動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2024-12-06 16:25
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發(fā)布了文章 2024-12-05 10:39
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發(fā)布了文章 2024-11-29 15:34
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發(fā)布了文章 2024-11-28 13:11
BGA芯片封裝凸點(diǎn)工藝:技術(shù)詳解與未來(lái)趨勢(shì)
隨著集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展,芯片封裝技術(shù)也在不斷進(jìn)步,以適應(yīng)日益增長(zhǎng)的微型化、多功能化和高集成化的需求。其中,球柵陣列封裝(BGA)作為一種先進(jìn)的封裝技術(shù),憑借其硅片利用率高、互連路徑短、信號(hào)傳輸延時(shí)短以及寄生參數(shù)小等優(yōu)點(diǎn),迅速成為當(dāng)今中高端芯片封裝領(lǐng)域的主流。在BGA芯片封裝中,凸點(diǎn)制作工藝是至關(guān)重要的一環(huán),它不僅關(guān)系到封裝的可靠性和性能,還直接影響到封裝 -
發(fā)布了文章 2024-11-27 09:54
碳化硅外延技術(shù):解鎖第三代半導(dǎo)體潛力
碳化硅(Silicon Carbide, SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,以其優(yōu)異的物理和化學(xué)特性,在電力電子、光電子、射頻器件等領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中,外延技術(shù)作為連接襯底與器件制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié),其質(zhì)量和性能直接決定著碳化硅器件的整體表現(xiàn)。本文將深入探討碳化硅外延技術(shù)的核心地位、技術(shù)特點(diǎn)、應(yīng)用挑戰(zhàn)以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。441瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-11-26 14:39
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發(fā)布了文章 2024-11-25 10:42
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發(fā)布了文章 2024-11-22 11:43