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芯長(zhǎng)征科技

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功率器件與集成電路的區(qū)別

在電子工程領(lǐng)域,功率器件和集成電路是兩個(gè)重要的分支,它們各自在特定的應(yīng)用場(chǎng)景中發(fā)揮著重要的作用。關(guān)于....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-29 09:36 ?1295次閱讀

功率半導(dǎo)體器件知識(shí)科普

功率半導(dǎo)體通過(guò)對(duì)電流與電壓進(jìn)行調(diào)控實(shí)現(xiàn)電能在系統(tǒng)中的形式轉(zhuǎn)換與傳輸分配,能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制,....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-27 09:47 ?725次閱讀
功率半導(dǎo)體器件知識(shí)科普

碳化硅器件封裝技術(shù)解析

碳化硅 ( SiC )具有禁帶寬、臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)大、熱導(dǎo)率高、高壓、高溫、高頻等優(yōu)點(diǎn)。應(yīng)用于硅基器件的....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-27 09:41 ?2170次閱讀
碳化硅器件封裝技術(shù)解析

什么是宇宙射線?宇宙射線導(dǎo)致IGBT失效的機(jī)理

眾所周知,IGBT失效是IGBT應(yīng)用中的難題。大功率IGBT作為系統(tǒng)中主電路部分的開(kāi)關(guān)器件,失效后將....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-27 09:39 ?2090次閱讀
什么是宇宙射線?宇宙射線導(dǎo)致IGBT失效的機(jī)理

可性能翻倍的新型納米片晶體管

IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點(diǎn)下表現(xiàn)出近乎兩倍的性能提升。這一成就預(yù)計(jì)將帶來(lái)多項(xiàng)技術(shù)進(jìn)步,并可能....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-26 10:12 ?634次閱讀

碳化硅離子注入和退火工藝介紹

統(tǒng)的硅功率器件工藝中,高溫?cái)U(kuò)散和離子注入是最主要的摻雜控制方法,兩者各有優(yōu)缺點(diǎn)。一般來(lái)說(shuō),高溫?cái)U(kuò)散工....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-22 09:41 ?3001次閱讀
碳化硅離子注入和退火工藝介紹

SiC MOSFET中的交流應(yīng)力退化

本文匯集了 SiC MOSFET 最新結(jié)果的特定方面,涉及由于應(yīng)用交流柵極偏置應(yīng)力(也稱為柵極開(kāi)關(guān)應(yīng)....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-22 09:37 ?904次閱讀
SiC MOSFET中的交流應(yīng)力退化

Chiplet,困難重重

到目前為止,第三方chiplet的使用情況參差不齊。普遍的共識(shí)是,第三方芯粒市場(chǎng)將在某個(gè)時(shí)候蓬勃發(fā)展....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-20 16:23 ?641次閱讀
Chiplet,困難重重

8英寸SiC晶體生長(zhǎng)熱場(chǎng)的設(shè)計(jì)與優(yōu)化

碳化硅(SiC)材料被認(rèn)為已經(jīng)徹底改變了電力電子行業(yè)。其寬帶隙、高溫穩(wěn)定性和高導(dǎo)熱性等特性將為SiC....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-20 13:46 ?2336次閱讀
8英寸SiC晶體生長(zhǎng)熱場(chǎng)的設(shè)計(jì)與優(yōu)化

英特爾、三星和臺(tái)積電公布下一代晶體管進(jìn)展

英特爾是三者中最早演示 CFET 的,早在 2020 年就在 IEDM 上推出了早期版本。這一次,英....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-19 11:15 ?555次閱讀
英特爾、三星和臺(tái)積電公布下一代晶體管進(jìn)展

SiC相對(duì)于Si有哪些優(yōu)勢(shì)?

更高的擊穿場(chǎng)允許器件在給定區(qū)域承受更高的電壓。這使得器件設(shè)計(jì)人員能夠在相同的芯片尺寸下增加用于電流流....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-19 09:41 ?1148次閱讀
SiC相對(duì)于Si有哪些優(yōu)勢(shì)?

MOSFET的并聯(lián)使用

MOSFET的并聯(lián)使用
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-19 09:40 ?1224次閱讀
MOSFET的并聯(lián)使用

什么是IGBT?IGBT的工作原理

IGBT:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-18 09:40 ?8604次閱讀
什么是IGBT?IGBT的工作原理

碳化硅外延設(shè)備技術(shù)研究

與傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料硅、鍺相比,第三代半導(dǎo)體材料碳化硅 (Silicon Carbide, SiC) 具....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-18 09:37 ?2447次閱讀
碳化硅外延設(shè)備技術(shù)研究

三種碳化硅外延生長(zhǎng)爐的差異

碳化硅襯底有諸多缺陷無(wú)法直接加工,需要在其上經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓,這層薄膜....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-15 09:45 ?3222次閱讀
三種碳化硅外延生長(zhǎng)爐的差異

