOSFET逆變器設(shè)計

  利用 SiC 功率器件開關(guān)頻率高、開關(guān)損耗低等優(yōu)點, 將 SiC MOSFET 應(yīng)用于水下航行器大功率高速電機(jī)逆變器模塊, 對軟硬件進(jìn)行設(shè)計。...

  335次閱讀 · 0評論 MOSFET逆變器IGBTSiC水下航行器
  

• 全面解析數(shù)字電路基礎(chǔ)知識

  模擬電路：用連續(xù)的模擬電壓 / 電流值來表示信息 數(shù)字電路：用一個離散的電壓序列來表示信息...

  2213次閱讀 · 0評論 CMOS模擬電路門電路數(shù)字電路邏輯運算
  

• SiC MOSFET非放電型RCD緩沖電路的設(shè)計

  與放電型RCD緩沖電路不同，非放電型RCD緩沖電路的RSNB消耗的功率僅為浪涌能量，因此RSNB的容許損耗可以較小。這可以擴(kuò)大RSNB的選擇范圍，使得能夠增加CSNB的電容量，因而可以提高鉗位的效果。...

  574次閱讀 · 0評論 MOSFETemiSiCRCD緩沖電路
  

• MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別

  IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導(dǎo)通電阻高的缺點，但I(xiàn)GBT克服了這一缺點，在高壓時IGBT仍具有較低的導(dǎo)通電阻。...

  597次閱讀 · 0評論 開關(guān)電源MOS管導(dǎo)通電阻IGBT晶體管
  

• 24位高性能模數(shù)轉(zhuǎn)換器ME9620應(yīng)用經(jīng)驗與總結(jié)

  ME9620內(nèi)部集成有多個獨立的高階斬波穩(wěn)定調(diào)制器和FIR數(shù)字濾波器，可實現(xiàn)4／8通道同步采樣，支持高速、高精度、低功耗、低速4種工作模式。...

  840次閱讀 · 0評論 adc數(shù)字濾波器模擬電源模數(shù)轉(zhuǎn)換器陶瓷電容
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