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開源數(shù)據(jù)庫MySQL和PostgreSQL占據(jù)全球數(shù)據(jù)庫市場(chǎng)格局TOP2。開源數(shù)據(jù)庫正在重構(gòu)企業(yè)核心系統(tǒng)。同時(shí)為確保業(yè)務(wù)平穩(wěn)運(yùn)行，分布式數(shù)據(jù)庫存算分離架構(gòu)正在成為事實(shí)標(biāo)準(zhǔn)。...
不知道現(xiàn)在大家做的DDR4系統(tǒng)的指標(biāo)是怎么樣了？從高速先生和最近眾多客戶的配合來看，從一個(gè)通道的總?cè)萘亢退俾噬隙蓟旧侠搅藰O限，從單個(gè)顆粒的容量，很多已經(jīng)從8Gb提升到了16Gb，運(yùn)行速率也從typical的2400M拉到3200M了。...
通過 SDRAM 的 7 個(gè)模式寄存器，可以對(duì) SDRAM 的特性，功能以及設(shè)置進(jìn)行編程。這些寄存器本身通過 MRS 命令編輯。模式寄存器一般在初始化期間進(jìn)行設(shè)定，但也可以在后續(xù)正常工作期間進(jìn)行修改。...
SSD廠商早就預(yù)測(cè)NAND閃存的價(jià)格會(huì)隨著時(shí)間的推移而下降，讓SSD能夠在單價(jià)上與HDD競(jìng)爭(zhēng)。事實(shí)上，NAND閃存的價(jià)格一直在下降。...
隨著DDR5信號(hào)速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大，DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯(cuò)誤的風(fēng)險(xiǎn)也隨之增加，為進(jìn)一步改善內(nèi)存信道，糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯(cuò)誤，DDR5引入了片上ECC技術(shù)，將ECC集成到DDR5芯片內(nèi)部，提高可靠性并降低風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)還能降低缺陷率。...
存儲(chǔ)器到外設(shè)數(shù)據(jù)復(fù)制的一個(gè)例子是大量數(shù)據(jù)應(yīng)該通過通信外設(shè)（例如UART）傳輸?shù)那闆r；如果沒有DMA，CPU將需要在傳輸數(shù)據(jù)時(shí)進(jìn)行“阻塞”（通常傳輸速度相對(duì)較慢，取決于通信協(xié)議的速度），或者使用中斷來管理傳輸（由于中斷上下文切換，這會(huì)增加額外的處理開銷）。...
SD卡類似于MMC卡（實(shí)際上是從MMC卡衍生而來的），但是SD卡略厚（2.1毫米對(duì)MMC的1.4毫米），并被開發(fā)為添加DRM（數(shù)字版權(quán)管理）功能以打擊音樂盜版。一般來說，SD卡向后兼容MMC卡，這意味著MMC卡可以在支持SD卡的地方使用（但不一定反過來）。MMC和SD繼續(xù)共存，SD更受可移動(dòng)存儲(chǔ)器的...
“與MRAM相比，ReRAM有兩個(gè)主要優(yōu)勢(shì)——工藝簡(jiǎn)單和更寬的讀取窗口，”的內(nèi)存技術(shù)專家Jongsin Yun說西門子EDA?！癕RAM需要10層以上的堆疊，所有這些都需要非常精確地控制，才能形成匹配的晶體蛋白。...
DRAM測(cè)試發(fā)生在晶圓探針和封裝測(cè)試。最終組裝的封裝、終端系統(tǒng)要求和成本考慮推動(dòng)了測(cè)試流程，包括ATE要求和相關(guān)測(cè)試內(nèi)容。...
2023年第三季度全球智能手機(jī)出貨量約為2.90億部，同比下降約1.6%，中國(guó)大陸市場(chǎng)出貨量約為6640萬部，同比下降約1.8%，不管是全球還是中國(guó)大陸市場(chǎng)，需求均持續(xù)向好，季度同比降幅持續(xù)收窄，市場(chǎng)復(fù)蘇信號(hào)漸近。...
