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芯長征科技

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詳解MOS管的寄生電感和寄生電容

寄生電容和寄生電感是指在電路中存在的非意圖的電容和電感元件。 它們通常是由于電路布局、線路長度、器件....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 02-21 09:45 ?2518次閱讀
詳解MOS管的寄生電感和寄生電容

IGBT器件的結(jié)構(gòu)和工作原理

IGBT器件的結(jié)構(gòu)和工作原理
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 02-21 09:41 ?1797次閱讀
IGBT器件的結(jié)構(gòu)和工作原理

全碳化硅直流充電設(shè)備技術(shù)研究案例

圍繞碳化硅功率器件高頻率、高耐壓、耐高溫的性能,提出一套適用于新能源汽車直流充電設(shè)備的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)方案,
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 02-20 09:47 ?569次閱讀
全碳化硅直流充電設(shè)備技術(shù)研究案例

晶體管BJT的工作原理 MOSFET的工作原理介紹

晶體管是一個(gè)簡單的組件,可以使用它來構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中,將帶你了解晶體管是如何工作的,以便....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 02-20 09:44 ?1311次閱讀
晶體管BJT的工作原理 MOSFET的工作原理介紹

關(guān)于半導(dǎo)體價(jià)值鏈分析(設(shè)計(jì)、制造和后制造)

半導(dǎo)體價(jià)值鏈的制造階段包括晶圓制造、前段制程、中段制程、后段制程和遠(yuǎn)端制程。
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 02-19 16:43 ?1518次閱讀

具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢壘二極管設(shè)計(jì)

北京工業(yè)大學(xué)和中國北京大學(xué)報(bào)道了碳化硅襯底(GaN/SiC)上由氮化鎵制成的全垂直結(jié)構(gòu)肖特基勢壘二極....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 02-19 11:23 ?1336次閱讀
具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢壘二極管設(shè)計(jì)

淺談碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)流程

碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)流程主要包括前道的晶圓加工,包括長晶、切割、研磨拋光、沉積外延;第二部分芯片加工....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-25 09:51 ?1037次閱讀

碳化硅的激光切割技術(shù)介紹

晶片切割是半導(dǎo)體器件制造的關(guān)鍵步驟,切割方式和質(zhì)量直接影響晶片的厚度、表面光滑度、尺寸和生產(chǎn)成本,同....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-23 09:42 ?5240次閱讀
碳化硅的激光切割技術(shù)介紹

MOS管體二極管是什么?MOS管體二極管的作用

體二極管是MOS管中的一個(gè)重要組成部分,它是襯底B與漏極D之間的PN結(jié)。由于把B極和S極短路了,因此....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-23 09:39 ?5373次閱讀
MOS管體二極管是什么?MOS管體二極管的作用

Chiplet對英特爾和臺(tái)積電有何顛覆性

Chiplets(芯片堆疊)并不新鮮。其起源深深植根于半導(dǎo)體行業(yè),代表了設(shè)計(jì)和制造集成電路的模塊化方....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-19 09:45 ?637次閱讀

100kW碳化硅三相并網(wǎng)逆變器設(shè)計(jì)

摘要:隨著人們環(huán)保意識(shí)的不斷提高,傳統(tǒng)的化石能源越來越無法滿足人們的要求,以太陽能為代表的可再生新能....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-19 09:43 ?1920次閱讀
100kW碳化硅三相并網(wǎng)逆變器設(shè)計(jì)

碳化硅晶片為什么存在C面和Si面

SiC是一種Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物,即百分之五十的硅(Si)和百分之五十的碳(....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-18 09:42 ?1692次閱讀
碳化硅晶片為什么存在C面和Si面

一種結(jié)合了SiC和GaN優(yōu)勢的晶體管

這是電力電子領(lǐng)域令人興奮的時(shí)代。在硅占據(jù)主導(dǎo)地位數(shù)十年后,兩種較新的材料——碳化硅和氮化鎵——已經(jīng)開....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-18 09:40 ?361次閱讀
一種結(jié)合了SiC和GaN優(yōu)勢的晶體管

高壓快充充電樁產(chǎn)業(yè) 碳化硅材料模塊或成必由之路

為適應(yīng)未來大功率高壓快充發(fā)展趨勢,主流車企及充電運(yùn)營商已經(jīng)開始布局大功率快充樁。但高壓快充對充電樁的....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-17 16:26 ?1533次閱讀
高壓快充充電樁產(chǎn)業(yè) 碳化硅材料模塊或成必由之路

碳化硅單晶襯底的常用檢測技術(shù)

碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料,因其寬禁帶寬度、高擊穿電場強(qiáng)度和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能,在眾多高端....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-17 09:38 ?2264次閱讀
碳化硅單晶襯底的常用檢測技術(shù)

