第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)基礎(chǔ)知識

第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）。它以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，在科技界掀起了一陣熱潮。 ? 今天我要和你們聊一聊半導(dǎo)體領(lǐng)域的一顆“新星”——第三代半導(dǎo)...

2024-11-27 標(biāo)簽：氮化鎵GaN第三代半導(dǎo)體 378 0

第1波嘉賓劇透！六大院士專家精彩分享：AEMIC第三代半導(dǎo)體及先進封裝技術(shù)創(chuàng)新大會暨先進半導(dǎo)體展

第2屆第三代半導(dǎo)體及先進封裝技術(shù) 創(chuàng)新大會暨先進半導(dǎo)體展 ? “芯”材料? 新領(lǐng)航?? 11月6-8日，深圳國際會展中心（寶安） ? ? 主辦單位 中國...

2024-09-10 標(biāo)簽：第三代半導(dǎo)體 269 0

去庫存效果怎樣？9家大廠中報，看功率半導(dǎo)體市場年底走勢

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）最近，多家本土功率半導(dǎo)體廠商公布了2024上半年業(yè)績。去年乘著工業(yè)和電動汽車市場的強勁需求，功率半導(dǎo)體領(lǐng)域尤其是SiC...

2024-09-02 標(biāo)簽：IGBT士蘭微功率器件 5332 0

半導(dǎo)體行業(yè)回暖，萬年芯深耕高端封裝

2024年，近七成半導(dǎo)體公司經(jīng)營業(yè)績回暖，在第三代半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇浪潮中，封測技術(shù)作為后摩爾時代的關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節(jié)，作用愈發(fā)凸顯。萬年芯憑借其在封裝測試領(lǐng)域夯...

2024-08-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝測試碳化硅 379 0

萬年芯：三代半企業(yè)提速，碳化硅跑步進入8英寸時代

英飛凌于近期宣布，其位于馬來西亞的新晶圓廠正式進入第一階段建設(shè)，該晶圓廠將成為全球最大、最具競爭力的8英寸碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體晶圓廠。無獨有偶，安...

2024-08-16 標(biāo)簽：晶圓碳化硅第三代半導(dǎo)體 492 0

萬年芯：“國家隊”出手！各國角逐碳化硅/氮化鎵三代半產(chǎn)業(yè)

以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料被認(rèn)為是當(dāng)今電子電力產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要推動力，已在新能源汽車、光儲充、智能電網(wǎng)、5G通信、微波射頻、消費電子等領(lǐng)域展...

2024-08-10 標(biāo)簽：SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體 415 0

國產(chǎn)第三代半導(dǎo)體原廠上市即遭大廠訴訟，產(chǎn)業(yè)前景如何解讀？

電子發(fā)燒友網(wǎng)（文/梁浩斌）最近國內(nèi)的首個第三代半導(dǎo)體芯片原廠提出了在港交所IPO上市的申請，不出意外的話將會獲得成功上市。這對于國內(nèi)眾多三代半的功率器件...

2024-08-05 標(biāo)簽：氮化鎵GaN第三代半導(dǎo)體 3845 0

替代Trench MOSFET？國產(chǎn)SGT MOSFET產(chǎn)品井噴

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）近幾年第三代半導(dǎo)體在功率器件上發(fā)光發(fā)熱，低壓消費應(yīng)用上GaN器件統(tǒng)治充電頭市場，新能源汽車高壓平臺上SiC器件逐漸成為標(biāo)配...

2024-08-02 標(biāo)簽：MOSFET功率器件第三代半導(dǎo)體 6686 0

SiC和GaN加速上車！2029年第三代半導(dǎo)體全球規(guī)模如何？Yole專家揭秘

近日，在慕尼黑上海電子展的論壇上，Yole Group化合物半導(dǎo)體資深分析師邱柏順從行業(yè)分析的角度向現(xiàn)場工程師和觀眾分享了全球碳化硅與氮化鎵市場最新發(fā)展...

2024-07-19 標(biāo)簽：SiCGaN第三代半導(dǎo)體 6249 0

在混合電源設(shè)計上，Si、SiC、GaN如何各司其職？

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）今年5月英飛凌公布了專為AI數(shù)據(jù)中心設(shè)計的PSU（電源供應(yīng)單元）路線圖，在3.3kW、8kW、12kW的PSU方案上，...

2024-07-08 標(biāo)簽：電源SiCGaN 3489 0

實現(xiàn)電流和控制信號分離，羅姆新型SiC封裝模塊助力實現(xiàn)更小型的xEV逆變器

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）憑借高頻、高壓、高效、高耐溫和低損耗的產(chǎn)品特性，目前第三代半導(dǎo)體SiC（碳化硅）器件已經(jīng)成為各行業(yè)打造電氣化方案的首選，進...

2024-06-27 標(biāo)簽：逆變器SiC羅姆 2716 0

英諾賽科IPO！三年營收超7億累計虧損67億，開拓海外市場

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/莫婷婷）近期，作為業(yè)內(nèi)氮化鎵龍頭的英諾賽科向港交所遞交招股書，正式開始IPO之路。這家明星企業(yè)在公開招股書后，終于讓業(yè)內(nèi)人士看到了...

2024-06-17 標(biāo)簽：ipo氮化鎵英諾賽科 4107 0

大基金三期豪擲3440億!半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)誰能抓住機遇?

低迷的半導(dǎo)體市場迎來了一劑強心針。 日前，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金三期股份有限公司(以下簡稱“國家大基金三期”)注冊成立，注冊資本為3440億元，法定代...

2024-06-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體 464 0

年復(fù)合增長率達32.6%！車載SiC和工業(yè)GaN前景暢旺，產(chǎn)業(yè)鏈廠商進展如何

近日，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的國際領(lǐng)先廠商意法半導(dǎo)體公布了最新的財報，ST SiC領(lǐng)域2023年收入達到14億美元，計劃在2024年實現(xiàn)15億美元的收入，到2...

2024-04-10 標(biāo)簽：ST功率器件SiC 3703 0

第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新企業(yè)基本半導(dǎo)體榮獲銳湃科技2023年度優(yōu)秀合作獎

近日，在銳湃科技舉辦的第一屆供應(yīng)鏈合作伙伴大會上，基本半導(dǎo)體憑借在客戶端的優(yōu)異表現(xiàn)，榮獲銳湃科技頒發(fā)的“2023年度優(yōu)秀合作獎”?；景雽?dǎo)體副總經(jīng)理蔡雄...

2024-04-02 標(biāo)簽：功率器件碳化硅基本半導(dǎo)體 1065 0

AI的盡頭或是氮化鎵？2024年多家廠商氮化鎵產(chǎn)品亮相，1200V高壓沖進市場

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/劉靜）氮化鎵是最新的第三代半導(dǎo)體材料，最早是在1932年由W.C.Johnson等人首次合成，2019年開啟在快充領(lǐng)域大規(guī)模商用。...

2024-03-28 標(biāo)簽：AI氮化鎵第三代半導(dǎo)體 3000 0