SiC功率器件中的失效機(jī)制分析

SiC 功率 MOSFET 和肖特基二極管正在快速應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體 (PECS) 應(yīng)用,例如....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-15 09:42 ?4450次閱讀
SiC功率器件中的失效機(jī)制分析

什么是IGCT?什么是IGBT??jī)烧哂泻螀^(qū)別與聯(lián)系

IGCT(Integrated Gate-Commutated Thyristor),中文名稱:集成....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-14 09:48 ?18270次閱讀
什么是IGCT?什么是IGBT??jī)烧哂泻螀^(qū)別與聯(lián)系

Boost變換器中SiC與IGBT模塊熱損耗對(duì)比研究

摘 要:針對(duì)Boost變換器中SiC(碳化硅)與IGBT模塊熱損耗問(wèn)題,給出了Boost電路中功率模....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-14 09:37 ?1723次閱讀
Boost變換器中SiC與IGBT模塊熱損耗對(duì)比研究

功率芯片是什么?功率芯片有哪些?

近年來(lái),我國(guó)已成為全球發(fā)電量第一的大國(guó)。電能一直是人類消耗的最大能源,是目前最為重要的一種能源形式之....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-13 10:32 ?7472次閱讀
功率芯片是什么?功率芯片有哪些?

碳化硅在光伏領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

一是可以直接利用,特別是在偏遠(yuǎn)或者離網(wǎng)區(qū)域;二是它足夠多:據(jù)計(jì)算,海平面上,每平方米每天可產(chǎn)生1kW....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-13 09:52 ?885次閱讀
碳化硅在光伏領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域和性能優(yōu)勢(shì)

當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機(jī)等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-11 17:17 ?4670次閱讀
IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域和性能優(yōu)勢(shì)

芯片設(shè)計(jì)的核心技術(shù)與關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)概述

應(yīng)對(duì)網(wǎng)絡(luò)威脅正在成為芯片和系統(tǒng)設(shè)計(jì)的一個(gè)組成部分,并且更加昂貴和復(fù)雜。
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-11 10:03 ?863次閱讀
芯片設(shè)計(jì)的核心技術(shù)與關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)概述

FPGA產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析

現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列 (FPGA) 是提供適應(yīng)性強(qiáng)且可更改的硬件功能的半導(dǎo)體。它們包含各種可變邏輯單元和....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-06 14:39 ?1666次閱讀
FPGA產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析

凸點(diǎn)鍵合技術(shù)的主要特征

自從IBM于20世紀(jì)60年代開(kāi)發(fā)出可控塌陷芯片連接(Controlled Collapse Chip....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-05 09:40 ?1661次閱讀
凸點(diǎn)鍵合技術(shù)的主要特征

提高3D NAND閃存存儲(chǔ)密度的四項(xiàng)基本技術(shù)

增加3D(三維)NAND閃存密度的方法正在發(fā)生變化。這是因?yàn)橹С謧鹘y(tǒng)高密度技術(shù)的基本技術(shù)預(yù)計(jì)將在不久....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 11-30 10:20 ?913次閱讀
提高3D NAND閃存存儲(chǔ)密度的四項(xiàng)基本技術(shù)

光器件的最新研究和發(fā)展趨勢(shì)

此次,我們將報(bào)道旨在實(shí)現(xiàn)光互連的光器件的最新研究和發(fā)展趨勢(shì)。
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 11-29 09:41 ?1052次閱讀
光器件的最新研究和發(fā)展趨勢(shì)

車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體/元器件認(rèn)證

因?yàn)槠囯妱?dòng)化、智能化和網(wǎng)聯(lián)化的來(lái)襲,全球性的汽車芯片缺貨,以及國(guó)內(nèi)汽車芯片產(chǎn)業(yè)的興起。汽車芯片產(chǎn)業(yè)....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 11-28 09:59 ?430次閱讀

晶體管的分類介紹

隨著中美貿(mào)易戰(zhàn)、中美科技戰(zhàn)打響以來(lái),集成電路成了一個(gè)熱門話題。我國(guó)也在加強(qiáng)集成電路的發(fā)展[1],那么....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 11-28 09:56 ?1803次閱讀
晶體管的分類介紹

電力半導(dǎo)體器件的分類

電力半導(dǎo)體器件是進(jìn)行電力變換和控制的大功率器件。 可直接用于處理電能的主電路中,實(shí)現(xiàn)電能的變換或控制....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 11-28 09:54 ?1313次閱讀
電力半導(dǎo)體器件的分類

2023年60%的私有小型基站RFFE仍依賴GAAS平臺(tái)

蜂窩專用網(wǎng)絡(luò)正在進(jìn)入一個(gè)充滿希望的商業(yè)階段,并在全球范圍內(nèi)傳播,這為需要解決新工業(yè)用例的 RAN 參....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 11-27 09:45 ?866次閱讀
2023年60%的私有小型基站RFFE仍依賴GAAS平臺(tái)
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