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HEMT

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hemt技術(shù)

GaN HEMT有哪些優(yōu)缺點(diǎn)

GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率晶體管)作為一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件,在電力電子、高頻通信、汽車電子等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢(shì),但同時(shí)也存在一些缺...

2024-08-15 標(biāo)簽:GaN功率半導(dǎo)體HEMT 1187 0

改善GaN HEMT功率器件的短路耐受時(shí)間

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在本文中,我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù),即短路耐受時(shí)間 (SCWT)。

2024-05-09 標(biāo)簽:功率器件GaNHEMT 821 0

GaN功率HEMT制造中的缺陷及其表征方法

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氮化鎵具有許多內(nèi)在材料優(yōu)勢(shì),如寬能隙和高電子遷移率。當(dāng)用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時(shí),這些特性可用于獲得功率轉(zhuǎn)換性能優(yōu)勢(shì),因?yàn)槠錈o反向恢復(fù)...

2024-04-18 標(biāo)簽:氮化鎵GaNHEMT 1251 0

微波GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)

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報(bào)告內(nèi)容包含: 微帶WBG MMIC工藝 GaN HEMT 結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng) GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)

2023-12-14 標(biāo)簽:微波GaNHEMT 427 0

氮化鎵器件介紹與仿真

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本推文簡(jiǎn)述氮化鎵器件,主要包括GaN HEMT和二極管,幫助讀者了解Sentaurus TCAD仿真氮化鎵器件的相關(guān)內(nèi)容。

2023-11-27 標(biāo)簽:二極管仿真氮化鎵 3335 0

深入了解 GaN 技術(shù)

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2023-12-06 標(biāo)簽:柵極氮化鎵GaN 6145 0

GaN HEMT器件結(jié)構(gòu)解析

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硅材料的功率半導(dǎo)體器件已被廣泛應(yīng)用于大功率開關(guān)中,如電源、電機(jī)控制、工廠自動(dòng)化以及部分汽車電子器件。這些硅材料功率半導(dǎo)體器件都著重于減少功率損耗。在這些...

2023-11-09 標(biāo)簽:集成電路氮化鎵功率半導(dǎo)體 1560 0

GaN單晶襯底顯著改善HEMT器件電流崩塌效應(yīng)

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由于GaN和AlGaN材料中擁有較強(qiáng)的極化效應(yīng),AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)無需進(jìn)行調(diào)制摻雜就能在界面處形成高濃度的二維電子氣(2DEG),在此基礎(chǔ)上發(fā)展而...

2023-06-14 標(biāo)簽:晶體管GaNHEMT 2986 0

GaN HEMT工藝全流程

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GaN HEMT(高電子遷移率晶體管:High Electron Mobility Transistor)是新一代功率半導(dǎo)體,具有低工作電阻和高抗損性,...

2023-05-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管GaN 2779 0

基于AlN單晶襯底的AlGaN溝道型MOSHFET最新進(jìn)展

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近期,美國南卡羅來納大學(xué)報(bào)道了在AlN單晶襯底上通過MOCVD生長(zhǎng)的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶...

2023-05-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體充電器晶體管 1057 0

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搶先領(lǐng)??!高壓CoolGaN? GIT HEMT可靠性白皮書推薦

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高壓CoolGaNGITHEMT(高電子遷移率晶體管)可靠性和驗(yàn)證的白皮書共33頁,被翻譯成中文和日文,主要介紹了英飛凌如何實(shí)現(xiàn)CoolGaN技術(shù)和器件...

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)作為新一代的半導(dǎo)體材料,因其禁帶寬度大、臨界擊穿電場(chǎng)高、飽和電子漂移速度高等特...

2024-08-27 標(biāo)簽:GaN儲(chǔ)能HEMT 3928 0

使用GaN HEMT設(shè)備最大化OBCs的功率密度

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隨著電動(dòng)汽車(EVs)的銷售量增長(zhǎng),整車OBC(車載充電器)的性能要求日益提高。原始設(shè)備制造商正在尋求最小化這些組件的尺寸和重量以提高車輛續(xù)航里程。因此...

2023-12-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車GaNHEMT 1038 0

GaN HEMT為什么不能做成低壓器件

GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率晶體管)是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件,具有很高的電子遷移率、大的電子飽...

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利用 HEMT 和 PHEMT 改善無線通信電路中的增益、速度和噪聲

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2023-12-07 標(biāo)簽:無線通信晶體管HEMT 976 0

CGD與群光電能科技和劍橋大學(xué)技術(shù)服務(wù)部共同組建GaN生態(tài)系統(tǒng)

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擁有系統(tǒng)和應(yīng)用、研究和設(shè)備方面的專業(yè)知識(shí),可生產(chǎn)創(chuàng)新、高性能的基于 GaN 的筆記本電腦和數(shù)據(jù)中心電源產(chǎn)品 ? 英國劍橋 - Cambridge GaN...

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AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)的氧基數(shù)字蝕刻

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寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(fet)能夠提供比傳統(tǒng)Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關(guān)GaN非常需要HEM...

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誠邀您于 8 月 29 至 31 日蒞臨上海新國際博覽中心參觀 2G18 展位 英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是...

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CGD 與高品質(zhì)服務(wù)領(lǐng)航者 DigiKey 達(dá)成全球分銷協(xié)議

為建立 GaN 生態(tài)系統(tǒng)造福全球工程師邁出重要一步 英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公...

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全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡(jiǎn)稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z...

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