PC電源是一個(gè)無(wú)工頻變壓器的四路開關(guān)穩(wěn)壓電源，其中涉及整流、高頻變化和脈寬調(diào)制技術(shù);其具有體積小、效....

當(dāng)前，在國(guó)際節(jié)能環(huán)保的大趨勢(shì)下，SiCIGBT芯片下游的新能源汽車、變頻家電、新能源發(fā)電等領(lǐng)域迅速發(fā)....

TOLL封裝是一種具有小體積、低封裝電阻和低寄生電感的封裝形式，常用于MOSFET。

功率MOSFET需要在鋰離子電池組內(nèi)部和輸出負(fù)載之間串聯(lián)。同時(shí)，專用IC用于控制MOSFET的開啟和....

如圖1所示，VDMOS結(jié)構(gòu)就是P型注入和N+注入后兩次擴(kuò)散形成P型區(qū)和N+型區(qū)，在硅表面P型區(qū)和N+....

IGBT等功率器件具有稱為“短路耐受時(shí)間（SCWT：Short Circuit Withstand ....

在MOS管的上下橋驅(qū)動(dòng)中，有這種現(xiàn)象。如下圖，一個(gè)管子處在米勒平臺(tái)的時(shí)候，會(huì)給另一個(gè)管子的Vgs電壓....

? “兵馬未動(dòng)，糧草先行”，各路IC英雄是否備好了Hamburger&Chips來(lái)迎接下一次的遠(yuǎn)征。....

逆變器中使用的MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effe....

Buck 變換器是一種輸出電壓低于輸入電壓的非隔離型直流變換器，其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如下所示。Buck 電路輸....

從上述分析可以看出，buck-boost拓?fù)漭斎險(xiǎn)i和輸出Uo正負(fù)方向相反。當(dāng)把電感L等效為兩個(gè)電感....

高側(cè)開關(guān)就是負(fù)載是接地的，開關(guān)相對(duì)于負(fù)載處于高電位，如下圖所示。如果將開關(guān)和負(fù)載的位置互換，就是低側(cè)....

Buck電路，也就是常說(shuō)的降壓電路，為直流進(jìn)-直流出。電路沒有變壓器，輸入輸出公共一個(gè)地。下圖為Bu....

2024年5月9日，芯長(zhǎng)征科技集團(tuán)（簡(jiǎn)稱“芯長(zhǎng)征”）新能源電子封測(cè)產(chǎn)線在中國(guó)榮成順利通線并隆重舉行通....

近日，芯長(zhǎng)征在UL認(rèn)證專業(yè)機(jī)構(gòu)安可捷協(xié)助下，成功完成IGBT模組的UL認(rèn)證流程，為公司的產(chǎn)品研發(fā)與市....

功率型芯片于控制單元中主要負(fù)責(zé)具有高功率負(fù)載的控制電路，是可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)中電力控制與管理的關(guān)鍵零件，由于....

三極管的結(jié)構(gòu)是給一塊純硅進(jìn)行三層摻雜，其中較窄區(qū)域高濃度N型摻雜，含有大量自由電子，中間極窄區(qū)域普通....

功率半導(dǎo)體器件（Power Electronic Device）又稱為電力電子器件和功率電子器件，是....

其中，有一個(gè)插圖，知識(shí)星球里有朋友不明白每層的構(gòu)造原理，這里我來(lái)剖析一下。

汽車電子對(duì)元件的工作溫度要求比較寬，根據(jù)不同的安裝位置等有不同的需求，但一般都要高于民用產(chǎn)品的要求。

碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電壓低、 開關(guān)速度極快、 驅(qū)動(dòng)能力要求相對(duì)低等特點(diǎn)， 是替代高壓硅MO....

據(jù)日本研究人員報(bào)告，通過減少碳污染來(lái)避免碳污染源導(dǎo)致的“遷移率崩潰”，氮化鎵（GaN）的電子遷移率性....

為滿足快速發(fā)展的電動(dòng)汽車行業(yè)對(duì)高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進(jìn)行了 1 200 V/500 A....

1：制造先進(jìn)的啟動(dòng)晶片(SOI)的方法。 2：作為一種創(chuàng)建復(fù)雜三維結(jié)構(gòu)和腔體的方法，以創(chuàng)造設(shè)備....

三電平逆變器基本介紹

只有體單晶材料難以滿足日益發(fā)展的各種半導(dǎo)體器件制作的需要。因此，1959年末開發(fā)了薄層單晶材料生長(zhǎng)技....

功率變換系統(tǒng)（power conversion system，PCS）是與儲(chǔ)能電池組配 套，連接于電....

3D集成是實(shí)現(xiàn)多芯片異構(gòu)集成解決方案的關(guān)鍵技術(shù)，是業(yè)界對(duì)系統(tǒng)級(jí)更高功耗、性能、面積和成本收益需求的回....

摘要：隨著儲(chǔ)能變流器向大容量、模塊化發(fā)展，碳化硅（SiC）器件由于其低損耗、耐高溫的特性，逐漸成為研....

光伏逆變器拓?fù)涓攀黾瓣P(guān)鍵技術(shù)