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前 言 在上周文章-MCX N系列之電源管理中,小編帶大家了解了MCX N系列的電源架構(gòu)以及不同的電源配置,本篇文章將介紹MCX N系列支持的六種電源模式,分別為: Active Sleep Deep Sleep Power Down Deep Power Down VBAT 任意的復(fù)位行為都會(huì)使芯...
變壓器還可以升高電壓以實(shí)現(xiàn)長距離傳輸,并降低電壓以實(shí)現(xiàn)安全配電。如果沒有變壓器,配電網(wǎng)絡(luò)中已經(jīng)很嚴(yán)重的電力浪費(fèi)將大到驚人。也可以將直流(DC)電壓升壓或降壓,但這些技術(shù)比交流變壓器更復(fù)雜,而且在操作過程中涉及到將直流電壓轉(zhuǎn)換為某 種形式的交流信號(hào)。此外,這樣的轉(zhuǎn)換通常效率低下且/或成本高昂。交流電的...
問題: 如果DC-DC器件具有兩個(gè)輸出,但用作單路兩相輸出,這會(huì)如何 影響軟啟動(dòng)時(shí)序? 答案: 如果器件有兩個(gè)獨(dú)立的軟啟動(dòng)引腳,每個(gè)引腳都有各自的電流源,現(xiàn)在將二者并聯(lián)連接,形成單路輸出設(shè)計(jì),此時(shí)電流源值會(huì)加倍,相同的輸出電容將表現(xiàn)出原來一半的時(shí)序。為了實(shí)現(xiàn)相同的軟啟動(dòng)時(shí)序,軟啟動(dòng)電容值也需要加倍。...
碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的柵極驅(qū)動(dòng)器電源必須滿足這些寬帶隙半導(dǎo)體的獨(dú)特偏置要求。本文將討論在 SiC 和 GaN 應(yīng)用中設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)器電源時(shí)需要考慮的關(guān)鍵因素。 圖 1:RECOM 眾多 DC/DC 模塊針對(duì) WBG 柵極驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化中的一部分 SiC 和 GaN 是寬帶...
本文旨在解決DC-DC開關(guān)穩(wěn)壓器的反饋級(jí)設(shè)計(jì)中面臨的復(fù)雜難題,重點(diǎn)關(guān)注檢測電阻器(RSENSE)元件。RSENSE對(duì)于確保反饋網(wǎng)絡(luò)(負(fù)責(zé)維持輸出電壓)接收來自電感電流的準(zhǔn)確信號(hào)而言至關(guān)重要。失真的信號(hào)可能會(huì)使電感紋波看起來比實(shí)際更大或更小,從而導(dǎo)致反饋網(wǎng)絡(luò)出現(xiàn)意外行為。...
本文闡述了高性能電壓監(jiān)控器的價(jià)值,討論了其基本定義、工作原理、技術(shù)規(guī)格、拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和極性。某些高性能電壓監(jiān)控器旨在幫助基于微處理器的系統(tǒng)提升可靠性,防止掉電狀況下系統(tǒng)出錯(cuò)。本文提供了一些示例。...
摘要 本文詳細(xì)介紹了ADI公司用于開放計(jì)算項(xiàng)目開放機(jī)架第3版(OCP ORV3)備用電池單元(BBU)架的硬件和軟件。其主要功能是建立BBU模塊之間的通信,并通過為此類應(yīng)用精心打造的圖形用戶界面(GUI)向用戶呈現(xiàn)可讀數(shù)據(jù)和信息。 引言 備用電池架是OCP ORV3架構(gòu)和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中電源管理系統(tǒng)的...
在現(xiàn)代電力系統(tǒng)中,功率因數(shù)校正(Power Factor Correction,簡稱 PFC)已經(jīng)成為電源設(shè)計(jì)中不可忽視的重要因素之一,直接關(guān)系到電網(wǎng)的穩(wěn)定性、能效以及對(duì)環(huán)境的影響。 2023 年,必易微推出了臨界導(dǎo)通模式 (CRM) 的高性能 PFC 控制器 KP2806(A)。PFC 工作在臨界...
安森美的中低壓 T10 PowerTrench MOSFET 采用了新型屏蔽柵極溝槽技術(shù),降低了開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,并進(jìn)而顯著降低了其 Qg,RDS(ON) 也降至 1mOhm 以下。...
