基于可定制64位內(nèi)核的RISC-V設(shè)計(jì)
ISC-V Tensor 單元集成到緩存子系統(tǒng)中，SemiDynamics 使其成為第一個(gè)用于數(shù)據(jù)中....
碳化硅功率器件的可靠性應(yīng)用
電機(jī)控制器：碳化硅器件在新能源汽車電機(jī)控制器中可以應(yīng)用于直流轉(zhuǎn)換器、逆變器、交流驅(qū)動(dòng)單元等，利用其高....
MOSFET和IGBT的概念和優(yōu)缺點(diǎn)
場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）。
功率半導(dǎo)體分立器件的定義和分類
作為電子系統(tǒng)中的最基本單元，半導(dǎo)體功率器件在包括汽車電子、消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、電子設(shè)備、航空航天、武....
功率器件終端區(qū)設(shè)計(jì)的必要性、工作原理及注意事項(xiàng)
MOSFET、IGBT、二極管等功率器件中起通流和開關(guān)作用的均是功率器件的有源區(qū)，那為什么還要在周圍....
一個(gè)電路板從射頻設(shè)計(jì)到實(shí)現(xiàn)是經(jīng)過(guò)什么步驟？
一個(gè)電路板從設(shè)計(jì)到實(shí)現(xiàn)是經(jīng)過(guò)什么步驟？
車規(guī)級(jí)IGBT有多重要？海外巨頭占據(jù)主要市場(chǎng) 國(guó)產(chǎn)替代正當(dāng)時(shí)
當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成，如電池、VCU、BSM、電機(jī)等，但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)....
MOS管選擇注意事項(xiàng)
在一些電路的設(shè)計(jì)中，不光是開關(guān)電源電路中，經(jīng)常會(huì)使用MOS管，正確選擇MOS管是硬件工程師經(jīng)常遇到的....
大功率電力電子器件散熱研究綜述
針對(duì)現(xiàn)階段制約電力電子技術(shù)發(fā)展的散熱問題，以溫度對(duì)電力電子器件的影響、電力電子設(shè)備熱設(shè)計(jì)特點(diǎn)、常見散....
碳化硅器件在光伏逆變器中的應(yīng)用
光伏發(fā)電是SiC器件除新能源汽車領(lǐng)域外的第二大應(yīng)用領(lǐng)域。光伏逆變器作為光伏電站的轉(zhuǎn)換設(shè)備，主要作用是....
氮化鎵(GaN)功率器件技術(shù)解析
氮化鎵（GaN）功率器件在幾個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅（Si）具有優(yōu)勢(shì)。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更....
簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)二極管和三極管
二極管：將PN結(jié)用外殼封裝起來(lái)，并加上電極引線就構(gòu)成了半導(dǎo)體二極管（P區(qū)引出的電極為陽(yáng)極，N區(qū)引出的....
Yole：2028年功率器件市場(chǎng)將達(dá)333億美元
一直以來(lái)，硅器件廠商在不斷發(fā)展，并積極擁抱轉(zhuǎn)向12英寸晶圓的趨勢(shì)，以提升產(chǎn)能并降低單顆裸芯的成本。硅....
常見的幾種功率半導(dǎo)體器件介紹
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半....
有史以來(lái)最快的半導(dǎo)體“超原子”能將芯片速度提升千倍
“超原子”（superatomic）材料已成為已知最快的半導(dǎo)體，并且可能導(dǎo)致計(jì)算機(jī)芯片的速度比當(dāng)今任....
功率器件市場(chǎng)，中國(guó)是擴(kuò)張主力
報(bào)告進(jìn)一步指出，到2022 年，分立器件市場(chǎng)價(jià)值將達(dá)到 143 億美元，到 2028 年預(yù)計(jì)將達(dá)到 ....
二維材料給功率半導(dǎo)體帶來(lái)了什么？
9月15日，華中科技大學(xué)材料成形與模具技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的翟天佑教授團(tuán)隊(duì)宣布，其研發(fā)團(tuán)隊(duì)在二維高性能....
新型晶圓成像技術(shù)可節(jié)省數(shù)百萬(wàn)英鎊
一項(xiàng)可為半導(dǎo)體行業(yè)節(jié)省數(shù)百萬(wàn)英鎊的晶圓成像技術(shù)將獲得 ChipStart UK 的支持，該項(xiàng)目是 S....
復(fù)旦大學(xué)提出一種具有溫度傳感功能的低導(dǎo)通損耗雙極晶體管
針對(duì)未來(lái)智慧功率器件和模組中需要集成實(shí)時(shí)溫度傳感功能的需求，團(tuán)隊(duì)提出了一種具有空穴通道和溫度傳感功能....
講一講Apple Macintosh處理器過(guò)渡的故事
從 68k 到 PowerPC 的轉(zhuǎn)變被廣泛認(rèn)為是成功的。在 20 世紀(jì) 90 年代的大部分時(shí)間里，....
高數(shù)值孔徑EUV的可能拼接解決方案
采用曲線掩模的另一個(gè)挑戰(zhàn)是需要將兩個(gè)掩?？p合在一起以在晶圓上形成完整的圖像。對(duì)于高數(shù)值孔徑 EUV，....
芯片庫(kù)存調(diào)整，接近尾聲
野村APAC技術(shù)研究所主管David Wong也說(shuō)，半導(dǎo)體業(yè)這波庫(kù)存調(diào)整周期從去年中開始，現(xiàn)在可能已....
氮化鎵功率芯片功率曲線分析 氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點(diǎn)
不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉(zhuǎn)....
從單片SoC向異構(gòu)芯片和小芯片封裝的轉(zhuǎn)變正在加速
關(guān)于異構(gòu)集成和高級(jí)封裝的任何討論的一個(gè)良好起點(diǎn)是商定的術(shù)語(yǔ)。異構(gòu)集成一詞最常見的用途可能是高帶寬內(nèi)存....
日本研發(fā)出氧化鎵的低成本制法
這種作方法屬于“有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積（MOCVD）法”，通過(guò)在密閉裝置內(nèi)充滿氣體狀原料，在基板上制造....
工商網(wǎng)監(jiān)