關(guān)于半導(dǎo)體價(jià)值鏈分析(設(shè)計(jì)、制造和后制造)
半導(dǎo)體價(jià)值鏈的制造階段包括晶圓制造、前段制程、中段制程、后段制程和遠(yuǎn)端制程。
具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢壘二極管設(shè)計(jì)
北京工業(yè)大學(xué)和中國北京大學(xué)報(bào)道了碳化硅襯底(GaN/SiC)上由氮化鎵制成的全垂直結(jié)構(gòu)肖特基勢壘二極....
淺談碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)流程
碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)流程主要包括前道的晶圓加工,包括長晶、切割、研磨拋光、沉積外延;第二部分芯片加工....
Chiplet對英特爾和臺(tái)積電有何顛覆性
Chiplets(芯片堆疊)并不新鮮。其起源深深植根于半導(dǎo)體行業(yè),代表了設(shè)計(jì)和制造集成電路的模塊化方....
100kW碳化硅三相并網(wǎng)逆變器設(shè)計(jì)
摘要:隨著人們環(huán)保意識(shí)的不斷提高,傳統(tǒng)的化石能源越來越無法滿足人們的要求,以太陽能為代表的可再生新能....
一種結(jié)合了SiC和GaN優(yōu)勢的晶體管
這是電力電子領(lǐng)域令人興奮的時(shí)代。在硅占據(jù)主導(dǎo)地位數(shù)十年后,兩種較新的材料——碳化硅和氮化鎵——已經(jīng)開....
高壓快充充電樁產(chǎn)業(yè) 碳化硅材料模塊或成必由之路
為適應(yīng)未來大功率高壓快充發(fā)展趨勢,主流車企及充電運(yùn)營商已經(jīng)開始布局大功率快充樁。但高壓快充對充電樁的....
GaN新技術(shù)可使散熱能力提高2倍以上
近期,大阪公立大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)成功利用金剛石為襯底,制作出了氮化鎵(GaN)晶體管,其散熱性能是使用碳....
光伏逆變器的分類、構(gòu)成及保護(hù)技術(shù)
自20世紀(jì)70年代全球爆發(fā)石油危機(jī)以來,太陽能光伏發(fā)電技術(shù)引起了各國高度重視,光伏行業(yè)在全球迅速發(fā)展....
為什么說逆變器是光伏的熱門賽道?逆變器在光伏系統(tǒng)中的具體作用
逆變器在光伏系統(tǒng)中具有關(guān)鍵作用。
基于MOS管的雙電源自動(dòng)切換電路設(shè)計(jì)
實(shí)現(xiàn)雙電源自動(dòng)切換電路,其中利用了三個(gè)MOS管進(jìn)行的電路設(shè)計(jì)。
碳化硅的特性、應(yīng)用及動(dòng)態(tài)測試
SiC是碳化硅的縮寫。它是一種由硅原子和碳原子組成的化合物。碳化硅以其優(yōu)異的性能著稱,是一種用途廣泛....
SiC功率模塊的液冷散熱設(shè)計(jì)與節(jié)能分析
為綜合評估SiC功率模塊的液冷冷板散熱效果,設(shè)計(jì)了串聯(lián)、并聯(lián)與串并聯(lián)三種冷板流道結(jié)構(gòu), 從器件溫升、....
功率模塊銅線鍵合工藝參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)方案
為了提高功率模塊銅線鍵合性能,采用6因素5水平的正交試驗(yàn)方法,結(jié)合BP(Back Propaga‐t....