在現(xiàn)代企業(yè)的運(yùn)營中,電力供應(yīng)的穩(wěn)定與連續(xù)是至關(guān)重要的。無論是數(shù)據(jù)中心、醫(yī)療設(shè)施還是工業(yè)制造環(huán)境,片刻的電力中斷都可能引發(fā)數(shù)據(jù)丟失、設(shè)備損壞甚至安全事故,因此,不間斷電源(UPS)十分重要,其可確保業(yè)務(wù)的連續(xù)性,從而避免因突然斷電而造成的經(jīng)濟(jì)損失和潛在的風(fēng)險(xiǎn)。 針對(duì)這一趨勢,瑞薩推出 雙向3KW UP...
這次介紹適用于一次電池驅(qū)動(dòng)時(shí)間應(yīng)用的超低功耗升壓DC/DC。 XC9145: 400nA超低功耗升壓DC/DC轉(zhuǎn)換器 由于超低功耗,無論MCU在休眠模式還是活躍模式下,都可以在無需開關(guān)控制的情況下始終保持高效率。 XC9145系列通過超低功耗電路將消耗電流降低至400nA,并采用PWM/PFM控制方...
方案優(yōu)點(diǎn):用于滿足IC VCC 3.3V的靜電浪涌保護(hù),根據(jù)電源所處環(huán)境選擇合適保護(hù)電流的ESD器件;高速傳輸接口選擇超低電容ULC0511CDN,保證信號(hào)完整性的同時(shí),通過靜電測試。 滿足IEC61000-4-2,等級(jí)4,接觸放電30KV,空氣放電30KV。...
方案優(yōu)點(diǎn):用于滿足IC VCC 1.8V的靜電浪涌保護(hù),根據(jù)電源所處環(huán)境選擇合適保護(hù)電流的ESD器件;I/O接口選擇ESD01811CDN,,保證信號(hào)完整性的同時(shí),通過靜電測試。 滿足IEC61000-4-2,等級(jí)4,接觸放電30KV,空氣放電30KV。...
所有現(xiàn)代硅功率器件都基于溝槽技術(shù),并已取代了平面技術(shù),那么碳化硅呢?就碳化硅而言,溝槽設(shè)計(jì)在性能優(yōu)勢方面與Si功率MOSFET技術(shù)的發(fā)展有許多相似之處。采用碳化硅溝槽設(shè)計(jì)還有一個(gè)顯著優(yōu)勢,即可靠性。在碳化硅材料中,垂直界面的缺陷密度明顯低于橫向界面。這就為性能和魯棒性特征與可靠性的匹配提供了新的優(yōu)化...
建議采用多層PCB設(shè)計(jì),以提供更多的布線層和地層。這有助于降低電阻、電感和噪聲,并提高PCB的抗干擾能力。在儲(chǔ)能系統(tǒng)中,信號(hào)的穩(wěn)定傳輸是至關(guān)重要的,因此合理的PCB層次結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)非常必要。...
使用耦合電感升級(jí)多相降壓轉(zhuǎn)換器可以大幅提高功率密度,這種方案與先進(jìn)的替代方案不相上下,同時(shí)保持了巨大的性能優(yōu)勢。多相耦合電感的繞組之間反向耦合,因而各相電流中的電流紋波可以相互抵消。這種優(yōu)勢可以用來換取效率的改善,或者尺寸的減小和功率密度的提高等。...
降壓轉(zhuǎn)換器IC的開關(guān)節(jié)點(diǎn)容易產(chǎn)生很多高次諧波噪聲,緩沖電路作為除去這些高次諧波噪聲的手段之一,本節(jié)簡述如何使用RC緩沖電路去除開關(guān)節(jié)點(diǎn)諧波噪聲。...
無外部電表,沒有防止逆流功能 二、安裝了1個(gè)總變壓器表 一般一個(gè)企業(yè)園區(qū)一個(gè)變壓器,如果有多個(gè)變壓器原理控制逆功率算法有所不一樣...
在給出的多種電容類型中,最常用的是X5R、X7R。所有的型號(hào)在環(huán)境條件變化時(shí)都會(huì)出現(xiàn)電容值變化。尤其Y5V在整個(gè)環(huán)境條件區(qū)間內(nèi),會(huì)表現(xiàn)出極大的電容量變化。...
移相全橋有零電壓開關(guān)(ZVS)和零電壓零電流開關(guān)(ZVZCS)兩種實(shí)現(xiàn)方式。ZVZCS由于結(jié)構(gòu)復(fù)雜并不常用,因此本篇將重點(diǎn)介紹ZVS移相全橋電路。...