SAN 存儲(chǔ)的轉(zhuǎn)型，不僅涉及存儲(chǔ)本身，還涉及光纖交換機(jī)，業(yè)內(nèi)目前還沒有很好的替代，目前只能以 IP SAN 模式為主，配合高速的以太網(wǎng)并引入 NVMe-oF 技術(shù)后，才能有效降低鏈路的訪問延遲；如上分析，彈性擴(kuò)展能力等架構(gòu)本身的局限性依舊存在。...
在同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM)的工作模式中，以數(shù)據(jù)讀取速率來分類，有單倍數(shù)據(jù)速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、雙倍數(shù)據(jù)速率(Double Data Rate, DDR) SDRAM 和四倍數(shù)據(jù)速率 ( Quad Data Rate, QDR)SDRAM，如圖 ...
NAND FLASH是一種非易失性隨機(jī)訪問存儲(chǔ)介質(zhì)， 基于浮柵(Floating Gate)晶體管設(shè)計(jì),通過浮柵來鎖存電荷,電荷被儲(chǔ) 存在浮柵中，在無電源供應(yīng)的情況下數(shù)據(jù)仍然可以保持。相對(duì)于HDD,具有讀寫速度快、訪問時(shí)延低等特點(diǎn)。...
左邊的client可以看成是客戶端，客戶端有很多，像我們經(jīng)常你使用的CMD黑窗口，像我們經(jīng)常用于學(xué)習(xí)的WorkBench，像企業(yè)經(jīng)常使用的Navicat工具，它們都是一個(gè)客戶端。右邊的這一大堆都可以看成是Server(MySQL的服務(wù)端)，我們將Server在細(xì)分為sql層和存儲(chǔ)引擎層。...
計(jì)算機(jī)是處理數(shù)字格式信息的電子機(jī)器。他們不像人們那樣理解單詞和數(shù)字，而是將這些單詞和數(shù)字更改為由零和一組成的字符串，稱為二進(jìn)制（有時(shí)稱為“二進(jìn)制代碼”）。...
在計(jì)算機(jī)中，各個(gè)部件之間傳遞信息，是通過總線（公共通信干線，類似于高速公路）進(jìn)行傳輸?shù)?。根?jù)傳遞信息的類型可分為數(shù)據(jù)總線（DB）、地址總線（AB）、控制總線（CB）；根據(jù)連接設(shè)備的類型，又可以分為主存總線、I/O總線。...
元宇宙的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求與現(xiàn)有數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求有所不同，它需要更高的穩(wěn)定性、安全性、低延遲和持久性。 數(shù)字資產(chǎn)的價(jià)值也使得元宇宙的數(shù)據(jù)保護(hù)成為不可忽視的問題，需要超乎尋常的安全性和可靠性。...
HBM技術(shù)是一種基于3D堆疊工藝的高性能DRAM，它可以為高性能計(jì)算、人工智能、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域提供高帶寬、高容量、低延遲和低功耗的存儲(chǔ)解決方案。本文將介紹HBM技術(shù)的原理、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用和發(fā)展趨勢(shì)。...
當(dāng)CPU訪問虛擬地址0的時(shí)候，MMU會(huì)去查上面頁表的第0行，發(fā)現(xiàn)第0行沒有命中，于是無論以何種形式（R讀，W寫，X執(zhí)行）訪問，MMU都會(huì)給CPU發(fā)出page fault，CPU自動(dòng)跳到fault的代碼去處理fault。...
在半導(dǎo)體邏輯的研發(fā)中，“小型化的極限”一直被人們談?wù)?。正如上次提到的，尖端邏輯MOS FET的加工尺寸已不再與技術(shù)節(jié)點(diǎn)值相匹配，可以說晶體管的小型化已經(jīng)達(dá)到了極限。那么DRAM的小型化又如何呢？...
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