晶圓級(jí)立方碳化硅單晶生長研究進(jìn)展

碳化硅(SiC)具有寬帶隙、高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能,在新能源汽車、光伏和....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-16 09:46 ?716次閱讀
晶圓級(jí)立方碳化硅單晶生長研究進(jìn)展

GaN新技術(shù)可使散熱能力提高2倍以上

近期,大阪公立大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)成功利用金剛石為襯底,制作出了氮化鎵(GaN)晶體管,其散熱性能是使用碳....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-15 10:44 ?862次閱讀

光伏逆變器的分類、構(gòu)成及保護(hù)技術(shù)

自20世紀(jì)70年代全球爆發(fā)石油危機(jī)以來,太陽能光伏發(fā)電技術(shù)引起了各國高度重視,光伏行業(yè)在全球迅速發(fā)展....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-15 09:43 ?1135次閱讀
光伏逆變器的分類、構(gòu)成及保護(hù)技術(shù)

為什么說逆變器是光伏的熱門賽道?逆變器在光伏系統(tǒng)中的具體作用

逆變器在光伏系統(tǒng)中具有關(guān)鍵作用。
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-11 09:48 ?1013次閱讀

碳化硅升華生長溫度測控研究

摘要:通過調(diào)節(jié)中頻感應(yīng)線圈的輸出功率來改變碳化硅升華生長坩堝的加熱溫度,并采用 NaCl 和 Al2....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-11 09:42 ?756次閱讀
碳化硅升華生長溫度測控研究

提高功率器件輸出密度的方法

“功率器件”是指逆變器、轉(zhuǎn)換器等電力轉(zhuǎn)換設(shè)備以及安裝在其中的半導(dǎo)體元件。按功能劃分,有功率晶體管(M....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-10 09:38 ?1024次閱讀
提高功率器件輸出密度的方法

基于MOS管的雙電源自動(dòng)切換電路設(shè)計(jì)

實(shí)現(xiàn)雙電源自動(dòng)切換電路,其中利用了三個(gè)MOS管進(jìn)行的電路設(shè)計(jì)。
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-10 09:36 ?13810次閱讀
基于MOS管的雙電源自動(dòng)切換電路設(shè)計(jì)

碳化硅的特性、應(yīng)用及動(dòng)態(tài)測試

SiC是碳化硅的縮寫。它是一種由硅原子和碳原子組成的化合物。碳化硅以其優(yōu)異的性能著稱,是一種用途廣泛....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-09 09:41 ?1019次閱讀

SiC功率模塊的液冷散熱設(shè)計(jì)與節(jié)能分析

為綜合評估SiC功率模塊的液冷冷板散熱效果,設(shè)計(jì)了串聯(lián)、并聯(lián)與串并聯(lián)三種冷板流道結(jié)構(gòu), 從器件溫升、....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-04 09:45 ?1677次閱讀
SiC功率模塊的液冷散熱設(shè)計(jì)與節(jié)能分析

淺談光伏逆變器的分類

逆變器的分類方法很多,按照源流性質(zhì)可分為有源逆變器和無源逆變器,根據(jù)逆變器輸入交流電壓相數(shù)可分為單相....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-04 09:44 ?1272次閱讀
淺談光伏逆變器的分類

3300V SiC MOSFET柵氧可靠性研究

摘要: 碳化硅 SiC功率器件因其卓越的材料性能,表現(xiàn)出巨大的應(yīng)用前景,其中金屬-氧化物-場效應(yīng)晶體....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-04 09:41 ?2328次閱讀
3300V SiC MOSFET柵氧可靠性研究

傳感器技術(shù)的變化及其原因

IMEC 項(xiàng)目經(jīng)理 Pawel Malinowski 與 Semiconductor Enginee....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-03 09:44 ?395次閱讀
傳感器技術(shù)的變化及其原因

IGBT芯片主要用在哪兒

如今全球的汽車已經(jīng)進(jìn)入到智能化時(shí)代,汽車對于芯片的需求劇烈增加,以往一個(gè)傳統(tǒng)汽車需要的芯片數(shù)量是在五....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-03 09:43 ?1151次閱讀
IGBT芯片主要用在哪兒

功率模塊銅線鍵合工藝參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)方案

為了提高功率模塊銅線鍵合性能,采用6因素5水平的正交試驗(yàn)方法,結(jié)合BP(Back Propaga‐t....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-03 09:41 ?743次閱讀
功率模塊銅線鍵合工藝參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)方案

6英寸β型氧化鎵單晶成功制備

2023年12月,日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼(VB)法....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-29 09:51 ?1343次閱讀
6英寸β型氧化鎵單晶成功制備
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